JP2694802B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板（以下
ＰＷＢと称する）の製造方法に関し、特に内層回路と絶
縁層を逐時的に形成する方法（いわゆるビルドアップ工
法）を用いてバイアホールを形成するＰＷＢの製造方法
に関する。
ＰＷＢと称する）の製造方法に関し、特に内層回路と絶
縁層を逐時的に形成する方法（いわゆるビルドアップ工
法）を用いてバイアホールを形成するＰＷＢの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のビルドアップ工法を用いたバイア
ホール（フォトビアホールと称する）ＰＷＢの製造方法
には、特開平３−３２９７号公報などがある。以下、従
来技術について図面を参照して説明する。
ホール（フォトビアホールと称する）ＰＷＢの製造方法
には、特開平３−３２９７号公報などがある。以下、従
来技術について図面を参照して説明する。
【０００３】図３（ａ）〜（ｅ）は従来技術によるビル
ドアップ公報を用いたＰＷＢの製造工程を示したＰＷＢ
の部分断面図である。あらかじめ基板２上に導体パター
ン（第一層）１をドライフィルムを用いた塩化第２銅な
どのエッチング等の公知の方法で形成しておく。（図３
（ａ））通常この導体パターン（第一層）は銅箔を用い
て作成するのが一般的である。この導体パターン（第一
層）１とその上部に後工程で塗布する樹脂との接着力を
強化するため、その導体パターン（第一層）１の表面を
粗化することが多い。
ドアップ公報を用いたＰＷＢの製造工程を示したＰＷＢ
の部分断面図である。あらかじめ基板２上に導体パター
ン（第一層）１をドライフィルムを用いた塩化第２銅な
どのエッチング等の公知の方法で形成しておく。（図３
（ａ））通常この導体パターン（第一層）は銅箔を用い
て作成するのが一般的である。この導体パターン（第一
層）１とその上部に後工程で塗布する樹脂との接着力を
強化するため、その導体パターン（第一層）１の表面を
粗化することが多い。
【０００４】導体パターンの表面の粗化に最も一般的に
使用される方法には、黒色酸化銅の針状結晶を化学的に
成長させ、表面積の拡大とポーラスによるアンカー効果
により密着力を向上させる方法（以下この方法を黒染め
と称する）がある。
使用される方法には、黒色酸化銅の針状結晶を化学的に
成長させ、表面積の拡大とポーラスによるアンカー効果
により密着力を向上させる方法（以下この方法を黒染め
と称する）がある。
【０００５】黒染により導体パターン（第一層）１の表
面には酸化銅の細い凹凸結晶が形成される。この凹凸結
晶のポーラスによるアンカー結果と表面積拡大の効果に
より接着力が非常に大きくなる。（図３（ｂ））次いで
感光性を有するエポキシ樹脂としてたとえばチバガイギ
ー社のプロヒマー＃５２等の樹脂を塗布し、マスクを介
して絶縁層パターンを形成する。このときさらに上部の
層へ接続する部分は露出させておく。
面には酸化銅の細い凹凸結晶が形成される。この凹凸結
晶のポーラスによるアンカー結果と表面積拡大の効果に
より接着力が非常に大きくなる。（図３（ｂ））次いで
感光性を有するエポキシ樹脂としてたとえばチバガイギ
ー社のプロヒマー＃５２等の樹脂を塗布し、マスクを介
して絶縁層パターンを形成する。このときさらに上部の
層へ接続する部分は露出させておく。
【０００６】次いで加熱硬化させて樹脂絶縁層５を形成
する。（図３（ｃ））さらに、導体パターン（第二層）
となるめっき層を形成し、樹脂絶縁層との密着力を向上
させるためにこの樹脂絶縁層５の表面をクロム酸と硫酸
の水溶液あるいは化マンガン酸と水酸化ナトリウムの水
溶液により粗化（この粗化を黒染などの粗化と区別する
ため絶縁層粗化と称する）。（図３（ｄ））さらに、こ
れに公知の方法により無電解および電解めっきにより導
体パターン（第二層）を形成する。上述の樹脂上の露出
した部分によりフォトビアホール８が形成され、第一層
と第二層が接続される。（図３（ｅ））さらに、上述の
導体パターン（第二層）の樹脂への密着力と導体パター
