JPH08148803A - 立体回路の形成方法 - Google Patents
立体回路の形成方法Info
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- JPH08148803A JPH08148803A JP6285631A JP28563194A JPH08148803A JP H08148803 A JPH08148803 A JP H08148803A JP 6285631 A JP6285631 A JP 6285631A JP 28563194 A JP28563194 A JP 28563194A JP H08148803 A JPH08148803 A JP H08148803A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 立体基板の表面に均一に回路を形成すること
ができる立体基板の回路形成方法を提供する。 【構成】 立体基板１の表面にレーザ光を照射すること
によって、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２を除
去するかあるいは立体基板１の表面に設けたレジストを
露光処理する工程を経て、立体基板１の表面に回路を形
成する。このような回路形成方法において、立体基板１
の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギー
が略均一になるようにレーザ光の照射を調整する手段を
用いて、立体基板１の表面にレーザ光を照射することに
よって、立体基板１の表面の各面の金属導電膜２の除去
やレジストの露光を均一におこなう。
ができる立体基板の回路形成方法を提供する。 【構成】 立体基板１の表面にレーザ光を照射すること
によって、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２を除
去するかあるいは立体基板１の表面に設けたレジストを
露光処理する工程を経て、立体基板１の表面に回路を形
成する。このような回路形成方法において、立体基板１
の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギー
が略均一になるようにレーザ光の照射を調整する手段を
用いて、立体基板１の表面にレーザ光を照射することに
よって、立体基板１の表面の各面の金属導電膜２の除去
やレジストの露光を均一におこなう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気・電子機器等の分
野で回路部品として使用される立体回路板を製造するに
あたって、立体基板の三次元形状の表面に導電回路を形
成する方法に関するものである。
野で回路部品として使用される立体回路板を製造するに
あたって、立体基板の三次元形状の表面に導電回路を形
成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】合成樹脂成形品等で作製される立体基板
の表面にレーザ光を利用して回路を形成する方法の一つ
として、特開平６−１６４１０５号公報で提案されてい
るものがある。この方法は、金属被覆可能な合成樹脂成
形品の立体基板の表面に予め化学メッキ等により金属被
覆加工をおこなって薄い金属導電膜を形成し、次いで立
体基板の表面の一部にレーザ光を照射して、回路となる
部分を残して金属導電膜を除去することによって回路パ
ターンを形成し、そして更にこの回路パターンの金属導
電膜の上に電気めっきを行なうことによって所望厚さの
立体回路を形成するようにしたものである。
の表面にレーザ光を利用して回路を形成する方法の一つ
として、特開平６−１６４１０５号公報で提案されてい
るものがある。この方法は、金属被覆可能な合成樹脂成
形品の立体基板の表面に予め化学メッキ等により金属被
覆加工をおこなって薄い金属導電膜を形成し、次いで立
体基板の表面の一部にレーザ光を照射して、回路となる
部分を残して金属導電膜を除去することによって回路パ
ターンを形成し、そして更にこの回路パターンの金属導
電膜の上に電気めっきを行なうことによって所望厚さの
立体回路を形成するようにしたものである。
【０００３】この特開平６−１６４１０５号公報におい
ては、上記のように立体基板の表面に設けた金属導電膜
のうち回路となる箇所以外の部分をレーザ光で除去する
工程を経て、立体回路を形成するようにしているが、立
体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を経
て立体回路を形成することもできる。例えば、立体基板
の表面に薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上
に感光性のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光
を部分的に照射してレジストを部分的に露光させる。そ
して、現像処理して回路となる箇所のレジストを部分的
に溶解除去するようにした場合には、レジストの除去に
よって露出する部分の金属導電膜に通電して電気めっき
をおこなうことにより所望厚さの回路に成長させ、最後
にレジストを剥離すると共にレジストの剥離によって露
出する金属導電膜をエッチング処理して除去することに
よって、立体回路を形成することができるものであり、
あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジスト
を部分的に溶解除去するようにした場合には、レジスト
の除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチング
処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導電膜
