DE4429522A1

DE4429522A1 - Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten

Info

Publication number: DE4429522A1
Application number: DE4429522A
Authority: DE
Inventors: Ryuji Ohtani; Takeshi Okamoto; Yoshimitsu Nakamura; Yosiyuki Uchinono; Kazuo Kamada; Kunzi Nakashima; Toshiyuki Suzuki
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-08-26
Filing date: 1994-08-19
Publication date: 1995-03-02
Also published as: US5494781A; DE4447897B4; JP3153682B2; CN1050730C; CN1103233A; JPH0766533A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten, bei dem auf einer Fläche eines isolieren den Substrats eine Schaltung aus einem leitenden Material gebildet wird.

In den japanischen Offenlegungsschriften Nr. 4-263 490, 61-6892 und 3-122 287 ist der Stand der Technik bei der Her stellung von Leiterplatten dargestellt, die durch Bilden des Schaltungsmusters auf der Fläche des isolierenden Substrats erhalten werden; bei diesen erfolgt eine Behandlung mittels einer Bestrahlung mit einem Laserstrahl oder ähnlichem, so daß in nicht zur Schaltung gehörenden Bereichen wie in iso lierenden Zonen zwischen den entsprechenden Elementen des Schaltungsmusters keine Plattierung erfolgt, dann wird die Plattierung zum Bilden des Schaltungsmusters durchgeführt.

In einer in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 4-263 490 beschriebenen Erfindung wird insbesondere ein Plattierungs- Leitermuster vorbereitet, indem auf einem isolierenden Sub strat ein dünner Leiterfilm gebildet wird; dieser dünne Lei terfilm wird durch eine Bestrahlung des Films mit einem La serstrahl durch eine Photomaske mit dem Schaltungsmuster teilweise entfernt, und auf dem Schaltungsmuster des ver bliebenen dünnen Leiterfilms wird eine Schicht des Leiters durch eine stromlose Plattierung oder eine Elektroplattie rung aufgebracht.

Gemäß der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 61-6892 wird eine Leiterplatte dadurch erhalten, daß ein Substrat mit einem Strahl hoher Intensität, zum Beispiel mit einem Laser strahl, entsprechend einem Muster der Schaltung bestrahlt wird, wobei das Substrat auf seiner Oberfläche mit einer Schicht eines reagierenden Katalysators für eine chemische Plattierung versehen ist, so daß eine katalytische Reaktion der Schicht in der Weise bewirkt wird, daß diese Schicht in bestrahlten Bereichen abgetragen oder entfernt wird, und daß dann die chemische Plattierung selektiv an den nicht be strahlten Bereichen erfolgt.

In der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 3-122 287 ist eine Erfindung beschrieben, bei der eine Katalysatorschicht auf einem Substrat kaschiert wird, diese Katalysatorschicht durch eine bereichsweise Bestrahlung mit ultravioletten Strahlen in einen aktiven oder in einen passiven Zustand ge bracht wird und eine Plattierung oder ähnliches hinsichtlich des aktiven Bereichs erfolgt.

In den Erfindungen der drei oben beschriebenen japanischen Offenlegungsschriften werden die Leiterplatten mittels eines Verfahrens hergestellt, welches den Schritt des Bestrahlens mit einem Laserstrahl, ultravioletter Strahlung oder ähnli chem vom nicht zur Schaltung gehörenden Bereichen des iso lierenden Substrats enthält, wobei in allen Erfindungen die gesamte Fläche der nicht zu der Schaltung gehörenden Berei che mit dem Laserstrahl, den ultravioletten Strahlen oder ähnlichem bestrahlt wird. Bei einer solchen Bestrahlung der nicht zu der Schaltung gehörenden großen Flächen tritt das Problem auf, daß für die Bestrahlung mit dem Laserstrahl, mit den ultravioletten Strahlen oder ähnlichem eine lange Behandlungszeit notwendig ist, was die Produktivität der Leiterplattenherstellung vermindert.

Es ist daher ein Hauptziel der Erfindung, das obige Problem zu vermeiden und ein Verfahren zur Herstellung von Leiter platten zu schaffen, welches in der Lage ist, die notwendige Behandlungszeit mit der Bestrahlung mit dem Laserstrahl oder einer ähnlichen elektromagnetischen Welle zu verkürzen.

Dieses Ziel wird durch ein Verfahren der oben angegebenen Art zur Herstellung von Leiterplatten erreicht, das dadurch gekennzeichnet ist, daß auf der Fläche des isolierenden Substrats eine Plattierungs-Grundschicht aus einem Metall film gebildet wird, daß wenigstens eine Grenzzone zwischen zu der Schaltung gehörenden Bereichen und nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen des isolierenden Substrats entsprechend einem Muster der nicht zu der Schaltung gehö renden Bereiche mit einer elektromagnetischen Welle wie aus einem Laser bestrahlt wird, um die Plattierungs-Grundschicht in der mit der elektromagnetischen Welle bestrahlten Grenz zone zu entfernen, während die Plattierungs-Grundschicht in der nicht bestrahlten Zone verbleibt, und daß auf der ver bliebenen Plattierungs-Grundschicht eine Plattierung er folgt.

Weitere Ziele und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der ausführlichen Beschreibung von bevorzugten Ausführungs formen und den beigefügten Zeichnungen. In diesen zeigen:

Fig. 1 die verschiedenen Schritte einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von Lei terplatten;

Fig. 2 bis 7 die Schritte von anderen Ausführungs formen des erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 8 und 9 weitere Ausführungsformen der Erfin dung, bei denen zur Bestrahlung Strahlen mit jeweils ver schiedenen Durchmessern verwendet werden;

Fig. 10(a) und 10(b) schematisch eine in den Aus führungen der Fig. 8 und 9 verwendete Steuerung zur De fokussierung eines Strahls;

Fig. 11 und 12 Kurven, die verschiedenen Arten der Durchmessersteuerung des in den Ausführungen der Fig. 8 und 9 als elektromagnetische Welle verwendeten Laser strahls darstellen;

Fig. 13 ein Flußdiagramm, welches die Schritte des Steu erns des als elektromagnetische Welle der vorangegangenen, erfindungsgemäßen Ausführungsformen verwendeten Laser strahls darstellt;

Fig. 14 eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform, die einen weiteren Aspekt des für die Bestrahlung mit einer elektromagnetische Welle verwendeten Laserstrahls anwendet;

Fig. 15(a) und 15(b) eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform, die eine weiteres Merkmal des zur Be strahlung verwendeten Lasers anwendet;

Fig. 16 eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform, die ein weiteres Merkmal des zur Bestrahlung verwendeten Laserstrahls anwendet;

Fig. 17 eine erfindungsgemäße Ausführungsform, bei der ein Laser mit zwei Bestrahlungslichtpunkten verwendet wird;

Fig. 18 eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform, bei welcher der Laserstrahl durch eine Linse mit zwei Brennpunkten fällt;

Fig. 19 eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform, bei der ausgehend von einem einzigen Laserstrahl zwei ge trennte Bestrahlungslichtpunkte verwendet werden;

Fig. 20 eine weitere erfindungsgemäße Ausführungsform, bei der zur Bestrahlung ein Laserstrahl mit am Umfang abrupter Änderung der Energieverteilung verwendet wird;

Fig. 21(a) bis 21(c) weitere erfindungsgemäße Aus führungsformen, die jeweils verschiedene Bestrahlungs lichtpunkte des Laserstrahls verwenden;

Fig. 22(a) und 22(b) weitere erfindungsgemäße Aus führungsformen, die zusätzliche Merkmale des zur Bestrah lung verwendeten Laserstrahls anwenden; und

Fig. 23 bis 25 weitere erfindungsgemäße Ausfüh rungsformen, die weitere Merkmale des zur Bestrahlung ver wendeten Laserstrahls anwenden.

In Fig. 1 ist eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt, bei dem ein isolierendes Substrat 10 aus einem elektrisch isolierenden Material wie Polyimid, ABS, Polyetherimid, Flüssigkristallpolymer, Aluminiumoxid keramik oder ähnlichem verwendet wird. Obwohl das Substrat 10 in Fig. 1(a) mit einer plattenförmigen ebenen Gestalt dargestellt ist, kann das Substrat in jeder anderen dreidi mensionalen Gestalt verwendet werden.

Dieses isolierende Substrat 10 wird einer Oberflächenbehand lung mit einer Chromsäurelösung, einer wäßrigen KOH-Lösung, einer Phosphorsäurelösung oder einer ähnlichen Lösung unter zogen, um eine angerauhte Oberfläche PF zu erhalten, die sehr fein gewellt ist, wie in Fig. 1(b) dargestellt.

Als nächstes wird auf der gesamten angerauhten Oberfläche PF des isolierenden Substrats 10 eine Plattierungs-Grundschicht 10a gebildet, wie in Fig. 1(c) dargestellt. Obwohl diese Plattierungs-Grundschicht 10a durch Aufbringen eines Metall films auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10 ge bildet werden kann, wird die Plattierungs-Grundschicht 10a in der Ausführungsform von Fig. 1 dadurch gebildet, daß das Substrat 10 in eine Lösung getaucht wird, die Pd enthält, das als Katalysator bei einer stromlosen Plattierung wirkt, und daß danach das eingetauchte Substrat 10 einer Aktivie rungsbehandlung unterworfen wird, um auf seiner Oberfläche Kristallisationskeime aus Pb zu bilden, und daß dann auf der aktivierten Oberfläche des Substrats eine stromlose Plattie rung mit Ni oder Cu erfolgt.

