JPH0766533A - 回路板の製造方法 - Google Patents

回路板の製造方法

Info

Publication number
JPH0766533A
JPH0766533A JP5211941A JP21194193A JPH0766533A JP H0766533 A JPH0766533 A JP H0766533A JP 5211941 A JP5211941 A JP 5211941A JP 21194193 A JP21194193 A JP 21194193A JP H0766533 A JPH0766533 A JP H0766533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
circuit
irradiation
metal film
circuit portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5211941A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3153682B2 (ja
Inventor
Riyuuji Ootani
隆児 大谷
Takeshi Okamoto
剛 岡本
Yoshimitsu Nakamura
良光 中村
Yoshiyuki Uchinono
良幸 内野々
Sakuo Kamata
策雄 鎌田
Kunji Nakajima
勲二 中嶋
Toshiyuki Suzuki
俊之 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP21194193A priority Critical patent/JP3153682B2/ja
Priority to US08/286,324 priority patent/US5494781A/en
Priority to DE4429522A priority patent/DE4429522A1/de
Priority to DE4447897A priority patent/DE4447897B4/de
Priority to CN94109492A priority patent/CN1050730C/zh
Publication of JPH0766533A publication Critical patent/JPH0766533A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3153682B2 publication Critical patent/JP3153682B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0673—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into independently operating sub-beams, e.g. beam multiplexing to provide laser beams for several stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073—Shaping the laser spot
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/0929—Conductive planes
    • H05K2201/09363—Conductive planes wherein only contours around conductors are removed for insulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザ等の電磁波の照射処理時間を短縮して
生産性を高める。 【構成】 絶縁性基材１の表面にめっき用触媒、めっき
用触媒の化合物、金属膜などのようなめっき下地層２を
形成する。絶縁性基材１の回路部３と非回路部４の少な
くとも境界領域に、非回路部４のパターンに対応してレ
ーザ等の電磁波を照射することによって、非照射部を残
してレーザ等の電磁波を照射したこの照射部のめっき下
地層２を除去する。この後、非照射部のめっき下地層２
の表面にめっきを施す。レーザ等の照射は回路絶縁部４
のうち少なくとも回路部３との境界領域におこなえばよ
く、回路絶縁部４の広い領域の全面にレーザを照射する
必要がない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、平面又は三次元立体の
絶縁性基材の表面に回路を形成することによって得られ
る回路板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】絶縁性基材の表面に回路を形成すること
によって回路板を製造するにあたって、回路間の絶縁部
となる非回路部の箇所にレーザ等を照射することによっ
てこの箇所にめっきがおこなわれないように処理し、そ
してこの後に回路形成用のめっきを施すようにした技術
が、特開平４−２６３４９０号公報や特開昭６１−６８
９２号公報、特開平３−１２２２８７号公報で提供され
ている。
【０００３】すなわち特開平４−２６３４９０号公報は
「薄膜回路の製造方法」に関するものであり、絶縁材の
基板の上に導体薄膜を形成し、パターン形成したホトマ
スクを通して導体薄膜にレーザ光を照射して導体薄膜を
除去し、導体薄膜のパターンに無電解めっきあるいは電
気めっきして導体を堆積させることによってめっき導体
パターンを形成するようにしてある。
【０００４】また特開昭６１−６８９２号公報は「プリ
ント回路の製造方法」に関するものであり、化学めっき
反応用触媒を表面に設けた基板にパターン状にレーザ光
等の高強度光を照射して触媒作用を低下乃至消失させた
後、化学めっき処理して高強度光の非照射部に選択的に
めっきすることによってプリント回路を形成するように
してある。
【０００５】さらに特開平３−１２２２８７号公報は
「基板の金属化方法」に関するものであり、基板の上に
触媒層を被着し、区域的に紫外線照射して触媒層を活性
化又は不動態化した後に、活性化区域にめっき等をする
ようにしてある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように特開平４
−２６３４９０号公報や特開昭６１−６８９２号公報、
特開平３−１２２２８７号公報のものでは、絶縁性基材
の非回路部にレーザや紫外線等を照射する工程を設けて
回路板を製造するようにしているが、いずれのものにあ
っても、非回路部の領域全面にめっきがなされないよう
にレーザや紫外線等を非回路部の領域の全面に照射する
ようにしている。しかしこのように非回路部の広い領域
の全面にレーザや紫外線等を照射すると、レーザや紫外
線等の照射処理時間が長く必要になって回路板の生産性
が低下するという問題があった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、レーザ等の電磁波の照射処理時間を短縮して生産
性を高めることができる回路板の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る回路板の製
造方法は、絶縁性基材１の表面にめっき用触媒、めっき
用触媒の化合物、金属膜などのようなめっき下地層２を
形成し、絶縁性基材１の回路部３と非回路部４の少なく
とも境界領域に、非回路部４のパターンに対応してレー
ザ等の電磁波を照射することによって、非照射部を残し
てレーザ等の電磁波を照射した照射部のめっき下地層２
を除去した後、めっき下地層２にめっきを施すことを特
徴とするものである。
【０００９】また本発明は、絶縁性基材１の表面に金属
膜２ａを設け、レーザ等の電磁波の照射による露光・現
像で除去されるかあるいはレーザ等の電磁波の照射で除
去されるレジスト６を金属膜２ａの表面に付着し、絶縁
性基材１の回路部３と非回路部４の少なくとも境界領域
に、非回路部４のパターンに対応してレーザ等の電磁波
を照射し、非照射部を残してレーザ等の電磁波を照射し
たこの照射部のレジスト６を除去した後、レジスト６の
除去で露出する金属膜２ａをエッチング除去することを
特徴とするものである。
【００１０】また本発明は、絶縁性基材１の表面に金属
膜２ａを設け、レーザ等の電磁波の照射による露光部以
外が現像除去されるレジスト６を金属膜２ａの表面に付
着し、絶縁性基材１の回路部３と非回路部４の少なくと
も境界領域に、非回路部４のパターンに対応してレーザ
等の電磁波を照射し、レーザ等の電磁波を照射した照射
部のレジスト６を残して非照射部のレジスト６を除去し
た後、レジスト６で覆われない金属膜２ａの表面にめっ
きを施し、次いでレジスト６を剥離すると共にレジスト
６の剥離で露出する金属膜２ａをエッチング除去するこ
とを特徴とするものである。
【００１１】さらに本発明は、絶縁性基材１の表面に金
属膜２ａを設け、電磁波を照射する処理をおこなった後
に、非照射部の金属膜２ａのうち回路部３の金属膜２ａ
に電気めっきを施すことを特徴とするものである。さら
に本発明は、非照射部の金属膜２ａのうち回路部３の金
属膜２ａの表面に電気めっきを施した後、ライトエッチ
ング処理して回路部３以外の金属膜２ａを除去すること
を特徴とするものである。
【００１２】さらに本発明は、金属膜２ａと同種の金属
を電気めっきすることを特徴とするものである。さらに
本発明は、ＣＡＤによって回路設計するにあたって、Ｃ
ＡＤ情報に基づいてレーザ等の電磁波を照射することを
特徴とするものである。さらに本発明は、レーザ等の電
磁波の照射部の幅を非回路部の幅の最小値に設定して、
電磁波の照射をおこなうことを特徴とするものである。
【００１３】さらに本発明は、レーザ等の電磁波を移動
させながら照射するにあたって、照射移動中に照射ビー
ム径を可変にすることを特徴とするものである。さらに
本発明は、レーザ等の電磁波ビームを離間した複数スポ
ットにして照射することを特徴とするものである。さら
に本発明は、周辺のエネルギー分布が急峻なビームモー
ドのレーザ等の電磁波を用いて、電磁波の照射をおこな
うことを特徴とするものである。
【００１４】さらに本発明は、レーザ等の電磁波の照射
スポット形状を角型、長角型、長円型のいずれかに形成
して、電磁波の照射をおこなうことを特徴とするもので
ある。さらに本発明は、レーザ等の電磁波の照射スポッ
トを回路部３と非回路部４との境界線と平行に振動させ
ながら、回路部３と非回路部４との境界に沿って移動さ
せて電磁波を照射することを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】絶縁性基材１の非回路部４の少なくとも回路部
３との境界領域に沿ってレーザ等の電磁波を照射するこ
とによって、非回路部４の領域の全面に電磁波を照射す
るような必要なく、回路５を形成することができる。そ
して非回路部４にめっきがなされても、回路部３とはレ
ーザ等の電磁波の照射で分離絶縁されており、回路板の
回路性能に特に問題は生じない。
【００１６】
【実施例】以下本発明を実施例によって詳述する。図１
は本発明の一実施例を示すものであり、絶縁性基材１と
してはポリイミド、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、液晶
ポリマー、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料によ
って形成したものを用いるものであり、図１（ａ）のよ
うに平面状に形成したものの他に、三次元立体状に作成
したものを用いることができる。そして先ず、この絶縁
性基材１の表面をクロム酸液やＫＯＨ水溶液、リン酸液
等で処理することによって、図１（ｂ）のように微細な
凹凸１１を付与する粗面化処理をおこなう。
【００１７】次に、絶縁性基材１の表面の全面に図１
（ｃ）のようにめっき下地層２を形成する。めっき下地
層２はめっき用触媒やめっき用触媒の化合物を絶縁性基
材１の表面に付着させたり、金属膜を絶縁性基材１の表
面に設けたりすることによって形成することができる
が、図１の実施例では、無電解めっきの触媒となるＰｄ
を含有する液に絶縁性基材１を浸漬した後に、活性化処
理して、絶縁性基材１の表面にＰｄ核付けをおこなうこ
とによって、めっき下地層２を形成するようにしてあ
る。
【００１８】次に、絶縁性基材１の表面にレーザ等の電
磁波を照射して電磁波を照射した部分のめっき下地層２
を除去する。電磁波としてはレーザの他に、Ｘ線や紫外
線等を用いることができるが、レーザが最も好適である
ので、以下主として電磁波としてレーザを用いたものに
ついて説明する。このレーザとしては例えばＱスイッチ
ＹＡＧレーザを用いることができるものであり、ガルバ
ノミラー等で操作することによってレーザを絶縁性基材
１の表面に移動させつつ照射するようにしてある。ガル
バノミラーはガルバノメータを用いて角度可変に形成し
たミラーであり、高速でビーム移動が可能であると共に
