JP3282850B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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- JP3282850B2 JP3282850B2 JP18392192A JP18392192A JP3282850B2 JP 3282850 B2 JP3282850 B2 JP 3282850B2 JP 18392192 A JP18392192 A JP 18392192A JP 18392192 A JP18392192 A JP 18392192A JP 3282850 B2 JP3282850 B2 JP 3282850B2
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- Japan
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- adhesive layer
- printed wiring
- wiring board
- substrate
- plating
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板の製造方
法に係り、特にフルアディティブ法によるプリント配線
板の製造方法に関するものである。
法に係り、特にフルアディティブ法によるプリント配線
板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化及び
多機能化が進められており、これに使用されるプリント
配線板においてもファインパターンによる高密度化及び
高信頼性が要求されている。
多機能化が進められており、これに使用されるプリント
配線板においてもファインパターンによる高密度化及び
高信頼性が要求されている。
【０００３】従来、プリント配線板に導体回路を形成す
る方法としては、絶縁基板に銅箔を積層した後、フォト
エッチングすることにより導体回路を形成するサブトラ
クティブ法が広く行われている。この方法によれば絶縁
基板との密着性に優れた導体回路を形成することができ
る。しかし、エッチングでパターンを形成する際に必要
なエッチング深さが大きいため所謂アンダーカットが生
じ、高精度のファインパターンが得難く、高密度化に対
応することが難しいという問題がある。そこでサブトラ
クティブ法に代わる方法として、無電解メッキのみで導
体回路を形成するフルアディティブ法が注目されてい
る。
る方法としては、絶縁基板に銅箔を積層した後、フォト
エッチングすることにより導体回路を形成するサブトラ
クティブ法が広く行われている。この方法によれば絶縁
基板との密着性に優れた導体回路を形成することができ
る。しかし、エッチングでパターンを形成する際に必要
なエッチング深さが大きいため所謂アンダーカットが生
じ、高精度のファインパターンが得難く、高密度化に対
応することが難しいという問題がある。そこでサブトラ
クティブ法に代わる方法として、無電解メッキのみで導
体回路を形成するフルアディティブ法が注目されてい
る。
【０００４】フルアディティブ法では基板の表面に形成
された粗化接着層に無電解メッキ（銅）の最初の析出に
必要な触媒核を付与した後、所望の箇所にメッキレジス
ト層を形成し、次いで触媒核の活性化処理すなわち活性
化液への基板の浸漬及び水洗を行った後、基板をメッキ
液に浸漬して所望の箇所に無電解銅メッキ層を形成して
導体回路を形成する。そして、従来、触媒核付与工程の
前処理として油分を洗浄するための脱脂処理及び基板表
面に核が付き易くするためのコンディショニング処理を
行っている。
された粗化接着層に無電解メッキ（銅）の最初の析出に
必要な触媒核を付与した後、所望の箇所にメッキレジス
ト層を形成し、次いで触媒核の活性化処理すなわち活性
化液への基板の浸漬及び水洗を行った後、基板をメッキ
液に浸漬して所望の箇所に無電解銅メッキ層を形成して
導体回路を形成する。そして、従来、触媒核付与工程の
前処理として油分を洗浄するための脱脂処理及び基板表
面に核が付き易くするためのコンディショニング処理を
行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、両面プリン
ト配線板の製造において、フルアディティブプロセスと
して前記従来の方法を採用した場合は、接着層とメッキ
層との密着力が不充分となり、プリント配線板に形成さ
れた導体回路のピール強度がＪＩＳ規格の１．４ｋｇ／
ｃｍより低くなるという問題があった。
ト配線板の製造において、フルアディティブプロセスと
