JPH0677281A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH0677281A JPH0677281A JP4224285A JP22428592A JPH0677281A JP H0677281 A JPH0677281 A JP H0677281A JP 4224285 A JP4224285 A JP 4224285A JP 22428592 A JP22428592 A JP 22428592A JP H0677281 A JPH0677281 A JP H0677281A
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- hole
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- metal
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃｕ箔を利用せず、また、バンプ金属の形状
を整えるための仕上げ用熱処理を不用として、高精度、
高密度のバンプ金属を絶縁フィルムに形成する。 【構成】 （１）銅箔のコーティングが設けられていな
いポリイミドフィルム１を用意する〔工程（ａ）〕。
（２）ポリイミドフィルム１に、エキシマレーザを使用
して、Ｈｅガス雰囲気内でバンプ穴３のパターンを形成
する〔工程（ｂ）〕。（３）加工されたバンプ穴３を有
するポリイミドフィルム１の下部に反射板５を配置し、
大気雰囲気中で、上部から、ＹＡＧレーザを照射するこ
とにより、ポリイミドフィルム１に設けられたバンプ穴
３の内周壁１’を活性化処理する〔工程（ｃ）〕。
（４）無電解銅めっき液中にバンプ穴の内周壁が活性化
されたポリイミドフィルム１を浸漬し、活性化された内
周壁１’の活性点を基にバンプ金属４を折出させる〔工
程（ｄ）〕。
を整えるための仕上げ用熱処理を不用として、高精度、
高密度のバンプ金属を絶縁フィルムに形成する。 【構成】 （１）銅箔のコーティングが設けられていな
いポリイミドフィルム１を用意する〔工程（ａ）〕。
（２）ポリイミドフィルム１に、エキシマレーザを使用
して、Ｈｅガス雰囲気内でバンプ穴３のパターンを形成
する〔工程（ｂ）〕。（３）加工されたバンプ穴３を有
するポリイミドフィルム１の下部に反射板５を配置し、
大気雰囲気中で、上部から、ＹＡＧレーザを照射するこ
とにより、ポリイミドフィルム１に設けられたバンプ穴
３の内周壁１’を活性化処理する〔工程（ｃ）〕。
（４）無電解銅めっき液中にバンプ穴の内周壁が活性化
されたポリイミドフィルム１を浸漬し、活性化された内
周壁１’の活性点を基にバンプ金属４を折出させる〔工
程（ｄ）〕。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バンプ形成方法に係
り、特に、コンピュータ用電子部品、民生用電子部品等
の高密度実装の部品において、ＬＳＩ等を配線基板に接
合する場合等にこれらの間に挾んで使用するコネクタフ
ィルムのバンプ形成方法に関する。
り、特に、コンピュータ用電子部品、民生用電子部品等
の高密度実装の部品において、ＬＳＩ等を配線基板に接
合する場合等にこれらの間に挾んで使用するコネクタフ
ィルムのバンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品等の高密度実装のために
コネクタフィルムを利用する技術の開発が進んでいる。
そして、この種のコネクタフィルムに関する従来技術と
して、例えば、日経エレクトロニクス １１９２．２．
１７ Ｎo.５４７ ｐ１０４、１０５等に記載された技
術が知られている。
コネクタフィルムを利用する技術の開発が進んでいる。
そして、この種のコネクタフィルムに関する従来技術と
して、例えば、日経エレクトロニクス １１９２．２．
１７ Ｎo.５４７ ｐ１０４、１０５等に記載された技
術が知られている。
【０００３】この従来技術は、ポリイミドフィルム上の
Ｃｕ箔コーティングを利用して電気めっきを実施し、そ
の後化学エッチングによりＣｕ箔を除去することによ
り、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｕ、Ｎｉ、はんだ等の種々の材料に
よるバンプをポリイミドフィルム上に形成するものであ
る。
Ｃｕ箔コーティングを利用して電気めっきを実施し、そ
の後化学エッチングによりＣｕ箔を除去することによ
り、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｕ、Ｎｉ、はんだ等の種々の材料に