レーザスポット径も数十μｍを得ることが可能である。
またレーザの照射は、絶縁性基材１の表面のうち回路５
を形成する箇所である回路部３以外の部分、すなわち回
路部３間の絶縁スペースとなる非回路部４においておこ
なわれるものであり、非回路部４の少なくとも回路部３
との境界領域に非回路部４のパターン沿ってレーザを移
動（走査）させながら照射することによって、非回路部
４の回路部３との境界領域のめっき下地層２を除去する
ものである。従って図１（ｄ）に示すように、非回路部
４のめっき下地層２のうち、レーザの照射部である回路
部３との境界部分のめっき下地層２は除去され、非回路
部４のめっき下地層２のうちレーザの非照射部は、回路
部３のめっき下地層２と共に除去されずに残されること
になる。レーザの照射エネルギーは例えば１０〜３００
μＪ／ｐｕｌｓｅ程度が好ましく、めっき下地層２と共
に絶縁性基材１の表面部を同時に除去するようにしても
よい。ここで、非回路部４の幅（隣合う回路部３間の
幅）が照射レーザのスポット径（例えばφ１００μｍ）
と同等の場合には、非回路部４に沿ってレーザを１回照
射することによって、非回路部４の両側の境界領域のめ
っき下地層２を除去することができる。
【００１９】上記のようにしてレーザを絶縁性基材１の
表面の非回路部４に少なくとも回路部３との境界領域に
照射した後、無電解銅めっき液等の無電解めっき浴に絶
縁性基材１を浸漬等することによって、レーザが照射さ
れず絶縁性基材１の表面に残っているめっき下地層２に
銅等の無電解めっき層１２を１０μｍ程度の厚みで析出
させる。このように無電解めっき層１２を回路部３のめ
っき下地層２の上に設けることによって、パターン形状
の回路５を形成することができるものである。無電解め
っき層１２は非回路部４に残留するめっき下地層２にも
設けられることになるが、回路部３のめっき下地層２と
非回路部４のめっき下地層２との境界部分はレーザ照射
によって除去されているために、回路５の絶縁性は確保
されており、性能上特に問題は生じない。
【００２０】このように回路部３のめっき下地層２にめ
っきをして回路形成した後、必要に応じてソルダーレジ
スト、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを施すことによって、回
路板として仕上げることができる。上記のようにして回
路板を製造するにあたって、レーザの照射は絶縁性基材
１の非回路部４の少なくとも回路部３との境界領域にお
こなっているだけであり、非回路部４の全面にレーザを
走査させて照射する必要はないので、非回路部４の広い
領域の全面にレーザを描画して照射する場合に比べてレ
ーザの照射処理時間を短縮することができ、回路板の生
産性を高めることが可能になるものである。尚、上記実
施例ではレーザ照射後にめっきをおこなって回路形成す
るにあたって、無電解めっきをおこなうようにしたが、
無電解めっきの他に、電気めっきやＣＶＤ（化学蒸
着）、ＰＶＤ（物理蒸着）等の任意のめっき手段を用い
て回路形成をすることができるものである。
【００２１】図２は本発明の他の実施例を示すものであ
り、絶縁性基材１としては図１の実施例のものと同じも
のを用いることができるが、図２（ａ）のようにガラス
エポキシ絶縁基板等の平面状に形成したものの他に、三
次元立体状に作成したものを用いることもできる。まず
絶縁性基材１の表面を粗面化処理した後、絶縁性基材１
の表面の全面に金属膜２ａを図２（ｂ）のように設け
る。図２の実施例では例えば厚み１８μｍの銅箔等の金
属箔を張り付けることによって、絶縁性基材１の表面に
金属膜２ａを設けるようにしてある。次に、金属膜２ａ
の表面の全面に図２（ｃ）のようにレジスト６を塗布し
て付着させる。レジストとしては、レーザ等の電磁波を
照射して露光させることによって現像液に溶解するよう
になるエッチングフォトレジストや、レーザ等の電磁波
の照射で蒸発等して除去されるものを用いることができ
るものであり、図２の実施例では前者のフォトレジスト
を用いるようにしてある。
【００２２】次に、図１の実施例と同様にしてレーザ
（電磁波）を照射する。レーザとしては図１の実施例の
場合と同様にＱスイッチＹＡＧレーザなどを用いること
ができるものであり、ガルバノメータを用いて形成され
るガルバノミラー等で操作することによって、レーザを
絶縁性基材１の表面の非回路部４の少なくとも回路部３
との境界領域に、非回路部４のパターンに沿って照射す
る。レーザの照射エネルギーは例えば１０〜３０ｍＪ／
ｃｍ2 程度が好ましい。また非回路部４の幅が照射レー
ザのスポット径と同等の場合には、非回路部４に沿って
レーザを１回照射するようにするのがよい。
【００２３】上記のようにして絶縁性基材１の非回路部
４の少なくとも回路部３との境界領域にレーザを照射し
てレジストの露光をおこなった後、絶縁性基材１を現像
してレジスト６のうち露光した部分を現像液に溶解して
除去する。レジスト６は非回路部４の回路部３との境界
領域においてレーザで露光されているために、図２
（ｄ）のようにレジスト６は非回路部４の回路部３との
境界領域に沿って除去され、この部分で金属膜２ａが露
出される。次に塩化第二銅塩酸溶液等のエッチング液で
絶縁性基材１の表面を処理することによって、図２
（ｅ）のように金属膜２ａのうちレジスト６で覆われず
露出する部分、すなわち非回路部４の回路部３との境界
領域部分の金属膜２ａを溶解除去する。このように金属
膜２ａをエッチングして、回路部３の金属膜２ａを非回
路部４の金属膜２ａから分離させることによって、回路
部３の金属膜２ａでパターン形状の回路５を形成するこ
とができるものである。
【００２４】このように回路５を形成した後に、図２
（ｆ）のように必要に応じて残ったレジスト６を剥離
し、さら必要に応じてソルダーレジスト、Ｎｉめっき、
Ａｕめっき等を施すことによって、回路板として仕上げ
ることができる。尚、上記の例では、レジストとしてレ
ーザ等の電磁波を照射して露光させることによって現像
液に溶解するようになるフォトレジストを用いるように
したが、レジストとしてレーザの照射で除去できるも
の、例えばウレタン塗料等を用いるようにしてもよい。
この場合には、レーザの照射エネルギーは１０〜３００
μＪ／ｐｕｌｓｅ程度が好ましく、レーザの照射でレジ
ストを除去できるので、上記のような現像の工程は不要
になる。
【００２５】上記のようにして回路板を製造するにあた
って、レーザの照射は絶縁性基材１の表面の非回路部４
の少なくとも回路部３との境界領域におこなっているだ
けであり、非回路部４の全面にレーザを走査させて照射
する必要はないので、図１の実施例と同様にレーザの照
射処理時間を短縮することができ、回路板の生産性を高
めることが可能になるものである。また、金属膜２ａの
除去はエッチングでおこなっており、レーザ等の電磁波
の照射はレジスト６に対しておこなえばよいので、電磁
波として比較的強度の低いレーザなどを用いて回路板の
製造をおこなうことが可能になるものである。
【００２６】図３は本発明の他の実施例を示すものであ
り、絶縁性基材１としては図１の実施例のものと同じも
のを用いることができるが、図３（ａ）のようにポリイ
ミドフィルム等の平面状に形成したものの他に、三次元
立体状に作成したものを用いることもできる。まず図３
（ｂ）のように絶縁性基材１の表面の全面に、無電解め
っきや真空蒸着、スパッタリングなどの方法で厚み１μ
ｍ程度の銅膜など薄い金属膜２ａを設ける。次に、金属
膜２ａの表面の全面に図３（ｃ）のようにレジスト６を
塗布して付着させる。レジストとしては、レーザ等の電
磁波を照射して露光させることによって現像液に溶解し
なくなる型のフォトレジスト用いるものである。
【００２７】次に、図１の実施例と同様にしてレーザ
（電磁波）を照射する。レーザとしては図１の実施例の
場合と同様にＱスイッチＹＡＧレーザなどを用いること
ができるものであり、ガルバノメータを用いて形成され
るガルバノミラー等で操作することによって、レーザを
絶縁性基材１の表面の非回路部４の少なくとも回路部３
との境界領域に、非回路部４のパターンに沿って照射す
る。レーザの照射エネルギーは例えば１０〜３０ｍＪ／
ｃｍ2 程度が好ましい。また非回路部４の幅が照射レー
ザのスポット径と同等の場合には、非回路部４に沿って
レーザを１回照射するようにするのがよい。
【００２８】上記のようにして絶縁性基材１の非回路部
４の少なくとも回路部３との境界領域にレーザを照射し
てレジスト６を露光した後に現像をおこなう。レジスト
６のうち露光された部分は現像液に溶解されず、未露光
部分は現像液に溶解されるので、図３（ｄ）のようにレ
ーザで露光された非回路部４の回路部３との境界領域の
レジスト６は残り、非照射部のレジスト６は除去され、
この部分で金属膜２ａが露出される。次に金属膜２ａの
うち露出された部分にめっきを施す。めっきは電気めっ
きでおこなうことができ、金属膜２ａに給電電極の陰極
を接続して通電しつつ、電気めっき浴に絶縁性基材１を
浸漬することによって、図３（ｅ）のように金属膜２ａ
の露出表面に銅などの電気めっき層１３を１０μｍ程度
の厚みで析出させるものである。この後、残っているレ
ジスト６を剥離し、図３（ｆ）のようにレジスト６を剥
離した箇所の金属膜２ａを露出させる。レジスト６は非
回路部４の回路部３との境界領域に残っているので、金
属膜２ａは非回路部４の回路部３との境界領域において
露出されることになる。そして塩化第二銅塩酸溶液等の
エッチング液で厚み１μｍ程度に軽くエッチング処理を
おこなうことによって、図３（ｇ）のように薄い金属膜
２ａのうち露出する部分、すなわち非回路部４の回路部
３との境界領域部分の金属膜２ａを溶解除去する。この
ように金属膜２ａをエッチングして、回路部３の金属膜
２ａを非回路部４の金属膜２ａから分離させることによ
って、回路部３の金属膜２ａと電気めっき層１３とでパ
ターン形状の回路５を形成することができるものであ
る。
【００２９】このように回路５を形成した後に、必要に
応じてソルダーレジスト、Ｎｉめっき、Ａｕめっき等を
施すことによって、回路板として仕上げることができ
る。上記のようにして回路板を製造するにあたって、レ
ーザの照射は絶縁性基材１の表面の非回路部４の少なく
とも回路部３との境界領域におこなっているだけであ
り、非回路部４の全面にレーザを走査させて照射する必
要はないので、図１の実施例と同様にレーザの照射処理
時間を短縮することができ、回路板の生産性を高めるこ
とが可能になるものである。また、金属膜２ａの除去は
エッチングでおこなっており、レーザ等の電磁波の照射
はレジスト６を露光できる比較的強度の低いレーザでよ
く、レーザ照射による絶縁性基材１の損傷のおそれなく
回路板の製造をおこなうことが可能になるものである。
【００３０】図４は本発明の他の実施例を示すものであ
り、絶縁性基材１としては図１の実施例のものと同じも
のを用いることができ、図４（ａ）のように平面状に形
成したものの他に、三次元立体状に作成したものを用い
ることもできる。まず絶縁性基材１の表面をプラズマ処
理して微細な凹凸を付与する粗面化処理をした後、図４
（ｂ）のように絶縁性基材１の表面の全面にめっき下地
層２として薄い金属膜２ａを設ける。金属膜２ａの形成
は、絶縁性基材１の表面に触媒を付与した後に無電解め
っきをおこなったり、ＣＶＤやスパッタリング等のＰＶ
Ｄなど任意の方法で形成することができる。図４の実施
例ではスパッタリングをおこなってＣｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，
Ｃｒ，Ａｇ等の０．１〜２μｍ程度に薄い金属膜２ａを
形成するようにしてある。
【００３１】次に、図１の実施例と同様にしてレーザ
（電磁波）を照射して、レーザを照射した部分の薄い金
属膜２ａを除去する。レーザとしては図１の実施例の場
合と同様にＱスイッチＹＡＧレーザなどを用いることが
できるものであり、ガルバノメータを用いて形成される
ガルバノミラー等で操作することによって、レーザを絶
縁性基材１の表面に移動させつつ非回路部４の少なくと
も回路部３との境界領域に照射するようにしてある。従
って図４（ｃ）に示すように、非回路部４の金属膜２ａ
のうち、レーザの照射部である回路部３との境界部分の
金属膜２ａは除去され、非回路部４の金属膜２ａのうち
レーザの非照射部は、回路部３の金属膜２ａと共に除去
されずに残されることになる。レーザの照射エネルギー
は図１の実施例と同様に例えば１０〜３００μＪ／ｐｕ
ｌｓｅ程度が好ましく、金属膜２ａと共に絶縁性基材１
の表面部を同時に除去するようにしてもよい。また図１
の実施例と同様に、非回路部４の幅が照射レーザのスポ
ット径と同等の場合には、非回路部４に沿ってレーザを
１回照射するようにするのがよい。
【００３２】上記のようにして絶縁性基材１の非回路部
４の少なくとも回路部３との境界領域にレーザを照射し
た後、回路部３の金属膜２ａに給電電極の陰極を接続し
て通電しつつ、電気めっき浴に絶縁性基材１を浸漬する
ことによって、回路部３の金属膜２ａに銅などの電気め
っき層１３を１０μｍ程度の厚みで析出させ、パターン