して前記従来の方法を採用した場合は、接着層とメッキ
層との密着力が不充分となり、プリント配線板に形成さ
れた導体回路のピール強度がＪＩＳ規格の１．４ｋｇ／
ｃｍより低くなるという問題があった。
【０００６】プリント配線板の導体回路が形成された部
分を切断して接着層とメッキ層の状態を観察した。その
結果、図２（ａ）に示すようにメッキ１は接着剤層２に
形成された一次アンカー用凹部３内には確実に形成され
ているが、一次アンカー用凹部３の内面に形成された微
細な二次アンカー用凹部３ａ内には確実に入り込んだ状
態となっていないことが判明した。すなわち、従来のフ
ルアディティブプロセスではメッキ層が形成される際
に、メッキが微細な二次アンカー凹部内まで確実に入り
込むことができず、接着層とメッキ層との密着力を高め
るためのアンカー効果が不充分となりピール強度が低く
なると考えられる。
分を切断して接着層とメッキ層の状態を観察した。その
結果、図２（ａ）に示すようにメッキ１は接着剤層２に
形成された一次アンカー用凹部３内には確実に形成され
ているが、一次アンカー用凹部３の内面に形成された微
細な二次アンカー用凹部３ａ内には確実に入り込んだ状
態となっていないことが判明した。すなわち、従来のフ
ルアディティブプロセスではメッキ層が形成される際
に、メッキが微細な二次アンカー凹部内まで確実に入り
込むことができず、接着層とメッキ層との密着力を高め
るためのアンカー効果が不充分となりピール強度が低く
なると考えられる。
【０００７】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的はメッキが微細な二次アンカー凹
部内まで確実に入り込み、プリント配線板に形成された
導体回路のピール強度を向上させることができるプリン
ト配線板の製造方法を提供することにある。
のであって、その目的はメッキが微細な二次アンカー凹
部内まで確実に入り込み、プリント配線板に形成された
導体回路のピール強度を向上させることができるプリン
ト配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め請求項１に記載の発明では、基板上に形成された粗化
接着層に触媒核を付与し、次いでメッキレジストを形成
した後、無電解メッキを施して導体回路を形成するプリ
ント配線板の製造方法において、前記粗化接着層に対す
る触媒核付与工程の前処理工程として、硫酸処理を行う
ようにした。使用される硫酸の濃度は、１００〜２００
ｇ／ｌが好ましい。
め請求項１に記載の発明では、基板上に形成された粗化
接着層に触媒核を付与し、次いでメッキレジストを形成
した後、無電解メッキを施して導体回路を形成するプリ
ント配線板の製造方法において、前記粗化接着層に対す
る触媒核付与工程の前処理工程として、硫酸処理を行う
ようにした。使用される硫酸の濃度は、１００〜２００
ｇ／ｌが好ましい。
【０００９】又、請求項２に記載の発明では、基板上に
形成された粗化接着層に触媒核を付与し、次いでメッキ
レジストを形成した後、無電解メッキを施して導体回路
を形成するプリント配線板の製造方法において、前記粗
化接着層に対する触媒核付与工程の前処理工程に、酸化
剤水溶液として過酸化水素水溶液と硫酸の混合溶液、過
硫酸ソーダ水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液のいずれ
かを使用して処理を行い、その後硫酸処理を行うように
した。
形成された粗化接着層に触媒核を付与し、次いでメッキ
レジストを形成した後、無電解メッキを施して導体回路
を形成するプリント配線板の製造方法において、前記粗
化接着層に対する触媒核付与工程の前処理工程に、酸化
剤水溶液として過酸化水素水溶液と硫酸の混合溶液、過
硫酸ソーダ水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液のいずれ
かを使用して処理を行い、その後硫酸処理を行うように
した。
【００１０】酸化剤水溶液としては、過酸化水素水溶液
と硫酸の混合溶液、過硫酸ソーダ水溶液、過硫酸アンモ
ニウム水溶液等が使用される。過酸化水素水溶液と硫酸
の混合溶液の場合は、硫酸の濃度は１００〜３００ｇ／
ｌ好ましくは１５０〜２００ｇ／ｌ、過酸化水素水溶液
の濃度は５〜２５ｇ／ｌ好ましくは８〜１５ｇ／ｌであ
る。
と硫酸の混合溶液、過硫酸ソーダ水溶液、過硫酸アンモ
ニウム水溶液等が使用される。過酸化水素水溶液と硫酸
の混合溶液の場合は、硫酸の濃度は１００〜３００ｇ／
ｌ好ましくは１５０〜２００ｇ／ｌ、過酸化水素水溶液
の濃度は５〜２５ｇ／ｌ好ましくは８〜１５ｇ／ｌであ