ン（第一層）の接着力との両方を高めるために特開平３
−３２９７号公報に示される方法もある。
する。（図３（ｃ））さらに、導体パターン（第二層）
となるめっき層を形成し、樹脂絶縁層との密着力を向上
させるためにこの樹脂絶縁層５の表面をクロム酸と硫酸
の水溶液あるいは化マンガン酸と水酸化ナトリウムの水
溶液により粗化（この粗化を黒染などの粗化と区別する
ため絶縁層粗化と称する）。（図３（ｄ））さらに、こ
れに公知の方法により無電解および電解めっきにより導
体パターン（第二層）を形成する。上述の樹脂上の露出
した部分によりフォトビアホール８が形成され、第一層
と第二層が接続される。（図３（ｅ））さらに、上述の
導体パターン（第二層）の樹脂への密着力と導体パター
ン（第一層）の接着力との両方を高めるために特開平３
−３２９７号公報に示される方法もある。
【０００７】この方法によれば、あらかじめ導体パター
ン（第１層）１上にドライフィルム等のマスクを配置し
ておき、フォトビアホール８となる部分には黒染めなど
粗化処理を施さない方法が示されている。特開平３−３
２９７号公報によればあらかじめ導体パターンを黒染め
等の粗化処理する前にドライフィルム等のレジストでフ
ォトビアホール予定位置にマスクを形成する。
ン（第１層）１上にドライフィルム等のマスクを配置し
ておき、フォトビアホール８となる部分には黒染めなど
粗化処理を施さない方法が示されている。特開平３−３
２９７号公報によればあらかじめ導体パターンを黒染め
等の粗化処理する前にドライフィルム等のレジストでフ
ォトビアホール予定位置にマスクを形成する。
【０００８】その後に粗化処置を実施するのでドライフ
ィルムでマスクされ、その下部は粗化されない状態とな
る。この後、ドライフィルムを除去し、樹脂を塗布し硬
化する。このときフォトビアホール予定位置を露出させ
る。さらに絶縁層となる樹脂の絶縁層粗化を上述のクロ
ム酸と硫酸の水溶液などの公知の処理で行う。さらに銅
めっきを無電解及び電解の方法にて施し、第二層となる
導体パターンを形成する。
ィルムでマスクされ、その下部は粗化されない状態とな
る。この後、ドライフィルムを除去し、樹脂を塗布し硬
化する。このときフォトビアホール予定位置を露出させ
る。さらに絶縁層となる樹脂の絶縁層粗化を上述のクロ
ム酸と硫酸の水溶液などの公知の処理で行う。さらに銅
めっきを無電解及び電解の方法にて施し、第二層となる
導体パターンを形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この従来の一般的なビ
ルドアップ工法によるＰＷＢの工法には次のような問題
点があった。
ルドアップ工法によるＰＷＢの工法には次のような問題
点があった。
【００１０】一般に黒染め等の粗化処理は、酸性溶液
により黒色酸化銅が溶解するピンクリングまたはハロー
という不具合を生じる。このピンリングがフォトビアホ
ールの周囲に生じた場合樹脂絶縁層と導体パターンの接
着面に存在する酸化銅がおかされることによりフォトビ
アホール周辺の樹脂絶縁層の剥離等をひきおこす。
により黒色酸化銅が溶解するピンクリングまたはハロー
という不具合を生じる。このピンリングがフォトビアホ
ールの周囲に生じた場合樹脂絶縁層と導体パターンの接
着面に存在する酸化銅がおかされることによりフォトビ
アホール周辺の樹脂絶縁層の剥離等をひきおこす。
【００１１】あらかじめ還元処理等の方法で黒染め面
を酸化銅→亜酸化銅（一部は銅）へ変化させておく方法
はあるが、これによりフォトビア以外の回路パターンと
樹脂絶縁層との接着強度も低下する。
を酸化銅→亜酸化銅（一部は銅）へ変化させておく方法
はあるが、これによりフォトビア以外の回路パターンと
樹脂絶縁層との接着強度も低下する。
【００１２】さらに酸化銅が露出した状態でめっきを
施すと、めっき速度及びめっきの接着性ともに低下する
ので、フォトビアホール内で下層の導電パターンと上層
の導電パターンとの剥離が生じやすい。
施すと、めっき速度及びめっきの接着性ともに低下する
ので、フォトビアホール内で下層の導電パターンと上層
の導電パターンとの剥離が生じやすい。