を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気めっ
きを行なうことによって所望厚さの回路に成長させ、立
体回路を形成することができるものである。
ては、上記のように立体基板の表面に設けた金属導電膜
のうち回路となる箇所以外の部分をレーザ光で除去する
工程を経て、立体回路を形成するようにしているが、立
体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を経
て立体回路を形成することもできる。例えば、立体基板
の表面に薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上
に感光性のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光
を部分的に照射してレジストを部分的に露光させる。そ
して、現像処理して回路となる箇所のレジストを部分的
に溶解除去するようにした場合には、レジストの除去に
よって露出する部分の金属導電膜に通電して電気めっき
をおこなうことにより所望厚さの回路に成長させ、最後
にレジストを剥離すると共にレジストの剥離によって露
出する金属導電膜をエッチング処理して除去することに
よって、立体回路を形成することができるものであり、
あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジスト
を部分的に溶解除去するようにした場合には、レジスト
の除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチング
処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導電膜
を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気めっ
きを行なうことによって所望厚さの回路に成長させ、立
体回路を形成することができるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、立体基板の表
面は三次元の立体形状に形成されているために、立体基
板の表面はレーザ光の照射方向に対して垂直な面や、レ
ーザ光の照射方向に対して傾斜している面などからなっ
ており、レーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部で
はレーザ光は垂直に入射するためにこの面では吸収され
る実効エネルギーが高いが、レーザ光の照射方向に対し
て傾斜する斜面部ではレーザ光は斜めに入射するために
この面では吸収される実効エネルギーが低く、立体の各
面に吸収される実効的なエネルギーが均一でない。特に
レーザ光の照射方向に対して平行な平行面部にはレーザ
光を入射させることができない。
面は三次元の立体形状に形成されているために、立体基
板の表面はレーザ光の照射方向に対して垂直な面や、レ
ーザ光の照射方向に対して傾斜している面などからなっ
ており、レーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部で
はレーザ光は垂直に入射するためにこの面では吸収され
る実効エネルギーが高いが、レーザ光の照射方向に対し
て傾斜する斜面部ではレーザ光は斜めに入射するために
この面では吸収される実効エネルギーが低く、立体の各
面に吸収される実効的なエネルギーが均一でない。特に
レーザ光の照射方向に対して平行な平行面部にはレーザ
光を入射させることができない。
【０００５】従って、上記のように立体基板の表面にレ
ーザ光を照射して、立体基板の表面に設けた金属導電膜
を除去したり、レジストを露光したりして回路を形成す
るにあたって、立体基板の立体表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ
ず、立体基板の表面に均一に回路を形成することが困難
であるという問題があった。
ーザ光を照射して、立体基板の表面に設けた金属導電膜
を除去したり、レジストを露光したりして回路を形成す
るにあたって、立体基板の立体表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ
ず、立体基板の表面に均一に回路を形成することが困難
であるという問題があった。
【０００６】また、立体基板の表面は凹凸になっていて
高低差があるために、低い面にレーザ光を結像させると
高い面にはレーザ光を結像させることができないという
ように、表面の高い面や低い面の総てにレーザ光を結像
させることができず、この点においても立体基板の表面
の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一にお
こなうことができなくなり、この場合も立体基板の表面
に均一に回路を形成することが困難になるという問題が
あった。
高低差があるために、低い面にレーザ光を結像させると
高い面にはレーザ光を結像させることができないという
ように、表面の高い面や低い面の総てにレーザ光を結像
させることができず、この点においても立体基板の表面
の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一にお
こなうことができなくなり、この場合も立体基板の表面
に均一に回路を形成することが困難になるという問題が
あった。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、立体基板の表面に均一に回路を形成することがで
きる立体基板の回路形成方法を提供することを目的とす
るものである。
あり、立体基板の表面に均一に回路を形成することがで
きる立体基板の回路形成方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１の