Dann wird die so behandelte Oberfläche des isolierenden Sub strats 10 mit einer elektromagnetischen Welle wie aus einem Laser partiell bestrahlt, um die Plattierungs-Grundschicht 10a in den bestrahlten Bereichen zu entfernen. Als elektro magnetische Welle können anstatt des Laserstrahls auch Rön tgenstrahlen, ultraviolette Strahlen oder ähnliche verwendet werden, jedoch wird derzeit der Laser als optimales Mittel betrachtet, weshalb sich die nachfolgende Beschreibung hauptsächlich auf den Fall bezieht, daß als elektromagneti sche Welle der Laserstrahl verwendet wird. Als Laser kann zum Beispiel ein Q-Switch-YAG-Laser verwendet werden, der zur Bestrahlung so angeordnet ist, daß der Laserstrahl auf der Oberfläche des Substrats 10 unter Verwendung eines Ab lenkspiegels mit einem Galvanometerantrieb oder in ähnlicher Weise bewegt wird. Dieser Ablenkspiegel ist winkelverstell bar, wodurch der Laserstrahl, dessen Lichtpunktdurchmesser einige 10 µm betragen kann, mit einer hohen Geschwindigkeit bewegt werden kann. Wie in den Fig. 1(d) und 1(e) darge stellt ist, wird die Laserbestrahlung auf der behandelten Oberfläche des isolierenden Substrats 10 für die Bereiche durchgeführt, die nicht zu den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11, auf denen ein Schaltelement 13 ausgebildet wird, gehören; sie wird also bezüglich der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12 ausgeführt, die einen Iso lationsraum auf beiden Seiten des Schaltungselementes 11 oder zwischen benachbarten Schaltungselementen 11 ausbilden; die Bestrahlung wird durch ein Bewegen des Laserstrahls ent sprechend einem gegebenen Muster der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12 in wenigstens einer Grenzzone zwi schen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11 durchgeführt, so daß die Plattierungs-Grundschicht 10a in der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11 bestrahlt wird. Folglich wird, wie in Fig. 1(d) zu sehen ist, die Plattierungs-Grundschicht 10a in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 in der bestrahlten Grenzzone zu den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11 entfernt, während die Plattierungs-Grundschicht 10a in den nicht bestrahlten und nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 zusammen mit der Plattierungs-Grundschicht 10a der die Schaltung bil denden Bereiche 11 verbleibt. Die Bestrahlungsenergie des Lasers sollte vorzugsweise im Bereich von 10 bis 300 µJ/Im puls liegen, und die Anordnung kann so gestaltet sein, daß zusammen mit der Plattierungs-Grundschicht 10a auch ein Teil der Oberfläche des isolierenden Substrats 10 entfernt wird. Wenn hier die Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12 (also der Abstand zwischen benachbarten, zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11) gleich dem Lichtpunkt durchmesser ist (Durchmesser z. B. 100 µm), ist es möglich, die Plattierungs-Grundschicht 10a in der Grenzzone auf bei den Seiten der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12 durch eine einmalige Laserbestrahlung des nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichs 12 zu entfernen.

Nach dem Ausführen der Laserbestrahlung wenigstens der Grenzzone zwischen nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen 12 und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11 auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10 in der be schriebenen Weise wird durch eine stromlose Plattierung eine Schicht 10b aus Kupfer oder einem ähnlichen Material mit eine Dicke von ungefähr 10 µm auf der Plattierungs-Grund schicht 10a abgeschieden, die auf der einer Laserbestrahlung nicht ausgesetzten Oberfläche des isolierenden Substrats 10 verblieben ist, wobei dieses Abscheiden durch ein Eintauchen des isolierenden Substrats 10 in ein Bad zum stromlosen Plattieren wie in eine Lösung zum stromlosen Kupferplattie ren oder auf jede andere ähnliche Weise erfolgt. Wenn auf der Plattierungs-Grundschicht 10a eine stromlos aufplattier te Schicht 10b gebildet ist, kann ein Muster des Schaltungs elementes 13 gebildet werden. Da auch auf der in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 verbliebenen Plat tierungs-Grundschicht 10a eine stromlos aufplattierte Schicht 10b gebildet wird, kann die Isolierung des Schal tungselementes 13 dadurch aufrechterhalten werden, daß die Grenzzone der Plattierungs-Grundschicht 10a zwischen den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11 und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 durch die Laserbestrahlung entfernt wird, so daß hier kein Problem auftritt.

Nach der Bildung des Schaltungsmusters durch das Plattieren auf der Plattierungs-Grundschicht 10a der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11 kann die Leiterplatte fertiggestellt werden, indem je nach Erfordernis ein Lötabdecklack, eine Ni-Plattierung, eine Au-Plattierung oder ähnliches aufge bracht werden (siehe Fig. 1(e)). Bei der Herstellung der Leiterplatte in der beschriebenen Weise muß die Laserbe strahlung nur für die Grenzzone zwischen den zu der Schal tung gehörenden Bereichen 11 und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12 durchgeführt werden, während die Be strahlung der gesamten nicht zu der Schaltung gehörenden Be reiche 12 durch ein Überstreichen mit einem Laserstrahl nicht notwendig ist, so daß die notwendige Behandlungszeit mit der Laserbestrahlung kürzer als bei Verfahren ist, bei denen der Laserstrahl den gesamten nicht zu der Schaltung gehörenden Bereich 12 überstreichen muß; dies erhöht die Produktivität der Leiterplattenherstellung. Obwohl in der vorangegangenen Ausführungsform die stromlose Plattierung so erfolgt, daß die Schaltung durch ein Aufbringen der Plat tierung nach der Laserbestrahlung gebildet wird, ist es auch möglich, die Schaltung durch jedes andere Plattieren als durch das hier verwendete stromlose Plattieren auszubilden, zum Beispiel durch ein Elektroplattieren, durch CVD (chemi cal vacuum deposition), durch PVD (physical vacuum deposi tion) oder in ähnlicher Weise.

In Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der das gleiche isolierende Substrat 10a wie in der Ausführungsform von Fig. 1 mit einer ebenen Ge stalt verwendet werden kann, wie es in Fig. 2(a) aus Glas- Epoxyd bestehend dargestellt ist; das Substrat kann jedoch jede beliebige dreidimensionale Form aufweisen. Das isolie rende Substrat 10a wird zuerst einer Behandlung unterzogen, welche die Oberfläche des Substrats aufrauht, danach wird auf der gesamten Oberfläche des isolierenden Substrats 10A der Metallfilm 10Aa aufgebracht, wie in Fig. 2(b) darge stellt. In dieser Ausführungsform wird der Metallfilm 10Aa auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10A aufge bracht, indem die Substratoberfläche mit einer Metallfolie wie einer z. B. 18 µm dicken Kupferfolie bedeckt wird. Als nächstes wird der Abdecklack 14A auf die gesamte Oberfläche des Metallfilms 10Aa aufgebracht, wie in Fig. 2(c) darge stellt. Als Abdecklack 14A kann ein Photoätzlack verwendet werden, der nach einer Bestrahlung mit einer elektromagneti schen Welle wie aus einem Laser durch einen photographischen Entwickler lösbar ist, oder ein Abdecklack, der bei Bestrah lung mit dem Laserstrahl oder einer entsprechenden elektro magnetischen Welle durch Verdampfen entfernt werden kann. In der Ausführungsform von Fig. 2 wird der zuerst genannte Photolack verwendet.

Die Bestrahlung mit dem Laserstrahl oder einer entsprechen den elektromagnetischen Welle wird in der gleichen Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 durchgeführt. Als Laser kann wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 ebenfalls ein Q-Switch-YAG-Laser oder ein ähnlicher verwendet werden, der wenigstens die Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12A und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11A auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10A entlang dem Muster der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12A bestrahlt. Die Strahlungsenergie des Lasers sollte vorzugsweise im Bereich von 10 bis 30 mJ/cm² liegen. Bevorzugt wird eine Anordnung, bei der die Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12A gleich dem Licht punktdurchmesser des Laserstrahls ist und dieser nur einmal an den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12A ent langläuft.

Nachdem der oben beschriebene Abdecklack mit dem Laserstrahl an der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehö renden Bereichen 12A und den zu der Schaltung gehörenden Be reichen 11A bestrahlt ist, wird das isolierende Substrat 10A einem Entwicklungsvorgang ausgesetzt, wodurch die bestrahl ten Bereiche des Abdecklacks 14A von dem Entwickler aufge löst und somit entfernt werden. Da der Abdecklack 14A in der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Be reichen 12A und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11A der Laserbestrahlung ausgesetzt war, wird der Abdecklack 14A entlang der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schal tung gehörenden Bereichen 12 und den zu der Schaltung gehö renden Bereichen 11A entfernt, wodurch in dieser Zone der Metallfilm 10Aa freigelegt wird. Wie in Fig. 2(e) darge stellt, wird als nächstes aufgrund einer Oberflächenbehand lung des isolierenden Substrats 10A mit einer Ätzlösung wie einer Chlorwasserstoffsäurelösung oder Kupferchlorid dieser Metallfilm 10Aa in den freigelegten, nicht mit dem Abdeck lack 14A bedeckten Bereichen, also in der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12A und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11A, aufgelöst und entfernt. Durch ein solches Ätzen des Metallfilms 10Aa wird der Metallfilm 10Aa der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11A von dem Metallfilm 10Aa der nicht zu der Schaltung gehö renden Bereiche 12 getrennt, und die Schaltung 13A kann mit ihrem Muster durch den Metallfilm 10Aa der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11A gebildet werden.

Nach dem Bilden der Schaltung 13A auf diese Weise wird der verbliebene Abdecklack 14A durch Ablösen oder in ähnlicher Weise entfernt, wie in Fig. 2(f) dargestellt, und je nach Erfordernis werden ein Lötabdecklack, eine Ni-Plattierung, eine Au-Plattierung oder ähnliches aufgebracht, um die Lei terplatte fertigzustellen.