【００１３】特開平３−３２９７号公報の方法を用い
れば、上述の，の問題点は改良できるが、の問題
点についてはドライフィルムのマスクとフォトビアホー
ルの形を完全に一致させることは（位置合わせを含む
て）非常に難しく、ほとんど効果が無い。
れば、上述の，の問題点は改良できるが、の問題
点についてはドライフィルムのマスクとフォトビアホー
ルの形を完全に一致させることは（位置合わせを含む
て）非常に難しく、ほとんど効果が無い。
【００１４】まためっきの密着性向上などのちめに施
される樹脂絶縁層の粗化には一般的に強力な酸化剤が用
いられる。従って、導体パターンを形成する金属が極め
て酸化されやすい場合、一度還元処理を施した導体パタ
ーンが絶縁層粗化により再度酸化され還元処理が所望す
る効果を発生しないという問題もあった。
される樹脂絶縁層の粗化には一般的に強力な酸化剤が用
いられる。従って、導体パターンを形成する金属が極め
て酸化されやすい場合、一度還元処理を施した導体パタ
ーンが絶縁層粗化により再度酸化され還元処理が所望す
る効果を発生しないという問題もあった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば下記のよ
うな内容を有するプリント配線板の製造方法を得る。
うな内容を有するプリント配線板の製造方法を得る。
【００１６】（イ）耐熱性樹脂により絶縁された２層以
上の導体層間を電気的に接続するバイアホールを有する
プリント配線板の製造方法において、第一層の回路を形
成する工程と、第一層の回路表面を粗化する工程と、第
一層の回路上に部分的に開孔部を有するように耐熱性樹
脂絶縁層を形成する工程と、絶縁層を粗化する工程と、
この絶縁層を粗化した後に開孔部にある第一層の回路を
還元処理する工程と、還元処理した後にめっきを行う工
程とを有することを特徴とするプリント配線板の製造方
法。
上の導体層間を電気的に接続するバイアホールを有する
プリント配線板の製造方法において、第一層の回路を形
成する工程と、第一層の回路表面を粗化する工程と、第
一層の回路上に部分的に開孔部を有するように耐熱性樹
脂絶縁層を形成する工程と、絶縁層を粗化する工程と、
この絶縁層を粗化した後に開孔部にある第一層の回路を
還元処理する工程と、還元処理した後にめっきを行う工
程とを有することを特徴とするプリント配線板の製造方
法。
【００１７】（ロ）耐熱性樹脂により絶縁された２層以
上の導体層間を電気的に接続するバイアホールを有する
プリント配線板の製造方法において、第一層の回路を形
成する工程と、第一層の回路表面を粗化する工程と、第
一層の回路上に部分的に開孔部を有するように耐熱性樹
脂絶縁層を形成する工程と、絶縁層を粗化した後に開孔
部にある第一層の回路を還元処理する工程と、この還元
処理後に絶縁層を粗化する工程と、前記粗化後にめっき
を行う工程とを有することを特徴とするプリント配線板
の製造方法。
上の導体層間を電気的に接続するバイアホールを有する
プリント配線板の製造方法において、第一層の回路を形
成する工程と、第一層の回路表面を粗化する工程と、第
一層の回路上に部分的に開孔部を有するように耐熱性樹
脂絶縁層を形成する工程と、絶縁層を粗化した後に開孔
部にある第一層の回路を還元処理する工程と、この還元
処理後に絶縁層を粗化する工程と、前記粗化後にめっき
を行う工程とを有することを特徴とするプリント配線板
の製造方法。
【００１８】（ハ）第一層回路の粗化方法として過硫酸
カリウムと水酸化ナトリウムにより表面を酸化する方法
を使用する（イ），（ロ），（ハ）に記載のプリント配
線板の製造方法。
カリウムと水酸化ナトリウムにより表面を酸化する方法
を使用する（イ），（ロ），（ハ）に記載のプリント配
線板の製造方法。
【００１９】（ニ）第一層回路の粗化方法として次亜塩
表酸ナトリウムと水酸化ナトリウムにより表面を酸化す
る方法を使用する（イ），（ロ）に記載のプリント配線
板の製造方法。
表酸ナトリウムと水酸化ナトリウムにより表面を酸化す
る方法を使用する（イ），（ロ）に記載のプリント配線
板の製造方法。
【００２０】