よるバンプをポリイミドフィルム上に形成するものであ
る。
【０００４】図３は従来技術によるバンプ形成方法を説
明する図であり、以下、この図３を参照して従来技術の
方法を説明する。図３において、１はポリイミドフィル
ム、２はＣｕ箔、３はバンプ穴、４はバンプ金属であ
る。
明する図であり、以下、この図３を参照して従来技術の
方法を説明する。図３において、１はポリイミドフィル
ム、２はＣｕ箔、３はバンプ穴、４はバンプ金属であ
る。
【０００５】（１）絶縁フィルムとしてポリイミドフィ
ルム１を使用し、これにＣｕ箔２をコーティングした基
材を用意する〔工程（ａ）〕。
ルム１を使用し、これにＣｕ箔２をコーティングした基
材を用意する〔工程（ａ）〕。
【０００６】（２）エキシマレーザまたは他の化学的処
理により、ポリイミドフィルムにパターン化されたバン
プ穴３を形成する〔工程（ｂ）〕。
理により、ポリイミドフィルムにパターン化されたバン
プ穴３を形成する〔工程（ｂ）〕。
【０００７】（３）次に、Ｃｕ箔２を負極として、電気
めっきによりバンプ金属４を加工したバンプ穴３内にめ
っきする〔工程（ｃ）〕。
めっきによりバンプ金属４を加工したバンプ穴３内にめ
っきする〔工程（ｃ）〕。
【０００８】（４）次に、電極として用いたＣｕ箔２を
化学的エッチングにより除去する〔工程（ｄ）〕。
化学的エッチングにより除去する〔工程（ｄ）〕。
【０００９】（５）形成したバンプ金属４の融点に合わ
せて加熱する仕上げ用の熱処理を行い、ポリイミドフィ
ルム１の両面に、均等な形状の凸部を有するバンプ金属
を形成する〔工程（ｅ）〕。
せて加熱する仕上げ用の熱処理を行い、ポリイミドフィ
ルム１の両面に、均等な形状の凸部を有するバンプ金属
を形成する〔工程（ｅ）〕。
【００１０】前述した従来技術によれば、高密度なバン
プを有するコネクタフィルムを作成することができる。
プを有するコネクタフィルムを作成することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術は、
Ｃｕ箔を用いた電気めっき法によりバンプ金属を形成す
るようにしているので、バンプ金属としてＣｕと同様な
エッチング特性を有する金属を使用する場合、めっき形
成後、Ｃｕ箔をエッチングにより除去するとき、バンプ
金属をエッチングしないように、また、Ｃｕ箔が残留し
ないように、エッチング速度、エッチング時間をコント
ロールすることが困難であるという問題点を有してい
る。
Ｃｕ箔を用いた電気めっき法によりバンプ金属を形成す
るようにしているので、バンプ金属としてＣｕと同様な
エッチング特性を有する金属を使用する場合、めっき形
成後、Ｃｕ箔をエッチングにより除去するとき、バンプ
金属をエッチングしないように、また、Ｃｕ箔が残留し
ないように、エッチング速度、エッチング時間をコント
ロールすることが困難であるという問題点を有してい
る。
【００１２】また、前記従来技術は、電解めっきが困難
な金属を使用したバンプの形成が不可能であり、また、
エッチング後、形成されたバンプの形状を一定にする加
熱処理が必要であり、製造工程が複雑になり、コネクタ
フィルムを高価にするという問題点を有している。
な金属を使用したバンプの形成が不可能であり、また、
エッチング後、形成されたバンプの形状を一定にする加
熱処理が必要であり、製造工程が複雑になり、コネクタ
フィルムを高価にするという問題点を有している。
【００１３】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、Ｃｕ箔を利用することなく、また、バンプ金属
の形状を整えるための仕上げ用の熱処理を不用とし、高
精度、高密度のバンプ金属を絶縁フィルムに形成するこ
とのできる経済的なバンプ形成方法を提供することにあ
る。
解決し、Ｃｕ箔を利用することなく、また、バンプ金属
の形状を整えるための仕上げ用の熱処理を不用とし、高
精度、高密度のバンプ金属を絶縁フィルムに形成するこ
とのできる経済的なバンプ形成方法を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、Ｃｕ薄膜を使用せずに、バンプ穴内に無電解めっき
を行うことによりバンプ金属を生成するようにすること
により、また、無電解めっきを効率よく実行するため
に、パラジュウム等による均一全体処理を用いることな
く、レーザを使用して局部的に選択されためっきすべき
部分のみを活性化して、活性点を生成することにより、
さらに、バンプ穴の加工と、活性化のためにレーザ照射
時に使用する穴パターンのマスクを共通化するようにす
ることにより達成される。