Während in der vorangegangenen Ausführungsform ein Photolack verwendet wurde, der nach Bestrahlung mit einer elektroma gnetischen Welle wie aus einem Laser von einem photographi schen Entwickler lösbar ist, kann auch jeder andere durch Laserbestrahlung entfernbare Abdecklack wie eine Urethanfar be oder ähnliches verwendet werden. In diesem Fall sollte die Strahlungsenergie des Lasers vorzugsweise im Bereich von ungefähr 10 bis 300 µJ/Impuls liegen, und der oben genannte Schritt des photographischen Entwickelns ist unnötig, da der Abdecklack durch die Laserbestrahlung entfernt werden kann.

Da bei der Herstellung der Leiterplatte in der oben darge stellten Weise die Laserbestrahlung nur für die Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12A und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11A auf dem isolierenden Substrat 10A durchgeführt werden muß und die Laserbestrahlung nicht die gesamte Fläche der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12A überstreichen muß, kann ebenso wie in der Ausführungsform von Fig. 1 die notwendige Behandlungszeit mit der Laserbestrahlung vermindert werden, wodurch die Produktivität der Leiterplattenherstellung we sentlich erhöht werden kann. Da der Metallfilm 10Aa durch das Ätzen entfernt wird und die Bestrahlung mit dem Laser strahl oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle nur zum Entfernen des Abdecklacks 14A notwendig ist, kann die Leiterplattenherstellung mit einem Laser mit relativ ge ringer Intensität durchgeführt werden, der als elektromagne tische Welle verwendet wird.

In Fig. 3 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der das gleiche isolierende Substrat 10B wie in der Ausführungsform von Fig. 1 verwendet werden kann, wie es in Fig. 3(a) dargestellt ist; das hier aus einem Polyimidfilm bestehende Substrat kann jedoch jede be liebige dreidimensionale Form aufweisen. Als nächstes wird, wie in Fig. 3(b) dargestellt, eine dünne Metallfolie 10Ba aus Kupfer oder einem ähnlichen Material, die ungefähr 1 µm dick ist, auf der gesamten Oberfläche des isolierenden Sub strats 10B durch stromloses Plattieren, Vakuummetallisieren, Bedampfen oder durch ein ähnliches Verfahren aufgebracht. Danach wird der Abdecklack 14B aufgebracht und mit der ge samten Oberfläche des Metallfilms 10Ba verbunden, wie in Fig. 3(c) dargestellt. Als Abdecklack 14B ist am besten ein Photolack geeignet, der durch Bestrahlung mit dem zur Be strahlung verwendeten Laserstrahl oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle für den photographischen Entwick ler unlöslich wird.

Als nächstes wird in gleicher Weise wie bei der Ausführungs form von Fig. 1 die Bestrahlung mit dem Laserstrahl oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle durchgeführt. Wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 kann als Laser ein Q-Switch-YAG-Laser verwendet werden, der die Grenzzone zwi schen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12B und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11B entlang dem Muster der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B bestrahlt, indem der Laser mit dem Ablenkspiegel mit Galvanometerantrieb arbeitet. Die Bestrahlungsenergie des Lasers sollte vorzugsweise im Bereich von ungefähr 10 bis 30 mJ/cm² liegen. Wenn die Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B gleich dem Lichtpunktdurchmesser des Laserstrahls ist, wird ferner der Laserstrahl vorzugsweise einmal entlang der nicht zu der Schaltung gehörenden Berei che 12B geführt.

Nachdem der Abdecklack 14B wenigstens in der Grenzzone zwi schen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12B und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11B auf dem isolierenden Substrat 10B der Laserbestrahlung ausgesetzt wurde, wird der Abdecklack 14B der Entwicklung unterzogen. Der Abdecklack 14B ist in seinen dem Laserstrahl ausgesetz ten Bereichen für den Entwickler unlöslich, er wird jedoch in den nicht bestrahlten Bereichen von dem Entwickler so ge löst, daß der Abdecklack 14B, wie in Fig. 3(d) dargestellt, in der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehö renden Bereichen 12B und den zu der Schaltung gehörenden Be reichen 11B, in welcher er dem Laserlicht ausgesetzt war, verbleibt, während der Abdecklack 14B in den nicht bestrahl ten Bereichen entfernt wird, wodurch dort der Metallfilm 10Ba freigelegt wird. Als nächstes erfolgt auf den auf diese Weise freigelegten Bereichen des Metallfilms 10Ba die Plat tierung. Die Plattierung kann eine Elektroplattierung sein, bei der das isolierende Substrat 10B in ein Elektroplattie rungsbad getaucht wird, während der mit einem negativen Pol von Stromversorgungselektroden verbundene Metallfilm 10Ba unter Strom gesetzt wird, wodurch auf der freigelegten Ober fläche des Metallfilms 10Ba eine elektroplattierte Metall schicht 16B aus Kupfer oder einem ähnlichen Material abge schieden wird, wie in Fig. 3(e) dargestellt. Danach wird der noch verbliebene Abdecklack 14B in den bestrahlten Be reichen abgelöst, wodurch der Metallfilm 10Ba, wie in Fig. 3(f) dargestellt, in diesen Bereichen freigelegt wird. Da der hier verbliebene Abdecklack 14B sich in der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12B und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11B befindet, wird die Metallfolie 10Ba in dieser Grenzzone freigelegt. Durch das Ausführen einer schwachen Ätzung von ungefähr 1 µm Stärke mit der Ätzlösung aus Chlorwasserstoffsäurelösung oder Kupferchlorid werden die freigelegten Bereiche des dün nen Metallfilms 10Ba, also der Metallfilm 10Ba in der Grenz zone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen 12B und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11B, aufgelöst und entfernt. Durch eine solche Trennung des Me tallfilms 10Ba der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11B von dem Metallfilm 10Ba der nicht zu der Schaltung gehören den Bereiche 12B durch das Ätzen des Metallfilms 10Ba können die Schaltungselemente 13B des Musters von dem Metallfilm 10Ba und der elektroplattierten Schicht 16B der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11B gebildet werden.

Nach dem vorstehend beschriebenen Bilden des Musters der Schaltungselemente 13B wird je nach Erfordernis ein Lötab decklack, eine Ni-Plattierung, eine Au-Plattierung oder ähn liches aufgebracht, und die Leiterplatte kann fertiggestellt werden. Da bei der Herstellung der Leiterplatte in der be schriebenen Weise die Laserbestrahlung nur für die Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12B und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11B auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10B und kein Laserbe strahlen der gesamten Fläche der nicht zu der Schaltung ge hörenden Bereiche 12B notwendig ist, kann die Behandlungs zeit mit der Laserbestrahlung vermindert und die Produktivi tät der Leiterplattenherstellung in der gleichen Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 erhöht werden. Obwohl zum Entfernen des Metallfilms 10Ba ein Ätzen beschrieben ist, kann zu diesem Zweck auch ein Laser mit einer relativ geringen Intensität verwendet werden, die jedoch hoch genug ist, um die schwache Bestrahlung des Abdecklacks 14B mit dem Laserstrahl oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle durchzuführen, ohne daß die Gefahr eine Beschädigung des isolierenden Substrats 10B durch die Laserbestrahlung besteht, wodurch die Herstellungsmöglichkeiten der Leiter platte wesentlich verbesserte werden können.

In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der das gleiche isolierende Substrat 10C wie in der Ausführungsform von Fig. 1 mit einer ebenen Ge stalt verwendet werden kann, wie in Fig. 4(a) dargestellt; das Substrat kann jedoch jede beliebige dreidimensionale Form aufweisen. Die Oberfläche des isolierenden Substrats 10C wird einer die Oberfläche aufrauhenden Behandlung unter zogen, um mittels einer Plasmabehandlung auf der Oberfläche eine sehr feine Welligkeit zu erhalten; danach wird auf der gesamten Oberfläche des isolierenden Substrats 10C der dünne Metallfilm 10Ca als Plattierungs-Grundschicht aufgebracht, wie in Fig. 4(b) dargestellt. Der Metallfilm 10Ca kann auf jede beliebige Weise aufgebracht werden, zum Beispiel durch eine stromlose Plattierung, die nach dem Aufbringen eines Katalysators auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10C erfolgt, oder durch CVD, PVD, Bedampfen oder durch ähn liche Verfahren. In der in Fig. 4 dargestellten Ausfüh rungsform wird das Bedampfen verwendet, so daß der dünne Metallfilm 10Ca mit einer Dicke von ungefähr 0,1 bis 2 µm aus Cu, Ni, Pd, Cr, Ag oder einem ähnlichen Material gebil det wird.

In diesem Fall wird die Bestrahlung mit dem Laserstrahl oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle in der glei chen Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 ausge führt, und der dünne Metallfilm 10Ca wird in den mit dem Laserstrahl bestrahlten Bereichen entfernt. Als Laser kann in gleicher Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 ein Q-Switch-YAG-Laser oder ein ähnlicher verwendet werden, wobei der Laserstrahl wenigstens die Grenzzone zwischen den nicht zur Schaltung gehörenden Bereichen 12C und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11C bestrahlt, indem er durch die Betätigung des Ablenkspiegels mit Galvanometerantrieb auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10C bewegt wird. Dementsprechend wird, wie in Fig. 4(c) dargestellt, der Metallfilm 10Ca in Grenzabschnitten zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12C und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11C in mit dem Laserstrahl bestrahlten Abschnitten entfernt, während der Metallfilm 10Ca in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12C, die mit dem Laserstrahl nicht bestrahlt wurden, zusammen mit dem Metallfilm 10Ca der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11C verbleibt, ohne entfernt zu werden. Die Bestrahlungs energie des Lasers sollte vorzugsweise im Bereich von unge fähr 10 bis 300 µJ/Impuls liegen, und die Anordnung kann so sein, daß gleichzeitig mit dem Metallfilm 10Ca ein Teil der Oberfläche des isolierenden Substrats 10C entfernt wird. In gleicher Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 wird bevorzugt, daß dann, wenn die Breite der nicht zu der Schal tung gehörenden Bereiche 12C gleich dem Durchmesser des Lichtpunktes des Bestrahlungslasers ist, der Laserstrahl nur einmal entlang der nicht zu der Schaltung gehörenden Berei che 12C geführt wird.