る。
【００１１】
【作用】基板の粗化接着層に対する触媒核の付与の前
に、硫酸処理を行うことあるいは酸化剤水溶液処理後に
硫酸処理を行うことにより、粗化接着層に形成された微
細な二次アンカー用凹部の内部まで触媒核が確実に付与
された状態となる。そして、無電解メッキ時にメッキ金
属が微細な二次アンカー凹部内まで確実に入り込んだ状
態で析出し、接着層とメッキ層との密着力を高めるため
のアンカー効果が充分発揮される。
に、硫酸処理を行うことあるいは酸化剤水溶液処理後に
硫酸処理を行うことにより、粗化接着層に形成された微
細な二次アンカー用凹部の内部まで触媒核が確実に付与
された状態となる。そして、無電解メッキ時にメッキ金
属が微細な二次アンカー凹部内まで確実に入り込んだ状
態で析出し、接着層とメッキ層との密着力を高めるため
のアンカー効果が充分発揮される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づい
て、より詳細に説明する。 （実施例１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製、商品名：Ｅ−１００１）４０重量部と、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル製、商品
名：Ｅ−１５４）６０重量部と、イミダゾール型硬化剤
（四国化成製、商品名：２ＰＨＺ）５重量部と、エポキ
シ樹脂微粒子（東レ製、商品名：トレパールＥＰ−Ｂ、
平均粒径０．５μｍ）１０重量部と、エポキシ樹脂微粒
子（東レ製、商品名：トレパールＥＰ−Ｂ、平均粒径
５．５μｍ）２５重量部と、ブチルセロソルブアセテー
ト７５重量部とを三本ローラーで攪拌、混合して接着剤
を調整した。
て、より詳細に説明する。 （実施例１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シ
ェル製、商品名：Ｅ−１００１）４０重量部と、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル製、商品
名：Ｅ−１５４）６０重量部と、イミダゾール型硬化剤
（四国化成製、商品名：２ＰＨＺ）５重量部と、エポキ
シ樹脂微粒子（東レ製、商品名：トレパールＥＰ−Ｂ、
平均粒径０．５μｍ）１０重量部と、エポキシ樹脂微粒
子（東レ製、商品名：トレパールＥＰ−Ｂ、平均粒径
５．５μｍ）２５重量部と、ブチルセロソルブアセテー
ト７５重量部とを三本ローラーで攪拌、混合して接着剤
を調整した。
【００１３】基板の両面に前記接着剤をローラーコータ
ーを使用して塗布した後、加熱乾燥することにより基板
の両面に接着剤層を形成した。次に基板の所望の位置に
スルーホール穴あけを行った後、溶解液としてのクロム
酸(Cr2O3）７００ｇ／ｌ水溶液に基板を７０℃で１５分
間浸漬して前記接着剤層の表面を粗化した。その後、中
和液（シプレイ社製）に浸漬し、水洗した。接着剤層を
構成するエポキシ樹脂層は溶解液に難溶で、その中に分
散されたエポキシ樹脂微粒子が溶解液に可溶である。そ
の結果、図１（ａ）に示すように接着剤層２の表面には
内面に微細な二次アンカー３ａが形成された一次アンカ
ー用凹部３が形成され、粗化接着層となる。
ーを使用して塗布した後、加熱乾燥することにより基板
の両面に接着剤層を形成した。次に基板の所望の位置に
スルーホール穴あけを行った後、溶解液としてのクロム
酸(Cr2O3）７００ｇ／ｌ水溶液に基板を７０℃で１５分
間浸漬して前記接着剤層の表面を粗化した。その後、中
和液（シプレイ社製）に浸漬し、水洗した。接着剤層を
構成するエポキシ樹脂層は溶解液に難溶で、その中に分
散されたエポキシ樹脂微粒子が溶解液に可溶である。そ
の結果、図１（ａ）に示すように接着剤層２の表面には
内面に微細な二次アンカー３ａが形成された一次アンカ
ー用凹部３が形成され、粗化接着層となる。
【００１４】次に前記の処理で得られた基板の粗化接着
層上に、以下のプロセスにてパラジウム触媒核の付与を
行った。 （１）まず、接着層表面の脱脂を目的として基板をアル
キレートＪ（商品名：シプレイ社製）に６０℃で２分間
浸漬した。１０秒間のスプレー水洗を３回行った後、基
板をコンディショナー２３１（商品名：シプレイ社製）
に７０℃で２分間浸漬した（コンディショニング）。次
に１０秒間のスプレー湯洗（７０℃）を１回、１０秒間
のスプレー水洗を２回行った。
層上に、以下のプロセスにてパラジウム触媒核の付与を
行った。 （１）まず、接着層表面の脱脂を目的として基板をアル
キレートＪ（商品名：シプレイ社製）に６０℃で２分間