【作用】本発明では、次の３つの状況を実現できる。
【００２１】（１）フォトビアホールとして上部の層に
接続しない回路等については、接着力向上のため黒染等
の粗化処理を行ってある。
接続しない回路等については、接着力向上のため黒染等
の粗化処理を行ってある。
【００２２】（２）フォトビアホールとなる部分につい
ては樹脂との接点部分を含めて酸化銅から亜酸化銅ある
いは、単に銅への還元がなされめっき時のピンクリング
とそれによる剥離を防止する。
ては樹脂との接点部分を含めて酸化銅から亜酸化銅ある
いは、単に銅への還元がなされめっき時のピンクリング
とそれによる剥離を防止する。
【００２３】（３）（１），（２）を実施するために特
別なマスク等を実施しない。
別なマスク等を実施しない。
【００２４】（４）また必要に応じて実施される他の酸
化処理の影響を受けにくい。
化処理の影響を受けにくい。
【００２５】
【実施例】次に本発明の２実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２６】図１（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【００２７】本発明を実施する前にすでに複数の層が公
知あるいは本発明により形成されていても何ら問題は無
い。本実施例では２層からなるＰＷＢについて説明す
る。
知あるいは本発明により形成されていても何ら問題は無
い。本実施例では２層からなるＰＷＢについて説明す
る。
【００２８】片面に１２μの銅箔を施した厚さ１．６ｍ
ｍのガラスエポキシ基材にドライフィルム（たとえばＤ
ｕｐｏｎｔ社のリストンなど）を用いてマスクパターン
を形成し、塩化第２銅のエッチング液によりエッチング
して銅体パターン（第一層）１を有する基板２を形成す
る。（図１（ａ）） 次にこの基板２を下記の方法により全面に黒染めを行
う。（ただし、黒染の方法は他の公知の方法で行っても
良いことはもちろんである。）
ｍのガラスエポキシ基材にドライフィルム（たとえばＤ
ｕｐｏｎｔ社のリストンなど）を用いてマスクパターン
を形成し、塩化第２銅のエッチング液によりエッチング
して銅体パターン（第一層）１を有する基板２を形成す
る。（図１（ａ）） 次にこの基板２を下記の方法により全面に黒染めを行
う。（ただし、黒染の方法は他の公知の方法で行っても
良いことはもちろんである。）
【００２９】
【表１】
【００３０】この黒染め工程により導体パターン（第一
層）１に細い酸化銅の針状結晶が形成されることによ
り、密着力が向上する。効果は処理の条件にもよるが一
般に全く黒染めをしない場合は、０．５ｋｇ／ｃｍ2 以
下の密着力が普通であるが、黒染めにより１．０ｋｇ／
ｃｍ2 以上に変化するのが一般的である。（図１
（ｂ））次いで基板２上にエポキシ樹脂を主成分とした
感光性樹脂（たとえばチバガイギー社のプロビア＃５
２）を基材状で５０μの厚さになるように塗布し、仮乾
燥させる。図１（ｃ）この後マスクを用いて３０００ｍ
Ｊ程度の露光を行って所望のパターンを感光性樹脂上に
焼きつける。（図１（ｄ））焼きつけた基板２を現像液
（ミクロヘキケノン、メチルセルソルブ、ガンマーブチ
ルラクタンの混合物）たとえば同じくチバガイギー社の
ＤＹ−９０により接液時間１分〜５分で現像し、導体パ
ターン第一層と第二層接線用ビアホール用の穴（径２０
０μ程度）を形成する。このとき、ビアホールの予定位
置には黒染め面３が露出する。（図１（ｅ））次に、１
Ｎクロム酸，１Ｎ硫酸の（１：１）水溶液により樹脂絶
縁層を絶縁層粗化する。この処理により樹脂絶縁層５上
は粗化され、小さい凹凸、ポーラスを持った樹脂絶縁層
粗化面６が出現する。
層）１に細い酸化銅の針状結晶が形成されることによ
り、密着力が向上する。効果は処理の条件にもよるが一
般に全く黒染めをしない場合は、０．５ｋｇ／ｃｍ2 以
下の密着力が普通であるが、黒染めにより１．０ｋｇ／
ｃｍ2 以上に変化するのが一般的である。（図１
（ｂ））次いで基板２上にエポキシ樹脂を主成分とした
感光性樹脂（たとえばチバガイギー社のプロビア＃５
２）を基材状で５０μの厚さになるように塗布し、仮乾