形状の回路５を形成することができるものである。非回
路部４に残留する金属膜２ａには通電されていないの
で、非回路部４に残留する金属膜２ａには電気めっき層
１３は設けられない。
【００３３】このように回路部３の金属膜２ａに電気め
っきをして回路形成した後、必要に応じてソルダーレジ
スト、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを施すことによって、回
路板として仕上げることができる。上記のようにして回
路板を製造するにあたって、レーザの照射は絶縁性基材
１の表面の非回路部４の少なくとも回路部３との境界線
に沿っておこなっているだけであり、非回路部４の全面
にレーザを走査させて照射する必要はないので、図１の
実施例と同様にレーザの照射処理時間を短縮することが
でき、回路板の生産性を高めることが可能になるもので
ある。また、回路形成のためのめっきは、回路５を作成
するために必要な回路部３においてのみおこなわれ、不
要な非回路部４にまではめっきがおこなわれないので、
めっき金属等のめっき材料の無駄が少なくなって経済的
に有利になるものである。
【００３４】ここで、回路部３の金属膜２ａのうち、給
電電極に接続された金属膜２ａから独立して設けられて
いる独立金属膜２ａ1 がある場合、この独立金属膜２ａ
1 には電気めっきの際の給電をおこなうことができな
い。従ってこの場合には、給電電極に接続された金属膜
２ａと独立金属膜２ａ1 との間に図５（ａ）のように給
電金属膜２ａ2 がブリッジ回路として設けられるように
レーザの照射をおこない、金属膜２ａから給電金属膜２
ａ2 を通して独立金属膜２ａ1 に給電しながら電気めっ
きをおこなうことによって、図５（ｂ）のように金属膜
２ａと共に独立金属膜２ａ1 にも電気めっき層１３を設
けることができるものである。給電金属膜２ａ2 をその
上に設けられた電気めっき層１３と共にドリリング等の
機械的方法で除去することによって、図５（ｃ）のよう
に独立金属膜２ａ1 に形成した回路５を金属膜２ａに形
成した回路５から独立させることができる。
【００３５】図６は本発明の他の実施例を示すものであ
り、絶縁性基材１としては図１の実施例のものと同じも
のを用いることができ、図６（ａ）のように平面状に形
成したものの他に、三次元立体状に作成したものを用い
ることもできる。まず絶縁性基材１の表面をプラズマ処
理して微細な凹凸を付与する粗面化処理をした後、図４
の実施例と同様にして絶縁性基材１の表面にめっき下地
層２として厚み０．１〜２μｍ程度の薄いＣｕ，Ｎｉ，
Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｇなどの金属膜２ａを、図６（ｂ）のよ
うに設ける。
【００３６】次に、図１の実施例と同様にしてレーザ
（電磁波）を照射して、レーザを照射した部分の薄い金
属膜２ａを除去する。レーザとしては図１の実施例の場
合と同様にＱスイッチＹＡＧレーザなどを用いることが
できるものであり、ガルバノメータを用いて形成される
ガルバノミラー等で操作することによって、レーザを絶
縁性基材１の表面に移動させつつ非回路部４の少なくと
も回路部３との境界線に沿って照射するようにしてあ
る。従って図６（ｃ）に示すように、非回路部４の金属
膜２ａのうち、レーザの照射部である回路部３との境界
部分の金属膜２ａは除去され、非回路部４のめっき下地
層２のうちレーザの非照射部は、回路部３の金属膜２ａ
と共に除去されずに残されることになる。レーザの照射
エネルギーは図１の実施例と同様に例えば１０〜３００
μＪ／ｐｕｌｓｅ程度が好ましく、金属膜２ａと共に絶
縁性基材１の表面部を同時に除去するようにしてもよ
い。また図１の実施例と同様に、非回路部４の幅が照射
レーザのスポット径と同等の場合には、非回路部４に沿
ってレーザを１回照射するようにするのがよい。
【００３７】上記のようにしてレーザを絶縁性基材１の
表面の非回路部４に回路部３との境界線に沿って照射し
た後、図４の実施例と同様にして回路部３の金属膜２ａ
に給電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気めっき浴
に絶縁性基材１を浸漬することによって、回路部３の金
属膜２ａに銅などの電気めっき層１３を１０μｍ程度の
厚みで析出させ、パターン形状の回路５を形成する。非
回路部４に残留する金属膜２ａには通電されていないの
で、非回路部４に残留する金属膜２ａには電気めっき層
１３は設けられない。
【００３８】この後に、エッチング溶液に絶縁性基材１
を短時間浸漬するなどしてライトエッチングをおこな
い、非回路部４に残留する薄い金属膜２ａを除去する。
このとき、回路５は回路部３の金属膜２ａの上に電気め
っき層１３を厚く設けることによって形成してあるの
で、ライトエッチングで回路５が消えるようなことはな
い。
【００３９】このようにして、回路部３の金属膜２ａに
電気めっきをすると共にライトエッチングして非回路部
４の金属膜２ａを除去して回路形成をおこなった後、必
要に応じてソルダーレジスト、Ｎｉめっき、Ａｕめっき
を施すことによって、回路板として仕上げることができ
る。例えば、上記のように電気めっきをおこなった後、
ソルダーレジストを塗布・パターンニングしてＮｉめっ
き必要部やあるいはＡｕめっき必要部を露出させ、無電
解めっきでＮｉめっきやあるいはＡｕめっきをおこなう
ようにすればよい。上記のようにして回路板を製造する
にあたって、レーザの照射は絶縁性基材１の表面の非回
路部４の少なくとも回路部３との境界線に沿っておこな
っているだけであり、非回路部４の全面にレーザを走査
させて照射する必要はなく、図１の実施例の場合と同様
にレーザの照射処理時間を短縮することが可能になる。
また、回路形成のためのめっきは、回路５を作成するた
めに必要な回路部３においてのみおこなわれ、不要な非
回路部４にまではめっきがおこなわれないので、図４の
実施例の場合と同様にめっき金属等のめっき材料の無駄
が少なくなって経済的に有利になる。さらに、非回路部
４に残留する金属膜２ａはライトエッチングで除去され
るので、回路部３に形成される回路５の絶縁性を向上さ
せることができるものである。
【００４０】図６の実施例において、給電電極に接続さ
れた金属膜２ａから独立して設けられている独立金属膜
２ａ1 がある場合は、図７の実施例のようにして独立金
属膜２ａ1 に電気めっき層１３を設けることができる。
すなわち、まず給電電極に接続された金属膜２ａと独立
金属膜２ａ1 との間に図７（ａ）のように給電金属膜２
ａ2 が設けられるようにレーザの照射をおこない、給電
金属膜２ａ2 の上にインクジェットプリンター１４やデ
ィスペンサでめっきレジスト１５を塗布して図７（ｂ）
のように給電金属膜２ａ2 の表面を被覆する。そして金
属膜２ａから給電金属膜２ａ2 を通して独立金属膜２ａ
1 に給電しながら電気めっきをおこなうことによって、
図７（ｃ）のように金属膜２ａと共に独立金属膜２ａ1
にも電気めっき層１３を設けることができる。次に、給
電金属膜２ａ2 の上に設けられたレジスト１５を剥離し
て図７（ｄ）のように給電金属膜２ａ2 を露出させた
後、前記ライトエッチングの工程で給電金属膜２ａ2 を
溶解除去することによって、図７（ｅ）のように独立金
属膜２ａ1 に形成した回路５を金属膜２ａに形成した回
路５から独立させることができる。
【００４１】また、上記図３の実施例や図４，図５の実
施例、図６，図７の実施例のように絶縁性基材１の表面
に金属膜２ａを形成し、レーザ等の電磁波を照射した後
に、金属膜２ａに電気めっき層１３を設ける電気めっき
をおこなって回路５を形成するにあたって、金属膜２ａ
の金属と電気めっき層１３の金属とが異種の金属である
場合、電気めっき浴に絶縁性基材１を浸漬して電気めっ
きをおこなう際に金属膜２ａが電気めっき浴に溶出し、
電気めっき浴が汚染されるおそれがある。そこでこの場
合には、金属膜２ａと電気めっき層１３とを同種の金属
で形成するようにするのがよい。例えば、Ｃｕをスパッ
タリング等することによって厚み０．１〜２μｍ程度の
薄い金属膜２ａを絶縁性基材１の表面に図３（ｂ）や図
４（ｂ）、図６（ｂ）の場合と同様にして設け、次に絶
縁性基材１の表面の非回路部４の少なくとも回路部３と
の境界領域にレーザを照射した後、図３（ｅ）や図４
（ｄ）、図６（ｄ）の場合と同様にして金属膜２ａに給
電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気銅めっき浴に
絶縁性基材１を浸漬することによって、金属膜２ａに銅
などの電気めっき層１３を１０μｍ程度の厚みで析出さ
せ、パターン形状の回路５を形成することができる。
【００４２】このように電気めっき浴に絶縁性基材１を
浸漬して電気めっきをおこなうにあたって、絶縁性基材
１に設けた金属膜２ａの金属は電気めっき浴に溶解して
いるめっき金属と同じ金属であるので、非回路部４の金
属膜２ａが電気めっき浴に溶け出しても、電気めっき浴
が異種金属によって汚染されるようなことがなくなるも
のであり、むしろ非回路部４の金属膜２ａから電気めっ
き浴に溶出する金属はめっき金属として補充されること
になるので、電気めっきの経済性を高めることができる
ものである。また、このように電気めっきをおこなう際
に、回路部３の金属膜２ａに陰極を接続すると共に非回
路部４の金属膜２ａに陽極を接続して、それぞれに給電
しながら絶縁性基材１を電気めっき浴に浸漬すると、回
路部３の金属膜２ａには陰極からの給電で電気めっき層
１３が析出すると共に、非回路部４の金属膜２ａは陽極
からの給電で電気めっき浴に積極的に溶出させることが
でき、図６の実施例の場合ようにライトエッチングをお
こなう必要なく、非回路部４の金属膜２ａを溶解除去す
ることができるものである。
【００４３】上記各実施例のように、絶縁性基材１の表
面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレーザを
照射するにあたって、レーザの照射ビーム径を可変にし
て、レーザの照射をおこなうようにすることができる。
すなわち、レーザの照射ビームの径が大きいと広い面積
でレーザビームを照射することができるために、速い速
度で広い面積を照射することができるが、微細な描画を
しながら照射をおこなうことはできない。逆にレーザの
照射ビームの径が小さいと微細な描画で照射をおこなう
ことができるが、照射面積が小さいので速い速度で広い
面積を照射することができない。このようにレーザの照
射ビーム径が一定であれば一長一短があるが、レーザを
走査しながらレーザの照射ビーム径を変化させることに
よって、長所のみを得ることができるものである。
【００４４】図８はレーザの照射ビーム径を可変にし
て、使い分けながら照射をおこなうようにした一例を示
すものであり、回路パターンのラインとスペースの幅が
標準的な２００μｍ／２００μｍ、すなわち回路部３の
幅が２００μｍで回路部３間の非回路部４の幅が２００
μｍの場合、レーザの照射ビーム径を制御してスポット
半径を１００μｍにし、非回路部４の中心線に沿って照
射ビームを移動させることによって（図６に照射ビーム
の大径のスポットをＳ1 の円で図示する）、このビーム
径の大きいレーザの一回の照射で非回路部４の両側の境
界線を同時に照射することができ、高速描画でレーザ照
射をおこなうことができる。また半径１００μｍ以下の
小さなアールやピン間のような小さい幅の非回路部４に
レーザ照射する場合には、レーザを小さいビーム径に制
御して照射することによって（図６に照射ビームの小径
のスポットをＳ2 の円で図示する）、微細な描画をしな
がら照射をおこなうことができる。このようにレーザの
照射ビーム径を変えて使い分けるにあたっては、後述す
るＣＡＤ／ＣＡＭの情報に基づいておこなうようにする
ことができる。図９はレーザの照射ビーム径を変えて使
い分けながら照射をおこなうようにした他例を示すもの
であり、大きい径のビーム（スポットＳ1 ）で高速描画
して照射すると共に、細部は細いビーム（スポット
Ｓ2 ）で描画して照射するようにしてある。
【００４５】上記のようにレーザの照射ビーム径を調整
するにあたっては、例えばデフォーカス量を制御するこ
とによっておこなうことができる。すなわち、図１０
（ａ）のようにレーザのビームＢの焦点を照射面に合わ
せてデフォーカス量を０にすると、照射ビーム径を小さ
くすることができ（この場合は照射ビームの移動速度は
高速になる）、また図１０（ｂ）のようにレーザのビー
ムＢの焦点を照射面からずらしてデフォーカス量を大き
くすると、照射ビーム径を大きくすることができる（こ
の場合は照射ビームの移動速度は低速になる）。また図
１１に示すように、なだらかな強度分布を持つビームモ
ードのレーザの発振エネルギーを変化させるように制御
することによって、レーザの照射ビーム径Ｌ1 , Ｌ2 を
調整することもできる。さらに図１２に示すように、な
だらかな強度分布を持つビームモードのレーザの走査速
度を変化させたり、あるいは照射時間を変化させたりす