浸漬した。１０秒間のスプレー水洗を３回行った後、基
板をコンディショナー２３１（商品名：シプレイ社製）
に７０℃で２分間浸漬した（コンディショニング）。次
に１０秒間のスプレー湯洗（７０℃）を１回、１０秒間
のスプレー水洗を２回行った。
【００１５】（２）次に基板を硫酸２００ｇ／ｌ及び過
酸化水素１０ｇ／ｌ水溶液の混合液に４０℃で２分間浸
漬した。１０秒間のスプレー水洗を３回行った後、基板
を硫酸１００ｇ／ｌに室温で２分間浸漬した。その後、
１０秒間のスプレー水洗を３回行った。
酸化水素１０ｇ／ｌ水溶液の混合液に４０℃で２分間浸
漬した。１０秒間のスプレー水洗を３回行った後、基板
を硫酸１００ｇ／ｌに室温で２分間浸漬した。その後、
１０秒間のスプレー水洗を３回行った。
【００１６】（３）次に基板をキャタプリップ４０４
（商品名：シプレイ社製）２７０ｇ／ｌに４０℃で２分
間浸漬した後、キャタポジット４４（商品名：シプレイ
社製）３％溶液に４０℃で７分間浸漬した。この処理に
よりパラジウム（Ｐｄ）の周囲をスズ（Ｓｎ）が取り囲
んだ状態のパラジウム・スズコロイドが接着層の表面に
付与される。続いて１０秒間のスプレー水洗を３回行っ
た後、基板を弱酸性のアクセレーター１９（商品名：シ
プレイ社製）１７％溶液に室温で７分間浸漬して活性化
処理を行った。この活性化処理によりパラジウムの周り
のスズイオンが２価から４価となって溶解し、無電解銅
メッキの核となる金属パラジウムが露出する。その後、
１０秒間のスプレー水洗を３回行った。
（商品名：シプレイ社製）２７０ｇ／ｌに４０℃で２分
間浸漬した後、キャタポジット４４（商品名：シプレイ
社製）３％溶液に４０℃で７分間浸漬した。この処理に
よりパラジウム（Ｐｄ）の周囲をスズ（Ｓｎ）が取り囲
んだ状態のパラジウム・スズコロイドが接着層の表面に
付与される。続いて１０秒間のスプレー水洗を３回行っ
た後、基板を弱酸性のアクセレーター１９（商品名：シ
プレイ社製）１７％溶液に室温で７分間浸漬して活性化
処理を行った。この活性化処理によりパラジウムの周り
のスズイオンが２価から４価となって溶解し、無電解銅
メッキの核となる金属パラジウムが露出する。その後、
１０秒間のスプレー水洗を３回行った。
【００１７】次に前記のプロセスで得られた基板を５０
℃で１分間乾燥した後、接着層上にメッキレジストＳＲ
−３２００（商品名：日立化成株式会社製）をラミネー
トし、露光マスクを通して露光し、スプレー現像機で現
像してピール強度測定用パターン（１ｃｍ×１５ｃｍ）
を形成した。次に基板を再びアクセレーター１９（商品
名：シプレイ社製）１７％溶液に浸漬して活性化処理を
行った。
℃で１分間乾燥した後、接着層上にメッキレジストＳＲ
−３２００（商品名：日立化成株式会社製）をラミネー
トし、露光マスクを通して露光し、スプレー現像機で現
像してピール強度測定用パターン（１ｃｍ×１５ｃｍ）
を形成した。次に基板を再びアクセレーター１９（商品
名：シプレイ社製）１７％溶液に浸漬して活性化処理を
行った。
【００１８】次に前記基板を厚付け用無電解銅メッキ液
ＥＬＣ−ＵＭ浴（商品名：上村工業株式会社）に浸漬
し、通常の条件にて３０μｍの厚さの無電解銅メッキ層
を形成した。その後、２時間のアニールを行った。
ＥＬＣ−ＵＭ浴（商品名：上村工業株式会社）に浸漬
し、通常の条件にて３０μｍの厚さの無電解銅メッキ層
を形成した。その後、２時間のアニールを行った。
【００１９】前記のようにして得た１０個のサンプルに
ついてＪＩＳ−Ｃ−５０１２の方法でピール強度の測定
を行った。その結果、ピール強度は平均値が１．５３ｋ
ｇ／ｃｍ（標準偏差σ＝０．０３ｋｇ／ｃｍ）であっ
た。すなわち、ピール強度が従来法では得られなかった
ＪＩＳ規格の値１．４ｋｇ／ｃｍより大きな値となっ
た。
ついてＪＩＳ−Ｃ−５０１２の方法でピール強度の測定
を行った。その結果、ピール強度は平均値が１．５３ｋ
ｇ／ｃｍ（標準偏差σ＝０．０３ｋｇ／ｃｍ）であっ
た。すなわち、ピール強度が従来法では得られなかった
ＪＩＳ規格の値１．４ｋｇ／ｃｍより大きな値となっ
た。
【００２０】又、得られたサンプルを切断してメッキ層
と接着層の状態を観察したところ、図１（ａ）に示すよ
うに、メッキ１は接着剤層２に形成された一次アンカー
用凹部３の内面に形成された微細な二次アンカー用凹部
３ａ内に確実に入り込んだ状態となっていた。
と接着層の状態を観察したところ、図１（ａ）に示すよ
うに、メッキ１は接着剤層２に形成された一次アンカー
用凹部３の内面に形成された微細な二次アンカー用凹部
３ａ内に確実に入り込んだ状態となっていた。
【００２１】ピール強度が向上する理由としては次のこ
