JP2000031624A - 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板 - Google Patents
導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板Info
- Publication number
- JP2000031624A JP2000031624A JP10195602A JP19560298A JP2000031624A JP 2000031624 A JP2000031624 A JP 2000031624A JP 10195602 A JP10195602 A JP 10195602A JP 19560298 A JP19560298 A JP 19560298A JP 2000031624 A JP2000031624 A JP 2000031624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive pattern
- conductive
- pattern
- transfer plate
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この種の配線板の試作を、マスク作成、エッ
チング処理等を経ることなく、簡単かつ迅速に行わせる
こと。 【解決手段】 物体表面に導電性パターンを形成するた
めの方法であって、レーザ光を殆ど透過させる性質を有
する基板の片面に導電性被膜を被着させてなる転写板
を、導電性パターンの形成対象となる物体表面に、前記
導電性被膜が対面するようにして重ね合わせ、該重ね合
わされた転写板にその背後から所望のパターンに対応さ
せてレーザ光を照射することにより、前記転写板上の導
電性被膜を前記物体表面に向けて所望パターンでスパッ
タさせて転写する。
チング処理等を経ることなく、簡単かつ迅速に行わせる
こと。 【解決手段】 物体表面に導電性パターンを形成するた
めの方法であって、レーザ光を殆ど透過させる性質を有
する基板の片面に導電性被膜を被着させてなる転写板
を、導電性パターンの形成対象となる物体表面に、前記
導電性被膜が対面するようにして重ね合わせ、該重ね合
わされた転写板にその背後から所望のパターンに対応さ
せてレーザ光を照射することにより、前記転写板上の導
電性被膜を前記物体表面に向けて所望パターンでスパッ
タさせて転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、回路設
計段階における配線板の試作、あるいは、配線板の少量
生産等に好適な導電性パターンを形成するための方法及
び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板に関す
る。
計段階における配線板の試作、あるいは、配線板の少量
生産等に好適な導電性パターンを形成するための方法及
び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路設計の段階では、設計途中の
回路動作を確認するために、配線板の試作が何度か必要
となる。この配線板の試作は、次のような手順で行われ
る。まず、設計者の側でＣＡＤによりシミュレーション
を繰り返し、試作版を決定する。次いで、この試作版を
作るために写真撮影が行われる。この写真はマスク業者
へと送られてマスクが作成される。さらに、エッチング
業者へ送られて、フォトリソ、あるいはリフトオン法等
で配線母材上に露光が行われ、エッチング処理へと移行
される。さらに、別の業者において、実装部品のボンデ
ィングが行われた後、試作品は設計者の元へと届けられ
る。
回路動作を確認するために、配線板の試作が何度か必要
となる。この配線板の試作は、次のような手順で行われ
る。まず、設計者の側でＣＡＤによりシミュレーション
を繰り返し、試作版を決定する。次いで、この試作版を
作るために写真撮影が行われる。この写真はマスク業者
へと送られてマスクが作成される。さらに、エッチング
業者へ送られて、フォトリソ、あるいはリフトオン法等
で配線母材上に露光が行われ、エッチング処理へと移行
される。さらに、別の業者において、実装部品のボンデ
ィングが行われた後、試作品は設計者の元へと届けられ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の配線板試作方法にあっては、発注から納品に
至るまで２週間程度の日数とかなりの費用がかかるた
め、限られた予算の中では、試作回数に制限を受け、結
局十分な検討を行うことなく製品化する結果となるとい
った問題がある他、そもそも試作は外注業者への委託と
なるため、機密保持上も好ましくない等の問題点があっ
た。
うな従来の配線板試作方法にあっては、発注から納品に
至るまで２週間程度の日数とかなりの費用がかかるた
め、限られた予算の中では、試作回数に制限を受け、結
局十分な検討を行うことなく製品化する結果となるとい
った問題がある他、そもそも試作は外注業者への委託と
なるため、機密保持上も好ましくない等の問題点があっ