ることによっても、レーザの照射ビーム径Ｌ1 , Ｌ2 を
調整することができる。勿論、レーザの照射ビーム径の
調整はこれらの方法に限定されるものではなく、任意の
方法を採用することができるものである。
【００４６】上記のようにレーザの照射ビーム径を調整
しながら、図１乃至図７の各方法を実施することができ
るものであり、非回路部４の幅の広い箇所ではレーザの
照射ビームの径を大きく調整して照射をおこなうことに
よって、広い面積でレーザビームを照射して照射時間を
短縮することができ、また微細な描画を必要とする箇所
ではレーザの照射ビームの径を小さく調整して照射をお
こなうことによって、小さい面積で微細に描画して照射
をおこなうことができるものである。また、回路設計を
ＣＡＤ／ＣＡＭによっておこなう場合、ＣＡＤ／ＣＡＭ
による設計回路図の情報に基づいて非回路部４の幅やそ
の中心線等でデータを得ることができる。そこでこの場
合には、このデータに基づいてレーザの照射位置やレー
ザの照射ビーム径を決定しながら照射をおこなうことが
できる。すなわち図１３のフローチャートに示すよう
に、回路部３の中心線データや回路部３の幅データから
回路部３と非回路部４の境界線を算出し、さらにこのデ
ータに基づいて非回路部４の最小値を算出する。次にレ
ーザの照射ビームのスポット径を非回路部４の幅の最小
値以下に調整し、レーザのスポット径の半径に相当する
オフセット量を算出する。そして、回路部３と非回路部
４の境界線よりも非回路部４にオフセットしたレーザ照
射中心線を算出し、さらにレーザの照射停止時間が最小
となるように、つまり照射する連続した輪郭線から他の
輪郭線へのレーザ照射を伴わない照射位置の移動長さの
合計が最小となるように、照射順序を決定し、これらの
データをガルバノミラー制御装置に入力して、レーザの
照射を制御することができる。
【００４７】具体的には例えば、非回路部４の幅が５０
〜２００μｍでレーザの照射ビーム径の取りうる最大径
が２００μｍの場合、ＣＡＤ／ＣＡＭデータに基づい
て、レーザの照射ビーム径を非回路部４の幅に一致させ
ながら、また照射ビームの中心を非回路部４の中心線と
一致させるように調整してレーザを照射することによっ
て、一回の照射で非回路部４の両側の境界領域を同時に
照射することができる。また非回路部４の幅が例えば３
００μｍで照射ビーム径の最大値以上であるときは、例
えば照射ビームの径を１５０μｍに調整して、非回路部
４の両側の境界領域に沿って二回に分けて照射をおこな
うようにすることができる。尚、レーザの照射エネルギ
ーは例えば０．０５〜１Ｊ／ｃｍ2 に設定するのが好ま
しい。
【００４８】上記のようにＣＡＤ／ＣＡＭによる設計回
路図の情報に基づいてレーザの照射ビーム径を調整しな
がら、図１乃至図７の各方法を実施することができるも
のであり、照射ビーム径の制御は、既述したデフォーカ
ス制御、強度制御、速度又は照射時間制御等でおこなう
ことができるものである。このように、ＣＡＤ／ＣＡＭ
情報からレーザ等の電磁波の照射位置やスポット径を決
定するために、短時間でレーザ等の操作データを作成し
て、作業時間を短縮することができるものである。
【００４９】また、ＣＡＤ／ＣＡＭ情報に基づいて上記
図１３のフローチャートようにレーザの照射ビーム径を
決定しながら照射をおこなうにあたって、レーザの照射
ビームのスポット径を非回路部４の幅の最小値ｄに調整
して図１４のように照射をおこなうことによって（図１
４に照射ビームのスポットをＳ1 の円で図示する）、回
路５のパターン間隔が狭い微細な回路であっても、容易
に回路パターン形成をおこなうことができるものであ
る。
【００５０】上記各実施例のように、絶縁性基材１の表
面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレーザを
照射するするにあたって、レーザの移動操作（走査）を
ガルバノミラーを用いておこなう場合、レーザの走査を
高速でおこなうと回路部３の角部にレーザを照射するに
際して、ガルバノミラーの慣性で照射がオーバーシュー
トしてしまうおそれがある。このために回路部３の角部
ではレーザの走査速度を遅くすることによってこのよう
な慣性によるオーバーシュートがおこらないようにして
いるが、レーザの走査速度を遅くすると回路部３の角部
にレーザエネルギーが集中し、絶縁性基材１に損傷を与
えることがある。このために回路部３の角部では照射を
一時的に停止することがおこなわれているが、照射処理
時間が長くなってしまうものであった。
【００５１】そこでこの場合には、回路部３の角部では
非回路部４内でアールを描くようにガルバノミラー等に
よってレーザビームを走査させるようにするのがよい。
図１５（ａ）は非回路部４の回路部３との境界線に沿っ
てレーザを走査させながら照射するにあたって、回路部
３の角部を過ぎると非回路部４内において一回転させる
ようにアールを描かせて方向転換した後に、再度回路部
３との境界線に沿ってレーザを走査させるようにするこ
とによって、回路部３の角部を角張るよう仕上げるよう
にした実施例を示すものである。図１５（ｂ）は非回路
部４の回路部３との境界線に沿ってレーザを走査させな
がら照射するにあたって、回路部３の角部ではアールを
描かせるように曲線で走査させることによって、速度を
一定にして走査させることができるようにした実施例を
示すものである。
【００５２】上記のように回路部３の角部でアールを描
くようにレーザを移動させるようにしながら、図１乃至
図７の各方法を実施することができるものであり、回路
部３の角部に損傷を与えることなく、高速でレーザを移
動させて、照射処理時間を短くすることができるもので
ある。尚、アールの半径はガルバノミラーの加速、減速
に必要な距離、例えば３００μｍとほぼ同等である。ま
たアールの半径等はＣＡＤ／ＣＡＭによる設計回路図の
情報に基づいて設定することができる。
【００５３】また、絶縁性基材１の表面の非回路部４に
回路部３との境界線に沿ってレーザを照射するにあたっ
て、レーザの照射を各境界線毎に一本ずつおこなってい
たのでは照射処理の時間が長時間必要になる。そこで、
この非回路部４と回路部３との境界線が平行な箇所で
は、レーザを複数スポットに分割して、各離間したスポ
ットを平行に移動させることによって、複数箇所を同時
に照射することができる。図１６はその一例を示すもの
であり、レーザを二本のスポットに分割して各回路部３
の両側の境界に沿って平行に移動させながら照射するこ
とによって、回路部３の両側の境界領域へのレーザの照
射を同時におこなうことができるようにしてある（図１
６においてはレーザをデュアルスポットにして、イ矢印
箇所とイ矢印箇所の照射や、ロ矢印箇所とロ矢印箇所の
照射を同時におこなうようにしている）。
【００５４】ここで、レーザの照射の移動をＸ，Ｙガル
バノミラーで操作しておこなうにあたって、例えばレー
ザ発振機とガルバノミラーとの間に２焦点レンズ系を挿
入することによって、レーザを二本のスポットに成形し
て照射をおこなうことができる。二本のスポットの間隔
は回路部３の平行な輪郭線の間隔に応じて調整するもの
である。また、二本のスポットを上記のように回路部３
の両側に同時に照射する他に、非回路部４の両側輪郭に
同時に照射するようにしてもよく、一本以上の回路部３
や非回路部４を挟んだ二本の平行な輪郭に同時に照射す
るようにしてもよい。
【００５５】図１７はレーザを二本のスポットに成形す
る一例を示すものであり、ピンホール１６あるいはスリ
ットを設けた二枚のマスク１７をレーザのビームＢの光
路に挿入することによって、レーザを各マスク１７のピ
ンホール１６を通過する二本のスポットに分割するよう
にしてある。このものでは、マスク１７，１７の相対位
置関係を変化させて、ピンホール１６，１６の間隔を調
整することによってレーザの二本のスポット間隔を設定
することができると共に、二枚のマスク１７，１７を一
体にして回転させることによってレーザの走査の向きを
方向転換することができる。
【００５６】図１８の実施例では二焦点レンズ２８をレ
ーザのビームＢの光路に挿入することによって、レーザ
を二焦点のスポットに分割するようにしてあり、このも
のでは二焦点レンズ２８を回転させることによってレー
ザの走査の向きを方向転換することができる。図１９は
レーザを二本のスポットに成形する他例を示すものであ
り、レーザのビームＢの光路にプリズム１８を挿入して
光路を二本に分割し、分割した各光路に傾斜角度を調整
自在な可動ミラー１９，２０が挿入してあり、さらにＡ
Ｏスイッチ２１やレンズ２２が挿入してある。プリズム
１８と可動ミラー１９，２０、ＡＯスイッチ２１、レン
ズ２２は全体が一体となって水平に回転されるようにな
っている。そしてこのものにあって、レーザはプリズム
１８によって二本に分割され、さらに可動ミラー１９，
２０で反射されてＡＯスイッチ２１及びレンズ２２を通
って絶縁性基材１の表面に照射される。このようにして
レーザを二本の平行なスポットにして同時に照射するこ
とができるものであり、平行線の方向が変化する箇所で
は各スポットの向きを同時に変えるようにして照射をお
こなうものである。また回路部３が交叉する箇所や回路
部３の端部など、二本の平行線のうち一方が不要なとき
は、一方の可動ミラー２０のみを傾動させたり（図１３
に想像線で示す）、ＡＯスイッチ２１などのシャッター
で一方のレーザビームの照射をオフにしたりして、照射
をおこなうようにすることができるものである。
【００５７】上記のようにレーザを複数スポットに分割
して、各スポットを平行に移動させながら照射すること
によって、上記図１乃至図７の各方法を実施することが
できるものであり、一回のレーザ操作で複数本のレーザ
照射をおこなうことができ、照射時間を短縮することが
できるものである。また、上記各実施例のように、絶縁
性基材１の表面の非回路部４に回路部３との境界線に沿
ってレーザを照射するにあたって、周辺のエネルギー分
布が急峻なビームモードのレーザを用いることによっ
て、レーザの照射によるめっき下地層２の除去の効果が
照射部と非照射部、すなわち非回路部４と回路部３との
境界で明確な差となってあらわれ、境界のにじみやぼけ
がなくなり、回路部３の端縁部の仕上げ精度を高く得る
ことができる。
【００５８】図２０は周辺のエネルギー分布が急峻なビ
ームモードのレーザを得る一例を示すものであり、円錐
プリズム２４の廻りに円錐台の内周を鏡面として形成し
た円錐ミラー２５を配置し、円錐ミラー２５の下方に上
下複数枚のリング状のシリンドリカルレンズ２６が配置
してある。このものにあって、円錐プリズム２４の頂部
上方からレーザを照射すると、レーザビームＢは円錐プ
リズム２４の外方へ放射されると共に円錐ミラー２５で
リング状に反射され、さらにシリンドリカルレンズ２６
で絞られた後に、環状ビームとして絶縁性基材１に照射
されることになる。このようにして得られる環状ビーム
は、周辺のエネルギー分布が急峻なビームモードになっ
ている。
【００５９】上記のように周辺のエネルギー分布が急峻
なビームモードのレーザを用いて照射をおこなうことに
よって、上記図１乃至図７の各方法を実施することがで
きるものであり、レーザの照射によるめっき下地層２の
除去の効果が非回路部４と回路部３との境界で明確な差
となってあらわれ、回路部３の端縁部の仕上げ精度を高
く得ることができるものである。
【００６０】また、上記各実施例のように、絶縁性基材
１の表面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレ
ーザ等の電磁波を照射するにあたって、レーザ等の電磁
波の照射スポット形状を図２１（ａ）のような角型、図
２１（ｂ）のような長角型、あるいは図２１（ｃ）のよ
うな長円型のいずれかに形成して（各スポットをＳで示
す）、このスポットＳを移動させることによって、照射
パターンの角部をエッジ形状に仕上げることができるも
のである。レーザ等の電磁波の照射スポット形状を角
型、長角型、長円型に成形するには、アパーチャやプリ
ズム、シリンドリカルレンズ等を用いておこなうことが
できる。またパルス状のレーザを用いて走査をおこなう
と、走査して照射した縁部がジグザグになるが、照射ス
ポット形状を上記のように角型、長角型、長円型に成形
して、スポット形状の長辺が非回路部４と回路部３との
間の境界線に一致するように走査しながら照射をおこな
うと、照射の縁部のジグザグが小さくなり、回路部３の
境界端面を直線状に仕上げることができるものである。
【００６１】さらに、このようにレーザ等の電磁波を照
射するにあたって、図２２（ａ）に示すように照射スポ
ットＳを回路部３と非回路部４との境界線と平行に振動
させながら、図２２（ｂ）に示すように回路部３と非回
路部４との境界に沿って移動させるようにすることによ
って、丸いスポットであってもパルス状のレーザを用い
た場合のような照射の縁部のジグザグを小さくして、回
路部３の境界端面を直線状に仕上げることができるもの
である。この場合、１パルスの照射の時間内にビーム位
置がビーム径の１／１０〜１０倍の距離を動く程度に振