立体基板の回路形成方法は、立体基板１の表面にレーザ
光Ｌを照射することによって、立体基板１の表面に設け
た金属導電膜２を除去するかあるいは立体基板１の表面
に設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板
１の表面に回路を形成するにあたって、立体基板１の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが
略均一になるようにレーザ光Ｌの照射を調整する手段を
用いて、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射すること
を特徴とするものである。
立体基板の回路形成方法は、立体基板１の表面にレーザ
光Ｌを照射することによって、立体基板１の表面に設け
た金属導電膜２を除去するかあるいは立体基板１の表面
に設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板
１の表面に回路を形成するにあたって、立体基板１の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが
略均一になるようにレーザ光Ｌの照射を調整する手段を
用いて、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射すること
を特徴とするものである。
【０００９】請求項２の発明にあっては、立体基板１の
表面のレーザ光Ｌの照射方向に対して傾斜する斜面部４
ａの傾斜角度に応じて、斜面部４ａへのレーザ光Ｌの照
射のエネルギー密度を調整することによって、立体基板
１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネル
ギーが略均一になるようにしている。請求項３の発明に
あっては、立体基板１の表面のレーザ光Ｌの照射方向に
対して垂直な垂直面部４ｂに対するレーザ光Ｌの照射回
数よりも上記斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの照射回数
を多くすることによって、立体基板１の表面の立体の各
面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる
ようにしている。
表面のレーザ光Ｌの照射方向に対して傾斜する斜面部４
ａの傾斜角度に応じて、斜面部４ａへのレーザ光Ｌの照
射のエネルギー密度を調整することによって、立体基板
１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネル
ギーが略均一になるようにしている。請求項３の発明に
あっては、立体基板１の表面のレーザ光Ｌの照射方向に
対して垂直な垂直面部４ｂに対するレーザ光Ｌの照射回
数よりも上記斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの照射回数
を多くすることによって、立体基板１の表面の立体の各
面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる
ようにしている。
【００１０】請求項４の発明にあっては、レーザ光Ｌの
照射方向に対して立体基板１の向きを変えて立体基板１
の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変えることによっ
て、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になるようにしている。請求
項５の発明にあっては、一方向から照射されるレーザ光
Ｌを分岐させて立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射
角度を変えることによって、立体基板の表面の立体の各
面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる
ようにしている。
照射方向に対して立体基板１の向きを変えて立体基板１
の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変えることによっ
て、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になるようにしている。請求
項５の発明にあっては、一方向から照射されるレーザ光
Ｌを分岐させて立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射
角度を変えることによって、立体基板の表面の立体の各
面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる
ようにしている。
【００１１】請求項６の発明にあっては、反射ミラー５
によってレーザ光Ｌを反射させて立体基板１の表面への
レーザ光Ｌの入射角度を調整することによって、立体基
板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるようにしている。請求項７の発明
にあっては、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基
板１の表面の上記垂直面部４ｂにレーザ光Ｌの吸収効率
の低い材料６をコーティングしておくことによって、立
体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌの
エネルギーが略均一になるようにしている。
によってレーザ光Ｌを反射させて立体基板１の表面への
レーザ光Ｌの入射角度を調整することによって、立体基
板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるようにしている。請求項７の発明