Nach der Laserbestrahlung wenigstens der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12C und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11C auf dem isolieren den Substrat 10C in der oben dargestellten Weise wird das isolierende Substrat 10C in das Elektroplattierungsbad ein getaucht, während der Metallfilm 10Ca der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11C über die negative Seite der mit dem entsprechenden Metallfilm verbundenen Versorgungselektroden mit Strom versorgt wird, wodurch auf dem Metallfilm 10Ca der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11C eine elektroplat tierte Schicht 16C aus Kupfer oder einem ähnlichen Material mit einer Dicke von ungefähr 10 µm abgeschieden wird, wo durch die Schaltungselemente 13C entsprechend ihrem Muster gebildet werden können. Da der in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12C verbliebene Metallfilm 10Ca nicht mit Strom versorgt wird, wird auf diesem verbliebenen Metallfilm 10Ca in den nicht zu der Schaltung gehörenden Be reichen 12C keine elektroplattierte Schicht 16C ausgebildet.

Nach dem Bilden der Schaltung durch die auf dem Metallfilm 10Ca der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11C erfolgte Elektroplattierung kann die Leiterplatte je nach Erfordernis durch das Aufbringen einer Lotabdeckschicht, einer Ni-Plat tierung, einer Au-Plattierung etc. fertiggestellt werden. Da bei der beschriebenen Herstellung der Leiterplatte die La serbestrahlung nur entlang der Grenze zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12C und den zu der Schal tung gehörenden Bereichen 11C auf der Oberfläche des isolie renden Substrats 10C durchgeführt werden muß und ein Laser bestrahlen der gesamten Fläche der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12C nicht notwendig ist, kann die Be handlungszeit mit der Laserbestrahlung in gleicher Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 verkürzt und die Produk tivität der Leiterplattenherstellung wesentlich erhöht wer den. Da die Plattierung zum Bilden der Schaltung nur in den zum Bilden der Schaltungselemente 13C notwendigen, zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11C und nicht in den nicht notwendigen, nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12C erfolgt, kann jede Verschwendung des für die Plattierung verwendeten Materials wie des Plattierungsmetalls oder eines ähnlichen Materials vermindert werden, was einen ökonomi schen Vorteil bedeutet.

Falls hier der Metallfilm 10Ca der zu der Schaltung gehören den Bereiche 11C einen unabhängigen Metallfilm beinhaltet, der unabhängig von dem mit den Versorgungselektroden verbun denen Metallfilm 10Ca vorgesehen ist, ist es unmöglich, einen solchen unabhängigen Metallfilm mit Strom zum Elektro plattieren zu versorgen. In diesem Fall wird die Laserbe strahlung so ausgeführt, daß ein Versorgungsmetallfilm 10Da2 als Brücke zwischen dem mit den Versorgungselektroden ver bundenen Metallfilm 10Da und dem unabhängigen Metallfilm 10Da1 vorgesehen ist, wie in Fig. 5(a) dargestellt, wobei das Elektroplattieren erfolgt, während der Strom von dem Metallfilm 10Da über den Versorgungsmetallfilm 10Da2 zu dem unabhängigen Metallfilm 10Da1 geführt wird, wodurch auch der unabhängige Metallfilm 10Da1 zusammen mit dem Metallfilm 10Da mit der elektroplättierten Schicht 16D versehen werden kann, wie in Fig. 5(b) dargestellt. Durch ein Entfernen des Versorgungsmetallfilms 10Da2 sowie der darauf ausgebildeten elektroplattierten Schicht 16D durch Bohren oder in ähnli cher mechanischer Weise ist es möglich, das auf dem unabhän gigen Metallfilm 10Da1 gebildete Schaltungselement 13D von dem Schaltungselement 13D unabhängig zu machen, das auf dem mit den Elektroden verbundenen Metallfilm 10Da gebildet ist.

In Fig. 6 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, bei der das gleiche isolierende Substrat 10E wie in der Ausführungsform von Fig. 1 mit einer ebenen Ge stalt verwendet werden kann, wie in Fig. 6(a) dargestellt; das Substrat kann jedoch jede beliebige dreidimensionale Form aufweisen. In diesem Fall wird die Oberfläche des iso lierenden Substrats 10E plasmabehandelt, so daß sie durch eine sehr feine Welligkeit aufgerauht ist; danach wird der Metallfilm 10Ea als Plattierungs-Grundschicht auf die Ober fläche des isolierenden Substrats 10E in der gleichen Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 4 aufgebracht; dieser Metallfilm ist eine dünne Schicht aus Cu, Ni, Pd, Cr, Au oder einem ähnlichen Material und weist eine Dicke von unge fähr 0,1 bis 2 µm auf, wie in Fig. 6(b) dargestellt.

In diesem Fall wird in der gleichen Weise wie bei der Aus führungsform von Fig. 1 der dünne Metallfilm 10Ea be strahlt, um diesen in den bestrahlten Bereichen zu entfer nen. Als Laser kann in gleicher Weise wie im Falle von Fig. 1 ein Q-Switch-YAG-Laser oder ein ähnlicher verwendet wer den, wobei der Laserstrahl wenigstens die Grenzzone zwischen den nicht zur Schaltung gehörenden Bereichen 12E und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11E bestrahlt, indem er durch die Betätigung des Ablenkspiegels mit Galvanometeran trieb auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10E be wegt wird. Dementsprechend wird, wie in Fig. 6(c) darge stellt, der Metallfilm 10Ea in der Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12E und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11E entfernt, während er als Plattierungs-Grundschicht in den nicht bestrahlten Be reichen zusammen mit dem Metallfilm 10Ea der zu der Schal tung gehörenden Bereiche 11E verbleibt, ohne entfernt zu werden. Die Laserbestrahlungsenergie sollte vorzugsweise und in der gleichen Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 ungefähr 10 bis 300 µJ/Impuls betragen, und die Anordnung kann so gestaltet sein, daß gleichzeitig mit dem Entfernen des Metallfilms 10Ea ein Teil der Oberfläche des isolieren den Substrats entfernt wird. In gleicher Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 1 sollte ferner der Laserstrahl vorzugsweise, wenn die Breite der nicht zu der Schaltung ge hörenden Bereiche 12E gleich dem Lichtpunktdurchmesser des Bestrahlungslasers ist, nur einmal entlang der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12E geführt werden.

Nach der Laserbestrahlung entlang der Grenze zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12E und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11E auf der Oberfläche des isolierenden Substrats in der beschriebenen Weise wird das isolierende Substrat 10E in das Elektroplattierungsbad eingetaucht, während die mit der negativen Seite der Versor gungselektroden verbundenen, zu der Schaltung gehörenden Be reiche 11E in gleicher Weise wie bei der Ausführungsform von Fig. 4 mit Strom versorgt werden, und es wird auf dem Me tallfilm 10Ea der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11E die elektroplattierte Schicht 16E aus Kupfer oder einem ähn lichen Material in einer Dicke von ungefähr 10 µm so abge schieden, daß das Muster der Schaltungselemente 13E gebildet wird. Da der in den nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen 12E verbliebene Metallfilm 10Ea nicht mit Strom ver sorgt wird, wird auf diesem verbliebenen Metallfilm 10Ea keine elektroplattierte Schicht gebildet.

Danach wird das isolierende Substrat 10E schwach geätzt, indem es für eine kurze Zeit in eine Ätzlösung getaucht wird, wodurch der in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12E verbliebene dünne Metallfilm 10Ea entfernt wird. Die auf dem Metallfilm 10Ea der zu der Schaltung gehö renden Bereiche 11E durch die elektroplattierte Schicht 16E mit größerer Dicke gebildeten Schaltungselemente 13E sollten durch das schwache Ätzen nicht entfernt werden (siehe Fig. 6(d)).

Nach dem Bilden der Schaltung durch das Elektroplattieren auf dem Metallfilm 10Ea in den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11E und nach dem schwachen Ätzen zum Entfernen des Metallfilms 10Ea in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12E kann die Leiterplatte je nach Erfordernis durch das Aufbringen eines Lötabdecklacks, einer Ni-Plat tierung, einer Au-Plattierung oder ähnlichem fertiggestellt werden (siehe Fig. 6(e)). Nach der in der oben dargestell ten Weise erfolgten Elektroplattierung ist es zum Beispiel möglich, den Lötabdecklack mit Farbe zu beschichten, notwen dige Bereiche für eine mit einer Maske ausgeführte Ni- oder Au-Plattierung freizulegen und die Ni- oder Au-Plattierung durch eine stromlose Plattierung durchzuführen. Bei der Her stellung der Leiterplatte in der oben angegebenen Weise wird die Laserbestrahlung nur entlang der Grenze zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12E und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11E ausgeführt, wobei nicht die gesamte Fläche der nicht zu der Schaltung gehören den Bereiche 12E bestrahlt werden muß, wodurch die Behand lungszeit mit der Laserbestrahlung in gleicher Weise wie im Falle der Ausführungsform von Fig. 1 verkürzt werden kann. Da ferner die Plattierung zum Bilden der Schaltung nur in den zum Bilden der Schaltungselemente 13E notwendigen, zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11E und nicht in den nicht notwendigen, nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen 12E erfolgt, kann jede Verschwendung des zum Plattieren verwendeten Materials wie des Plattierungsmetalls oder eines ähnlichen Materials vermindert werden, was in der gleichen Weise wie bei der Ausführungsform der Fig. 4 einen ökonomi schen Vorteil bedeutet. Da außerdem der in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12E verbliebene Metallfilm 10Ea durch ein schwaches Ätzen entfernt wird, können die Isolationseigenschaften der auf den zu der Schaltung gehö renden Bereichen 11E gebildeten Schaltung 13E verbessert werden.