た。
【０００４】この発明は、上述した従来の問題点に着目
してなされたものであり、その目的とするところは、こ
の種の配線板の試作を、マスク作成、エッチング処理等
を経ることなく、簡単かつ迅速に行わせることができる
ようにした、導電性パターンを形成するための方法及び
装置、並びに、導電性パターン形成用転写板を提供する
ことにある。
してなされたものであり、その目的とするところは、こ
の種の配線板の試作を、マスク作成、エッチング処理等
を経ることなく、簡単かつ迅速に行わせることができる
ようにした、導電性パターンを形成するための方法及び
装置、並びに、導電性パターン形成用転写板を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の導電性パターンを形成するための方法
は、物体表面に導電性パターンを形成するための方法で
あって、レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の
片面に導電性被膜を被着させてなる転写板を、導電性パ
ターンの形成対象となる物体表面に、前記導電性被膜が
対面するようにして重ね合わせ、該重ね合わされた転写
板にその背後から所望のパターンに対応させてレーザ光
を照射することにより、前記転写板上の導電性被膜を前
記物体表面に向けて所望パターンでスパッタさせて転写
する、ことを特徴とするものである。
めに、本発明の導電性パターンを形成するための方法
は、物体表面に導電性パターンを形成するための方法で
あって、レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の
片面に導電性被膜を被着させてなる転写板を、導電性パ
ターンの形成対象となる物体表面に、前記導電性被膜が
対面するようにして重ね合わせ、該重ね合わされた転写
板にその背後から所望のパターンに対応させてレーザ光
を照射することにより、前記転写板上の導電性被膜を前
記物体表面に向けて所望パターンでスパッタさせて転写
する、ことを特徴とするものである。
【０００６】また、本発明の導電性パターンを形成する
ための装置は、物体表面に導電性パターンを形成するた
めの装置であって、レーザ光を殆ど透過させる性質を有
する基板の片面に導電性被膜を被着させてなる転写板
と、導電性パターンの形成対象となる物体表面に、前記
導電性被膜が対面するようにして、前記転写板が重ねら
れた状態において、前記転写板に対してその背後から所
望のパターンに対応させてレーザ光を照射する走査型レ
ーザマーカと、を具備することを特徴とするものであ
る。
ための装置は、物体表面に導電性パターンを形成するた
めの装置であって、レーザ光を殆ど透過させる性質を有
する基板の片面に導電性被膜を被着させてなる転写板
と、導電性パターンの形成対象となる物体表面に、前記
導電性被膜が対面するようにして、前記転写板が重ねら
れた状態において、前記転写板に対してその背後から所
望のパターンに対応させてレーザ光を照射する走査型レ
ーザマーカと、を具備することを特徴とするものであ
る。
【０００７】さらに、本発明の導電性パターン形成用転
写板は、レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の
一方の面に、該基板に対して他方の面からレーザ光を照
射したときに瞬時に蒸発乃至昇華する性質を有する導電
性被膜を被着させてなることを特徴とするものである。
写板は、レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の
一方の面に、該基板に対して他方の面からレーザ光を照
射したときに瞬時に蒸発乃至昇華する性質を有する導電
性被膜を被着させてなることを特徴とするものである。
【０００８】上述した３つの発明において、『レーザ光
を殆ど透過させる性質を有する基板』とあるのは、レー
ザ光の性質と基板の材質との関係を規定するものであ
る。例えば、レーザ光としてＹＡＧレーザ光を使用する
場合、基板の材質としてはガラスを採用することができ
る。また、『導電性被膜』としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｃｒ等といった、いわゆる配線材料となる金
属、あるいは抵抗素材を採用することができる。なお、
それら金属の中で、Ａｕは酸化されにくいため、レーザ
光の照射並びにそれに伴うスパッタを大気中で行うこと
ができるが、Ｃｕ，Ａｌ等の酸化されやすい金属の場合
には、スパッタされる金属が酸化されないように、不活
性若しくは還元性雰囲気中にて行うことが好ましい。そ
のような雰囲気としては、窒素ガス雰囲気を挙げること
ができる。本発明方法で、配線板の試作を行おうとする
場合、導電性パターンの形成対象となる物体は、プリン
ト配線板の素材となる板材（例えば、ガラエポ、セラミ
ック等）となるであろう。
を殆ど透過させる性質を有する基板』とあるのは、レー
ザ光の性質と基板の材質との関係を規定するものであ
る。例えば、レーザ光としてＹＡＧレーザ光を使用する
場合、基板の材質としてはガラスを採用することができ