にあっては、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基
板１の表面の上記垂直面部４ｂにレーザ光Ｌの吸収効率
の低い材料６をコーティングしておくことによって、立
体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌの
エネルギーが略均一になるようにしている。
【００１２】請求項８の発明にあっては、レーザ光Ｌを
照射するに先立って、立体基板１の表面の上記斜面部４
ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材料７をコーティング
しておくことによって、立体基板１の表面の立体の各面
に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるよ
うにしている。また本発明に係る請求項９の立体回路の
形成方法は、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射する
ことによって、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２
を除去するかあるいは立体基板１の表面に設けたレジス
トを露光処理する工程を経て、立体基板１の表面に回路
を形成するにあたって、立体基板１の表面の上記斜面部
４ａにおける金属導電膜２あるいはレジストの膜厚を上
記垂直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く形成しておい
て、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特
徴とするものである。
照射するに先立って、立体基板１の表面の上記斜面部４
ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材料７をコーティング
しておくことによって、立体基板１の表面の立体の各面
に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるよ
うにしている。また本発明に係る請求項９の立体回路の
形成方法は、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射する
ことによって、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２
を除去するかあるいは立体基板１の表面に設けたレジス
トを露光処理する工程を経て、立体基板１の表面に回路
を形成するにあたって、立体基板１の表面の上記斜面部
４ａにおける金属導電膜２あるいはレジストの膜厚を上
記垂直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く形成しておい
て、立体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射することを特
徴とするものである。
【００１３】さらに本発明に係る請求項１０の立体回路
の形成方法は、立体基板１の表面に金属導電膜２とレジ
スト膜３をこの順に設け、立体基板１の表面にレーザ光
Ｌを照射して、レーザ光Ｌが照射された箇所において上
記斜面部４ａのレジスト膜３と、上記垂直面部４ｂのレ
ジスト膜３及び金属導電膜２を除去し、次にエッチング
処理してレジスト膜３で被覆されない金属導電膜２を除
去した後、レジスト膜３を剥離することを特徴とするも
のである。
の形成方法は、立体基板１の表面に金属導電膜２とレジ
スト膜３をこの順に設け、立体基板１の表面にレーザ光
Ｌを照射して、レーザ光Ｌが照射された箇所において上
記斜面部４ａのレジスト膜３と、上記垂直面部４ｂのレ
ジスト膜３及び金属導電膜２を除去し、次にエッチング
処理してレジスト膜３で被覆されない金属導電膜２を除
去した後、レジスト膜３を剥離することを特徴とするも
のである。
【００１４】また本発明に係る請求項１１の立体回路の
形成方法は、レーザ源８から集光レンズ９を通したレー
ザ光Ｌを立体基板１の表面に照射することによって、立
体基板１の表面に設けた金属導電膜２を除去するかある
いは立体基板１の表面に設けた感光性レジストを露光処
理する工程を経て、立体基板１の表面に回路を形成する
にあたって、レーザ源８と集光レンズ９との間にマスク
１０を設け、立体基板１の表面の高さに応じてマスク１
０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９との間の距離
を変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ光
Ｌの結像点を調整することを特徴とするものである。
形成方法は、レーザ源８から集光レンズ９を通したレー
ザ光Ｌを立体基板１の表面に照射することによって、立
体基板１の表面に設けた金属導電膜２を除去するかある
いは立体基板１の表面に設けた感光性レジストを露光処
理する工程を経て、立体基板１の表面に回路を形成する
にあたって、レーザ源８と集光レンズ９との間にマスク
１０を設け、立体基板１の表面の高さに応じてマスク１
０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９との間の距離
を変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ光
Ｌの結像点を調整することを特徴とするものである。
【００１５】請求項１２の発明にあっては、マスク１０
として複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用い、各
平板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距