Wenn wie im Falle der Ausführungsform von Fig. 6 der unab hängige Metallfilm 10Ea1 unabhängig von dem mit den Versor gungselektroden verbundenen Metallfilm 10Ea vorliegt, kann die elektroplattierte Schicht 16E auf dem unabhängigen Me tallfilm 10Ea1 in der gleichen Weise wie bei der Ausfüh rungsform von Fig. 7 ausgebildet werden. Der Laserstrahl wird dazu zuerst so geführt, daß ein Energieversorgungs-Me tallfilm 10Ea2 zwischen dem mit der Energieversorgungselek trode verbundenen Metallfilm 10Ea und dem unabhängigen Me tallfilm 10Ea1 ausgebildet wird, wie in Fig. 7(a) darge stellt, dann wird ein Plattierungs-Abdecklack 18A mit einem Farbstrahldrucker 17E oder einer Abgabevorrichtung auf dem Energieversorgungs-Metallfilm 10Ea2 aufgebracht, um die Oberfläche des Energieversorgungs-Metallfilms 10Ea2 abzu decken, wie in Fig. 7(b) dargestellt. Indem das Elektro plattieren mit einer Energieversorgung des unabhängigen Me tallfilms 10Ea1 von dem Metallfilm 10Ea über den Energiever sorgungs-Metallfilm 10Ea2 ausgeführt wird, kann die elektro plattierte Schicht 16E zusammen mit dem Metallfilm 10Ea auch auf dem unabhängigen Metallfilm 10Ea2 ausgebildet werden, wie in Fig. 7(c) dargestellt. Als nächstes wird der auf dem Energieversorgungs-Metallfilm 10Ea2 aufgebrachte Abdecklack 18E entfernt, um den Energieversorgungs-Metallfilm 10Ea2 freizulegen, wie in Fig. 7(d) dargestellt; danach wird der Energieversorgungs-Metallfilm 10Ea2 durch das oben beschrie benen schwache Ätzen aufgelöst und entfernt, wodurch das auf dem unabhängigen Metallfilm 10Ea1 gebildete Schaltungsele ment 13E unabhängig von dem Schaltungselement 13E auf dem Metallfilm 10Ea wird.

Durch das Bilden der Schaltung 13B-13E in der in den Fig. 3, 4, 5, 6 und 7 dargestellten Weise, indem also der Metall film 10Ba-10Ea auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10B-10E gebildet wird, die Laserbestrahlung durchgeführt wird und die Elektroplattierung erfolgt, um die elektroplat tierte Schicht 16B-16E auf dem Metallfilm 10Ba-10Ea zu bil den, ergibt sich ferner die Gefahr, daß dann, wenn sich das Metall des Metallfilms 10Ba-10Ea von dem Metall der elektro plattierten Schicht 16B-16E unterscheidet, das Elektroplat tierungsbad durch ein Auflösen des Metallfilms 10Ba-10Ea durch das Elektroplattierungsbad beim Ausführen des Elektro plattierens durch Eintauchen des isolierenden Substrats 10B- 10E in das Bad verunreinigt wird. In diesem Fall wird bevor zugt, daß der Metallfilm 10Ba-10Ea und die elektroplattierte Schicht 16B-16E aus dem gleichen Metall gebildet werden. Zum Beispiel wird der ungefähr 0,1 bis 2 µm dicke Metallfilm 10Ba-10Ea auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10B- 10E durch ein Bedampfen mit Kupfer oder einem ähnlichen Ma terial ausgebildet, wie in den Fig. 3(b), 4(b) oder 6(b) dargestellt, und der Laserstrahl bestrahlt wenigstens die Grenzzone zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Be reichen 12B-12E und den zu der Schaltung gehörenden Berei chen 11B-11E auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10B-10E, danach wird das isolierende Substrat 10B-10E in das Elektroplattierungs-Kupferbad eingetaucht, während der mit der negativen Seite der Energieversorgungselektroden verbun dene Metallfilm 10Ba-10Ea mit Energie versorgt wird, wie in den Fig. 3(e), 4(d) oder 6(d) dargestellt, wodurch die elektroplattierte Kupferschicht 16B-16E auf dem Metallfilm 10Ba-10Ea mit einer Dicke von ungefähr 10 µm abgeschieden werden kann, so daß sie in der Lage ist, das Muster der Schaltung 13b-13e zu bilden.

Da das Elektroplattieren durch das Eintauchen des isolieren den Substrats 10B-10E in das Elektroplattierungsbad erfolgt, ist das Metall des Metallfilms 10Ba-10Ea des isolierenden Substrats 10B-10E das gleiche wie das in dem Elektroplattie rungsbad gelöste Metall, weshalb keine Verunreinigung des Elektroplattierungsbades aufgrund von verschiedenen Metallen auftritt, selbst dann, wenn der Metallfilm 10Ba-10Ea der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B-12E in das Bad gelöst wird; es wird jedoch eher das von dem Metallfilm 10Ba-10Ea der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B-12E abgelöste Metall dem Elektroplattierungsmetall zuge setzt; somit kann das Elektroplattieren hinsichtlich der Ökonomie verbessert werden. Durch die Elektroplattierung in dieser Weise ist es ferner möglich, den Metallfilm 10Ba-10Ea der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B-12E auf zulösen und zu entfernen, ohne daß das schwache Ätzen wie in der Ausführungsform von Fig. 6 notwendig ist, indem das isolierende Substrat 10B-10E in das Elektroplattierungsbad eingetaucht wird, während dem Metallfilm 10Ba-10Ea der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B-12E über die posi tive Elektrode Energie zugeführt wird, während gleichzeitig dem Metallfilm 10Ba-10Ea der zu der Schaltung gehörenden Be reiche 11B-11E durch die negative Elektrode Energie zuge führt wird, so daß gleichzeitig mit dem Abscheiden der elek troplattierten Schicht 16B-16E aufgrund der Energiezufuhr von der negativen Elektrode zu dem Metallfilm 10Ba-10Ea der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11B-11E der Metallfilm 10Ba-10Ea der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12B-12E in sicherer Weise als Folge der Energiezufuhr von der positiven Elektrode in das Elektroplattierungsbad gelöst werden kann.

Wenn der Laserstrahl die Grenzlinie zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12B-12E und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11B-11E auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10B-10E in der bei den vorange gangenen Ausführungsformen dargestellten Weise bestrahlt, kann diese Laserbestrahlung mit einem Bestrahlungslaser strahl mit sich veränderndem Durchmesser ausgeführt werden. Ein größerer Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls ermög licht, ein größeres Gebiet mit einer höheren Geschwindigkeit zu bestrahlen, da der Laserstrahl eine größere Fläche er faßt, während bei dieser Bestrahlung kein feiner Linienzug erreicht wird; dagegen ermöglicht ein geringerer Durchmesser des Bestrahlungsstrahles, mit der Laserbestrahlung einen feinen Linienzug zu erhalten, jedoch kann aufgrund der ge ringeren erfaßten Fläche nur eine geringere Bestrahlungsge schwindigkeit erhalten werden. Ein Bestrahlungslaserstrahl mit einem konstanten Durchmesser weist somit sowohl Vorteile als auch Nachteile auf; es ist jedoch möglich, ausschließ lich die Vorteile zu erhalten, indem der Durchmesser des Be strahlungslaserstrahls während des Laserbestrahlungsvor gangs verändert wird.

In Fig. 8 ist eine Anwendung eines Bestrahlungslaserstrahls dargestellt, dessen Durchmesser für verschiedene Anwendungen verändert werden kann. Wenn das Schaltungsmuster eine stan dardisierte Breite der Linien und Zwischenräume von jeweils 200 µm aufweist, also die zu der Schaltung gehörenden Berei che 11F eine Breite von 200 µm und auch die nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12F zwischen benachbarten, zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11F eine Breite von 200 µm aufweisen, wird der Durchmesser des Bestrahlungslaser strahls auf einen Lichtpunktradius von 100 µm eingestellt, und dieser Laserstrahl wird entlang der Mittellinie jedes nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichs 12F bewegt (die Bestrahlungslichtpunkte mit größerem Durchmesser sind in Fig. 8 durch Kreise S₁ dargestellt), so daß die Grenzlinie auf beiden Seiten des nicht zu der Schaltung gehörenden Be reichs 12F gleichzeitig mittels einer einzigen Bestrahlung mit dem Laserstrahl mit großem Durchmesser bestrahlt werden kann, wobei die Laserbestrahlung mit einer hohen Verstellge schwindigkeit des Laserstrahls auf der jeweiligen Oberfläche durchgeführt werden kann. Bei der Laserbestrahlung der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12F mit einem kleinen Krümmungsradius von weniger als 100 µm oder von schmalen Ab schnitten zwischen Stiften oder ähnlichen Elementen kann der feine Linienzug dadurch erhalten werden, daß der Laserstrahl auf einen kleineren Durchmesser eingestellt wird (wie in Fig. 8 mit den Kreisen S₂ mit kleinerem Durchmesser dar gestellt). Wenn der Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls in der oben angegebenen Weise für die verschiedenen Anwen dungen verändert wird, können Vorkehrungen für einen Betrieb auf der Basis von später beschriebenen CAD/CAM-Informationen getroffen werden. In Fig. 9 ist eine Ausführungsform darge stellt, bei welcher der Durchmesser des Bestrahlungslaser strahls während des Betriebs beim Bilden der zu der Schal tung gehörenden Bereiche 11G und der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12G auf dem isolierenden Substrat 10G verändert wird, wobei die Bestrahlung mit der hohen Ver stellgeschwindigkeit mit dem Strahl mit größerem Durchmesser (Lichtpunkt S₁) und die Bestrahlung zum Ziehen von feinen Linien für Details mit dem Strahl mit kleinerem Durchmesser (Lichtpunkt S₂) erfolgt.