る。また、『導電性被膜』としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｃｒ等といった、いわゆる配線材料となる金
属、あるいは抵抗素材を採用することができる。なお、
それら金属の中で、Ａｕは酸化されにくいため、レーザ
光の照射並びにそれに伴うスパッタを大気中で行うこと
ができるが、Ｃｕ，Ａｌ等の酸化されやすい金属の場合
には、スパッタされる金属が酸化されないように、不活
性若しくは還元性雰囲気中にて行うことが好ましい。そ
のような雰囲気としては、窒素ガス雰囲気を挙げること
ができる。本発明方法で、配線板の試作を行おうとする
場合、導電性パターンの形成対象となる物体は、プリン
ト配線板の素材となる板材（例えば、ガラエポ、セラミ
ック等）となるであろう。
【０００９】そして、本発明の方法及び装置、並びに、
転写板によれば、転写板の裏面に被着された導電性被膜
を、レーザ照射により物体表面にスパッタさせて転写す
るという構成を採用しているため、設計段階のシミュレ
ーションで得られたＣＡＤデータを走査型レーザマーカ
に教示してレーザビームの照射軌跡を制御することによ
り、従来方法のように、マスク作成やエッチング処理が
全く不要となり、比較的安価かつ小規模の設備をもっ
て、外部業者を利用することなく、配線板の試作を迅速
に行うことができ、その結果試作回数を十分増加するこ
とにより、信頼性の高い回路設計が可能となる。加え
て、外注業者に対する機密保持上も確かなものとなる。
転写板によれば、転写板の裏面に被着された導電性被膜
を、レーザ照射により物体表面にスパッタさせて転写す
るという構成を採用しているため、設計段階のシミュレ
ーションで得られたＣＡＤデータを走査型レーザマーカ
に教示してレーザビームの照射軌跡を制御することによ
り、従来方法のように、マスク作成やエッチング処理が
全く不要となり、比較的安価かつ小規模の設備をもっ
て、外部業者を利用することなく、配線板の試作を迅速
に行うことができ、その結果試作回数を十分増加するこ
とにより、信頼性の高い回路設計が可能となる。加え
て、外注業者に対する機密保持上も確かなものとなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な一実施例
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】本発明方法を実施するための装置の一実施
形態が図１に示されている。同図において１はＹＡＧレ
ーザを殆ど透過させる性質を有するガラス板、２はプリ
ント配線板の素材となる母材（例えば、ガラエポ、セラ
ミック等）である。図に示されるように、それら２枚の
板１，２は、ガラス板１を上にした状態１〜５μｍの隙
間を介して重ね合わされ、図示しない走査型レーザマー
カ３の試料台の上に位置決めされている。ガラス板１の
配線母材２と対向する面には導電性被膜４が被着されて
いる。導電性被膜４の材質としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｃｒ等を挙げることができる。もっとも、酸
化されやすいことを考慮した場合、導電性被膜の材質と
しては金（Ａｕ）が最も好ましいと思われる。それら導
電性被膜の被着方法としては、真空蒸着、スパッタリン
グ等を挙げることができる。また、被膜の厚さは、目的
とする配線パターンの厚さを考慮して決定される。
形態が図１に示されている。同図において１はＹＡＧレ
ーザを殆ど透過させる性質を有するガラス板、２はプリ
ント配線板の素材となる母材（例えば、ガラエポ、セラ
ミック等）である。図に示されるように、それら２枚の
板１，２は、ガラス板１を上にした状態１〜５μｍの隙
間を介して重ね合わされ、図示しない走査型レーザマー
カ３の試料台の上に位置決めされている。ガラス板１の
配線母材２と対向する面には導電性被膜４が被着されて
いる。導電性被膜４の材質としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａ
ｌ，Ｃｕ，Ｃｒ等を挙げることができる。もっとも、酸
化されやすいことを考慮した場合、導電性被膜の材質と
しては金（Ａｕ）が最も好ましいと思われる。それら導
電性被膜の被着方法としては、真空蒸着、スパッタリン
グ等を挙げることができる。また、被膜の厚さは、目的
とする配線パターンの厚さを考慮して決定される。
【００１２】次に、走査型レーザマーカ３について説明
する。図中、Ｌ１は図示しないＹＡＧレーザ発振器から
到来するレーザ光、３１はこのレーザ光Ｌ１をＸ軸方向
へと指向制御する反射ミラー、３２はレーザ光Ｌ１をＹ
軸方向へ指向制御する反射ミラー、３３は反射ミラー３
１の旋回を制御するＸ軸ガルバノメータスキャナ、３４
は反射ミラー３２の旋回を制御するＹ軸ガルバノメータ
スキャナ、３５はそれら指向制御されたレーザ光を収束
してガラス板１をその背後からスポット照射するレンズ
である。ガルバノメータスキャナ３３，３４は、当業者
にはよく知られているように、回路パターン設計用のＣ