は、Ｃｕ薄膜を使用せずに、バンプ穴内に無電解めっき
を行うことによりバンプ金属を生成するようにすること
により、また、無電解めっきを効率よく実行するため
に、パラジュウム等による均一全体処理を用いることな
く、レーザを使用して局部的に選択されためっきすべき
部分のみを活性化して、活性点を生成することにより、
さらに、バンプ穴の加工と、活性化のためにレーザ照射
時に使用する穴パターンのマスクを共通化するようにす
ることにより達成される。
【００１５】
【作用】無電解めっき用の活性化を、波長０．４８８μ
ｍまたは１．０６μｍのＡｒまたはＹＡＧレーザにより
行い、無電解めっきによりバンプ金属を形成することが
できるので、電解めっきを行うことのできない金属によ
るバンプを形成することができる。
ｍまたは１．０６μｍのＡｒまたはＹＡＧレーザにより
行い、無電解めっきによりバンプ金属を形成することが
できるので、電解めっきを行うことのできない金属によ
るバンプを形成することができる。
【００１６】バンプ穴の加工と、バンプ穴内面の活性化
処理とを、同一の穴パターンマスクを使用して行うこと
ができるので、高精度にバンプ金属を析出させることが
できる。また、穴加工は、レーザとしてエキシマレーザ
を用いて、Ｈｅ雰囲気内で行うようにすることにより、
高精度で、穴周囲が酸化物、炭化物等で汚染されない清
浄なバンプ穴を得ることができる。
処理とを、同一の穴パターンマスクを使用して行うこと
ができるので、高精度にバンプ金属を析出させることが
できる。また、穴加工は、レーザとしてエキシマレーザ
を用いて、Ｈｅ雰囲気内で行うようにすることにより、
高精度で、穴周囲が酸化物、炭化物等で汚染されない清
浄なバンプ穴を得ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明によるバンプ形成方法の一実施
例を図面により詳細に説明する。
例を図面により詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の一実施例によるバンプ形成
工程を説明する図、図２は本発明に使用する加工装置を
説明する図である。図１、図２において、５は反射板、
６は穴パターンマスク、７、８はミラーであり、他の符
号は図３の場合と同一である。
工程を説明する図、図２は本発明に使用する加工装置を
説明する図である。図１、図２において、５は反射板、
６は穴パターンマスク、７、８はミラーであり、他の符
号は図３の場合と同一である。
【００１９】（１）絶縁フィルムとして、ポリイミドフ
ィルム１を用意する。このポリイミドフィルムには、銅
箔のコーティングが設けられる必要はない〔工程
（ａ）〕。
ィルム１を用意する。このポリイミドフィルムには、銅
箔のコーティングが設けられる必要はない〔工程
（ａ）〕。
【００２０】（２）ポリイミドフィルム１に、例えば、
エキシマレーザ等を使用して、バンプ穴３のパターンを
形成する。この穴加工は、Ｈｅガス雰囲気等の不活性雰
囲気内で行う。これにより、生成された穴の周囲に酸化
物、炭化物等が付着することなく、エキシマレーザの短
波長レーザの効果と相まって、精密で清浄なバンプ穴を
形成することができる〔工程（ｂ）〕。
エキシマレーザ等を使用して、バンプ穴３のパターンを
形成する。この穴加工は、Ｈｅガス雰囲気等の不活性雰
囲気内で行う。これにより、生成された穴の周囲に酸化
物、炭化物等が付着することなく、エキシマレーザの短
波長レーザの効果と相まって、精密で清浄なバンプ穴を
形成することができる〔工程（ｂ）〕。
【００２１】（３）加工されたバンプ穴３を有するポリ
イミドフィルム１の下部に反射板５を配置し、大気雰囲
気中で、上部から、例えば、ＹＡＧレーザを照射するこ
とにより、ポリイミドフィルム１に設けられたバンプ穴
３の内周壁１’を活性化処理し、活性点を生成させる
〔工程（ｃ）〕。
イミドフィルム１の下部に反射板５を配置し、大気雰囲
気中で、上部から、例えば、ＹＡＧレーザを照射するこ
とにより、ポリイミドフィルム１に設けられたバンプ穴
３の内周壁１’を活性化処理し、活性点を生成させる
〔工程（ｃ）〕。
【００２２】（４）次に、例えば、Ｃｕをバンプ金属と
してバンプ穴内に折出させる場合、無電解銅めっき液中
にバンプ穴の内周壁が活性化されたポリイミドフィルム
１を浸漬する。これにより、活性化された内周壁１’の
活性点を基にバンプ金属４、この例の場合銅が折出す
る。この無電解めっき処理は、その処理時間を制御する
ことにより、バンプ金属４が、ポリイミドフィルム１の
両面に対称的に凸部を有するように形成することができ
る〔工程（ｄ）〕。
してバンプ穴内に折出させる場合、無電解銅めっき液中