とが考えられる。基板がアルカリ性のコンディショナー
に浸漬された後に、酸性の触媒核付与液に浸漬された場
合には、その間に水洗処理が行われても、微細な二次ア
ンカー用凹部３ａ内がパラジウム・スズコロイドの付き
難い状態となる。そして、図２（ｂ）に示すように、二
次アンカー用凹部３ａの内部に付く触媒核４の量が少な
くなる。
とが考えられる。基板がアルカリ性のコンディショナー
に浸漬された後に、酸性の触媒核付与液に浸漬された場
合には、その間に水洗処理が行われても、微細な二次ア
ンカー用凹部３ａ内がパラジウム・スズコロイドの付き
難い状態となる。そして、図２（ｂ）に示すように、二
次アンカー用凹部３ａの内部に付く触媒核４の量が少な
くなる。
【００２２】一方、アルカリ性のコンディショナーに浸
漬した基板を、酸性の触媒核付与液に浸漬する前に、硫
酸処理液に浸漬した場合は、微細な二次アンカー用凹部
３ａ内がパラジウム・スズコロイドの付き易い状態とな
る。そして、図１（ｂ）に示すように微細な二次アンカ
ー用凹部３ａの内部に確実に触媒核４が付与された状態
となる。そして、無電解メッキを施した場合、図１
（ａ）に示すようにメッキ１が微細な二次アンカー用凹
部３ａ内に確実に入り込んだ状態となる。その結果、接
着層とメッキ層との密着力を高めるためのアンカー効果
が充分発揮されてピール強度が向上する。
漬した基板を、酸性の触媒核付与液に浸漬する前に、硫
酸処理液に浸漬した場合は、微細な二次アンカー用凹部
３ａ内がパラジウム・スズコロイドの付き易い状態とな
る。そして、図１（ｂ）に示すように微細な二次アンカ
ー用凹部３ａの内部に確実に触媒核４が付与された状態
となる。そして、無電解メッキを施した場合、図１
（ａ）に示すようにメッキ１が微細な二次アンカー用凹
部３ａ内に確実に入り込んだ状態となる。その結果、接
着層とメッキ層との密着力を高めるためのアンカー効果
が充分発揮されてピール強度が向上する。
【００２３】（実施例２）前記実施例１における各工程
のうち、粗化接着層上へのパラジウム触媒核の付与プロ
セスの（２）の工程のみを代えて、前記実施例と同様の
サンプルを形成した。すなわち、（２）の工程で基板を
硫酸２００ｇ／ｌ及び過酸化水素１０ｇ／ｌ水溶液の混
合液に４０℃で２分間浸漬する処理と、それに続く３回
のスプレー水洗を行わず、基板を硫酸１００ｇ／ｌに室
温で２分間浸漬した後、１０秒間のスプレー水洗を３回
行った。
のうち、粗化接着層上へのパラジウム触媒核の付与プロ
セスの（２）の工程のみを代えて、前記実施例と同様の
サンプルを形成した。すなわち、（２）の工程で基板を
硫酸２００ｇ／ｌ及び過酸化水素１０ｇ／ｌ水溶液の混
合液に４０℃で２分間浸漬する処理と、それに続く３回
のスプレー水洗を行わず、基板を硫酸１００ｇ／ｌに室
温で２分間浸漬した後、１０秒間のスプレー水洗を３回
行った。
【００２４】得られたサンプルについて前記実施例と同
様にピール強度の測定を行った。その結果、ピール強度
は１．５ｋｇ／ｃｍであった。すなわち、酸化剤水溶液
による処理を行わずに硫酸処理のみを行った場合でも、
ピール強度が向上した。
様にピール強度の測定を行った。その結果、ピール強度
は１．５ｋｇ／ｃｍであった。すなわち、酸化剤水溶液
による処理を行わずに硫酸処理のみを行った場合でも、
ピール強度が向上した。
【００２５】（比較例）第１実施例における各工程のう
ち、粗化接着層上へのパラジウム触媒核の付与プロセス
の（２）の工程を省略して同様のサンプルを形成した。
すなわち、従来法と同様に、接着層の脱脂、コンディシ
ョニングを行った後、直ちに触媒付与処理を行った。
ち、粗化接着層上へのパラジウム触媒核の付与プロセス
の（２）の工程を省略して同様のサンプルを形成した。
すなわち、従来法と同様に、接着層の脱脂、コンディシ
ョニングを行った後、直ちに触媒付与処理を行った。
【００２６】得られたサンプルについて前記実施例と同
様にピール強度の測定を行った。その結果、ピール強度
は１．１〜１．２ｋｇ／ｃｍであった。なお、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、例えば、両面プ
リント配線板に限らず、ビルドアップ法において導体回
路の形成をフルアディティブ法で行う場合に適用しても
よい。又、接着剤としてエポキシ樹脂溶液とエポキシ樹
脂微粒子の組合せの接着剤に代えて、特開昭６１−２７
６８７５号公報に開示された接着剤等を使用してもよ
い。
様にピール強度の測定を行った。その結果、ピール強度
は１．１〜１．２ｋｇ／ｃｍであった。なお、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、例えば、両面プ