ＡＤデータに基づいて回転制御され、これによりＣＡＤ
データにて教示された座標位置に対して、所定スポット
径のレーザ光照射が行われる。
する。図中、Ｌ１は図示しないＹＡＧレーザ発振器から
到来するレーザ光、３１はこのレーザ光Ｌ１をＸ軸方向
へと指向制御する反射ミラー、３２はレーザ光Ｌ１をＹ
軸方向へ指向制御する反射ミラー、３３は反射ミラー３
１の旋回を制御するＸ軸ガルバノメータスキャナ、３４
は反射ミラー３２の旋回を制御するＹ軸ガルバノメータ
スキャナ、３５はそれら指向制御されたレーザ光を収束
してガラス板１をその背後からスポット照射するレンズ
である。ガルバノメータスキャナ３３，３４は、当業者
にはよく知られているように、回路パターン設計用のＣ
ＡＤデータに基づいて回転制御され、これによりＣＡＤ
データにて教示された座標位置に対して、所定スポット
径のレーザ光照射が行われる。
【００１３】ガラス板１と配線母材２との積層体に対
し、レーザ光Ｌ２を照射した場合の作用が、図２に示さ
れている。図において、１はガラス板、２は配線母材、
４はガラス板１の下面に被着された導電性被膜、Ｌ２は
照射開始位置にあるレーザ光、Ｌ２’は照射終了位置に
あるレーザ光である。
し、レーザ光Ｌ２を照射した場合の作用が、図２に示さ
れている。図において、１はガラス板、２は配線母材、
４はガラス板１の下面に被着された導電性被膜、Ｌ２は
照射開始位置にあるレーザ光、Ｌ２’は照射終了位置に
あるレーザ光である。
【００１４】同図（ａ）に示されるように、走査型レー
ザマーカ９から到来するレーザ光Ｌ２は、ガラス板１を
透過してその下面に被着された導電性被膜４に照射され
る。すると、レーザ光照射位置にある導電性被膜４は、
レーザ光Ｌ２の光圧を受けて対面する配線母材２側へ向
けて飛散（スパッタ）する。こうして、レーザ光がＬ２
からＬ２’へと移動すると、その移動経路に存在する導
電性被膜４は、配線母材２側へと一定の態様で飛散す
る。
ザマーカ９から到来するレーザ光Ｌ２は、ガラス板１を
透過してその下面に被着された導電性被膜４に照射され
る。すると、レーザ光照射位置にある導電性被膜４は、
レーザ光Ｌ２の光圧を受けて対面する配線母材２側へ向
けて飛散（スパッタ）する。こうして、レーザ光がＬ２
からＬ２’へと移動すると、その移動経路に存在する導
電性被膜４は、配線母材２側へと一定の態様で飛散す
る。
【００１５】レーザ光がＬ２の位置からＬ２’の位置ま
で移動した後の、配線母材２の表面の状態が同図（ｂ）
に示されている。同図に示されるように、ガラス板１の
下面側に被着されていた導電性被膜４の一部は、転写パ
ターン４ａとして配線母材２側へと転写されている。図
３には、ガラス板１を部分的に切り欠くことにより、転
写母材２の表面に形成された転写パターン４ａを示して
いる。この例では、レーザ光Ｌ２はＹ方向へと走査され
たものであり、その結果レーザ光Ｌ２の走査軌跡に沿っ
て、一直線上に３個の線分状転写パターン４ａ，４ａ，
４ａが形成されている。配線母材２の表面に形成される
導電性パターンの形態は、レーザ光Ｌ２の走査軌跡に応
じて任意に設定することができる。また、配線母材２上
に形成された導電性パターン４ａの厚みは、導電性被膜
４の膜厚を制御することにより任意に設定することがで
きる。なお、膜厚の制御は、蒸着プロセス、スパッタリ
ングプロセスにおいて適宜行うことができる。また、転
写パターン４ａの線幅は、レーザ光のスポット径と描画
方式により制御することができる。描画方式には、当業
者によく知られているように、ワブリング方式、塗りつ
ぶし方式、ラスタスキャン方式が存在する。なお、導電
性被膜４として抵抗率の高いものを局部的に使用すれ
ば、その部分に対応する転写パターン４ａは抵抗体とし
て機能することができる。さらに、多層基板を製作した
い場合には、導電性パターン４ａが被着された配線母材
の表面を絶縁性被膜で覆い、この絶縁性被膜の上にさら
に転写パターン４ａを重ねて形成するようにすればよ
い。尚、導電性被膜４としてＣｕ，Ａｌ等の酸化する材
質を使用する場合には、レーザ光Ｌ２の照射部位を密閉
空間内に置き、この空間内に窒素ガスを充填すればよい
であろう。
で移動した後の、配線母材２の表面の状態が同図（ｂ）
に示されている。同図に示されるように、ガラス板１の
下面側に被着されていた導電性被膜４の一部は、転写パ
ターン４ａとして配線母材２側へと転写されている。図
３には、ガラス板１を部分的に切り欠くことにより、転
写母材２の表面に形成された転写パターン４ａを示して
いる。この例では、レーザ光Ｌ２はＹ方向へと走査され
たものであり、その結果レーザ光Ｌ２の走査軌跡に沿っ
て、一直線上に３個の線分状転写パターン４ａ，４ａ，
４ａが形成されている。配線母材２の表面に形成される
導電性パターンの形態は、レーザ光Ｌ２の走査軌跡に応
じて任意に設定することができる。また、配線母材２上
に形成された導電性パターン４ａの厚みは、導電性被膜
４の膜厚を制御することにより任意に設定することがで
きる。なお、膜厚の制御は、蒸着プロセス、スパッタリ
ングプロセスにおいて適宜行うことができる。また、転