Das Einstellen des Durchmessers des Bestrahlungslaserstrahls kann zum Beispiel durch ein Steuern des Betrags der Defokus sierung erzielt werden. Wenn der Brennpunkt des Laserstrahls B so angeordnet ist, daß er mit der Bestrahlungsoberfläche zusammenfällt, was den Betrag der Defokussierung Null werden läßt, wie in Fig. 10(a) dargestellt, kann der Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls auf einen Minimalwert gebracht werden (wodurch die Bewegungsgeschwindigkeit des Bestrah lungsstrahls erhöht werden kann), während ein Verschieben des Brennpunktes des Laserstrahls B von der Bestrahlungsflä che den Betrag der Defokussierung erhöht, wie in Fig. 10(b) dargestellt, was einen größeren Durchmesser des Bestrah lungslaserstrahls hervorruft (wobei dann die Bewegungsge schwindigkeit des Laserstrahls geringer ist). Wie in Fig. 11 dargestellt, kann der Durchmesser des Bestrahlungslaser strahls auf L1 und L2 eingestellt werden, indem die Schwin gungsenergie eines Laserstrahls mit einem Wellentyp gesteu ert wird, der eine graduelle Intensitätsverteilung aufweist. Ferner kann, wie in Fig. 12 dargestellt, der Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls auf L1 und L2 eingestellt wer den, indem die Verstellgeschwindigkeit des Laserstrahls mit einem Wellentyp mit gradueller Intensitätsverteilung verän dert wird oder indem die Bestrahlungszeit verändert wird. Die Einstellung des Durchmessers des Bestrahlungslaser strahls kann selbstverständlich auch durch andere geeignete Maßnahmen erfolgen.

Die oben bei den Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 8 dargestellten Maßnahmen können ausgeführt werden, indem der Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls in der oben darge stellten Weise gesteuert wird, so daß an Stellen mit einer großen Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12-12F die Bestrahlung mit einem großflächigen Laserstrahl ausgeführt wird, indem der Durchmesser des Bestrahlungsla serstrahls groß eingestellt wird, und die Bestrahlung an Stellen, an denen ein feiner Linienzug notwendig ist, mit einem Laserstrahl ausgeführt wird, der eine kleinere Flä chenausdehnung aufweist, indem der Durchmesser des Bestrah lungslaserstrahls kleiner eingestellt wird.

Wenn ferner das Schaltungsdesign mittels CAD/CAM ausgelegt wird, können benötigte Daten aus der Breite, der Mittellinie oder ähnlichen Merkmalen der nicht zu der Schaltung gehören den Bereiche auf der Basis des erstellen Schaltungsdesigns mittels CAD/CAM erhalten werden. In diesem Fall kann die La serbestrahlung ausgeführt werden, während die Position oder der Durchmesser des Bestrahlungsstrahls auf der Basis der erhaltenen Daten bestimmt wird. Wie in dem Flußdiagramm von Fig. 13 dargestellt, werden die Grenzlinien zwischen den zu der Schaltung gehörenden Bereichen und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen aus den Daten der Mittellinie der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11-11F oder aus der Breite der zu der Schaltung gehörenden Bereiche errechnet, ferner wird aus solchen Daten die minimale Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche berechnet. Dann wird der Lichtpunktdurchmesser des Bestrahlungslaserstrahls so eingestellt, daß er geringer als der Minimalwert der Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche ist, und ent sprechend dem Radius des Laserlichtpunktes wird ein Versatz berechnet. Außerdem wird eine Laserbestrahlungs-Mittellinie berechnet, die von der Grenzlinie zwischen den zu der Schal tung gehörenden Bereichen und den nicht zu der Schaltung ge hörenden Bereichen zu den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen hin versetzt ist, wobei der Bestrahlungsablauf so bestimmt wird, daß die Leerzeit der Laserbestrahlung sowie die gesamte Länge der Umpositionierung des Laserstrahls von einer durchgehenden Linie zu einer anderen Linie, während der keine Laserbestrahlung durchgeführt wird, minimal ist, wobei diese Daten Steuermitteln des Ablenkspiegels mit Gal vanometerantrieb eingegeben werden, wodurch die Laserbe strahlung gesteuert werden kann.

Wenn sich die Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12-12F verändert, zum Beispiel zwischen 50 und 200 µm, während der größtmögliche Durchmesser des Bestrahlungs laserstrahls 200 µm beträgt, können gleichzeitig die Grenz zonen auf beiden Seiten der nicht zu der Schaltung gehören den Bereiche durch eine einzige Bestrahlung bestrahlt wer den, indem die Laserbestrahlung durchgeführt wird, während der Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls auf die Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche eingestellt und auch die Mitte des Bestrahlungslaserstrahls so einge stellt ist, daß sie mit der Mittellinie der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche zusammenfällt, was auf der Ba sis der CAD/CAM-Daten geschehen kann. Wenn die Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche zum Beispiel 300 µm beträgt, was größer als der größte Wert des Durchmessers des Bestrahlungslaserstrahls ist, wird der Durchmesser des Bestrahlungslaserstrahls auf zum Beispiel 150 µm einge stellt, so daß die Laserbestrahlung in zwei Durchgängen ent lang den Grenzzonen auf beiden Seiten der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche durchgeführt wird. Die Be strahlungsenergie des Lasers sollte vorzugsweise auf einen Bereich von 0,05-1 mJ/cm² eingestellt sein.

Die in den Ausführungsformen der Fig. 1 bis 8 dargestell ten Maßnahmen können mit einem Bestrahlungslaserstrahl durchgeführt werden, dessen Durchmesser auf der Basis der Informationen des mit CAD/CAM erstellten Schaltungsdesigns eingestellt wird, wie oben dargestellt, und die Steuerung des Durchmessers des Bestrahlungslaserstrahls kann ausge führt werden durch eine Defokussierungssteuerung, eine In tensitätssteuerung, eine Geschwindigkeitssteuerung, eine Be strahlungszeitsteuerung oder in ähnlicher Weise. Da die Be strahlungsposition oder der Durchmesser des Lichtpunktes des Laserstrahls oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle aufgrund von CAD/CAM-Informationen bestimmt werden, können Betriebsdaten für den Laser oder eine ähnliche Vor richtung in einer kurzen Zeit erhalten werden, was die benö tigte Arbeitszeit vermindert.

Wenn die Bestrahlung durchgeführt wird, während der Durch messer des Bestrahlungslaserstrahls wie im Flußdiagramm von Fig. 13 auf der Basis der CAD/CAM-Informationen bestimmt wird, kann das Schaltungsmuster selbst im Falle einer sehr feinen Schaltung mit geringen Abständen zwischen den Schal tungselementen 13-13F leicht hergestellt werden, indem der Laser, wie in Fig. 14 dargestellt, die Bestrahlung durch führt, wenn der Durchmesser des Lichtpunktes des Bestrah lungslaserstrahls auf den Minimalwert der Breite der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12-12F eingestellt ist (der Bestrahlungslichtpunkt ist in Fig. 14 durch Kreise S₁ dargestellt).

Wenn das Bewegen des Laserstrahls (also das Überstreichen der Fläche) mit dem Ablenkspiegel mit Galvanometerantrieb ausgeführt wird und der Laserstrahl die Grenzlinie zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12-12F und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11-11F auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10-10F wie in den je weiligen vorangegangenen Ausführungsformen bestrahlt, tritt das Problem auf, daß aufgrund der Trägheit des Ablenkspie gels die Bestrahlung in Eckenabschnitten der zu der Schal tung gehörenden Bereiche zu weit läuft, wenn die Laserbe strahlung mit hoher Geschwindigkeit durchgeführt wird. Die Anordnung kann so gestaltet sein, daß kein trägheitsbeding tes Überlaufen auftritt, indem die Laserverstellgeschwindig keit in den Eckenabschnitten der zu der Schaltung gehörenden Bereiche verringert wird, jedoch kann die verringerte Laser verstellgeschwindigkeit eine Konzentration der Laserenergie in den Eckenabschnitten bewirken, welche das isolierende Substrat beschädigen kann. Daher wurde auch eine zeitweilige Unterbrechung der Bestrahlung in den Eckenabschnitten der zu der Schaltung gehörenden Bereiche praktiziert; dies kann je doch eine Verlängerung des Arbeitsschrittes der Bestrahlung verursachen.

Es ist in diesem Fall wünschenswert, die nicht zu der Schal tung gehörenden Bereiche 12-12F mit einem Laserstrahl zu be strahlen, der in den Eckenabschnitten der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11-11F von dem Ablenkspiegel mit Galva nometerantrieb oder in ähnlicher Weise in einer Kurve ver stellt wird. Wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl durch geführt wird, der entlang der Grenzlinie zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen und den zu der Schal tung gehörenden Bereichen läuft, muß deshalb eine Maßnahme ergriffen werden, um die Randabschnitte der zu der Schaltung gehörenden Bereiche fertigzustellen; soll dieser Randab schnitt, wie in Fig. 15(a) dargestellt, eine Ecke aufwei sen, läuft der Laserstrahl an dem Eckenabschnitt des zu der Schaltung gehörenden Bereichs entlang, ändert dann seine Richtung mittels einer Kurve in dem nicht zu der Schaltung gehörenden Bereich und läuft dann wieder entlang der Grenz linie zu dem zu der Schaltung gehörenden Bereich; soll die ser Randabschnitt des zu der Schaltung gehörenden Bereichs, wie in Fig. 15(b) dargestellt, eine abgerundete Ecke auf weisen, läuft der Laserstrahl an dem Eckenabschnitt des zu der Schaltung gehörenden Bereichs in einer Kurve entlang, so daß das Bestrahlen mit einer konstanten Geschwindigkeit durchgeführt werden kann.