動させながら移動（走査）させるようにするのがよい。
【００６２】上記のようにレーザ等の電磁波の照射スポ
ット形状を角型や長角型、あるいは長円型のいずれかに
形成して照射したり、あるいは照射スポットを回路部３
と非回路部４との境界線と平行に振動させながら回路部
３と非回路部４との境界に沿って移動させて照射したり
することによって、上記図１乃至図７の各方法を実施す
ることができるものであり、照射パターンの角部をエッ
ジ形状に仕上げることができ、また照射の縁部のジグザ
グを小さくして回路部３の境界端面を直線状に仕上げる
ことができるものである。
【００６３】図２３乃至図２５は、非回路部４の回路部
３との境界輪郭部分のレーザの照射状態を示すものであ
り、図２３や図２４の実施例では小さい径の照射スポッ
トＳ 1 を走査させてレーザを照射するようにしてある。
また図２５の実施例では小さい径の照射スポットＳ1 を
走査させてレーザを照射する他に、大きい径の照射スポ
ットＳ2 を走査させてレーザを照射するようにしてあ
る。
【００６４】
【発明の効果】上記のように本発明は、絶縁性基材の表
面にめっき用触媒、めっき用触媒の化合物、金属膜など
のようなめっき下地層を形成し、絶縁性基材の回路部と
非回路部の少なくとも境界領域に、非回路部のパターン
に対応してレーザ等の電磁波を照射することによって、
非照射部を残してレーザ等の電磁波を照射したこの照射
部のめっき下地層を除去した後、めっき下地層にめっき
を施すようにしたので、レーザの照射は非回路部のうち
少なくとも回路部との境界領域におこなえば足りるもの
であり、非回路部の広い領域の全面にレーザを照射する
場合に比べてレーザの照射処理時間を短縮することがで
き、回路板の生産性を高めることが可能になるものであ
る。
【００６５】また本発明は、絶縁性基材の表面に金属膜
を設け、レーザ等の電磁波の照射による露光・現像で除
去されるかあるいはレーザ等の電磁波の照射で除去され
るレジストを金属膜の表面に付着し、絶縁性基材の回路
部と非回路部の少なくとも境界領域に、非回路部のパタ
ーンに対応してレーザ等の電磁波を照射し、非照射部を
残してレーザ等の電磁波を照射したこの照射部のレジス
トを除去した後、レジストの除去で露出する金属膜をエ
ッチング除去するようにしたので、レーザの照射は非回
路部のうち少なくとも回路部との境界領域におこなえば
足りるものであり、非回路部の広い領域の全面にレーザ
を照射する場合に比べてレーザの照射処理時間を短縮す
ることができ、回路板の生産性を高めることが可能にな
るものである。
【００６６】また本発明は、絶縁性基材の表面に金属膜
を設け、レーザ等の電磁波の照射による露光部以外が現
像除去されるレジストを金属膜の表面に付着し、絶縁性
基材の回路部と非回路部の少なくとも境界領域に、非回
路部のパターンに対応してレーザ等の電磁波を照射し、
レーザ等の電磁波を照射した照射部のレジストを残して
非照射部のレジストを除去した後、レジストで覆われな
い金属膜の表面にめっきを施し、次いでレジストを剥離
すると共にレジストの剥離で露出する金属膜をエッチン
グ除去するようにしたので、レーザの照射は非回路部の
うち少なくとも回路部との境界領域におこなえば足りる
ものであり、非回路部の広い領域の全面にレーザを照射
する場合に比べてレーザの照射処理時間を短縮すること
ができ、回路板の生産性を高めることが可能になるもの
である。
【００６７】さらに、絶縁性基材の表面に金属膜を設
け、電磁波を照射する処理をおこなった後に、非照射部
の金属膜のうち回路部の金属膜に電気めっきを施すよう
にしたので、回路形成のためのめっきは回路部において
のみおこなわれ、不要な非回路部にまではめっきがおこ
なわれず、めっき金属等のめっき材料の無駄が少なくな
って経済的に有利になるものである。
【００６８】さらに、非照射部の金属膜のうち回路部の
金属膜の表面に電気めっきを施した後、ライトエッチン
グ処理して回路部以外の金属膜を除去するようにしたの
で、回路部に形成される回路の絶縁性を向上させること
ができるものである。さらに、金属膜と同種の金属を電
気めっきするようにしたので、電気めっき浴に絶縁性基
材を浸漬して電気めっきをおこなうにあたって、非回路
部の金属膜が電気めっき浴に溶け出しても電気めっき浴
が異種金属によって汚染されるようなことがなくなるも
のであり、むしろ非回路部の金属層から電気めっき浴に
溶出する金属はめっき金属として補充されることになっ
て、電気めっきの経済性を高めることができるものであ
る。
【００６９】さらに、ＣＡＤによって回路設計するにあ
たって、ＣＡＤ情報に基づいてレーザ等の電磁波を照射
するようにしたので、ＣＡＤ情報から短時間でレーザ等
の操作データを作成して作業時間を短縮することができ
るものである。さらに、レーザ等の電磁波を移動させな
がら照射するにあたって、照射移動中にビーム径を可変
にしたので、非回路部の幅の広い箇所では照射ビームの
径を大きく調整して照射をおこなうことによって、広い
面積でレーザビームを照射して照射時間を短縮すること
ができ、また微細な描画を必要する箇所ではレーザ等の
照射ビームの径を小さく調整して照射をおこなうことに
よって、小さい面積の照射で微細に描画して照射をおこ
なうことができるものである。
【００７０】さらに、レーザ等の電磁波の照射部の幅を
非回路部の幅の最小値に設定して、電磁波の照射をおこ
なうようにしたので、回路のパターン間隔が狭い微細な
回路であっても容易に回路形成をおこなうことができる
ものである。さらに、レーザ等の電磁波ビームを複数ス
ポットにして、平行に移動させながら照射するようにし
たので、一回の操作で複数本の照射をおこなうことがで
き、照射時間を短縮することができるものである。
【００７１】さらに、周辺のエネルギー分布が急峻なビ
ームモードのレーザ等の電磁波を用いて、電磁波を照射
するようにしたので、レーザの照射によるめっき下地層
の除去の効果が非回路部と回路部との境界で明確な差と
なってあらわれ、回路部の端縁部の仕上げ精度を高く得
ることができるものである。さらに、レーザ等の電磁波
の照射スポット形状を角型、長角型、長円型のいずれか
に形成して、電磁波を照射するようにしたので、照射パ
ターンの角部をエッジ形状に仕上げることができるもの
である。
【００７２】さらに、レーザ等の電磁波の照射スポット
を回路部と非回路部との境界線と平行に振動させなが
ら、回路部と非回路部との境界に沿って移動させて電磁
波を照射するようにしたので、照射の縁部のジグザグを
小さくして回路部の境界端面を直線状に仕上げることが
できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すものであり、（ａ）乃
至（ｅ）はそれぞれ斜視図である。
【図２】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｆ）はそれぞれ斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｇ）はそれぞれ斜視図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｄ）はそれぞれ斜視図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｃ）はそれぞれ斜視図である。
【図６】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｅ）はそれぞれ斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｅ）はそれぞれ斜視図である。
【図８】本発明の異なる径のビームを用いた実施例を示
す平面図である。
【図９】本発明の異なる径のビームを用いた他の実施例
を示す平面図である。
【図１０】同上の実施例のデフォーカス量制御を示すも
のであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。
【図１１】同上の実施例のビーム径の制御の他の例を示
す概略図である。
【図１２】同上の実施例のビーム径の制御のさらに他の
例を示す概略図である。
【図１３】レーザ制御の手順を示すフローチャートであ
る。
【図１４】同上の他の実施例を示す平面図である。
【図１５】同上の他の実施例を示すものであり、
（ａ）、（ｂ）はぞれぞれ概略平面図である。
【図１６】同上の他の実施例を示す平面図である。
【図１７】同上の他の実施例を示す斜視図である。
【図１８】同上の他の実施例を示す斜視図である。
【図１９】同上の他の実施例を示す斜視図である。
【図２０】同上の他の実施例を示す概略断面図である。
【図２１】同上の他の実施例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）は照射ビームの形状を示す概略
図である。
【図２２】同上の他の実施例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）は照射ビームの態様を示す概略図であ
る。
【図２３】同上の他の実施例を示す平面図である。
【図２４】同上の他の実施例を示す平面図である。
【図２５】同上の他の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁性基材 ２ めっき下地層 ２ａ 金属膜 ３ 回路部 ４ 非回路部 ５ 回路 ６ レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】上記のようにして絶縁性基材１の非回路部
４の少なくとも回路部３との境界領域にレーザを照射し
てレジストの露光をおこなった後、絶縁性基材１を現像
してレジスト６のうち露光した部分を現像液に溶解して
除去する。レジスト６は非回路部４の回路部３との境界
領域においてレーザで露光されているために、図２
（ｄ）のようにレジスト６は非回路部４の回路部３との
境界領域に沿って除去され、この部分で金属膜２ａが露
出される。次に塩化第二銅と塩酸とを含むエッチング液
等で絶縁性基材１の表面を処理することによって、図２
（ｅ）のように金属膜２ａのうちレジスト６で覆われず
露出する部分、すなわち非回路部４の回路部３との境界
領域部分の金属膜２ａを溶解除去する。このように金属
膜２ａをエッチングして、回路部３の金属膜２ａを非回
路部４の金属膜２ａから分離させることによって、回路
部３の金属膜２ａでパターン形状の回路５を形成するこ
とができるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】上記のようにして絶縁性基材１の非回路部
４の少なくとも回路部３との境界領域にレーザを照射し
てレジスト６を露光した後に現像をおこなう。レジスト
６のうち露光された部分は現像液に溶解されず、未露光
部分は現像液に溶解されるので、図３（ｄ）のようにレ
ーザで露光された非回路部４の回路部３との境界領域の
レジスト６は残り、非照射部のレジスト６は除去され、
この部分で金属膜２ａが露出される。次に金属膜２ａの
うち露出された部分にめっきを施す。めっきは電気めっ
きでおこなうことができ、金属膜２ａに給電電極の陰極
を接続して通電しつつ、電気めっき浴に絶縁性基材１を
浸漬することによって、図３（ｅ）のように金属膜２ａ
の露出表面に銅などの電気めっき層１３を１０μｍ程度
の厚みで析出させるものである。この後、残っているレ
ジスト６を剥離し、図３（ｆ）のようにレジスト６を剥
離した箇所の金属膜２ａを露出させる。レジスト６は非
回路部４の回路部３との境界領域に残っているので、金
属膜２ａは非回路部４の回路部３との境界領域において
露出されることになる。そして塩化第二銅と塩酸とを含
むエッチング液等で厚み１μｍ程度に軽くエッチング処
理をおこなうことによって、図３（ｇ）のように薄い金
属膜２ａのうち露出する部分、すなわち非回路部４の回
路部３との境界領域部分の金属膜２ａを溶解除去する。
このように金属膜２ａをエッチングして、回路部３の金
属膜２ａを非回路部４の金属膜２ａから分離させること
によって、回路部３の金属膜２ａと電気めっき層１３と
でパターン形状の回路５を形成することができるもので
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野々 良幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 鎌田 策雄 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 中嶋 勲二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 鈴木 俊之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁性基材の表面にめっき用触媒、めっ
    き用触媒の化合物、金属膜などのようなめっき下地層を
    形成し、絶縁性基材の回路部と非回路部の少なくとも境
    界領域に、非回路部のパターンに対応してレーザ等の電