離を変えることによって、立体基板１の表面の高さに応
じてマスク１０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９
との間の距離を変えるようにしている。請求項１３の発
明にあっては、マスク１０として立体基板の表面の高さ
に応じた立体形状を有する立体マスク１２を用いること
によって、立体基板１の表面の高さに応じてマスク１の
レーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズとの間の距離を変え
るようにしている。
として複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用い、各
平板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距
離を変えることによって、立体基板１の表面の高さに応
じてマスク１０のレーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズ９
との間の距離を変えるようにしている。請求項１３の発
明にあっては、マスク１０として立体基板の表面の高さ
に応じた立体形状を有する立体マスク１２を用いること
によって、立体基板１の表面の高さに応じてマスク１の
レーザ光Ｌの透過箇所と集光レンズとの間の距離を変え
るようにしている。
【００１６】
【作用】立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレ
ーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるようにレーザ光Ｌ
の照射を調整する手段を用いて、立体基板１の表面にレ
ーザ光Ｌを照射するようにしているために、立体の各面
の金属導電膜２やレジストに作用するレーザ光Ｌのエネ
ルギーが実効的に略均一になり、立体基板１の表面の各
面の金属導電膜２の除去やレジストの露光を均一におこ
なうことができる。
ーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるようにレーザ光Ｌ
の照射を調整する手段を用いて、立体基板１の表面にレ
ーザ光Ｌを照射するようにしているために、立体の各面
の金属導電膜２やレジストに作用するレーザ光Ｌのエネ
ルギーが実効的に略均一になり、立体基板１の表面の各
面の金属導電膜２の除去やレジストの露光を均一におこ
なうことができる。
【００１７】また、立体基板１の表面の上記斜面部４ａ
における金属導電膜２あるいはレジストの膜厚を上記垂
直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く形成しておいて、立
体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射するようにしている
ために、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌが作用するエネ
ルギーは垂直面部４ｂに対して作用するエネルギーより
も小さいが、斜面部４ａと垂直面部４ｂにおける金属導
電膜２あるいはレジストの膜厚の差によって、立体基板
１の表面の各面の金属導電膜２の除去やレジストの露光
を均一におこなうことができる。
における金属導電膜２あるいはレジストの膜厚を上記垂
直面部４ｂにおける膜厚よりも薄く形成しておいて、立
体基板１の表面にレーザ光Ｌを照射するようにしている
ために、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌが作用するエネ
ルギーは垂直面部４ｂに対して作用するエネルギーより
も小さいが、斜面部４ａと垂直面部４ｂにおける金属導
電膜２あるいはレジストの膜厚の差によって、立体基板
１の表面の各面の金属導電膜２の除去やレジストの露光
を均一におこなうことができる。
【００１８】また、立体基板１の表面に金属導電膜２と
レジスト膜３をこの順に設け、立体基板１の表面にレー
ザ光Ｌを照射して、レーザ光Ｌが照射された箇所におい
て上記斜面部４ａのレジスト膜３と、上記垂直面部４ｂ
のレジスト膜３及び金属導電膜２を除去し、次にエッチ
ング処理してレジスト膜３で被覆されない金属導電膜２
を除去した後、レジスト膜３を剥離するようにしている
ために、レーザ光Ｌのエネルギーが高く作用する垂直面
部４ｂではレジスト膜３と金属導電膜２が除去され、レ
ーザ光Ｌのエネルギーの作用が低い斜面部４ａではレジ
スト膜３のみが除去されて金属導電膜２は残るが、この
残った金属導電膜２はレジスト膜３で被覆されていずエ
ッチング処理で除去することができ、立体基板１の表面
の各面の金属導電膜２の除去を均一におこなうことがで
きる。
レジスト膜３をこの順に設け、立体基板１の表面にレー
ザ光Ｌを照射して、レーザ光Ｌが照射された箇所におい
て上記斜面部４ａのレジスト膜３と、上記垂直面部４ｂ
のレジスト膜３及び金属導電膜２を除去し、次にエッチ
ング処理してレジスト膜３で被覆されない金属導電膜２
を除去した後、レジスト膜３を剥離するようにしている
ために、レーザ光Ｌのエネルギーが高く作用する垂直面
部４ｂではレジスト膜３と金属導電膜２が除去され、レ
ーザ光Ｌのエネルギーの作用が低い斜面部４ａではレジ
スト膜３のみが除去されて金属導電膜２は残るが、この
残った金属導電膜２はレジスト膜３で被覆されていずエ
ッチング処理で除去することができ、立体基板１の表面
の各面の金属導電膜２の除去を均一におこなうことがで
きる。
【００１９】また、レーザ源８と集光レンズ９との間に
レーザ光Ｌを部分的に透過させるマスク１０を設け、立
体基板１の表面の高さに応じてマスク１０のレーザ光Ｌ
の透過箇所と集光レンズ９との間の距離を変えることに
よって、立体基板１の表面でのレーザ光Ｌの結像点を調
整するようにしているために、立体基板１の表面の高さ