Wie oben dargestellt, können in den Ausführungsformen der Fig. 1 bis 7 die entsprechenden Maßnahmen mit dem Laser strahl ausgeführt werden, der an den Eckenabschnitten der zu der Schaltung gehörenden Bereiche in einer Kurve verstellt wird, und die nötige Behandlungszeit für die Bestrahlung kann bei einem Laserstrahl, der sich mit einer hohen Ge schwindigkeit verstellt, vermindert werden, ohne daß die Eckenabschnitte der zu der Schaltung gehörenden Bereiche in irgendeiner Weise beschädigt wird. Der Radius der Kurve ist im wesentlichen gleich der für das Beschleunigen und Verzö gern des Ablenkspiegels mit Galvanometerantrieb notwendigen Strecke, die zum Beispiel 300 µm beträgt. Hier wird der Krümmungsradius auf der Basis der Informationen des mit CAD/CAM erstellten Schaltungsdesigns bestimmt.

Wenn ferner die Laserbestrahlung entlang mehrerer Grenzli nien zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10-10F durchgeführt wird, ist für die Bestrahlung eine lange Zeitdauer notwen dig, wenn jede Grenzlinie nacheinander mit dem Laserstrahl bestrahlt wird. Dementsprechend können an Stellen, an denen die benachbarten Grenzlinien zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12-12F und den zu der Schal tung gehörenden Bereichen 11-11F im wesentlichen parallel zueinander sind, gleichzeitig mehrere Stellen bestrahlt wer den, indem der Laserstrahl in mehrere Lichtpunkte aufgeteilt wird und die voneinander beabstandeten Lichtpunkte parallel zueinander verstellt werden. In Fig. 16 ist eine Ausfüh rungsform mit einer Anordnung dargestellt, die so gestaltet ist, daß die Laserbestrahlung in den Grenzzonen beiderseits der jeweiligen zu der Schaltung gehörenden Bereiche durchge führt wird, indem der Laserstrahl in zwei Bestrahlungslicht punkte aufgeteilt wird, die im wesentlichen parallel zuein ander entlang der Grenzen auf beiden Seiten jedes zu der Schaltung gehörenden Bereichs verstellt werden (in Fig. 16 weist der Laserstrahl zwei Lichtpunkte auf, um zwei benach barte und mit dem Symbol "O" oder "P" bezeichnete Grenzen gleichzeitig zu bestrahlen).

Indem die Verstellung des Bestrahlungslasers mittels eines in X- und Y-Richtung betätigten Ablenkspiegels erfolgt, kann eine solche Bestrahlung dadurch erhalten werden, daß zwi schen den Laser und den Ablenkspiegel ein Linsensystem mit zwei Brennpunkten eingesetzt wird, um den Laserstrahl in zwei Lichtpunkte aufzuteilen, deren Abstand in Abhängigkeit von dem Abstand zwischen den benachbarten und zueinander parallelen Grenzlinien der zu der Schaltung gehörenden Be reiche eingestellt ist. Anstatt der gleichzeitigen Bestrah lung mit zwei Lichtpunkten auf beiden Seiten des zu der Schaltung gehörenden Bereichs, wie oben dargestellt, ist es ferner möglich, die beiden Seitenkonturen des nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichs gleichzeitig oder zwei paral lele Konturen zu bestrahlen, zwischen denen ein oder mehrere zu der Schaltung gehörende Bereiche oder nicht zu der Schal tung gehörende Bereiche angeordnet sind.

In Fig. 17 ist eine Ausführungsform mit einem in zwei Lichtpunkte aufgeteilten Laserstrahl dargestellt, wobei zwei Masken 20G und 20G′ mit jeweils einem Loch oder Schlitz 19G bzw. 19G′ in den Strahlengang des Laserstrahls B eingesetzt sind, um den Strahl in zwei Lichtpunkte aufzuteilen, die durch das Loch 19G bzw. 19G′ der Maske 20G bzw. 20G′ fallen. In diesem Fall wird die Stellung der Masken 20G und 20G′ re lativ zueinander verändert, um den Abstand zwischen den Lö chern 19G und 19G′ zu verändern, so daß der Abstand zwischen den beiden Lichtpunkten des Laserstrahls eingestellt werden kann, wobei eine Richtungsänderung des Bestrahlungslaser strahls dadurch erzielt werden kann, daß die beiden Masken 20G und 20G′ gemeinsam gedreht werden.

In Fig. 18 ist eine weitere Ausführungsform mit einer An ordnung dargestellt, bei welcher der Laserstrahl in zwei fo kussierte Lichtpunkte mittels einer Linse 21H mit zwei Brennpunkten aufgeteilt wird, die in den Strahlengang des Laserstrahls B eingesetzt wird, wobei hier eine Veränderung der Richtung, in der die Laserbestrahlung ausgeführt wird, durch ein Drehen der Linse 21H mit zwei Brennpunkten erzielt werden kann.

In Fig. 19 ist eine weitere Ausführungsform dargestellt, um den Laserstrahl in zwei Lichtpunkte aufzuteilen, wobei hier zur Teilung des Laserstrahls B in seinen Strahlengang ein Prisma 22I und in jeden der Teillichtwege bewegbare Spiegel 23I bzw. 24I eingesetzt sind, deren Einfallswinkel frei ein gestellt werden kann, und wobei ferner ein AO-Schalter 25I oder Linsen 26I und 26I′ in den jeweiligen Strahlengang des von den Spiegeln reflektierten Lichts eingesetzt sind. Das Prisma 22I, die bewegbaren Spiegel 23I und 24I, der AO- Schalter 25I und die Linsen 26I und 26I′ werden in horizon taler Richtung als eine Einheit gedreht. In diesem Fall wird der Laserstrahl B von dem Prisma 22I in zwei Teile aufge teilt, wobei die beiden Teillichtstrahlen jeweils von den bewegbaren Spiegeln 23I und 24I reflektiert und durch den AO-Schalter 25I und die Linse 26I oder nur durch die Linse 26I′ auf die Oberfläche des isolierenden Substrats 10I fal len. Da der Laserstrahl in zwei parallele Lichtpunkte aufge teilt ist, kann er gleichzeitig zwei Stellen bestrahlen, und die Bestrahlungsrichtung dieser beiden Lichtpunkte kann gleichzeitig an Stellen verändert werden, an denen die pa rallelen Linien die Richtung ändern. An Stellen, an denen eine der parallelen Linien nicht notwendig ist, zum Beispiel an Stellen, an denen sich die zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11I schneiden, an Randabschnitten des zu der Schal tung gehörenden Bereichs 11I oder an ähnlichen Stellen, ist es ferner möglich, einen der bewegbaren Spiegel, den Spiegel 24I, so zu neigen (wie in Fig. 19 mit unterbrochenen Linien dargestellt), daß einer der durch Teilung erhaltenen Laser strahlen durch einen Verschluß wie den AO-Schalter 25I oder ein ähnliches Element ein- oder ausgeschaltet wird.

Bei dem in mehrere Lichtpunkte aufgeteilten Laserstrahl und bei einer Bewegung dieser Lichtpunkte in paralleler Richtung können die entsprechenden Maßnahmen der Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 16 so ausgeführt werden, daß die Be strahlung mit mehreren Laserstrahlen mittels eines einzigen Laserarbeitsschrittes durchgeführt werden kann, wodurch die Bestrahlungszeit merklich vermindert werden kann.

Wenn ferner der Bestrahlungslaserstrahl entlang der Grenz linie zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Berei che 12I und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11I auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10I läuft, wie in den vorangegangenen Ausführungsformen, ermöglicht ein Laserstrahl mit einem Zellentyp, dessen Energieverteilung sich am Umfang abrupt ändert, daß auf Grund des Entfernens der Plattierungs-Grundschicht durch die Laserbestrahlung ein deutlicher Unterschied an den Grenzen zwischen den bestrahl ten Bereichen und den nicht bestrahlten Bereichen auftritt, also zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen 12I und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11I, so daß an diesen Grenzen keine Unschärfe und kein Verschwim men auftritt, wodurch die Endgenauigkeit in den äußeren Randabschnitten der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11I erhöht werden kann.

In Fig. 20 ist eine Ausführungsform dargestellt, die ermög licht, den Laserstrahl mit einem Wellentyp zu erhalten, des sen Energieverteilung sich an Umfang abrupt ändert; dazu ist ein konischer Spiegel 28J, dessen Innenumfang die Gestalt eines Kegelstumpfes als Spiegelfläche aufweist, um ein koni sches Prisma 27J angeordnet, und mehrere zylindrische Linsen 29J sind vertikal unterhalb des konischen Spiegels 28J ange ordnet. Hierbei wird der von oben in das konische Prisma 28J einfallende Laserstrahl B radial nach außen gelenkt, bis er an dem konischen Spiegel 28J in Ringgestalt nach unten re flektiert wird, und der so reflektierte Strahl mit ringför miger Gestalt wird von den zylindrischen Linsen 29J verengt, bis er schließlich als ringförmiger Strahl auf das isolie rende Substrat 10J fällt. Der auf diese Weise erhaltene ringförmige Strahl ist von einem Wellentyp, dessen Energie verteilung sich am Umfang abrupt ändert.

Die jeweiligen Maßnahmen der Ausführungsformen nach den Fig. 1 bis 16 können mit dem zur Bestrahlung verwendeten Laserstrahl mit dem Wellentyp ausgeführt werden, dessen Energieverteilung sich am Umfang abrupt ändert, wobei die Wirkung des Entfernens der Plattierungs-Grundschicht 10Jb aufgrund der Laserbestrahlung eine deutliche Abgrenzung an den Grenzen zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12J und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11J ergibt und wodurch die Endgenauigkeit in den äußeren Randabschnitten der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11J erhöht werden kann.