にバンプ穴の内周壁が活性化されたポリイミドフィルム
１を浸漬する。これにより、活性化された内周壁１’の
活性点を基にバンプ金属４、この例の場合銅が折出す
る。この無電解めっき処理は、その処理時間を制御する
ことにより、バンプ金属４が、ポリイミドフィルム１の
両面に対称的に凸部を有するように形成することができ
る〔工程（ｄ）〕。
【００２３】前述の工程（ｃ）におけるレーザによる活
性化処理は、図１に示す例では、バンプ穴３に対応する
突起を有する反射板５をポリイミドフィルムの下部にに
設けて行うとしたが、この反射板５は、平板の反射板で
よく、特に、散乱反射する平板の反射板を用いるとよ
い。また、この活性化処理は、レーザのエネルギーによ
り、ポリイミドフィルム表面に何らかの物理的変化を生
じて、無電解めっき時の金属析出点を生じさせるもの
で、本発明者等によって発見された現象である。
性化処理は、図１に示す例では、バンプ穴３に対応する
突起を有する反射板５をポリイミドフィルムの下部にに
設けて行うとしたが、この反射板５は、平板の反射板で
よく、特に、散乱反射する平板の反射板を用いるとよ
い。また、この活性化処理は、レーザのエネルギーによ
り、ポリイミドフィルム表面に何らかの物理的変化を生
じて、無電解めっき時の金属析出点を生じさせるもの
で、本発明者等によって発見された現象である。
【００２４】前述した本発明によるバンプ形成方法によ
れば、エッチング処理はもちろん熱処理等も不要とし
て、バンプの形成を行うことができる。
れば、エッチング処理はもちろん熱処理等も不要とし
て、バンプの形成を行うことができる。
【００２５】次に、前述したバンプ穴３の加工及び活性
化処理に使用するレーザ装置の構成を図２により説明す
る。
化処理に使用するレーザ装置の構成を図２により説明す
る。
【００２６】本発明の一実施例においては、バンブ穴３
の加工用のレーザＡとして、穴の形状精度を高いものと
するため、波長の短いエキシマレーザを使用し、バンブ
穴内面の活性化処理用のレーザＢとして、ＹＡＧレー
ザ、Ａｒレーザ等を使用する。そして、これらのレーザ
からのビームは、それぞれ、ミラー８、７により反射さ
れ同一の光軸となるように導かれ、穴パターンマスク６
を介してポリイミドフィルム１上に照射される。
の加工用のレーザＡとして、穴の形状精度を高いものと
するため、波長の短いエキシマレーザを使用し、バンブ
穴内面の活性化処理用のレーザＢとして、ＹＡＧレー
ザ、Ａｒレーザ等を使用する。そして、これらのレーザ
からのビームは、それぞれ、ミラー８、７により反射さ
れ同一の光軸となるように導かれ、穴パターンマスク６
を介してポリイミドフィルム１上に照射される。
【００２７】このような構成とすることにより、穴パタ
ーンマスク６を共通に使用して穴加工、活性化処理を行
うことができる。なお、これらの処理は、ミラー８また
は７により、ビームを走査し、あるいは、スポットスキ
ャンすることにより行うことができる。
ーンマスク６を共通に使用して穴加工、活性化処理を行
うことができる。なお、これらの処理は、ミラー８また
は７により、ビームを走査し、あるいは、スポットスキ
ャンすることにより行うことができる。
【００２８】前述のレーザ照射は、無電解めっきを行う
場合にも同様に利用することができ、無電解めっき中
に、穴パターンマスクを介して、めっき中のバンプ穴に
レーザを照射することにより、バンプ金属の析出時間の
短縮を図ることができる。
場合にも同様に利用することができ、無電解めっき中
に、穴パターンマスクを介して、めっき中のバンプ穴に
レーザを照射することにより、バンプ金属の析出時間の
短縮を図ることができる。
【００２９】前述した本発明の一実施例は、絶縁フィル
ムとしてポリイミドを使用し、バンプ金属としてＣｕを
使用するとしたが、本発明は、ポリエステル等の他のプ
ラスチックフィルム、セラミックフィルム等の無機材料
による絶縁フィルムを使用することができ、また、バン
プ金属としてＡｕ、Ｓｕ、Ｎｉ、はんだ等を使用するこ
とができる。
ムとしてポリイミドを使用し、バンプ金属としてＣｕを
使用するとしたが、本発明は、ポリエステル等の他のプ
ラスチックフィルム、セラミックフィルム等の無機材料
による絶縁フィルムを使用することができ、また、バン
プ金属としてＡｕ、Ｓｕ、Ｎｉ、はんだ等を使用するこ
とができる。
【００３０】前述した本発明の一実施例によれば、エッ
チング処理はもちろん熱処理等も不要として、バンプの
形成を行うことができるので、絶縁フィルムとして高温
の処理に耐えることのできないものをも使用することが
でき、エッチング液と反応して従来技術では使用不可能