に応じてレーザ光Ｌを結像させることができ、立体基板
１の表面の各面の金属導電膜２の除去やレジストの露光
を均一におこなうことができる。
レーザ光Ｌを部分的に透過させるマスク１０を設け、立
体基板１の表面の高さに応じてマスク１０のレーザ光Ｌ
の透過箇所と集光レンズ９との間の距離を変えることに
よって、立体基板１の表面でのレーザ光Ｌの結像点を調
整するようにしているために、立体基板１の表面の高さ
に応じてレーザ光Ｌを結像させることができ、立体基板
１の表面の各面の金属導電膜２の除去やレジストの露光
を均一におこなうことができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。図
１及び図２は請求項１及び２の発明に対応する実施例を
示すものであり、立体基板１はポリエーテルイミド、芳
香族ポリエステル、ポリフタルアミド等の樹脂を射出成
形して図２（ａ）のように作製してある。この立体基板
１の表面（上面）は三次元の立体面に形成してあり、立
体基板１の表面にプラズマ処理を施して微細な凹凸を形
成させることによって、粗面化してある。
１及び図２は請求項１及び２の発明に対応する実施例を
示すものであり、立体基板１はポリエーテルイミド、芳
香族ポリエステル、ポリフタルアミド等の樹脂を射出成
形して図２（ａ）のように作製してある。この立体基板
１の表面（上面）は三次元の立体面に形成してあり、立
体基板１の表面にプラズマ処理を施して微細な凹凸を形
成させることによって、粗面化してある。
【００２１】まず、この立体基板１の表面にスパッタリ
ングや真空蒸着等をおこなうことによって、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム
（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）等の金属導電膜２が０．１〜２μ
ｍの厚みで形成してある（金属導電膜２を図２（ｂ）に
斜線で示す）。そして次に、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌ
をマスク１０及びレンズ２３に通して、立体基板１の表
面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない部分
（回路絶縁部）に選択的にレーザ光Ｌを照射することに
よって、回路を形成しない部分の金属導電膜２を除去す
ると共に回路パターンで金属導電膜２を残す。
ングや真空蒸着等をおこなうことによって、銅（Ｃ
ｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム
（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）等の金属導電膜２が０．１〜２μ
ｍの厚みで形成してある（金属導電膜２を図２（ｂ）に
斜線で示す）。そして次に、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌ
をマスク１０及びレンズ２３に通して、立体基板１の表
面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない部分
（回路絶縁部）に選択的にレーザ光Ｌを照射することに
よって、回路を形成しない部分の金属導電膜２を除去す
ると共に回路パターンで金属導電膜２を残す。
【００２２】このとき、立体基板１の表面は図１や図２
（ａ）（ｂ）に示すようにレーザ光Ｌの照射方向に対し
て傾斜している斜面部４ａや、レーザ光Ｌの照射方向に
対して垂直な垂直面部４ｂ等からなるが、垂直面部４ｂ
ではレーザ光Ｌは垂直に入射するためにこの面では単位
面積当たりに吸収される実効エネルギーが高く、斜面部
４ａではレーザ光Ｌは斜めに入射するためにこの面では
単位面積当たりに吸収される実効エネルギーが低い。こ
のために、各面に照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密
度を変える必要がある。例えば、垂直面部４ｂの金属導
電膜２を除去するのに最適なエネルギー密度が０．４Ｊ
／ｃｍ2 の場合、垂直面部４ｂに対して６０°（レーザ
光Ｌの照射方向に対して３０°）の角度で傾斜している
斜面部４ａには２倍のエネルギー密度、即ち０．８Ｊ／
ｃｍ2 でレーザ光Ｌを照射しないと、垂直面部４ｂと斜
面部４ａの金属導電膜２を均一に除去することができな
い。
（ａ）（ｂ）に示すようにレーザ光Ｌの照射方向に対し
て傾斜している斜面部４ａや、レーザ光Ｌの照射方向に
対して垂直な垂直面部４ｂ等からなるが、垂直面部４ｂ
ではレーザ光Ｌは垂直に入射するためにこの面では単位
面積当たりに吸収される実効エネルギーが高く、斜面部
４ａではレーザ光Ｌは斜めに入射するためにこの面では
単位面積当たりに吸収される実効エネルギーが低い。こ
のために、各面に照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密
度を変える必要がある。例えば、垂直面部４ｂの金属導
電膜２を除去するのに最適なエネルギー密度が０．４Ｊ
／ｃｍ2 の場合、垂直面部４ｂに対して６０°（レーザ
光Ｌの照射方向に対して３０°）の角度で傾斜している
斜面部４ａには２倍のエネルギー密度、即ち０．８Ｊ／
ｃｍ2 でレーザ光Ｌを照射しないと、垂直面部４ｂと斜
面部４ａの金属導電膜２を均一に除去することができな
い。
【００２３】そこで図１及び図２の実施例では、立体基
板１の垂直面部４ｂと斜面部４ａに吸収されるレーザ光
Ｌのエネルギーが略均一になるように、垂直面部４ｂと
斜面部４ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を
変える手段として、照射位置に応じてレーザ光Ｌの透過
率を異ならせた合成石英からなるガラスマスク１０を用