    磁波を照射することによって、非照射部を残してレーザ
    等の電磁波を照射したこの照射部のめっき下地層を除去
    した後、めっき下地層にめっきを施すことを特徴とする
    回路板の製造方法。
  2. 【請求項２】 絶縁性基材の表面に金属膜を設け、レー
    ザ等の電磁波の照射による露光・現像で除去されるかあ
    るいはレーザ等の電磁波の照射で除去されるレジストを
    金属膜の表面に付着し、絶縁性基材の回路部と非回路部
    の少なくとも境界領域に、非回路部のパターンに対応し
    てレーザ等の電磁波を照射し、非照射部を残してレーザ
    等の電磁波を照射したこの照射部のレジストを除去した
    後、レジストの除去で露出する金属膜をエッチング除去
    することを特徴とする回路板の製造方法。
  3. 【請求項３】 絶縁性基材の表面に金属膜を設け、レー
    ザ等の電磁波の照射による露光部以外が現像除去される
    レジストを金属膜の表面に付着し、絶縁性基材の回路部
    と非回路部の少なくとも境界領域に、非回路部のパター
    ンに対応してレーザ等の電磁波を照射し、レーザ等の電
    磁波を照射した照射部のレジストを残して非照射部のレ
    ジストを除去した後、レジストで覆われない金属膜の表
    面にめっきを施し、次いでレジストを剥離すると共にレ
    ジストの剥離で露出する金属膜をエッチング除去するこ
    とを特徴とする回路板の製造方法。
  4. 【請求項４】 絶縁性基材の表面に金属膜を設け、電磁
    波を照射する処理をおこなった後に、非照射部の金属膜
    のうち回路部の金属膜に電気めっきを施すことを特徴と
    する請求項１又は２に記載の回路板の製造方法。
  5. 【請求項５】 非照射部の金属膜のうち回路部の金属膜
    の表面に電気めっきを施した後、ライトエッチング処理
    して回路部以外の金属膜を除去することを特徴とする請
    求項４に記載の回路板の製造方法。
  6. 【請求項６】 金属膜と同種の金属を電気めっきするこ
    とを特徴とする請求項４又は５に記載の回路板の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 ＣＡＤによって回路設計するにあたっ
    て、ＣＡＤ情報に基づいてレーザ等の電磁波を照射する
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の回
    路板の製造方法。
  8. 【請求項８】 レーザ等の電磁波の照射部の幅を非回路
    部の幅の最小値に設定して、電磁波の照射をおこなうこ
    とを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の回路
    板の製造方法。
  9. 【請求項９】 レーザ等の電磁波を移動させながら照射
    するにあたって、照射移動中に照射ビーム径を可変にす
    ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の
    回路板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 レーザ等の電磁波ビームを離間した複
    数スポットにして照射することを特徴とする請求項１乃
    至９のいずれかに記載の回路板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 周辺のエネルギー分布が急峻なビーム
    モードのレーザ等の電磁波を用いて、電磁波の照射をお
    こなうことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに
    記載の回路板の製造方法。
  12. 【請求項１２】 レーザ等の電磁波の照射スポット形状
    を角型、長角型、長円型のいずれかに形成して、電磁波
    の照射をおこなうことを特徴とする請求項１乃至１１の
    いずれかに記載の回路板の製造方法。
  13. 【請求項１３】 レーザ等の電磁波の照射スポットを回
    路部と非回路部との境界線と平行に振動させながら、回
    路部と非回路部との境界に沿って移動させて電磁波を照
    射することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに
    記載の回路板の製造方法。
JP21194193A 1993-08-26 1993-08-26 回路板の製造方法 Expired - Lifetime JP3153682B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21194193A JP3153682B2 (ja) 1993-08-26 1993-08-26 回路板の製造方法
US08/286,324 US5494781A (en) 1993-08-26 1994-08-04 Method for manufacturing printed circuit board
DE4429522A DE4429522A1 (de) 1993-08-26 1994-08-19 Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
DE4447897A DE4447897B4 (de) 1993-08-26 1994-08-19 Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
CN94109492A CN1050730C (zh) 1993-08-26 1994-08-26 制造印刷电路板的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21194193A JP3153682B2 (ja) 1993-08-26 1993-08-26 回路板の製造方法

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP07938498A Division JP3324982B2 (ja) 1998-03-26 1998-03-26 回路板の製造方法
JP07938398A Division JP3280619B2 (ja) 1998-03-26 1998-03-26 回路板の製造方法
JP2000338086A Division JP2001177219A (ja) 2000-11-06 2000-11-06 回路板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0766533A true JPH0766533A (ja) 1995-03-10
JP3153682B2 JP3153682B2 (ja) 2001-04-09

Family

ID=16614231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21194193A Expired - Lifetime JP3153682B2 (ja) 1993-08-26 1993-08-26 回路板の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5494781A (ja)
JP (1) JP3153682B2 (ja)
CN (1) CN1050730C (ja)
DE (2) DE4429522A1 (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209607A (ja) * 1997-01-23 1998-08-07 Matsushita Electric Works Ltd 回路板の製造方法
JP2000183501A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Alps Electric Co Ltd 成形品への導電性パターンの形成方法
JP2005223064A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
JP2005268423A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Kansai Tlo Kk レーザを用いた配線基板の製造方法
JP2006049575A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Matsushita Electric Works Ltd 立体回路板の製造方法及び立体回路板
JP2006049574A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Matsushita Electric Works Ltd 立体回路板の製造方法及び立体回路板
WO2008041479A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Dispositif de sortie audio
US20100243461A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Fujifilm Corporation Method of fabricating circuit board
US8338716B2 (en) 2007-11-05 2012-12-25 Panasonic Corporation Circuit board and method of manufacturing the same
JP2013528937A (ja) * 2010-05-04 2013-07-11 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト 回路基板内に電気絶縁部を設けるための方法
JP2014506737A (ja) * 2011-02-25 2014-03-17 タイワン グリーン ポイント エンタープライジーズ カンパニー リミテッド 非導電性基板の表面上に連続導電性回路を作製するための無害技法
JP2015197926A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 ティーピーケイ ユニヴァーサル ソリューションズ リミテッド タッチ制御装置とその製造方法
JP2016139832A (ja) * 2014-01-14 2016-08-04 太陽インキ製造株式会社 立体回路基板およびこれに用いるソルダーレジスト組成物
JP2017531301A (ja) * 2014-09-16 2017-10-19 アンフェノール・エフシーアイ・アジア・ピーティーイー．・リミテッドＡｍｐｈｅｎｏｌ ＦＣＩ Ａｓｉａ Ｐｔｅ．Ｌｔｄ． 密閉してシールされた電気コネクタアセンブリ
EP2879407B1 (en) * 2013-11-27 2019-12-18 Starkey Laboratories, Inc. Solderless hearing assistance device assembly and method
WO2020003881A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 Dic株式会社 金属パターンを有する成形体の製造方法
WO2020003879A1 (ja) 2018-06-26 2020-01-02 Dic株式会社 金属パターンを有する成形体の製造方法
WO2020250827A1 (ja) * 2019-06-14 2020-12-17 株式会社ケイプラスモールドジャパン 金型および金型用ガス抜き部材の製造方法
JP2020203473A (ja) * 2019-09-30 2020-12-24 株式会社ケイプラスモールドジャパン 金型用ガス抜き部材の製造方法
CN112237053A (zh) * 2018-06-26 2021-01-15 Dic株式会社 印刷配线板的制造方法
EP3086576B1 (en) * 2015-04-22 2021-09-01 Starkey Laboratories, Inc. Solderless module connector for a hearing assistance device assembly

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6547974B1 (en) * 1995-06-27 2003-04-15 International Business Machines Corporation Method of producing fine-line circuit boards using chemical polishing
DE69618162T2 (de) * 1995-08-24 2002-08-14 Toshiba Kawasaki Kk Herstellungsverfahren eines Reflektors