燥させる。図１（ｃ）この後マスクを用いて３０００ｍ
Ｊ程度の露光を行って所望のパターンを感光性樹脂上に
焼きつける。（図１（ｄ））焼きつけた基板２を現像液
（ミクロヘキケノン、メチルセルソルブ、ガンマーブチ
ルラクタンの混合物）たとえば同じくチバガイギー社の
ＤＹ−９０により接液時間１分〜５分で現像し、導体パ
ターン第一層と第二層接線用ビアホール用の穴（径２０
０μ程度）を形成する。このとき、ビアホールの予定位
置には黒染め面３が露出する。（図１（ｅ））次に、１
Ｎクロム酸，１Ｎ硫酸の（１：１）水溶液により樹脂絶
縁層を絶縁層粗化する。この処理により樹脂絶縁層５上
は粗化され、小さい凹凸、ポーラスを持った樹脂絶縁層
粗化面６が出現する。
【００３１】このとき露出している黒染め面も酸化され
るがもともと酸化銅の黒染め面であるため特に問題とな
らない。
るがもともと酸化銅の黒染め面であるため特に問題とな
らない。
【００３２】次に基板２をジメチルマジンボランの１０
％（重量％）水溶液に入れ露出している黒染め面を還元
処理する。このとき、すでに他の回路等は樹脂の下にな
っているため、当然還元されない。露出している部分、
すなわちフォトビアホールになるポイントのみ還元され
る。予定のポイントのみ還元処理され、還元された黒染
め面４が出来る。（図１（ｇ））この基板２にＥＤＴＡ
を錯化剤としてホルマリンで還元する化学銅めっきおよ
び硫酸銅を主成分とする電解銅めっきを施して、導体パ
ターン（第二層）７及びフォトビアホール８を形成す
る。前の工程でめっきと接触する部分には還元処理を施
しているので、塩酸等によるアタックを受けてもピンク
リング・剥離等は発生しない。（図１（ｈ））樹脂の絶
縁層を粗化する液が銅、ならびに亜酸化銅にあまり影響
を与えない場合は、樹脂の粗化に先だって還元処理を実
施することができる。
％（重量％）水溶液に入れ露出している黒染め面を還元
処理する。このとき、すでに他の回路等は樹脂の下にな
っているため、当然還元されない。露出している部分、
すなわちフォトビアホールになるポイントのみ還元され
る。予定のポイントのみ還元処理され、還元された黒染
め面４が出来る。（図１（ｇ））この基板２にＥＤＴＡ
を錯化剤としてホルマリンで還元する化学銅めっきおよ
び硫酸銅を主成分とする電解銅めっきを施して、導体パ
ターン（第二層）７及びフォトビアホール８を形成す
る。前の工程でめっきと接触する部分には還元処理を施
しているので、塩酸等によるアタックを受けてもピンク
リング・剥離等は発生しない。（図１（ｈ））樹脂の絶
縁層を粗化する液が銅、ならびに亜酸化銅にあまり影響
を与えない場合は、樹脂の粗化に先だって還元処理を実
施することができる。
【００３３】図２（ａ）〜（ｈ）は、本発明の第２の実
施例を示す部分断面図である。もちろん本発明を実施・
適用する前にすでに複数の層が公知あるいは本発明によ
り形成されていても何ら問題は無い。本実施例では２層
からなるＰＷＢについて説明する。
施例を示す部分断面図である。もちろん本発明を実施・
適用する前にすでに複数の層が公知あるいは本発明によ
り形成されていても何ら問題は無い。本実施例では２層
からなるＰＷＢについて説明する。
【００３４】片面に１２μの銅箔を施した厚さ１．６ｍ
ｍのガラスエポキシ基材にドライフィルム（たとえばＤ
ｕｐｏｎｔ社のリストンなど）を用いてマスクパターン
を形成し、塩化第２銅のエッチング液によりエッチング
して銅体パターン（第一層）１を有する基板２を形成す
る。（図２（ａ））次にこの基板２を前述した表１の方
法により全面に黒染めを行う。（ただし、黒染の方法は
他の公知の方法で行っても良いことはもちろんであ
る。）この黒染め工程により導体パターン（第一層）１
に細い酸化銅の針状結晶が形成されることにより、密着
力が向上する。効果は処理の条件にもよるが一般に全く
黒染めをしない場合は、０．５ｋｇ／ｃｍ2 以下の密着
力が普通であるが、黒染めにより１．０ｋｇ／ｃｍ2 以
上に変化するのが一般的である。（図２（ｂ））次いで
基板２上にエポキシ樹脂を主成分とした感光性樹脂（た