Die Anordnung zum Bestrahlen mit dem Laserstrahl oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle der Grenzlinien zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12J und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11J auf der Oberfläche des isolierenden Substrats 10J ist wie bei den vorangegangenen Ausführungsformen eine solche, daß die Ge stalt des Bestrahlungslichtpunktes des Laserstrahls oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle entweder in der in Fig. 21(a) dargestellten quadratischen Form, der in Fig. 21(b) dargestellten rechteckigen Form oder der in Fig. 21(c) dargestellten länglich elliptischen Form gebildet werden kann (die jeweiligen Lichtpunkte sind mit "S" be zeichnet), wobei der Laserlichtpunkt S bewegt wird und die Eckenabschnitte des bestrahlten Musters mit Kantenform aus geführt werden können. Um dem Bestrahlungslichtpunkt des La serstrahls oder einer entsprechenden elektromagnetischen Welle die quadratische, rechteckige oder länglich ellipti sche Form zu geben, kann eine Blende, ein Prisma, eine zy lindrische Linse oder eine ähnliche Vorrichtung verwendet werden. Wenn die Bestrahlung mit einem pulsierenden Laser strahl durchgeführt wird, weisen die sich ergebenden be strahlten Bereiche gezackte Randabschnitte auf, jedoch kann das Ausmaß dieser von der Bestrahlung hervorgerufenen Zacken in den Randbereichen minimiert werden, indem dem für die Be strahlung verwendete Bestrahlungslichtpunkt die oben angege bene quadratische, rechteckige oder länglich elliptische Form gegeben wird, wobei die Längsseite des Lichtpunktes mit der Grenzlinie zwischen den nicht zu der Schaltung gehören den Bereichen 12J und den zu der Schaltung gehörenden Berei chen 11J zusammenfällt, wodurch die zu der Schaltung gehö renden Bereiche 11J mit geraden Grenzrändern ausgebildet werden können.

Bei der Bestrahlung mit dem Laserstrahl oder einer entspre chenden elektromagnetischen Welle können bei einem pulsie renden Laserstrahl selbst bei der Verwendung der kreisförmi gen Lichtpunkte die Zacken an Randabschnitten minimiert und die Grenzränder der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11K gerade ausgebildet werden, indem der Lichtpunkt S des Be strahlungsstrahls parallel zu der Grenzlinie zwischen den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11K und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12K schwingt, wie in Fig. 22(a) dargestellt, und der Lichtpunkt gleichzeitig entlang der Grenze zwischen den zu der Schaltung gehörenden Berei chen 11K und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12K bewegt wird, wie in Fig. 22(b) dargestellt. Hier wird bevorzugt, den Laserstrahl zu bewegen, während der Laser strahl so stark schwingt, daß sich seine Position innerhalb der Bestrahlungszeitdauer eines Impulses um eine Strecke von 1/10 bis dem Zehnfachen des Durchmessers des Lichtstrahls verstellt.

Wenn der zur Bestrahlung mit dem Laserstrahl oder einer ent sprechenden elektromagnetischen Welle verwendete Bestrah lungslichtpunkt die quadratische, rechteckige oder länglich elliptische Gestalt aufweist und entlang der Grenze zwischen den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11K und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12K bewegt wird, wäh rend er parallel zur Grenzlinie zwischen den zu der Schal tung gehörenden Bereichen 11K und den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche 12K schwingt, können die oben genannten Maßnahmen der in den Fig. 1 bis 16 dargestellten Ausfüh rungsformen angewendet werden, so daß die Randabschnitte des bestrahlten Musters mit Kantenform ausgeführt werden können, und die Grenzränder der zu der Schaltung gehörenden Bereiche 11K können gerade ausgeführt werden, wobei Zacken an den Rändern der bestrahlten Bereiche minimiert werden.

In den Fig. 23 bis 25 sind Bestrahlungszustände des La serstrahls auf den Grenzkonturabschnitten zwischen den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen 12L-12N und den zu der Schaltung gehörenden Bereichen 11L-11N dargestellt, wobei in den in den Fig. 23 und 24 dargestellten Ausführungsformen das Ausführen der Laserbestrahlung mit dem Bestrahlungs lichtpunkt S₁ mit kleinerem Durchmesser dargestellt ist. In der Ausführungsform der Fig. 25 wird die Laserbestrahlung mit dem Bestrahlungslichtpunkt S₁ mit dem kleineren Durch messer sowie zusätzlich mit dem Bestrahlungslichtpunkt S₂ mit dem größeren Durchmesser durchgeführt.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten, bei dem auf einer Fläche eines isolierenden Substrats eine Schaltung aus einem leitenden Material gebildet wird, dadurch gekennzeich net, daß auf der Fläche des isolierenden Substrats eine Plattierungs-Grundschicht aus einem Metallfilm gebildet wird, daß wenigstens eine Grenzzone zwischen zu der Schal tung gehörenden Bereichen und nicht zu der Schaltung gehö renden Bereichen des isolierenden Substrats entsprechend einem Muster der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche mit einer elektromagnetischen Welle wie aus einem Laser be strahlt wird, um die Plattierungs-Grundschicht in der von der elektromagnetischen Welle bestrahlten Grenzzone zu ent fernen, während die Plattierungs-Grundschicht in der nicht bestrahlten Zone verbleibt, und daß auf der verbliebenen Plattierungs-Grundschicht eine Plattierung erfolgt.

2. Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten, bei dem auf einer Fläche eines isolierenden Substrats eine Schaltung aus einem leitenden Material gebildet wird, dadurch gekennzeich net, daß auf einer Fläche des isolierenden Substrats ein Me tallfilm aufgebracht wird, daß auf dieser Fläche des Metall films ein Abdecklack aufgebracht wird, dessen Bereiche, die einer Bestrahlung mit einer elektromagnetischen Welle wie aus einem Laser ausgesetzt werden, mit einem Entwickler ent fernt werden können, daß mit der elektromagnetischen Welle wenigstens eine Grenzzone zwischen zu der Schaltung gehören den Bereichen und nicht zu der Schaltung gehörenden Berei chen des isolierenden Substrats entsprechend einem Muster der nicht zu der Schaltung gehörenden Bereiche bestrahlt wird, um den Abdecklack in bestrahlten Bereichen zu entfer nen, während er in nicht bestrahlten Bereichen verbleibt, und daß anschließend der aufgrund des entfernten Abdecklacks freigelegte Metallfilm durch Ätzen entfernt wird.

3. Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten, bei dem auf einer Fläche eines isolierenden Substrats eine Schaltung aus einem leitenden Material gebildet wird, dadurch gekennzeich net, daß auf einer Fläche des isolierenden Substrats ein Metallfilm aufgebracht wird, daß auf die Fläche dieses Me tallfilms ein Abdecklack aufgebracht wird, dessen Bereiche, die keiner Bestrahlung mit einer elektromagnetischen Welle wie aus einem Laser ausgesetzt werden, mit einem Entwickler entfernt werden können, daß mit der elektromagnetischen Welle wenigstens eine Grenzzone zwischen zu der Schaltung gehörenden Bereichen und nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen auf dem isolierenden Substrat entsprechend einem Muster der nicht zu dem Schaltung gehörenden Bereiche be strahlt wird, um den Abdecklack in nicht bestrahlten Be reichen zu entfernen, während der Abdecklack in bestrahlten Bereichen verbleibt, daß danach auf der von dem Abdecklack befreiten und somit freigelegten Fläche des Metallfilms eine Plattierung erfolgt, daß der verbliebene Abdecklack abgelöst wird und daß der durch das Ablösen des Abdecklacks freige legte Metallfilm durch Ätzen entfernt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Bestrahlen mit der elektromagnetischen Welle und dem Entfernen des Metallfilms in der bestrahlten Zone auf dem Metallfilm in den zur Schaltung gehörenden Bereichen in der nicht bestrahlten Zone eine Elektroplattierung erfolgt.

5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Bestrahlen mit der elektromagnetischen Welle und dem Entfernen des Metallfilms in der bestrahlten Zone auf dem Metallfilm in den zur Schaltung gehörenden Bereichen in der nicht bestrahlten Zone eine Elektroplattierung erfolgt.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach der erfolgten Elektroplattierung der Metallfilm in den nicht zu der Schaltung gehörenden Bereichen durch ein schwa ches Ätzen entfernt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroplattierung mit dem gleichen Metall wie das Metall des Metallfilms erfolgt.

8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung mittels CAD entworfen wird, um die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle auf der Basis der CAD-In formation durchzuführen.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle so ausge führt wird, daß die Breite der bestrahlten Zone auf den Mi nimalwert der Breite der nicht zu der Schätzung gehörenden Bereiche eingestellt ist.

10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle von einem Laserstrahl ausgeführt wird, dessen Position verstellbar und dessen Bestrahlungsstrahldurchmesser einstellbar ist.

11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle von einem Laserstrahl ausgeführt wird, der in mehrere voneinander be abstandete Lichtpunkte aufgeteilt ist.

12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle von einem Laserstrahl mit einem Strahlwellentyp ausgeführt wird, des sen Energieverteilung sich am Umfang abrupt ändert.

13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle mittels eines Bestrahlungspunktes ausgeführt wird, dessen Gestalt eine quadratische, rechteckige oder elliptische Form auf weist.

14. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bestrahlung mit der elektromagnetischen Welle mittels eines Bestrahlungspunktes ausgeführt wird, der entlang der Grenzzone verstellbar ist, während er in zur Kontur der Grenzzone parallelen Richtungen schwingt.