US5800724A (en) * 1996-02-14 1998-09-01 Fort James Corporation Patterned metal foil laminate and method for making same
US6093335A (en) * 1996-08-28 2000-07-25 International Business Machines Corporation Method of surface finishes for eliminating surface irregularities and defects
US5912809A (en) * 1997-01-21 1999-06-15 Dell Usa, L.P. Printed circuit board (PCB) including channeled capacitive plane structure
US6046429A (en) 1997-06-12 2000-04-04 International Business Machines Corporation Laser repair process for printed wiring boards
JP3506002B2 (ja) * 1997-07-28 2004-03-15 松下電工株式会社 プリント配線板の製造方法
US6150895A (en) * 1999-01-25 2000-11-21 Dell Usa, L.P. Circuit board voltage plane impedance matching
JP3756723B2 (ja) * 1999-07-27 2006-03-15 松下電工株式会社 プリント配線板の加工方法
US6299749B1 (en) 1999-10-25 2001-10-09 Molex Incorporated Method of fabricating an electrical component
WO2001038036A1 (de) * 1999-11-29 2001-05-31 Siemens Production And Logistics Systems Ag Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten von substraten mittels laserstrahlen
US6573162B2 (en) * 1999-12-24 2003-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method of fabricating a semiconductor device
US7723642B2 (en) 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US20030222324A1 (en) * 2000-01-10 2003-12-04 Yunlong Sun Laser systems for passivation or link processing with a set of laser pulses
US7671295B2 (en) * 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US20060141681A1 (en) * 2000-01-10 2006-06-29 Yunlong Sun Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6461677B1 (en) 2000-04-18 2002-10-08 Molex Incorporated Method of fabricating an electrical component
US6777645B2 (en) * 2001-03-29 2004-08-17 Gsi Lumonics Corporation High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field
KR100492498B1 (ko) 2001-05-21 2005-05-30 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 프린트 배선판의 제조 방법
DE10127357C1 (de) 2001-06-06 2002-09-26 Siemens Dematic Ag Verfahren und Einrichtung zur Strukturierung von Leiterplatten
US7112517B2 (en) * 2001-09-10 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method
GB2381274A (en) * 2001-10-29 2003-04-30 Qinetiq Ltd High resolution patterning method
DE10212639A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
EP1512996A4 (en) * 2002-05-28 2005-11-16 Matsushita Electric Works Ltd MATERIAL FOR JOINT MOUNTING OF OPTICAL CIRCUIT SUBSTRATE / ELECTRICAL CIRCUIT AND MIXED MOUNTING OF OPTICAL CIRCUIT SUBSTRATE / ELECTRICAL CIRCUIT
EP1553573A4 (en) * 2002-10-15 2008-10-08 Sony Corp OPTICAL RECORDING MEDIUM MASTER EXPOSURE DEVICE AND OPTICAL RECORDING MEDIUM MASTER EXPOSURE METHOD
EP1559148A2 (de) * 2002-11-05 2005-08-03 Siemens Aktiengesellschaft ORGANISCHES ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT HOCHAUFGELöSTER STRUKTURIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAZU
DE10339036A1 (de) * 2003-08-25 2005-03-31 Siemens Ag Organisches elektronisches Bauteil mit hochaufgelöster Strukturierung und Herstellungsverfahren dazu
JP2005144487A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2005223065A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
DE102004006414B4 (de) * 2004-02-09 2008-08-21 Lpkf Laser & Elektronika D.O.O. Verfahren zum partiellen Lösen einer leitfähigen Schicht
RU2354616C2 (ru) * 2004-10-01 2009-05-10 Мицубоси Даймонд Индастриал Ко., Лтд. Способ скрайбирования хрупкого материала и устройство скрайбирования
US7842891B2 (en) * 2005-01-21 2010-11-30 Citizen Holdings Co. Ltd. Sealing board and method for producing the same
US20060191884A1 (en) * 2005-01-21 2006-08-31 Johnson Shepard D High-speed, precise, laser-based material processing method and system
JP4254720B2 (ja) * 2005-02-04 2009-04-15 セイコーエプソン株式会社 絶縁化処理前基板、および基板の製造方法
US7169313B2 (en) * 2005-05-13 2007-01-30 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Plating method for circuitized substrates
US8290239B2 (en) * 2005-10-21 2012-10-16 Orbotech Ltd. Automatic repair of electric circuits
JP2008091161A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ照明装置
JP4506743B2 (ja) * 2006-11-08 2010-07-21 パナソニック電工株式会社 光照射装置
US7910156B2 (en) * 2007-03-30 2011-03-22 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making circuitized substrate with selected conductors having solder thereon
US7666567B2 (en) * 2007-10-23 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Negative imaging method for providing a patterned metal layer having high conductivity
JP5488461B2 (ja) * 2008-05-13 2014-05-14 旭硝子株式会社 酸化物層付き基体とその製造方法
JP2010010500A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Hitachi Ltd 銅回路部品およびその製造方法
JP4996653B2 (ja) * 2009-07-10 2012-08-08 三共化成株式会社 成形回路部品の製造方法
US8952919B2 (en) 2011-02-25 2015-02-10 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. Capacitive touch sensitive housing and method for making the same
US20120273261A1 (en) * 2010-10-20 2012-11-01 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. Circuit substrate having a circuit pattern and method for making the same
JP5137993B2 (ja) * 2010-04-14 2013-02-06 株式会社松浦機械製作所 人工骨製造方法及び当該方法によって製造された人工骨
DE102010019406B4 (de) * 2010-05-04 2012-06-21 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zum partiellen Lösen einer definierten Fläche einer leitfähigen Schicht
CN103313505B (zh) * 2012-03-13 2016-05-25 昆山联滔电子有限公司 非导电承载材料上的导体轨道结构的制造方法
US10098242B2 (en) * 2012-03-29 2018-10-09 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. Double-sided circuit board and method for preparing the same
CN103264227B (zh) * 2013-04-11 2015-05-13 温州大学 一种激光直接刻蚀聚合物基体表面覆盖金属膜的方法
CN103747624B (zh) * 2013-12-30 2017-01-25 天津市德中技术发展有限公司 通过制作绝缘沟道实现选择性局部电镀的电路板制作方法
CN109479373A (zh) 2016-07-07 2019-03-15 莫列斯有限公司 模塑互连器件及制造其的方法
CN106637321A (zh) * 2017-01-06 2017-05-10 深圳市常兴技术股份有限公司 一种电镀屏蔽工艺