とえばチバガイギー社のプロビア＃５２）を基材状で５
０μの厚さになるように塗布し、仮乾燥させる。図２
（ｃ）この後マスクを用いて３０００ｍＪ程度の露光を
行って所望のパターンを感光性樹脂上に焼きつける。
（図２（ｄ））焼きつけた基板２を現像液（ミクロヘキ
ケノン、メチルセルソルブ、ガンマーブチルラクタンの
混合物）たとえば同じくチバガイギー社のＤＹ−９０に
より接液時間１分〜５分で現像し、導体パターン第一層
と第二層接線用ビアホール用の穴（径２００μ程度）を
形成する。このとき、ビアホールの予定位置には黒染め
面３が露出する。（図２（ｅ））次に基板２をジメチル
アミンボランの１０％水溶液に入れ、露出している黒染
め面を還元処理する。このとき、すでに他の回路等は樹
脂の下になっているため、当然還元されない。露出して
いる部分、すなわちフォトビアホールになる部分のみ還
元され、還元された黒染め面４が出来る。（図２
（ｆ））次に２Ｎ過マンガン酸カリウム、２Ｎ水酸化ナ
トリウム（１：１）混合水溶液により樹脂絶縁層５を粗
化する。この処理により樹脂絶縁層５は粗化され、小さ
い凹凸ポーラスを持った樹脂絶縁層粗化面６が出現す
る。（図２（ｇ））この基板２にＥＤＴＡを錯化剤とし
てホルマリンで還元する化学銅めっきおよび硫酸銅を主
成分とする電解銅めっきを施して導体パターン（第二
層）７及びフォトビアホール８を形成する。前の工程で
めっきと接触する部分には還元処理を施しているので塩
酸等によるアタックを受けてもピンクリング・剥離等は
発生しない。（図２（ｈ））
ｍのガラスエポキシ基材にドライフィルム（たとえばＤ
ｕｐｏｎｔ社のリストンなど）を用いてマスクパターン
を形成し、塩化第２銅のエッチング液によりエッチング
して銅体パターン（第一層）１を有する基板２を形成す
る。（図２（ａ））次にこの基板２を前述した表１の方
法により全面に黒染めを行う。（ただし、黒染の方法は
他の公知の方法で行っても良いことはもちろんであ
る。）この黒染め工程により導体パターン（第一層）１
に細い酸化銅の針状結晶が形成されることにより、密着
力が向上する。効果は処理の条件にもよるが一般に全く
黒染めをしない場合は、０．５ｋｇ／ｃｍ2 以下の密着
力が普通であるが、黒染めにより１．０ｋｇ／ｃｍ2 以
上に変化するのが一般的である。（図２（ｂ））次いで
基板２上にエポキシ樹脂を主成分とした感光性樹脂（た
とえばチバガイギー社のプロビア＃５２）を基材状で５
０μの厚さになるように塗布し、仮乾燥させる。図２
（ｃ）この後マスクを用いて３０００ｍＪ程度の露光を
行って所望のパターンを感光性樹脂上に焼きつける。
（図２（ｄ））焼きつけた基板２を現像液（ミクロヘキ
ケノン、メチルセルソルブ、ガンマーブチルラクタンの
混合物）たとえば同じくチバガイギー社のＤＹ−９０に
より接液時間１分〜５分で現像し、導体パターン第一層
と第二層接線用ビアホール用の穴（径２００μ程度）を
形成する。このとき、ビアホールの予定位置には黒染め
面３が露出する。（図２（ｅ））次に基板２をジメチル
アミンボランの１０％水溶液に入れ、露出している黒染
め面を還元処理する。このとき、すでに他の回路等は樹
脂の下になっているため、当然還元されない。露出して
いる部分、すなわちフォトビアホールになる部分のみ還
元され、還元された黒染め面４が出来る。（図２
（ｆ））次に２Ｎ過マンガン酸カリウム、２Ｎ水酸化ナ
トリウム（１：１）混合水溶液により樹脂絶縁層５を粗
化する。この処理により樹脂絶縁層５は粗化され、小さ
い凹凸ポーラスを持った樹脂絶縁層粗化面６が出現す
る。（図２（ｇ））この基板２にＥＤＴＡを錯化剤とし
てホルマリンで還元する化学銅めっきおよび硫酸銅を主
成分とする電解銅めっきを施して導体パターン（第二
層）７及びフォトビアホール８を形成する。前の工程で
めっきと接触する部分には還元処理を施しているので塩
酸等によるアタックを受けてもピンクリング・剥離等は
発生しない。（図２（ｈ））
【発明の効果】以上説明したように本発明は、フォトビ
アホールとして使用しない回路上に樹脂絶縁層を施した
後に還元処理を行うため、下記のような効果を有する。