リント配線板に限らず、ビルドアップ法において導体回
路の形成をフルアディティブ法で行う場合に適用しても
よい。又、接着剤としてエポキシ樹脂溶液とエポキシ樹
脂微粒子の組合せの接着剤に代えて、特開昭６１−２７
６８７５号公報に開示された接着剤等を使用してもよ
い。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、粗
化接着層に形成された微細なアンカー用凹部の内部まで
触媒核が確実に付与され、その微細なアンカー用凹部内
に確実にメッキが施されるので、メッキ層の基板に対す
る密着性が向上しプリント配線板の信頼性を高めること
ができる。
化接着層に形成された微細なアンカー用凹部の内部まで
触媒核が確実に付与され、その微細なアンカー用凹部内
に確実にメッキが施されるので、メッキ層の基板に対す
る密着性が向上しプリント配線板の信頼性を高めること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は本発明の方法で形成されたメッキ層
と接着層の状態を示す模式図であり、（ｂ）はアンカー
用凹部に触媒核が付与された状態を示す模式図である。
と接着層の状態を示す模式図であり、（ｂ）はアンカー
用凹部に触媒核が付与された状態を示す模式図である。
【図２】 （ａ）は従来の方法で形成されたメッキ層と
接着層の状態を示す模式図であり、（ｂ）はアンカー用
凹部に触媒核が付与された状態を示す模式図である。
接着層の状態を示す模式図であり、（ｂ）はアンカー用
凹部に触媒核が付与された状態を示す模式図である。
１…メッキ、２…接着剤層、３…一次アンカー用凹部、
３ａ…二次アンカー用凹部、４…触媒核。
３ａ…二次アンカー用凹部、４…触媒核。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/18 H05K 3/38
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された粗化接着層に触媒核
を付与し、次いでメッキレジストを形成した後、無電解
メッキを施して導体回路を形成するプリント配線板の製
造方法において、前記粗化接着層に対する触媒核付与工
程の前処理工程として、硫酸処理を行うことを特徴とす
るプリント配線板の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に形成された粗化接着層に触媒核
を付与し、次いでメッキレジストを形成した後、無電解
メッキを施して導体回路を形成するプリント配線板の製
造方法において、前記粗化接着層に対する触媒核付与工
程の前処理工程に、酸化剤水溶液として過酸化水素水溶
液と硫酸の混合溶液、過硫酸ソーダ水溶液、過硫酸アン
モニウム水溶液のいずれかを使用して処理を行い、その
後硫酸処理を行うことを特徴とするプリント配線板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18392192A JP3282850B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18392192A JP3282850B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629644A JPH0629644A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3282850B2 true JP3282850B2 (ja) | 2002-05-20 |
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ID=16144146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18392192A Expired - Lifetime JP3282850B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282850B2 (ja) |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18392192A patent/JP3282850B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629644A (ja) | 1994-02-04 |
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