写パターン４ａの線幅は、レーザ光のスポット径と描画
方式により制御することができる。描画方式には、当業
者によく知られているように、ワブリング方式、塗りつ
ぶし方式、ラスタスキャン方式が存在する。なお、導電
性被膜４として抵抗率の高いものを局部的に使用すれ
ば、その部分に対応する転写パターン４ａは抵抗体とし
て機能することができる。さらに、多層基板を製作した
い場合には、導電性パターン４ａが被着された配線母材
の表面を絶縁性被膜で覆い、この絶縁性被膜の上にさら
に転写パターン４ａを重ねて形成するようにすればよ
い。尚、導電性被膜４としてＣｕ，Ａｌ等の酸化する材
質を使用する場合には、レーザ光Ｌ２の照射部位を密閉
空間内に置き、この空間内に窒素ガスを充填すればよい
であろう。
【００１６】最後に、本発明を実施して配線板を製作す
る場合における要点を列挙する。まず、回路基板の材質
としては、特に限定されるものではなく、例えばガラエ
ポ基板、セラミック基板等を任意に選択できる。レーザ
光としてＹＡＧレーザ光を採用する場合、ガラス板１の
下面側に被着される導電性被膜の材質としては、様々な
ものを利用できる。それらの中で特に実用性の高いもの
としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒ等を挙げるこ
とができる。また、導電性被膜の膜厚としては、標準的
な回路基板の作成の場合、１〜５μｍ程度に設定され
る。また、その被着方法としては、蒸着方法、スパッタ
リング方法等を選択することができる。また、転写パタ
ーン４ａの酸化を防止するための不活性若しくは還元性
雰囲気としては、窒素ガスの他に、アルゴンガス、キセ
ノンガス等を挙げることができる。
る場合における要点を列挙する。まず、回路基板の材質
としては、特に限定されるものではなく、例えばガラエ
ポ基板、セラミック基板等を任意に選択できる。レーザ
光としてＹＡＧレーザ光を採用する場合、ガラス板１の
下面側に被着される導電性被膜の材質としては、様々な
ものを利用できる。それらの中で特に実用性の高いもの
としては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒ等を挙げるこ
とができる。また、導電性被膜の膜厚としては、標準的
な回路基板の作成の場合、１〜５μｍ程度に設定され
る。また、その被着方法としては、蒸着方法、スパッタ
リング方法等を選択することができる。また、転写パタ
ーン４ａの酸化を防止するための不活性若しくは還元性
雰囲気としては、窒素ガスの他に、アルゴンガス、キセ
ノンガス等を挙げることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の
片面に導電性被膜を被着させてなる転写板を、導電性パ
ターンの形成対象となる物体表面に、前記導電性被膜が
対面するようにして重ね合わせ、該重ね合わされた転写
板にその背後から所望のパターンに対応させてレーザ光
を照射することにより、前記転写板上の導電性被膜を前
記物体表面に向けて所望パターンでスパッタさせて転写
するものであるから、従来のフォトリソ法あるいはリフ
トオン法等を利用したものに比べ、簡単かつ迅速に製造
を行うことができる。殊に、この発明では、通常外注業
者へ依存せざるを得ないエッチング工程、マスク作成工
程等を使用しないため、機密保持の点にも優れるという
利点がある。
よれば、レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の
片面に導電性被膜を被着させてなる転写板を、導電性パ
ターンの形成対象となる物体表面に、前記導電性被膜が
対面するようにして重ね合わせ、該重ね合わされた転写
板にその背後から所望のパターンに対応させてレーザ光
を照射することにより、前記転写板上の導電性被膜を前
記物体表面に向けて所望パターンでスパッタさせて転写
するものであるから、従来のフォトリソ法あるいはリフ
トオン法等を利用したものに比べ、簡単かつ迅速に製造
を行うことができる。殊に、この発明では、通常外注業
者へ依存せざるを得ないエッチング工程、マスク作成工
程等を使用しないため、機密保持の点にも優れるという
利点がある。
【図１】本発明方法を実施するための装置の構成を概略
的に示す斜視図である。
的に示す斜視図である。
【図２】レーザ光の照射中と照射後との状態とを比較し
て示す断面図である。
て示す断面図である。
【図３】配線母材上に転写された転写パターンを、その
上に重ねられたガラス板を切り欠いて示す斜視図であ
る。
上に重ねられたガラス板を切り欠いて示す斜視図であ
る。
１ ガラス板 ２ 配線母材 ３ 走査型レーザマーカ ４ 導電性被膜 ４ａ 転写パターン Ｌ１，Ｌ２ レーザ光 ３１ Ｘ方向反射ミラー ３２ Ｙ方向反射ミラー ３３ Ｘ方向ガルバノメータスキャナ ３４ Ｙ方向ガルバノメータスキャナ ３５ レンズ
Claims (5)
- 【請求項１】 物体表面に導電性パターンを形成するた
めの方法であって、 レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の片面に導
電性被膜を被着させてなる転写板を、導電性パターンの
形成対象となる物体表面に、前記導電性被膜が対面する
ようにして重ね合わせ、該重ね合わされた転写板にその
背後から所望のパターンに対応させてレーザ光を照射す
ることにより、前記転写板上の導電性被膜を前記物体表
面に向けて所望パターンでスパッタさせて転写する、こ
とを特徴とする導電性パターンを形成する方法。 - 【請求項２】 物体表面に導電性パターンを形成するた
めの装置であって、 レーザ光を殆ど透過させる性質を有する基板の片面に導
電性被膜を被着させてなる転写板と、 導電性パターンの形成対象となる物体表面に、前記導電
性被膜が対面するようにして、前記転写板が重ねられた
状態において、前記転写板に対してその背後から所望の
パターンに対応させてレーザ光を照射する走査型レーザ
マーカと、 を具備することを特徴とする導電性パターンを形成する
装置。 - 【請求項３】 レーザ光を殆ど透過させる性質を有する
基板の一方の面に、該基板に対して他方の面からレーザ
光を照射したときに瞬時に蒸発乃至昇華する性質を有す
る導電性被膜を被着させてなることを特徴とする導電性
パターン形成用転写板。 - 【請求項４】 前記レーザ光の照射は、不活性若しくは
還元性雰囲気中にて行なわれることを特徴とする請求項
１若しくは２に記載の方法若しくは装置。 - 【請求項５】 前記導電性パターンの形成対象となる物
体は、プリント配線板の素材となる配線母材であること
を特徴とする請求項１若しくは２に記載の方法若しくは
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195602A JP2000031624A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10195602A JP2000031624A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031624A true JP2000031624A (ja) | 2000-01-28 |
| JP2000031624A5 JP2000031624A5 (ja) | 2005-10-27 |
Family
ID=16343895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195602A Pending JP2000031624A (ja) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031624A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10347035A1 (de) * | 2003-10-09 | 2005-05-12 | Giesecke & Devrient Gmbh | Elektronischer Datenträger |
| JP2008053698A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7994021B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN110415958A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-05 | 深圳鑫振华光电科技有限公司 | 片状式电感器的制备方法 |
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10195602A patent/JP2000031624A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10347035A1 (de) * | 2003-10-09 | 2005-05-12 | Giesecke & Devrient Gmbh | Elektronischer Datenträger |
| DE10347035B4 (de) * | 2003-10-09 | 2013-05-23 | Giesecke & Devrient Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen elektrisch leitender Strukturen auf einem Substrat für einen elektronischen Datenträger |
| JP2008053698A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US7994021B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8703579B2 (en) | 2006-07-28 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laborator Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN110415958A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-05 | 深圳鑫振华光电科技有限公司 | 片状式电感器的制备方法 |
| CN110415958B (zh) * | 2019-08-07 | 2021-09-17 | 深圳鑫振华光电科技有限公司 | 片状式电感器的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW388190B (en) | Method and apparatus for forming a through hole in a ceramic green sheet | |
| US5293025A (en) | Method for forming vias in multilayer circuits | |
| US6649864B2 (en) | Method of laser drilling | |
| JPH0766533A (ja) | 回路板の製造方法 | |
| US9843155B2 (en) | Method and apparatus for forming fine scale structures in dielectric substrate | |
| JP2001205470A (ja) | レーザ加工用マスク及びその製造方法 | |
| CA1105093A (en) | Laser deposition of metal upon transparent materials | |
| JP3175994B2 (ja) | レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに立体回路の形成方法、表面処理方法、粉末付着方法 | |
| JP2002539630A (ja) | 両側に金属層を有する、電気的に絶縁したベース材料にコンタクトホールを設けるための方法 | |
| US6898846B2 (en) | Method and components for manufacturing multi-layer modular electrical circuits | |
| JP2000031624A (ja) | 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板 | |
| US6461527B1 (en) | Method for fabricating a flexible printed circuit board with access on both sides | |
| JP2000031624A5 (ja) | ||
| JPH11277272A (ja) | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 | |
| JP2001295027A (ja) | 蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP2594972B2 (ja) | 配線形成方法およびその装置 | |
| JP2004098120A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
| US6214523B1 (en) | Pattern formation by removal of paste material | |
| JP2891538B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH1065312A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
| JP3136682B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH0677281A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP2003285180A (ja) | 導電性パターンを有する対象物の位置検出装置、検出方法、及びレーザ加工装置 | |
| JPH02135767A (ja) | パターン形成方法及びろう接方法 | |
| JPH05235556A (ja) | 薄膜基板のパターンカット構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050527 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050711 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20051107 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20051125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060517 |