アホールとして使用しない回路上に樹脂絶縁層を施した
後に還元処理を行うため、下記のような効果を有する。
【００３５】（１）樹脂と導体パターンの密着強度を下
げることなく、フォトビアホール周囲に発生するピンク
リングの発生を防止できる。
げることなく、フォトビアホール周囲に発生するピンク
リングの発生を防止できる。
【００３６】（２）同時にフォトビアホールそのものの
信頼性をそこなうことが無い。
信頼性をそこなうことが無い。
【００３７】（３）（１），（２）を実現するために特
別のマスク等を必要としない。
別のマスク等を必要としない。
【００３８】（４）工程がシンプルでよぶんな工数も発
生しない。
生しない。
【図１】本発明の一実施例の部分断面図。
【図２】本発明の他の実施例の部分断面図。
【図３】従来工法によるビルドアップＰＷＢの部分断面
図。
図。
１ 導体パターン（第１層） ２ 基板 ３ 黒染の面 ４ 還元された黒染の面 ５ 樹脂絶縁層 ６ 樹脂絶縁層粗化面 ７ 導体パターン（第２層） ８ フォトビアホール ９ マスク
Claims (4)
- 【請求項１】 耐熱性樹脂により絶縁された２層以上の
導体層間を電気的に接続するバイアホールを有するプリ
ント配線板の製造方法において、第一層の回路を形成す
る工程と、前記第一層の回路表面を粗化する工程と、前
記第一層の回路上に部分的に開孔部を有するように耐熱
性樹脂絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を粗化する
工程と、前記絶縁層を粗化した後に前記開孔部にある第
一層の回路を還元処理する工程と、前記還元処理した後
にめっきを行う工程とを有することを特徴とするプリン
ト配線板の製造方法。 - 【請求項２】 耐熱性樹脂により絶縁された２層以上の
導体層間を電気的に接続するバイアホールを有するプリ
ント配線板の製造方法において、第一層の回路を形成す
る工程と、前記第一層の回路表面を粗化する工程と、前
記第一層の回路上に部分的に開孔部を有するように耐熱
性樹脂絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を形成した
後に前記開孔部にある第一層の回路を還元処理する工程
と、前記還元処理後に前記絶縁層を粗化する工程と、前
記粗化後にめっきを行う工程とを有することを特徴とす
るプリント配線板の製造方法。 - 【請求項３】 第一層回路の粗化方法として過硫酸カリ
ウムと水酸化ナトリウムにより表面を酸化する方法を使
用する請求項１および２に記載のプリント配線板の製造
方法。 - 【請求項４】 第一層回路の粗化方法として次亜塩表酸
ナトリウムと水酸化ナトリウムにより表面を酸化する方
法を使用する請求項１および２に記載のプリント配線板
の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP5337159A JP2694802B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プリント配線板の製造方法 |
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| JP5337159A JP2694802B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プリント配線板の製造方法 |
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-
1993
- 1993-12-28 JP JP5337159A patent/JP2694802B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-27 US US08/364,452 patent/US5578341A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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