US11465205B2 (en) * 2017-04-10 2022-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Reducing stresses in metal layers
CN109451649B (zh) * 2018-09-28 2022-06-28 苏州达方电子有限公司 可减缓化学侵蚀影响的键盘电路板及键盘
CN110091069B (zh) * 2019-04-09 2021-09-24 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光退镀方法
CN113068310B (zh) * 2021-03-19 2022-08-02 北京梦之墨科技有限公司 一种双面电路板及其制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3475284A (en) * 1966-04-18 1969-10-28 Friden Inc Manufacture of electric circuit modules
DE1615961A1 (de) * 1967-04-12 1970-06-25 Degussa Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen
US4527041A (en) * 1983-06-02 1985-07-02 Kazuo Kai Method of forming a wiring pattern on a wiring board
JPS616892A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 キヤノン株式会社 プリント回路の製造方法
US5338645A (en) * 1986-06-16 1994-08-16 Motorola, Inc. Three dimensional printed circuits
EP0287843B1 (de) * 1987-04-24 1990-08-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
DE3840199C2 (de) * 1988-11-29 1994-12-01 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Strukturierung von bei der stromlosen Metallisierung katalytisch aktiven Metallschichten mittels UV-Strahlung
JPH04263490A (ja) * 1991-02-19 1992-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜回路の製造方法
DE4131065A1 (de) * 1991-08-27 1993-03-04 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von leiterplatten
ES2076447T3 (es) * 1991-11-21 1995-11-01 Siemens Ag Procedimiento para la obtencion de placas conductoras.

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10209607A (ja) * 1997-01-23 1998-08-07 Matsushita Electric Works Ltd 回路板の製造方法
JP2000183501A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Alps Electric Co Ltd 成形品への導電性パターンの形成方法
JP2005223064A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Seiko Epson Corp 配線基板の製造方法及び電子デバイスの製造方法
JP2005268423A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Kansai Tlo Kk レーザを用いた配線基板の製造方法
JP4575723B2 (ja) * 2004-08-04 2010-11-04 パナソニック電工株式会社 立体回路板の製造方法及び立体回路板
JP2006049574A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Matsushita Electric Works Ltd 立体回路板の製造方法及び立体回路板
JP2006049575A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Matsushita Electric Works Ltd 立体回路板の製造方法及び立体回路板
WO2008041479A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-10 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Dispositif de sortie audio
US8150071B2 (en) 2006-09-29 2012-04-03 Panasonic Corporation Voice output unit
US8338716B2 (en) 2007-11-05 2012-12-25 Panasonic Corporation Circuit board and method of manufacturing the same
US20100243461A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Fujifilm Corporation Method of fabricating circuit board
JP2013528937A (ja) * 2010-05-04 2013-07-11 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト 回路基板内に電気絶縁部を設けるための方法
KR101503580B1 (ko) * 2010-05-04 2015-03-17 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 인쇄회로기판 안으로 전기적 절연부들을 도입하기 위한 방법
JP2014506737A (ja) * 2011-02-25 2014-03-17 タイワン グリーン ポイント エンタープライジーズ カンパニー リミテッド 非導電性基板の表面上に連続導電性回路を作製するための無害技法
EP2879407B1 (en) * 2013-11-27 2019-12-18 Starkey Laboratories, Inc. Solderless hearing assistance device assembly and method
JP2016139832A (ja) * 2014-01-14 2016-08-04 太陽インキ製造株式会社 立体回路基板およびこれに用いるソルダーレジスト組成物
JP2015197926A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 ティーピーケイ ユニヴァーサル ソリューションズ リミテッド タッチ制御装置とその製造方法
JP2017531301A (ja) * 2014-09-16 2017-10-19 アンフェノール・エフシーアイ・アジア・ピーティーイー．・リミテッドＡｍｐｈｅｎｏｌ ＦＣＩ Ａｓｉａ Ｐｔｅ．Ｌｔｄ． 密閉してシールされた電気コネクタアセンブリ
EP3086576B1 (en) * 2015-04-22 2021-09-01 Starkey Laboratories, Inc. Solderless module connector for a hearing assistance device assembly
WO2020003881A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 Dic株式会社 金属パターンを有する成形体の製造方法
WO2020003879A1 (ja) 2018-06-26 2020-01-02 Dic株式会社 金属パターンを有する成形体の製造方法
JPWO2020003881A1 (ja) * 2018-06-26 2020-07-02 Dic株式会社 金属パターンを有する成形体の製造方法
JPWO2020003879A1 (ja) * 2018-06-26 2020-09-24 Dic株式会社 金属パターンを有する成形体の製造方法
CN112219459A (zh) * 2018-06-26 2021-01-12 Dic株式会社 具有金属图案的成型体的制造方法
CN112237053A (zh) * 2018-06-26 2021-01-15 Dic株式会社 印刷配线板的制造方法
CN112219459B (zh) * 2018-06-26 2024-06-28 Dic株式会社 具有金属图案的成型体的制造方法
CN112237053B (zh) * 2018-06-26 2024-06-28 Dic株式会社 印刷配线板的制造方法
WO2020250827A1 (ja) * 2019-06-14 2020-12-17 株式会社ケイプラスモールドジャパン 金型および金型用ガス抜き部材の製造方法
JP2020203473A (ja) * 2019-09-30 2020-12-24 株式会社ケイプラスモールドジャパン 金型用ガス抜き部材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5494781A (en) 1996-02-27
CN1103233A (zh) 1995-05-31
JP3153682B2 (ja) 2001-04-09
DE4447897B4 (de) 2008-08-21
DE4429522A1 (de) 1995-03-02
CN1050730C (zh) 2000-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0766533A (ja) 回路板の製造方法
EP0677985B1 (en) Method of manufacturing printed circuit boards
US6649864B2 (en) Method of laser drilling
US5292559A (en) Laser transfer process
JP3493703B2 (ja) 回路板の形成方法
JPH06297168A (ja) レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに立体回路の形成方法、表面処理方法、粉末付着方法
JP2714475B2 (ja) 電子成分等を製造するためにレーザ走査を使用するリトグラフィ技術
JP3280619B2 (ja) 回路板の製造方法
JP3324982B2 (ja) 回路板の製造方法
JP3417094B2 (ja) 立体回路の形成方法
JP2001345536A (ja) 回路基板の製造方法
JP3182031B2 (ja) 選択めっき方法および回路板の製造方法
JP2000129449A (ja) チップ状電子部品の製造方法
JPH10173318A (ja) プリント基板の製造方法
JP3177023B2 (ja) フレキシブル配線基板の外形加工方法およびその装置
JP2013254892A (ja) 配線基板の製造方法
JP4235945B2 (ja) 金属配線形成方法および金属配線形成装置
JP2002248589A (ja) レーザ加工方法
JP2001177219A (ja) 回路板の製造方法
WO1990004911A1 (en) Fine featured electrical circuits
JPH0677281A (ja) バンプ形成方法
JP2000031624A (ja) 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板
JPH11277279A (ja) レーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射方法
JP3557041B2 (ja) リフレクタアンテナの製法
JP2004253605A (ja) プリント配線板の製造方法およびプリント配線板

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010116

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term