であった金属をもバンプ金属として使用することがで
き、さらに、電解めっきが不可能な金属をもバンプ金属
として使用することができる。
チング処理はもちろん熱処理等も不要として、バンプの
形成を行うことができるので、絶縁フィルムとして高温
の処理に耐えることのできないものをも使用することが
でき、エッチング液と反応して従来技術では使用不可能
であった金属をもバンプ金属として使用することがで
き、さらに、電解めっきが不可能な金属をもバンプ金属
として使用することができる。
【００３１】また、前述した本発明の一実施例によれ
ば、バンプ穴加工と穴内の活性化処理とを同一の穴パタ
ーンマスクを使用して行っているので、バンプ穴内のみ
を高精度に活性化することができるので、高精度、高密
度なバンプ金属の形成を行うことができる。
ば、バンプ穴加工と穴内の活性化処理とを同一の穴パタ
ーンマスクを使用して行っているので、バンプ穴内のみ
を高精度に活性化することができるので、高精度、高密
度なバンプ金属の形成を行うことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｃ
ｕ箔を利用することなく、また、バンプ金属の形状を整
えるための仕上げ用の熱処理を不用とし、高精度、高密
度のバンプ金属を絶縁フィルムに形成することができ
る。
ｕ箔を利用することなく、また、バンプ金属の形状を整
えるための仕上げ用の熱処理を不用とし、高精度、高密
度のバンプ金属を絶縁フィルムに形成することができ
る。
【図１】本発明の一実施例によるバンプ形成工程を説明
する図である。
する図である。
【図２】本発明に使用するレーザ装置を説明する図であ
る。
る。
【図３】従来技術によるバンプ形成方法を説明する図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ ポリイミドフィルム ２ Ｃｕ箔 ３ バンプ穴 ４ バンプ金属 ５ 反射板 ６ 穴パターンマスク ７、８ ミラー
Claims (3)
- 【請求項１】 穴加工された絶縁フィルムの穴内にバン
プ金属を形成するバンプ形成方法において、レーザによ
り前記穴の内面に活性点を生成し、無電解めっきによ
り、前記活性点を基にバンプ金属を折出させることを特
徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】 前記穴の内面に活性点を生じさせる方法
として、レーザ印加側とは反対面に、反射板を配置する
ことを特徴とする請求項１記載のバンプ形成方法。 - 【請求項３】 穴加工用レーザと活性点形成用レーザと
で、同一穴パターンマスクを共通に使用することを特徴
とする請求項１または２記載のバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4224285A JPH0677281A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4224285A JPH0677281A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677281A true JPH0677281A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16811381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4224285A Pending JPH0677281A (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011526422A (ja) * | 2008-07-02 | 2011-10-06 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 高温で使用するためのプレーナ型電力電子構成素子およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP4224285A patent/JPH0677281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011526422A (ja) * | 2008-07-02 | 2011-10-06 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 高温で使用するためのプレーナ型電力電子構成素子およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |