JP3417094B2 - 立体回路の形成方法 - Google Patents
立体回路の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気・電子機器等の分
野で回路部品として使用される立体回路板を製造するに
あたって、立体基板の三次元形状の表面に導電回路を形
成する方法に関するものである。
野で回路部品として使用される立体回路板を製造するに
あたって、立体基板の三次元形状の表面に導電回路を形
成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】合成樹脂成形品等で作製される立体基板
の表面にレーザ光を利用して回路を形成する方法の一つ
として、特開平６−１６４１０５号公報で提案されてい
るものがある。この方法は、金属被覆可能な合成樹脂成
形品の立体基板の表面に予め化学メッキ等により金属被
覆加工をおこなって薄い金属導電膜を形成し、次いで立
体基板の表面の一部にレーザ光を照射して、回路となる
部分を残して金属導電膜を除去することによって回路パ
ターンを形成し、そして更にこの回路パターンの金属導
電膜の上に電気めっきを行なうことによって所望厚さの
立体回路を形成するようにしたものである。
の表面にレーザ光を利用して回路を形成する方法の一つ
として、特開平６−１６４１０５号公報で提案されてい
るものがある。この方法は、金属被覆可能な合成樹脂成
形品の立体基板の表面に予め化学メッキ等により金属被
覆加工をおこなって薄い金属導電膜を形成し、次いで立
体基板の表面の一部にレーザ光を照射して、回路となる
部分を残して金属導電膜を除去することによって回路パ
ターンを形成し、そして更にこの回路パターンの金属導
電膜の上に電気めっきを行なうことによって所望厚さの
立体回路を形成するようにしたものである。
【０００３】この特開平６−１６４１０５号公報におい
ては、上記のように立体基板の表面に設けた金属導電膜
のうち回路となる箇所以外の部分をレーザ光で除去する
工程を経て、立体回路を形成するようにしているが、立
体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を経
て立体回路を形成することもできる。例えば、立体基板
の表面に薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上
に感光性のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光
を部分的に照射してレジストを部分的に露光させる。そ
して、現像処理して回路となる箇所のレジストを部分的
に溶解除去するようにした場合には、レジストの除去に
よって露出する部分の金属導電膜に通電して電気めっき
をおこなうことにより所望厚さの回路に成長させ、最後
にレジストを剥離すると共にレジストの剥離によって露
出する金属導電膜をエッチング処理して除去することに
よって、立体回路を形成することができるものであり、
あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジスト
を部分的に溶解除去するようにした場合には、レジスト
の除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチング
処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導電膜
を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気めっ
きを行なうことによって所望厚さの回路に成長させ、立
体回路を形成することができるものである。
ては、上記のように立体基板の表面に設けた金属導電膜
のうち回路となる箇所以外の部分をレーザ光で除去する
工程を経て、立体回路を形成するようにしているが、立
体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を経
て立体回路を形成することもできる。例えば、立体基板
の表面に薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上
に感光性のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光
を部分的に照射してレジストを部分的に露光させる。そ
して、現像処理して回路となる箇所のレジストを部分的
に溶解除去するようにした場合には、レジストの除去に
よって露出する部分の金属導電膜に通電して電気めっき
をおこなうことにより所望厚さの回路に成長させ、最後
にレジストを剥離すると共にレジストの剥離によって露
出する金属導電膜をエッチング処理して除去することに
よって、立体回路を形成することができるものであり、
あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジスト
を部分的に溶解除去するようにした場合には、レジスト
の除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチング
処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導電膜
を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気めっ
きを行なうことによって所望厚さの回路に成長させ、立
体回路を形成することができるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、立体基板の表
面は三次元の立体形状に形成されているために、立体基
板の表面はレーザ光の照射方向に対して垂直な面や、レ
ーザ光の照射方向に対して傾斜している面などからなっ
ており、レーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部で
はレーザ光は垂直に入射するためにこの面では吸収され
る実効エネルギーが高いが、レーザ光の照射方向に対し
て傾斜する斜面部ではレーザ光は斜めに入射するために
この面では吸収される実効エネルギーが低く、立体の各
面に吸収される実効的なエネルギーが均一でない。特に
レーザ光の照射方向に対して平行な平行面部にはレーザ
光を入射させることができない。
面は三次元の立体形状に形成されているために、立体基
板の表面はレーザ光の照射方向に対して垂直な面や、レ
ーザ光の照射方向に対して傾斜している面などからなっ
ており、レーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部で
はレーザ光は垂直に入射するためにこの面では吸収され
る実効エネルギーが高いが、レーザ光の照射方向に対し
て傾斜する斜面部ではレーザ光は斜めに入射するために
この面では吸収される実効エネルギーが低く、立体の各
面に吸収される実効的なエネルギーが均一でない。特に
レーザ光の照射方向に対して平行な平行面部にはレーザ
光を入射させることができない。
【０００５】従って、上記のように立体基板の表面にレ
ーザ光を照射して、立体基板の表面に設けた金属導電膜
を除去したり、レジストを露光したりして回路を形成す
るにあたって、立体基板の立体表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ
ず、立体基板の表面に均一に回路を形成することが困難
であるという問題があった。
ーザ光を照射して、立体基板の表面に設けた金属導電膜
を除去したり、レジストを露光したりして回路を形成す
るにあたって、立体基板の立体表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ
ず、立体基板の表面に均一に回路を形成することが困難
であるという問題があった。
【０００６】また、立体基板の表面は凹凸になっていて
高低差があるために、低い面にレーザ光を結像させると
高い面にはレーザ光を結像させることができないという
ように、表面の高い面や低い面の総てにレーザ光を結像
させることができず、この点においても立体基板の表面
の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一にお
こなうことができなくなり、この場合も立体基板の表面
に均一に回路を形成することが困難になるという問題が
あった。
高低差があるために、低い面にレーザ光を結像させると
高い面にはレーザ光を結像させることができないという
ように、表面の高い面や低い面の総てにレーザ光を結像
させることができず、この点においても立体基板の表面
の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一にお
こなうことができなくなり、この場合も立体基板の表面
に均一に回路を形成することが困難になるという問題が
あった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、立体基板の表面に均一に回路を形成することがで
きる立体基板の回路形成方法を提供することを目的とす
るものである。
あり、立体基板の表面に均一に回路を形成することがで
きる立体基板の回路形成方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１の
立体基板の回路形成方法は、立体基板１の表面にレーザ
光Ｌを照射することによって、立体基板１の表面に設け
た金属導電膜２を除去するかあるいは立体基板１の表面
に設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板
１の表面に回路を形成するにあたって、立体基板１の表
面のレーザ光Ｌの照射方向に対して傾斜する斜面部４ａ
に複数のレーザ源８ａ，８ｂからのレーザ光Ｌを合成し
て照射すると共に、レーザ光Ｌの照射方向に対して垂直
な垂直面部４ｂに合成しないレーザ光Ｌを照射すること
によって、立体基板１の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるようにして、立
体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特徴とす
るものである。
立体基板の回路形成方法は、立体基板１の表面にレーザ
光Ｌを照射することによって、立体基板１の表面に設け
た金属導電膜２を除去するかあるいは立体基板１の表面
に設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板
１の表面に回路を形成するにあたって、立体基板１の表
面のレーザ光Ｌの照射方向に対して傾斜する斜面部４ａ
に複数のレーザ源８ａ，８ｂからのレーザ光Ｌを合成し
て照射すると共に、レーザ光Ｌの照射方向に対して垂直
な垂直面部４ｂに合成しないレーザ光Ｌを照射すること
によって、立体基板１の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるようにして、立
体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特徴とす
るものである。
【０００９】本発明に係る請求項２の発明は、レーザ光
Ｌの照射方向に対して立体基板１の向きを変えて立体基
板１の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変えることによ
って、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレー
ザ光Ｌのエネルギーが略均一になるようにして、立体基
板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特徴とするも
のである。
Ｌの照射方向に対して立体基板１の向きを変えて立体基
板１の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変えることによ
って、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレー
ザ光Ｌのエネルギーが略均一になるようにして、立体基
板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特徴とするも
のである。
【００１０】本発明に係る請求項３の発明は、一方向か
ら照射されるレーザ光Ｌを分岐させて立体基板１の表面
へのレーザ光Ｌの入射角度を変えることによって、立体
基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるようにして、立体基板１の表面に
レーザ光Ｌを照射することを特徴とするものである。
ら照射されるレーザ光Ｌを分岐させて立体基板１の表面
へのレーザ光Ｌの入射角度を変えることによって、立体
基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるようにして、立体基板１の表面に
レーザ光Ｌを照射することを特徴とするものである。
【００１１】本発明に係る請求項４の発明は、レーザ光
Ｌを照射するに先立って、立体基板１の表面の上記垂直
面部４ｂにレーザ光Ｌの吸収効率の低い材料６をコーテ
ィングしておくことによって、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるようにして、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射
することを特徴とするものである。
Ｌを照射するに先立って、立体基板１の表面の上記垂直
面部４ｂにレーザ光Ｌの吸収効率の低い材料６をコーテ
ィングしておくことによって、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるようにして、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射
することを特徴とするものである。
【００１２】本発明に係る請求項５の発明は、レーザ光
Ｌを照射するに先立って、立体基板１の表面の上記斜面
部４ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材料７をコーティ
ングしておくことによって、立体基板１の表面の立体の
各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一にな
るようにして、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射す
ることを特徴とするものである。
Ｌを照射するに先立って、立体基板１の表面の上記斜面
部４ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材料７をコーティ
ングしておくことによって、立体基板１の表面の立体の
各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一にな
るようにして、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射す
ることを特徴とするものである。
【００１３】また本発明に係る請求項６の立体回路の形
成方法は、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射するこ
とによって、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２を
除去するかあるいは立体基板１の表面に設けたレジスト
を露光処理する工程を経て、立体基板１の表面に回路を
形成するにあたって、立体基板１の表面の上記斜面部４
ａにおける金属導電膜２あるいはレジストの膜厚を上記
垂直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く形成しておいて、
立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特徴と
するものである。
成方法は、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射するこ
とによって、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２を
除去するかあるいは立体基板１の表面に設けたレジスト
を露光処理する工程を経て、立体基板１の表面に回路を
形成するにあたって、立体基板１の表面の上記斜面部４
ａにおける金属導電膜２あるいはレジストの膜厚を上記
垂直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く形成しておいて、
立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特徴と
するものである。
【００１４】また本発明に係る請求項７の立体回路の形
成方法は、レーザ源８から集光レンズ９を通したレーザ
光Ｌを立体基板１の表面に照射することによって、立体
基板１の表面に設けた金属導電膜２を除去するかあるい
は立体基板１の表面に設けた感光性レジストを露光処理
する工程を経て、立体基板１の表面に回路を形成するに
あたって、レーザ源８と集光レンズ９との間にマスク１
０を設け、立体基板１の表面の高さに応じてマスク１０
のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９との間の距離を
変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ光Ｌ
の結像点を調整することを特徴とするものである。
成方法は、レーザ源８から集光レンズ９を通したレーザ
光Ｌを立体基板１の表面に照射することによって、立体
基板１の表面に設けた金属導電膜２を除去するかあるい
は立体基板１の表面に設けた感光性レジストを露光処理
する工程を経て、立体基板１の表面に回路を形成するに
あたって、レーザ源８と集光レンズ９との間にマスク１
０を設け、立体基板１の表面の高さに応じてマスク１０
のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９との間の距離を
変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ光Ｌ
の結像点を調整することを特徴とするものである。
【００１５】請求項８の発明にあっては、マスク１０と
して複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用い、各平
板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距離
を変えることによって、立体基板１の表面の高さに応じ
てマスク１０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９と
の間の距離を変えるようにしている。
して複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用い、各平
板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距離
を変えることによって、立体基板１の表面の高さに応じ
てマスク１０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９と
の間の距離を変えるようにしている。
【００１６】請求項９の発明にあっては、マスク１０と
して立体基板の表面の高さに応じた立体形状を有する立
体マスク１２を用いることによって、立体基板１の表面
の高さに応じてマスク１のレーザ光Ｌの透過箇所と集光
レンズとの間の距離を変えるようにしている。
して立体基板の表面の高さに応じた立体形状を有する立
体マスク１２を用いることによって、立体基板１の表面
の高さに応じてマスク１のレーザ光Ｌの透過箇所と集光
レンズとの間の距離を変えるようにしている。
【００１７】
【作用】請求項１乃至５の発明では、立体基板１の表面
の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略
均一になるようにレーザ光Ｌの照射を調整する手段を用
いて、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射するように
しているために、立体の各面の金属導電膜２やレジスト
に作用するレーザ光Ｌのエネルギーが実効的に略均一に
なり、立体基板１の表面の各面の金属導電膜２の除去や
レジストの露光を均一におこなうことができる。
の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略
均一になるようにレーザ光Ｌの照射を調整する手段を用
いて、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射するように
しているために、立体の各面の金属導電膜２やレジスト
に作用するレーザ光Ｌのエネルギーが実効的に略均一に
なり、立体基板１の表面の各面の金属導電膜２の除去や
レジストの露光を均一におこなうことができる。
【００１８】また請求項６の発明では、立体基板１の表
面の上記斜面部４ａにおける金属導電膜２あるいはレジ
ストの膜厚を上記垂直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く
形成しておいて、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射
するようにしているために、斜面部４ａに対するレーザ
光Ｌが作用するエネルギーは垂直面部４ｂに対して作用
するエネルギーよりも小さいが、斜面部４ａと垂直面部
４ｂにおける金属導電膜２あるいはレジストの膜厚の差
によって、立体基板１の表面の各面の金属導電膜２の除
去やレジストの露光を均一におこなうことができる。
面の上記斜面部４ａにおける金属導電膜２あるいはレジ
ストの膜厚を上記垂直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く
形成しておいて、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射
するようにしているために、斜面部４ａに対するレーザ
光Ｌが作用するエネルギーは垂直面部４ｂに対して作用
するエネルギーよりも小さいが、斜面部４ａと垂直面部
４ｂにおける金属導電膜２あるいはレジストの膜厚の差
によって、立体基板１の表面の各面の金属導電膜２の除
去やレジストの露光を均一におこなうことができる。
【００１９】また請求項７乃至９の発明では、レーザ源
８と集光レンズ９との間にレーザ光Ｌを部分的に透過さ
せるマスク１０を設け、立体基板１の表面の高さに応じ
てマスク１０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９と
の間の距離を変えることによって、立体基板１の表面で
のレーザ光Ｌの結像点を調整するようにしているため
に、立体基板１の表面の高さに応じてレーザ光Ｌを結像
させることができ、立体基板１の表面の各面の金属導電
膜２の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
きる。
８と集光レンズ９との間にレーザ光Ｌを部分的に透過さ
せるマスク１０を設け、立体基板１の表面の高さに応じ
てマスク１０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９と
の間の距離を変えることによって、立体基板１の表面で
のレーザ光Ｌの結像点を調整するようにしているため
に、立体基板１の表面の高さに応じてレーザ光Ｌを結像
させることができ、立体基板１の表面の各面の金属導電
膜２の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
きる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。
【００２１】図１は請求項１の発明に対応する実施例を
示すものであり、立体基板１はポリエーテルイミド、芳
香族ポリエステル、ポリフタルアミド等の樹脂を射出成
形して作製してある。この立体基板１の表面（上面）は
三次元の立体面に形成してあり、立体基板１の表面にプ
ラズマ処理を施して微細な凹凸を形成させることによっ
て、粗面化してある。
示すものであり、立体基板１はポリエーテルイミド、芳
香族ポリエステル、ポリフタルアミド等の樹脂を射出成
形して作製してある。この立体基板１の表面（上面）は
三次元の立体面に形成してあり、立体基板１の表面にプ
ラズマ処理を施して微細な凹凸を形成させることによっ
て、粗面化してある。
【００２２】まず、この立体基板１の表面にスパッタリ
ングや真空蒸着等をおこなうことによって、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム
（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）等の金属導電膜２が０．１〜２μ
ｍの厚みで形成してある。
ングや真空蒸着等をおこなうことによって、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム
（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）等の金属導電膜２が０．１〜２μ
ｍの厚みで形成してある。
【００２３】そして次に、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキ
シマレーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌを
レンズ２３に通して、立体基板１の表面に設けた金属導
電膜２のうち回路を形成しない部分（回路絶縁部）に選
択的にレーザ光Ｌを照射することによって、回路を形成
しない部分の金属導電膜２を除去すると共に回路パター
ンで金属導電膜２を残す。
シマレーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌを
レンズ２３に通して、立体基板１の表面に設けた金属導
電膜２のうち回路を形成しない部分（回路絶縁部）に選
択的にレーザ光Ｌを照射することによって、回路を形成
しない部分の金属導電膜２を除去すると共に回路パター
ンで金属導電膜２を残す。
【００２４】このとき、立体基板１の表面は図１に示す
ようにレーザ光Ｌの照射方向に対して傾斜している斜面
部４ａや、レーザ光Ｌの照射方向に対して垂直な垂直面
部４ｂ等からなるが、垂直面部４ｂではレーザ光Ｌは垂
直に入射するためにこの面では単位面積当たりに吸収さ
れる実効エネルギーが高く、斜面部４ａではレーザ光Ｌ
は斜めに入射するためにこの面では単位面積当たりに吸
収される実効エネルギーが低い。このために、各面に照
射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を変える必要があ
る。例えば、垂直面部４ｂの金属導電膜２を除去するの
に最適なエネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ２ の場合、
垂直面部４ｂに対して６０°（レーザ光Ｌの照射方向に
対して３０°）の角度で傾斜している斜面部４ａには２
倍のエネルギー密度、即ち０．８Ｊ／ｃｍ２ でレーザ
光Ｌを照射しないと、垂直面部４ｂと斜面部４ａの金属
導電膜２を均一に除去することができない。
ようにレーザ光Ｌの照射方向に対して傾斜している斜面
部４ａや、レーザ光Ｌの照射方向に対して垂直な垂直面
部４ｂ等からなるが、垂直面部４ｂではレーザ光Ｌは垂
直に入射するためにこの面では単位面積当たりに吸収さ
れる実効エネルギーが高く、斜面部４ａではレーザ光Ｌ
は斜めに入射するためにこの面では単位面積当たりに吸
収される実効エネルギーが低い。このために、各面に照
射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を変える必要があ
る。例えば、垂直面部４ｂの金属導電膜２を除去するの
に最適なエネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ２ の場合、
垂直面部４ｂに対して６０°（レーザ光Ｌの照射方向に
対して３０°）の角度で傾斜している斜面部４ａには２
倍のエネルギー密度、即ち０．８Ｊ／ｃｍ２ でレーザ
光Ｌを照射しないと、垂直面部４ｂと斜面部４ａの金属
導電膜２を均一に除去することができない。
【００２５】そこで図１の実施例では、立体基板１の垂
直面部４ｂと斜面部４ａに吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるように、垂直面部４ｂと斜面部４
ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を変える手
段として、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等の
２つのレーザ源８ａ，８ｂを用い、レーザ光Ｌを合成し
て立体基板１の表面に照射するようにしてある。
直面部４ｂと斜面部４ａに吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるように、垂直面部４ｂと斜面部４
ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を変える手
段として、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等の
２つのレーザ源８ａ，８ｂを用い、レーザ光Ｌを合成し
て立体基板１の表面に照射するようにしてある。
【００２６】すなわち、各レーザ源８ａ，８ｂから０．
４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度でレーザ光Ｌを発光させ
る場合、一方のレーザ源８ａから発光されたレーザ光Ｌ
はマスク１０ａの透過部１５を１００％透過した後、ハ
ーフミラー１８を１００％透過すると共に全反射ミラー
１９で１００％反射されて方向変換し、レンズ２３を通
して立体基板１の表面の金属導電膜２のうち回路を形成
しない部分に照射される。このマスク１０ａの透過部１
５はレーザ光Ｌを立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４
ａの両方に照射させるパターンで形成してある。また他
方のレーザ源８ｂから発光されたレーザ光Ｌはマスク１
０ｂの透過部１５を１００％透過した後、ハーフミラー
１８で１００％反射されて方向変換すると共にさらに全
反射ミラー１９で１００％反射されて方向変換し、レン
ズ２３を通して立体基板１の表面金属導電膜２のうち回
路を形成しない部分に照射される。このマスク１０ｂは
レーザ光Ｌを斜面部４ａにのみ照射させるパターンで形
成してある。このように、垂直面部４ｂにはレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度のレーザ光
Ｌのみが照射されるが、斜面部４ａにはこのレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度のレーザ光
Ｌとレーザ源８ｂからの０．４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー
密度のレーザ光Ｌとが照射され、両レーザ光Ｌが合成さ
れて０．８Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度で照射されるこ
とになる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をしたりする
必要なく、レーザ光Ｌの照射を調整するだけで、立体基
板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実効エネルギー
を作用させて金属導電膜２を均一に除去することができ
るものである。
４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度でレーザ光Ｌを発光させ
る場合、一方のレーザ源８ａから発光されたレーザ光Ｌ
はマスク１０ａの透過部１５を１００％透過した後、ハ
ーフミラー１８を１００％透過すると共に全反射ミラー
１９で１００％反射されて方向変換し、レンズ２３を通
して立体基板１の表面の金属導電膜２のうち回路を形成
しない部分に照射される。このマスク１０ａの透過部１
５はレーザ光Ｌを立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４
ａの両方に照射させるパターンで形成してある。また他
方のレーザ源８ｂから発光されたレーザ光Ｌはマスク１
０ｂの透過部１５を１００％透過した後、ハーフミラー
１８で１００％反射されて方向変換すると共にさらに全
反射ミラー１９で１００％反射されて方向変換し、レン
ズ２３を通して立体基板１の表面金属導電膜２のうち回
路を形成しない部分に照射される。このマスク１０ｂは
レーザ光Ｌを斜面部４ａにのみ照射させるパターンで形
成してある。このように、垂直面部４ｂにはレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度のレーザ光
Ｌのみが照射されるが、斜面部４ａにはこのレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度のレーザ光
Ｌとレーザ源８ｂからの０．４Ｊ／ｃｍ２のエネルギー
密度のレーザ光Ｌとが照射され、両レーザ光Ｌが合成さ
れて０．８Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度で照射されるこ
とになる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をしたりする
必要なく、レーザ光Ｌの照射を調整するだけで、立体基
板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実効エネルギー
を作用させて金属導電膜２を均一に除去することができ
るものである。
【００２７】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、回路パターンで残った金
属導電膜２を陰極として通電し、電気めっきを行なって
金属導電膜２の表面に銅２０μｍ、ニッケル５μｍ、金
１μｍの厚みでめっき層を設けて、形成所望厚さの回路
に成長させることによって、立体回路を形成することが
できるものである。
電膜２を部分的に除去した後、回路パターンで残った金
属導電膜２を陰極として通電し、電気めっきを行なって
金属導電膜２の表面に銅２０μｍ、ニッケル５μｍ、金
１μｍの厚みでめっき層を設けて、形成所望厚さの回路
に成長させることによって、立体回路を形成することが
できるものである。
【００２８】図２は請求項２の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
【００２９】この実施例では、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるように、レーザ光Ｌの照射方向に対して立体基板１
の向きを変えて立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射
角度を変えるようにしている。すなわち、レーザ光Ｌの
照射方向に対して斜面部４ａの角度に応じた角度で立体
基板１を回転させ、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの入
射角度と、垂直面部４ｂに対する入射角度が略等しくな
るようにしてある。例えば、斜面部４ａの垂直面部４ｂ
に対する傾きが６０°の場合、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ等のレーザ源８から発光されマスク１０
の透過部１５を透過し、レンズ２３を通して照射される
レーザ光Ｌの照射方向に対して、立体基板１を３０°の
角度で傾くように回転させると、斜面部４ａに対するレ
ーザ光Ｌの入射角度は６０°になると共に垂直面部４ｂ
に対する入射角度も６０°になり、斜面部４ａに対する
レーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角度
とが等しくなる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をした
りする必要なく、立体基板１を所定角度で回転させるだ
けで、立体基板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実
効エネルギーを作用させて金属導電膜２を均一に除去す
ることができるものである。この方法は、斜面部４ａが
垂直面部４ｂに対して９０°以上の角度で傾斜するアン
ダーカット面になっている場合に特に有効である。
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるように、レーザ光Ｌの照射方向に対して立体基板１
の向きを変えて立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射
角度を変えるようにしている。すなわち、レーザ光Ｌの
照射方向に対して斜面部４ａの角度に応じた角度で立体
基板１を回転させ、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの入
射角度と、垂直面部４ｂに対する入射角度が略等しくな
るようにしてある。例えば、斜面部４ａの垂直面部４ｂ
に対する傾きが６０°の場合、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ等のレーザ源８から発光されマスク１０
の透過部１５を透過し、レンズ２３を通して照射される
レーザ光Ｌの照射方向に対して、立体基板１を３０°の
角度で傾くように回転させると、斜面部４ａに対するレ
ーザ光Ｌの入射角度は６０°になると共に垂直面部４ｂ
に対する入射角度も６０°になり、斜面部４ａに対する
レーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角度
とが等しくなる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をした
りする必要なく、立体基板１を所定角度で回転させるだ
けで、立体基板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実
効エネルギーを作用させて金属導電膜２を均一に除去す
ることができるものである。この方法は、斜面部４ａが
垂直面部４ｂに対して９０°以上の角度で傾斜するアン
ダーカット面になっている場合に特に有効である。
【００３０】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００３１】図３は請求項３の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
【００３２】この実施例では、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、一方向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させ
て立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変える
ようにしている。すなわち、図３（ａ）のようにハーフ
ミラー等で形成される分岐ミラー２１及び一対の反射ミ
ラー２２ａ，２２ｂを用い、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザ等のレーザ源から発光されるレーザ光Ｌを
分岐ミラー２１に４５°の角度で入射させ、レーザ光Ｌ
の５０％を分岐ミラー２１で反射させると共に５０％を
分岐ミラー２１を透過させる。そして分岐ミラー２１で
反射させたレーザ光Ｌを反射ミラー２２ａで反射させ、
さらにマスク１０ａの透過部１５ａを透過させると共に
レンズ２３で集光させて立体基板１の表面に照射させ
る。また分岐ミラー２１を透過させたレーザ光Ｌを反射
ミラー２２ｂで反射させ、さらにマスク１０ｂの透過部
１５ｂを透過させると共に集光レンズ２３で集光させて
立体基板１の表面に照射させる。このようにして、一方
向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させることによっ
て、立体基板１の複数箇所に同時にレーザ光Ｌを照射す
ることができるものであり、生産効率を高めることがで
きるものである。また、立体基板１へのレーザ光Ｌの入
射角度は反射ミラー２２ａ，２２ｂを角度を矢印方向に
変えるように回転させてレーザ光Ｌの反射角度を調整す
ることによって制御することができ、斜面部４ａに対す
るレーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角
度が略等しくなるように調整することができ、図３
（ｂ）に示すように斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面
部４ｂの金属導電膜２を均一に除去することができるも
のである。
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、一方向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させ
て立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変える
ようにしている。すなわち、図３（ａ）のようにハーフ
ミラー等で形成される分岐ミラー２１及び一対の反射ミ
ラー２２ａ，２２ｂを用い、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザ等のレーザ源から発光されるレーザ光Ｌを
分岐ミラー２１に４５°の角度で入射させ、レーザ光Ｌ
の５０％を分岐ミラー２１で反射させると共に５０％を
分岐ミラー２１を透過させる。そして分岐ミラー２１で
反射させたレーザ光Ｌを反射ミラー２２ａで反射させ、
さらにマスク１０ａの透過部１５ａを透過させると共に
レンズ２３で集光させて立体基板１の表面に照射させ
る。また分岐ミラー２１を透過させたレーザ光Ｌを反射
ミラー２２ｂで反射させ、さらにマスク１０ｂの透過部
１５ｂを透過させると共に集光レンズ２３で集光させて
立体基板１の表面に照射させる。このようにして、一方
向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させることによっ
て、立体基板１の複数箇所に同時にレーザ光Ｌを照射す
ることができるものであり、生産効率を高めることがで
きるものである。また、立体基板１へのレーザ光Ｌの入
射角度は反射ミラー２２ａ，２２ｂを角度を矢印方向に
変えるように回転させてレーザ光Ｌの反射角度を調整す
ることによって制御することができ、斜面部４ａに対す
るレーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角
度が略等しくなるように調整することができ、図３
（ｂ）に示すように斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面
部４ｂの金属導電膜２を均一に除去することができるも
のである。
【００３３】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００３４】図４の実施例は、斜面部４ａが垂直面部４
ｂに対して９０°の角度の直角面である場合の実施例で
あり、その他は図６の実施例と同じ構成に形成してあ
る。そしてこの実施例では、図４（ａ）のように波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光
されるエネルギー密度が０．８Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌ
を分岐ミラー２１で０．４Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌに分
岐させ、さらにそれぞれのレーザ光Ｌを反射ミラー２２
ａ，２２ｂで反射させると共にマスク１０ａ，１０ｂ及
びレンズ２３を通して立体基板１に照射させるようにし
てあり、このとき、反射ミラー２２ａ，２２ｂの角度を
調整してその反射角度を設定することによって、斜面部
４ａと垂直面部４ｂにそれぞれ４５°の入射角でレーザ
光Ｌが照射されるようにしてある。従って、図４（ｂ）
に示すように斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面部４ｂ
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
ｂに対して９０°の角度の直角面である場合の実施例で
あり、その他は図６の実施例と同じ構成に形成してあ
る。そしてこの実施例では、図４（ａ）のように波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光
されるエネルギー密度が０．８Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌ
を分岐ミラー２１で０．４Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌに分
岐させ、さらにそれぞれのレーザ光Ｌを反射ミラー２２
ａ，２２ｂで反射させると共にマスク１０ａ，１０ｂ及
びレンズ２３を通して立体基板１に照射させるようにし
てあり、このとき、反射ミラー２２ａ，２２ｂの角度を
調整してその反射角度を設定することによって、斜面部
４ａと垂直面部４ｂにそれぞれ４５°の入射角でレーザ
光Ｌが照射されるようにしてある。従って、図４（ｂ）
に示すように斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面部４ｂ
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
【００３５】図５（ａ）の実施例では、レーザ源から発
光されるレーザ光Ｌをマスク１０の一対の透過部１５に
透過させて分岐させ、この分岐させたレーザ光Ｌをレン
ズ２３に通した後に反射ミラー２２ａ，２２ｂでそれぞ
れ反射させて立体基板１の表面に均一に照射させるよう
にしてある。また図５（ｂ）の実施例では、レーザ源か
ら発光されるレーザ光Ｌをマスク１０の透過部１５に透
過させると共にレンズ２３に通した後、外周面が反射面
となった円錐ミラー２４で反射させてレーザ光Ｌを分岐
させ、この分岐させたレーザ光Ｌを内周面が反射面とな
った円筒ミラー２５でそれぞれ反射させて立体基板１の
表面に均一に照射させるようにしてある。
光されるレーザ光Ｌをマスク１０の一対の透過部１５に
透過させて分岐させ、この分岐させたレーザ光Ｌをレン
ズ２３に通した後に反射ミラー２２ａ，２２ｂでそれぞ
れ反射させて立体基板１の表面に均一に照射させるよう
にしてある。また図５（ｂ）の実施例では、レーザ源か
ら発光されるレーザ光Ｌをマスク１０の透過部１５に透
過させると共にレンズ２３に通した後、外周面が反射面
となった円錐ミラー２４で反射させてレーザ光Ｌを分岐
させ、この分岐させたレーザ光Ｌを内周面が反射面とな
った円筒ミラー２５でそれぞれ反射させて立体基板１の
表面に均一に照射させるようにしてある。
【００３６】図６は請求項４の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、この立体基
板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図６（ａ）
のようにパラジウムの厚み０．５μｍの金属導電膜２が
設けてある。
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、この立体基
板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図６（ａ）
のようにパラジウムの厚み０．５μｍの金属導電膜２が
設けてある。
【００３７】この実施例では、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基板
１の表面の垂直面部４ｂにレーザ光Ｌの吸収効率の低い
材料６をコーティングしておくようにしてある。すなわ
ち、図６（ｂ）のように斜面部４ａにおいてのみ金属導
電膜２の表面に厚み１０μｍの電着レジスト２７を塗布
した後、金属導電膜２に通電して電気銅めっきをおこな
うことによって、レーザ光Ｌの吸収効率の低い材料６と
して厚み０．５μｍの銅めっき層６ａを図６（ｃ）のよ
うに垂直面部４ｂにおいてのみ金属導電膜２の表面に設
けてある。電着レジスト２７を剥離すると図６（ｃ）の
ように、垂直面部４ｂは０．５μｍのパラジウムの金属
導電膜２と０．５μｍの銅めっき層６ａの２層に、斜面
部４ａは０．５μｍのパラジウムの金属導電膜２の１層
になっている。
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基板
１の表面の垂直面部４ｂにレーザ光Ｌの吸収効率の低い
材料６をコーティングしておくようにしてある。すなわ
ち、図６（ｂ）のように斜面部４ａにおいてのみ金属導
電膜２の表面に厚み１０μｍの電着レジスト２７を塗布
した後、金属導電膜２に通電して電気銅めっきをおこな
うことによって、レーザ光Ｌの吸収効率の低い材料６と
して厚み０．５μｍの銅めっき層６ａを図６（ｃ）のよ
うに垂直面部４ｂにおいてのみ金属導電膜２の表面に設
けてある。電着レジスト２７を剥離すると図６（ｃ）の
ように、垂直面部４ｂは０．５μｍのパラジウムの金属
導電膜２と０．５μｍの銅めっき層６ａの２層に、斜面
部４ａは０．５μｍのパラジウムの金属導電膜２の１層
になっている。
【００３８】そして図６（ｄ）のように波長１０６４ｎ
ｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネルギ
ー密度が０．５Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク１０の
透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面に
照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を除
去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは垂
直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収効
率が悪いが、垂直面部４ｂにはレーザ光Ｌの吸収効率の
低い材料６として銅めっき層６ａが設けてあるために、
立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌ
のエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌに特
に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交換し
たりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一にレ
ーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図６（ｅ）の
ように立体基板１の立体表面の各面から金属導電膜２を
均一に除去することができるものである。
ｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネルギ
ー密度が０．５Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク１０の
透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面に
照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を除
去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは垂
直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収効
率が悪いが、垂直面部４ｂにはレーザ光Ｌの吸収効率の
低い材料６として銅めっき層６ａが設けてあるために、
立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌ
のエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌに特
に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交換し
たりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一にレ
ーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図６（ｅ）の
ように立体基板１の立体表面の各面から金属導電膜２を
均一に除去することができるものである。
【００３９】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００４０】図７は請求項５の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、この立体基
板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図７（ａ）
のように銅の厚み０．５μｍの金属導電膜２が設けてあ
る。
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、この立体基
板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図７（ａ）
のように銅の厚み０．５μｍの金属導電膜２が設けてあ
る。
【００４１】この実施例では、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基板
１の表面の斜面部４ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材
料７をコーティングしておくようにしてある。すなわ
ち、図７（ｂ）のように斜面部４ａにおいてのみ金属導
電膜２の表面にマスクスパッタリングをおこなってレー
ザ光Ｌの吸収効率の高い材料７としてニッケル膜７ａを
析出させてある。そして図７（ｃ）のように波長１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネ
ルギー密度が０．３Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク１
０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表
面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分
を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａ
は垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸
収効率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率
の高い材料７としてニッケル膜７ａが設けてあるため
に、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌ
に特に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交
換したりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図７
（ｄ）のように金属導電膜２を均一に除去することがで
きるものである。またこの実施例では斜面部４ａのレー
ザ光Ｌの吸収効率を高めているために、レーザ光Ｌのエ
ネルギーを有効に活用することができるものである。
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基板
１の表面の斜面部４ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材
料７をコーティングしておくようにしてある。すなわ
ち、図７（ｂ）のように斜面部４ａにおいてのみ金属導
電膜２の表面にマスクスパッタリングをおこなってレー
ザ光Ｌの吸収効率の高い材料７としてニッケル膜７ａを
析出させてある。そして図７（ｃ）のように波長１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネ
ルギー密度が０．３Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク１
０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表
面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分
を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａ
は垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸
収効率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率
の高い材料７としてニッケル膜７ａが設けてあるため
に、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌ
に特に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交
換したりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図７
（ｄ）のように金属導電膜２を均一に除去することがで
きるものである。またこの実施例では斜面部４ａのレー
ザ光Ｌの吸収効率を高めているために、レーザ光Ｌのエ
ネルギーを有効に活用することができるものである。
【００４２】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００４３】図８は、請求項５の発明に対応する第２の
実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に
立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、こ
の立体基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等をす
ることによって、まず図８（ａ）のように斜面部４ａに
パラジウム２ａの厚み０．５μｍの金属導電膜２を設け
ると共に、図８（ｂ）のように垂直面部４ｂに銅２ｂの
厚み０．５μｍの金属導電膜２が設けてある。パラジウ
ム２ａは銅２ｂよりもレーザ光Ｌの吸収効率が高いの
で、この実施例においても斜面部４ａにはレーザ光Ｌの
吸収効率の高い材料７が設けられている。
実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に
立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、こ
の立体基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等をす
ることによって、まず図８（ａ）のように斜面部４ａに
パラジウム２ａの厚み０．５μｍの金属導電膜２を設け
ると共に、図８（ｂ）のように垂直面部４ｂに銅２ｂの
厚み０．５μｍの金属導電膜２が設けてある。パラジウ
ム２ａは銅２ｂよりもレーザ光Ｌの吸収効率が高いの
で、この実施例においても斜面部４ａにはレーザ光Ｌの
吸収効率の高い材料７が設けられている。
【００４４】そして図８（ｃ）のように波長１０６４ｎ
ｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネルギ
ー密度が０．３Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク１０の
透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面に
照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を除
去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは垂
直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収効
率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率の高
い材料７であるパラジウム２ａで金属導電膜２が設けて
あるために、立体基板１の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、図
８（ｄ）のように立体基板１の各面の金属導電膜２を均
一に除去することができるものである。
ｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネルギ
ー密度が０．３Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク１０の
透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面に
照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を除
去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは垂
直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収効
率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率の高
い材料７であるパラジウム２ａで金属導電膜２が設けて
あるために、立体基板１の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、図
８（ｄ）のように立体基板１の各面の金属導電膜２を均
一に除去することができるものである。
【００４５】図９は、請求項６の発明に対応する実施例
を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基
板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板
１の表面に指向性のある成膜をおこなって、斜面部４ａ
には小さい膜厚で、垂直面部４ｂには大きい膜厚で金属
導電膜２を設けてある。すなわち、真空蒸着で立体基板
１の表面に銅の金属導電膜２を設ける場合、図９（ａ）
のように蒸着成分は蒸着源から矢印方向に飛翔する指向
性があるために、斜面部４ａの金属導電膜２は小さい膜
厚、例えば０．５μｍの膜厚で、垂直面部４ｂの金属導
電膜２は大きい膜厚、例えば１μｍの膜厚でそれぞれ設
けることができるものである。
を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基
板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板
１の表面に指向性のある成膜をおこなって、斜面部４ａ
には小さい膜厚で、垂直面部４ｂには大きい膜厚で金属
導電膜２を設けてある。すなわち、真空蒸着で立体基板
１の表面に銅の金属導電膜２を設ける場合、図９（ａ）
のように蒸着成分は蒸着源から矢印方向に飛翔する指向
性があるために、斜面部４ａの金属導電膜２は小さい膜
厚、例えば０．５μｍの膜厚で、垂直面部４ｂの金属導
電膜２は大きい膜厚、例えば１μｍの膜厚でそれぞれ設
けることができるものである。
【００４６】そして図９（ｂ）のように波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光されるエ
ネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク
１０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の
表面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部
分を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４
ａは垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの
吸収効率が悪いが、斜面部４ａの金属導電膜２は膜厚が
小さいために、小さいエネルギーのレーザ光Ｌで除去す
ることができる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をした
りする必要なく、図９（ｃ）のように立体基板１の各面
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
のＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光されるエ
ネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌをマスク
１０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の
表面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部
分を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４
ａは垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの
吸収効率が悪いが、斜面部４ａの金属導電膜２は膜厚が
小さいために、小さいエネルギーのレーザ光Ｌで除去す
ることができる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をした
りする必要なく、図９（ｃ）のように立体基板１の各面
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
【００４７】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路パ
ターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこと
によって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００４８】図１０は、請求項７及び８の発明に対応す
る実施例を示すものであり、レーザ源８と集光レンズ９
とのマスク１０を設け、斜面部４ａと垂直面部４ｂなど
立体基板１の表面の高さに応じてマスク１０のレーザ光
Ｌを透過させる透過部１５と集光レンズとの間の距離を
変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ光Ｌ
の結像点を調整し、立体基板１の表面の立体の各面にレ
ーザ光Ｌを結像させるようにしてある。すなわち、集光
レンズ９の焦点距離をｆ、マスク１０と集光レンズ９と
の間の反射ミラー３０を介した光学的距離をａ、集光レ
ンズ９と立体基板１の表面との間の距離をｂとすると、
１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立する条件でレーザ
光Ｌは立体基板１の表面に結像する。従って、立体基板
１の表面のうち高さが高い面は集光レンズ９との間の距
離が小さい、つまりｂの数値が小さくなるために、この
面に結像させるためにはａを大きくしてマスク１０と集
光レンズ９との間の距離が大きくなるように調整すれば
よく、また立体基板１の表面のうち高さが低い面は集光
レンズ９との間の距離が大きい、つまりｂの数値が大き
いために、この面に結像させるためにはａを小さくして
マスク１０と集光レンズ９との間の距離が小さくなるよ
うに調整すればよい。具体的には、集光レンズ９と立体
基板１の表面との間の距離がｂ′の部分では、マスク１
０と集光レンズ９との間の距離ａ′は上記の数式から導
かれるａ′＝ｆｂ′／（ｂ−ｆ′）のとして算出するこ
とができ、このａ′の距離になるようにマスク１０と集
光レンズ９との間の距離を調整すればよい。例えば、集
光レンズ９の焦点距離ｆ＝１００ｍｍ、集光レンズ９と
立体基板１の表面との距離ｂ＝２００ｍｍの場合、マス
ク１０と集光レンズ９との間の距離ａ＝２００ｍｍに調
整することによって、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを
結像させることができるが、立体基板１の表面のうちこ
の面よりも２０ｍｍ高い面では、ｂ′＝１８０ｍｍにな
るために、上記の数式よりａ′＝２２５ｍｍとなる。従
ってマスク１０と集光レンズ９との距離が２２５ｍｍに
なるように調整することによって、この面にレーザ光Ｌ
を結像させることができることになる。
る実施例を示すものであり、レーザ源８と集光レンズ９
とのマスク１０を設け、斜面部４ａと垂直面部４ｂなど
立体基板１の表面の高さに応じてマスク１０のレーザ光
Ｌを透過させる透過部１５と集光レンズとの間の距離を
変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ光Ｌ
の結像点を調整し、立体基板１の表面の立体の各面にレ
ーザ光Ｌを結像させるようにしてある。すなわち、集光
レンズ９の焦点距離をｆ、マスク１０と集光レンズ９と
の間の反射ミラー３０を介した光学的距離をａ、集光レ
ンズ９と立体基板１の表面との間の距離をｂとすると、
１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立する条件でレーザ
光Ｌは立体基板１の表面に結像する。従って、立体基板
１の表面のうち高さが高い面は集光レンズ９との間の距
離が小さい、つまりｂの数値が小さくなるために、この
面に結像させるためにはａを大きくしてマスク１０と集
光レンズ９との間の距離が大きくなるように調整すれば
よく、また立体基板１の表面のうち高さが低い面は集光
レンズ９との間の距離が大きい、つまりｂの数値が大き
いために、この面に結像させるためにはａを小さくして
マスク１０と集光レンズ９との間の距離が小さくなるよ
うに調整すればよい。具体的には、集光レンズ９と立体
基板１の表面との間の距離がｂ′の部分では、マスク１
０と集光レンズ９との間の距離ａ′は上記の数式から導
かれるａ′＝ｆｂ′／（ｂ−ｆ′）のとして算出するこ
とができ、このａ′の距離になるようにマスク１０と集
光レンズ９との間の距離を調整すればよい。例えば、集
光レンズ９の焦点距離ｆ＝１００ｍｍ、集光レンズ９と
立体基板１の表面との距離ｂ＝２００ｍｍの場合、マス
ク１０と集光レンズ９との間の距離ａ＝２００ｍｍに調
整することによって、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを
結像させることができるが、立体基板１の表面のうちこ
の面よりも２０ｍｍ高い面では、ｂ′＝１８０ｍｍにな
るために、上記の数式よりａ′＝２２５ｍｍとなる。従
ってマスク１０と集光レンズ９との距離が２２５ｍｍに
なるように調整することによって、この面にレーザ光Ｌ
を結像させることができることになる。
【００４９】そして図１０の実施例ではマスク１０とし
て立体基板１の高さの異なる各面にレーザ光Ｌを透過さ
せて照射させる透過部１５ａ，１５ｂ…をそれぞれ設け
た複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用いて、立体
基板１の表面の立体の各面にレーザ光Ｌを結像させるよ
うにしてある。すなわち、まず図１の実施例の場合と同
様に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この
立体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で
銅の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長
２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から
発光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光
Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１
／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように平板マス
ク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距離ａを設
定して、図１０（ａ）〜（ｄ）の順に各平板マスク１１
ａ，１１ｂ…の位置を変えながらレーザ光Ｌの照射を行
なうことによって、図１３のように立体基板１の表面の
立体の各面にレーザ光Ｌを結像させ、立体基板１の各面
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
て立体基板１の高さの異なる各面にレーザ光Ｌを透過さ
せて照射させる透過部１５ａ，１５ｂ…をそれぞれ設け
た複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用いて、立体
基板１の表面の立体の各面にレーザ光Ｌを結像させるよ
うにしてある。すなわち、まず図１の実施例の場合と同
様に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この
立体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で
銅の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長
２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から
発光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光
Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１
／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように平板マス
ク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距離ａを設
定して、図１０（ａ）〜（ｄ）の順に各平板マスク１１
ａ，１１ｂ…の位置を変えながらレーザ光Ｌの照射を行
なうことによって、図１３のように立体基板１の表面の
立体の各面にレーザ光Ｌを結像させ、立体基板１の各面
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
【００５０】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射で金属
導電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路
パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこ
とによって、立体回路を形成することができるものであ
る。
導電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路
パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこ
とによって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００５１】図１１は、請求項７及び８の発明に対応す
る第２の実施例を示すものであり、この実施例では、レ
ーザ光Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応
じて１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように複
数枚の各平板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９と
の間の距離ａを設定して重ねて配置し、複数枚の平板マ
スク１１ａ，１１ｂ…を通してレーザ光Ｌの照射を行な
うようにしてある。
る第２の実施例を示すものであり、この実施例では、レ
ーザ光Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応
じて１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように複
数枚の各平板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９と
の間の距離ａを設定して重ねて配置し、複数枚の平板マ
スク１１ａ，１１ｂ…を通してレーザ光Ｌの照射を行な
うようにしてある。
【００５２】図１２は、請求項７及び９の発明に対応す
る実施例を示すものであり、上記の図１０の実施例では
マスク１０として複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…
を用いて、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の位置を変え
ることによって、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の透過
部１５ａ，１５ｂ…と集光レンズ９との間の距離を変え
て立体基板１の表面でのレーザ光Ｌの結像点を調整する
ようにしているが、図１２の実施例では、マスク１０と
して立体基板１の表面の高さに応じた立体形状を有する
立体マスク１２を用いて、立体基板１の表面の高さに応
じて立体マスク１２のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レン
ズ９との間の距離を変えるようにしてある。
る実施例を示すものであり、上記の図１０の実施例では
マスク１０として複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…
を用いて、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の位置を変え
ることによって、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の透過
部１５ａ，１５ｂ…と集光レンズ９との間の距離を変え
て立体基板１の表面でのレーザ光Ｌの結像点を調整する
ようにしているが、図１２の実施例では、マスク１０と
して立体基板１の表面の高さに応じた立体形状を有する
立体マスク１２を用いて、立体基板１の表面の高さに応
じて立体マスク１２のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レン
ズ９との間の距離を変えるようにしてある。
【００５３】すなわち、まず図１の実施例の場合と同様
に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この立
体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で銅
の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から発
光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光Ｌ
を照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１／
ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように集光レンズ
９との間の距離ａが満足される立体形状に図１ ２（ｂ）
のように作製した立体マスク１２を用い、図１２（ａ）
のようにして立体マスク１２の透過部１５を透過させた
レーザ光Ｌを立体基板１の表面に照射するようにしてあ
る。立体マスク１２の透過部１５は立体マスク１２の立
体形状に沿った立体形状になっているために、立体基板
１の表面の各面に対応する透過部１５と集光レンズ９と
の距離ｂは１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式を満たすこと
ができ、図１３のように立体基板１の表面の立体の各面
にレーザ光Ｌを結像させて、立体基板１の各面の金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。この
実施例では図１０の実施例のようにマスク１０として複
数枚の平板マスク１１，１１ｂ…を用いる必要がなく、
一枚の立体マスク１２で対応することができるものであ
る。
に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この立
体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で銅
の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から発
光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光Ｌ
を照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１／
ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように集光レンズ
９との間の距離ａが満足される立体形状に図１ ２（ｂ）
のように作製した立体マスク１２を用い、図１２（ａ）
のようにして立体マスク１２の透過部１５を透過させた
レーザ光Ｌを立体基板１の表面に照射するようにしてあ
る。立体マスク１２の透過部１５は立体マスク１２の立
体形状に沿った立体形状になっているために、立体基板
１の表面の各面に対応する透過部１５と集光レンズ９と
の距離ｂは１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式を満たすこと
ができ、図１３のように立体基板１の表面の立体の各面
にレーザ光Ｌを結像させて、立体基板１の各面の金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。この
実施例では図１０の実施例のようにマスク１０として複
数枚の平板マスク１１，１１ｂ…を用いる必要がなく、
一枚の立体マスク１２で対応することができるものであ
る。
【００５４】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射で金属
導電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路
パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこ
とによって、立体回路を形成することができるものであ
る。
導電膜２を部分的に除去した後、上記と同様にして回路
パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なうこ
とによって、立体回路を形成することができるものであ
る。
【００５５】上記各実施例ではマスク１０を用いて立体
基板１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成し
ない部分の全面にレーザ光Ｌに照射して、回路パターン
で金属導電膜２を残した他の部分は除去するようにした
が、ビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭で走査
させて照射するようにすることもできる。すなわち、図
１４（ａ）のように成形した立体基板１の表面に、プラ
ズマ処理後にスパッタリング等をおこなって図１４
（ｂ）のように金属導電膜２を形成し（金属導電膜２を
斜線で示す）、次にビーム状のレーザ光Ｌを回路パター
ンの輪郭で走査させて照射することによって図１４
（ｃ）のように回路パターンの輪郭で金属導電膜２を除
去し、この回路パターンの部分の金属導電膜２に通電し
て電気めっきすることによって図１４（ｄ）のように銅
２０μｍ、ニッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層
１６を設け、そしてソフトエッチングして回路パターン
の輪郭より外側の金属導電膜２を除去することによっ
て、図１４（ｅ）のような立体回路を形成することがで
きるものである。
基板１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成し
ない部分の全面にレーザ光Ｌに照射して、回路パターン
で金属導電膜２を残した他の部分は除去するようにした
が、ビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭で走査
させて照射するようにすることもできる。すなわち、図
１４（ａ）のように成形した立体基板１の表面に、プラ
ズマ処理後にスパッタリング等をおこなって図１４
（ｂ）のように金属導電膜２を形成し（金属導電膜２を
斜線で示す）、次にビーム状のレーザ光Ｌを回路パター
ンの輪郭で走査させて照射することによって図１４
（ｃ）のように回路パターンの輪郭で金属導電膜２を除
去し、この回路パターンの部分の金属導電膜２に通電し
て電気めっきすることによって図１４（ｄ）のように銅
２０μｍ、ニッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層
１６を設け、そしてソフトエッチングして回路パターン
の輪郭より外側の金属導電膜２を除去することによっ
て、図１４（ｅ）のような立体回路を形成することがで
きるものである。
【００５６】また上記各実施例では、立体基板の表面に
設けた金属導電膜をレーザ光の照射で除去する工程を経
て、立体回路を形成するようにしているが、立体基板の
表面に設けたレジストを露光処理する工程を経て立体回
路を形成することもできる。例えば、立体基板の表面に
薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上に感光性
のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光を部分的
に照射してレジストを部分的に露光させる。そして、現
像処理して回路となる箇所のレジストを部分的に溶解除
去するようにした場合には、レジストの除去によって露
出する部分の金属導電膜に通電して電気めっきをおこな
うことにより所望厚さの回路に成長させ、最後にレジス
トを剥離すると共にレジストの剥離によって露出する金
属導電膜をエッチング処理して除去することによって、
立体回路を形成するようにすることができるものであ
り、あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジ
ストを部分的に溶解除去するようにした場合には、レジ
ストの除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチ
ング処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導
電膜を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気
めっきをおこなうことによって所望厚さの回路に成長さ
せ、立体回路を形成することができるものである。
設けた金属導電膜をレーザ光の照射で除去する工程を経
て、立体回路を形成するようにしているが、立体基板の
表面に設けたレジストを露光処理する工程を経て立体回
路を形成することもできる。例えば、立体基板の表面に
薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上に感光性
のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光を部分的
に照射してレジストを部分的に露光させる。そして、現
像処理して回路となる箇所のレジストを部分的に溶解除
去するようにした場合には、レジストの除去によって露
出する部分の金属導電膜に通電して電気めっきをおこな
うことにより所望厚さの回路に成長させ、最後にレジス
トを剥離すると共にレジストの剥離によって露出する金
属導電膜をエッチング処理して除去することによって、
立体回路を形成するようにすることができるものであ
り、あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジ
ストを部分的に溶解除去するようにした場合には、レジ
ストの除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチ
ング処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導
電膜を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気
めっきをおこなうことによって所望厚さの回路に成長さ
せ、立体回路を形成することができるものである。
【００５７】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に記載の
発明は、立体基板の表面にレーザ光を照射することによ
って、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するか
あるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光処理す
る工程を経て、立体基板の表面に回路を形成するにあた
って、立体基板の表面のレーザ光の照射方向に対して傾
斜する斜面部に複数のレーザ源からのレーザ光を合成し
て照射すると共に、レーザ光の照射方向に対して垂直な
垂直面部に合成しないレーザ光を照射することによっ
て、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光
のエネルギーが略均一になるようにして、立体基板の表
面にレーザ光を照射するようにしたので、立体基板の表
面の立体の各面の金属導電膜やレジストに作用するレー
ザ光のエネルギーが実効的に略均一になり、立体基板の
表面の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一
におこなうことができるものであり、立体基板の表面に
均一に回路を形成することができるものである。
発明は、立体基板の表面にレーザ光を照射することによ
って、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するか
あるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光処理す
る工程を経て、立体基板の表面に回路を形成するにあた
って、立体基板の表面のレーザ光の照射方向に対して傾
斜する斜面部に複数のレーザ源からのレーザ光を合成し
て照射すると共に、レーザ光の照射方向に対して垂直な
垂直面部に合成しないレーザ光を照射することによっ
て、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光
のエネルギーが略均一になるようにして、立体基板の表
面にレーザ光を照射するようにしたので、立体基板の表
面の立体の各面の金属導電膜やレジストに作用するレー
ザ光のエネルギーが実効的に略均一になり、立体基板の
表面の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一
におこなうことができるものであり、立体基板の表面に
均一に回路を形成することができるものである。
【００５８】また請求項２に記載の発明は、レーザ光の
照射方向に対して立体基板の向きを変えて立体基板の表
面へのレーザ光の入射角度を変えることによって、立体
基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネル
ギーが略均一になるようにして、立体基板の表面にレー
ザ光を照射するようにしたので、レーザ光に工夫をする
必要なく立体基板の向きの調整で立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
照射方向に対して立体基板の向きを変えて立体基板の表
面へのレーザ光の入射角度を変えることによって、立体
基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネル
ギーが略均一になるようにして、立体基板の表面にレー
ザ光を照射するようにしたので、レーザ光に工夫をする
必要なく立体基板の向きの調整で立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
【００５９】また請求項３に記載の発明は、一方向から
照射されるレーザ光を分岐させて立体基板の表面へのレ
ーザ光の入射角度を変えることによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにして、立体基板の表面にレーザ光を照
射するようにしたので、レーザ光に工夫をする必要なく
入射角度の調整で立体基板の表面の各面の金属導電膜の
除去やレジストの露光を均一におこなうことができ、立
体基板の表面に均一に回路を形成することができるもの
であり、しかもレーザ光の分岐によって立体基板の表面
の各面を均一にレーザ光で照射することができるもので
ある。
照射されるレーザ光を分岐させて立体基板の表面へのレ
ーザ光の入射角度を変えることによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにして、立体基板の表面にレーザ光を照
射するようにしたので、レーザ光に工夫をする必要なく
入射角度の調整で立体基板の表面の各面の金属導電膜の
除去やレジストの露光を均一におこなうことができ、立
体基板の表面に均一に回路を形成することができるもの
であり、しかもレーザ光の分岐によって立体基板の表面
の各面を均一にレーザ光で照射することができるもので
ある。
【００６０】また請求項４に記載の発明は、レーザ光を
照射するに先立って、立体基板の表面の上記垂直面部に
レーザ光の吸収効率の低い材料をコーティングしておく
ことによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立
体基板の表面にレーザ光を照射するようにしたので、レ
ーザ光の吸収効率の低い材料を用いることによってレー
ザ光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面の金属
導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことが
でき、立体基板の表面に均一に回路を形成することがで
きるものである。
照射するに先立って、立体基板の表面の上記垂直面部に
レーザ光の吸収効率の低い材料をコーティングしておく
ことによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立
体基板の表面にレーザ光を照射するようにしたので、レ
ーザ光の吸収効率の低い材料を用いることによってレー
ザ光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面の金属
導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことが
でき、立体基板の表面に均一に回路を形成することがで
きるものである。
【００６１】また請求項５に記載の発明は、レーザ光を
照射するに先立って、立体基板の表面の上記斜面部にレ
ーザ光の吸収効率の高い材料をコーティングしておくこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立体
基板の表面にレーザ光を照射するようにしたので、レー
ザ光の吸収効率の高い材料を用いることによってレーザ
光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面の金属導
電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものである。
照射するに先立って、立体基板の表面の上記斜面部にレ
ーザ光の吸収効率の高い材料をコーティングしておくこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立体
基板の表面にレーザ光を照射するようにしたので、レー
ザ光の吸収効率の高い材料を用いることによってレーザ
光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面の金属導
電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものである。
【００６２】次に、本発明の請求項６に記載の発明は、
立体基板の表面にレーザ光を照射することによって、立
体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するかあるいは
立体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を
経て、立体基板の表面に回路を形成するにあたって、立
体基板の表面の上記斜面部における金属導電膜あるいは
レジストの膜厚を上記垂直面部における膜厚よりも薄く
形成しておいて、立体基板の表面にレーザ光を照射する
ようにしたので、斜面部に対するレーザ光が作用するエ
ネルギーは垂直面部に対して作用するエネルギーよりも
小さいが、斜面部と垂直面部における金属導電膜あるい
はレジストの膜厚の差によって、立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
立体基板の表面にレーザ光を照射することによって、立
体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するかあるいは
立体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を
経て、立体基板の表面に回路を形成するにあたって、立
体基板の表面の上記斜面部における金属導電膜あるいは
レジストの膜厚を上記垂直面部における膜厚よりも薄く
形成しておいて、立体基板の表面にレーザ光を照射する
ようにしたので、斜面部に対するレーザ光が作用するエ
ネルギーは垂直面部に対して作用するエネルギーよりも
小さいが、斜面部と垂直面部における金属導電膜あるい
はレジストの膜厚の差によって、立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
【００６３】さらに、本発明の請求項７に記載の発明
は、レーザ源から集光レンズを通したレーザ光を立体基
板の表面に照射することによって、立体基板の表面に設
けた金属導電膜を除去するかあるいは立体基板の表面に
設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板の
表面に回路を形成するにあたって、レーザ源と集光レン
ズとの間にマスクを設け、立体基板の表面の高さに応じ
てマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距
離を変えることによって、立体基板の表面でのレーザ光
の結像点を調整するようにしたので、立体基板の表面の
高さに応じてレーザ光を結像させることができ、立体基
板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を
均一におこなうことができるものであり、立体基板の表
面に均一に回路を形成することができるものである。
は、レーザ源から集光レンズを通したレーザ光を立体基
板の表面に照射することによって、立体基板の表面に設
けた金属導電膜を除去するかあるいは立体基板の表面に
設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板の
表面に回路を形成するにあたって、レーザ源と集光レン
ズとの間にマスクを設け、立体基板の表面の高さに応じ
てマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距
離を変えることによって、立体基板の表面でのレーザ光
の結像点を調整するようにしたので、立体基板の表面の
高さに応じてレーザ光を結像させることができ、立体基
板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を
均一におこなうことができるものであり、立体基板の表
面に均一に回路を形成することができるものである。
【００６４】また請求項８の発明は、マスクとして複数
枚の平板マスクを用い、各平板マスクと集光レンズとの
間の距離を変えることによって、立体基板の表面の高さ
に応じてマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの
間の距離を変えるようにしたので、複数枚の平板マスク
を用いて立体基板の表面の高さに応じてレーザ光を結像
させることができ、立体基板の表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができる
ものであり、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
枚の平板マスクを用い、各平板マスクと集光レンズとの
間の距離を変えることによって、立体基板の表面の高さ
に応じてマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの
間の距離を変えるようにしたので、複数枚の平板マスク
を用いて立体基板の表面の高さに応じてレーザ光を結像
させることができ、立体基板の表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができる
ものであり、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
【００６５】また請求項９の発明は、マスクとして立体
基板の表面の高さに応じた立体形状を有する立体マスク
を用いることによって、立体基板の表面の高さに応じて
マスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距離
を変えるようにしたので、立体マスクを用いて立体基板
の表面の高さに応じてレーザ光を結像させることがで
き、立体基板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジス
トの露光を均一におこなうことができるものであり、立
体基板の表面に均一に回路を形成することができるもの
である。
基板の表面の高さに応じた立体形状を有する立体マスク
を用いることによって、立体基板の表面の高さに応じて
マスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距離
を変えるようにしたので、立体マスクを用いて立体基板
の表面の高さに応じてレーザ光を結像させることがで
き、立体基板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジス
トの露光を均一におこなうことができるものであり、立
体基板の表面に均一に回路を形成することができるもの
である。
【図１】本発明の一実施例の概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
及び（ｂ）は概略断面図である。
及び（ｂ）は概略断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
及び（ｂ）は概略断面図である。
及び（ｂ）は概略断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すのであり、（ａ）及
び（ｂ）は概略断面図である。
び（ｂ）は概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｅ）は概略断面図である。
乃至（ｅ）は概略断面図である。
【図７】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｄ）は概略断面図である。
乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図８】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｄ）は概略断面図である。
乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図９】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｃ）は概略断面図である。
乃至（ｃ）は概略断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１２】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）及び（ｂ）は概略断面図である。
（ａ）及び（ｂ）は概略断面図である。
【図１３】本発明の他の実施例を示す立体基板の一部切
欠斜視図である。
欠斜視図である。
【図１４】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｅ）は概略斜視図である。
（ａ）乃至（ｅ）は概略斜視図である。
１ 立体基板
２ 金属導電膜
３ レジスト膜
４ａ 斜面部
４ｂ 垂直面部
６ レーザ光の吸収効率の低い材料
７ レーザ光の吸収効率の高い材料
８ レーザ源
９ 集光レンズ
１０ マスク
１１ 平板マスク
１２ 立体マスク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｅ
3/08 3/08 Ｄ
3/18 3/18 Ｄ
(56)参考文献 特開 平６−77629（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−177508（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−255693（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−297168（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/00
B23K 26/00
B23K 26/06
B23K 26/18
H05K 3/06
H05K 3/08
H05K 3/18
Claims (9)
- 【請求項１】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、立体基板の表面のレーザ光の照射方向に対
して傾斜する斜面部に複数のレーザ源からのレーザ光を
合成して照射すると共に、レーザ光の照射方向に対して
垂直な垂直面部に合成しないレーザ光を照射することに
よって、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレー
ザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立体基板
の表面にレーザ光を照射することを特徴とする立体回路
の形成方法。 - 【請求項２】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、レーザ光の照射方向に対して立体基板の向
きを変えて立体基板の表面へのレーザ光の入射角度を変
えることによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収
されるレーザ光のエネルギーが略均一になるようにし
て、立体基板の表面にレーザ光を照射することを特徴と
する立体回路の形成方法。 - 【請求項３】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、一方向から照射されるレーザ光を分岐させ
て立体基板の表面へのレーザ光の入射角度を変えること
によって、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレ
ーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立体基
板の表面にレーザ光を照射することを特徴とする立体回
路の形成方法。 - 【請求項４】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、レーザ光を照射するに先立って、立体基板
の表面のレーザ光の照射方向に対して 垂直な垂直面部に
レーザ光の吸収効率の低い材料をコーティングしておく
ことによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立
体基板の表面にレーザ光を照射することを特徴とする立
体回路の形成方法。 - 【請求項５】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、レーザ光を照射するに先立って、立体基板
の表面のレーザ光の照射方向に対して傾斜する斜面部に
レーザ光の吸収効率の高い材料をコーティングしておく
ことによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光のエネルギーが略均一になるようにして、立
体基板の表面にレーザ光を照射することを特徴とする立
体回路の形成方法。 - 【請求項６】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、立体基板の表面のレーザ光の照射方向に対
して傾斜する斜面部における金属導電膜あるいはレジス
トの膜厚をレーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部
における膜厚よりも薄く形成しておいて、立体基板の表
面にレーザ光を照射することを特徴とする立体回路の形
成方法。 - 【請求項７】 レーザ源から集光レンズを通したレーザ
光を立体基板の表面に照射することによって、立体基板
の表面に設けた金属導電膜を除去するかあるいは立体基
板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を経て、
立体基板の表面に回路を形成するにあたって、レーザ源
と集光レンズとの間にマスクを設け、立体基板の表面の
高さに応じてマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズ
との間の距離を変えることによって、立体基板の表面で
のレーザ光の結像点を調整することを特徴とする立体回
路の形成方法。 - 【請求項８】 マスクとして複数枚の平板マスクを用
い、各平板マスクと集光レンズとの間の距離を変えるこ
とによって、立体基板の表面の高さに応じてマスクのレ
ーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距離を変えるこ
とを特徴とする請求項７に記載の立体回路の形成方法。 - 【請求項９】 マスクとして立体基板の表面の高さに応
じた立体形状を有する立体マスクを用いることによっ
て、立体基板の表面の高さに応じてマスクのレーザ光の
透過箇所と集光レンズとの間の距離を変えることを特徴
とする請求項７に記載の立体回路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28563194A JP3417094B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 立体回路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28563194A JP3417094B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 立体回路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148803A JPH08148803A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3417094B2 true JP3417094B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=17694039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28563194A Expired - Fee Related JP3417094B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 立体回路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3417094B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE102008039660A1 (de) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Heidelberger Druckmaschinen Ag | Bedruckstoff bearbeitende Maschine und Verfahren in einer Bedruckstoff bearbeitenden Maschine |
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| US9425571B2 (en) * | 2012-01-06 | 2016-08-23 | Johnson & Johnson Vision Care, Inc. | Methods and apparatus to form electrical interconnects on ophthalmic devices |
| JP6097026B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2017-03-15 | シャープ株式会社 | 構造体および構造体の製造方法 |
| US9815139B2 (en) * | 2014-01-22 | 2017-11-14 | Siemens Energy, Inc. | Method for processing a part with an energy beam |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP28563194A patent/JP3417094B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH08148803A (ja) | 1996-06-07 |
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