いるようにしている。すなわちマスク１０のうち、斜面
部４ａに照射されるレーザ光Ｌを透過させる透過部１５
ａはレーザ光Ｌを１００％透過させるように形成すると
共に垂直面部４ｂに照射されるレーザ光Ｌを透過させる
透過部１５ｂはレーザ光Ｌを５０％透過させるように形
成してあり、このマスク１０を通してレーザ光Ｌを立体
基板１に照射すると、レーザ源８から０．８Ｊ／ｃｍ2
のエネルギー密度で発光されたレーザ光Ｌは、透過部１
５ａを１００％が透過して斜面部４ａに０．８Ｊ／ｃｍ
2 のエネルギー密度で照射されると共に、透過部１５ｂ
を５０％が透過して垂直面部４ｂに０．４Ｊ／ｃｍ2 の
エネルギー密度で照射される。従って、レーザ光Ｌに特
に工夫をしたりする必要なく、レーザ光Ｌの照射をマス
ク１０で調整するだけで、立体基板１の立体表面の各面
に均一にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて図２
（ｃ）のように各面の金属導電膜２を均一に除去するこ
とができるものである。
板１の垂直面部４ｂと斜面部４ａに吸収されるレーザ光
Ｌのエネルギーが略均一になるように、垂直面部４ｂと
斜面部４ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を
変える手段として、照射位置に応じてレーザ光Ｌの透過
率を異ならせた合成石英からなるガラスマスク１０を用
いるようにしている。すなわちマスク１０のうち、斜面
部４ａに照射されるレーザ光Ｌを透過させる透過部１５
ａはレーザ光Ｌを１００％透過させるように形成すると
共に垂直面部４ｂに照射されるレーザ光Ｌを透過させる
透過部１５ｂはレーザ光Ｌを５０％透過させるように形
成してあり、このマスク１０を通してレーザ光Ｌを立体
基板１に照射すると、レーザ源８から０．８Ｊ／ｃｍ2
のエネルギー密度で発光されたレーザ光Ｌは、透過部１
５ａを１００％が透過して斜面部４ａに０．８Ｊ／ｃｍ
2 のエネルギー密度で照射されると共に、透過部１５ｂ
を５０％が透過して垂直面部４ｂに０．４Ｊ／ｃｍ2 の
エネルギー密度で照射される。従って、レーザ光Ｌに特
に工夫をしたりする必要なく、レーザ光Ｌの照射をマス
ク１０で調整するだけで、立体基板１の立体表面の各面
に均一にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて図２
（ｃ）のように各面の金属導電膜２を均一に除去するこ
とができるものである。
【００２４】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射で金属
導電膜２を部分的に除去した後、回路パターンで残った
金属導電膜２を陰極として通電し、電気めっきを行なっ
て図２（ｄ）のように金属導電膜２の表面に銅２０μ
ｍ、ニッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層１６を
設けて、形成所望厚さの回路に成長させることによっ
て、立体回路を形成することができるものである。
導電膜２を部分的に除去した後、回路パターンで残った
金属導電膜２を陰極として通電し、電気めっきを行なっ
て図２（ｄ）のように金属導電膜２の表面に銅２０μ
ｍ、ニッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層１６を
設けて、形成所望厚さの回路に成長させることによっ
て、立体回路を形成することができるものである。
【００２５】図３は請求項１及び２の発明に対応する第
２の実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同
様に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあ
り、立体基板１の表面に金属導電膜２が形成してある。
この実施例では、立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４
ａに吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる
ように、垂直面部４ｂと斜面部４ａに照射されるレーザ
光Ｌのエネルギー密度を変える手段として、波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等の２つのレーザ源８ａ，
８ｂを用い、レーザ光Ｌを合成して立体基板１の表面に
照射するようにしてある。
２の実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同
様に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあ
り、立体基板１の表面に金属導電膜２が形成してある。
この実施例では、立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４
ａに吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる
ように、垂直面部４ｂと斜面部４ａに照射されるレーザ
光Ｌのエネルギー密度を変える手段として、波長２４８
ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等の２つのレーザ源８ａ，
８ｂを用い、レーザ光Ｌを合成して立体基板１の表面に
照射するようにしてある。
【００２６】すなわち、各レーザ源８ａ，８ｂから０．
４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度でレーザ光Ｌを発光させ
る場合、一方のレーザ源８ａから発光されたレーザ光Ｌ
はマスク１０ａの透過部１５を１００％透過した後、ハ
ーフミラー１８を１００％透過すると共に全反射ミラー
１９で１００％反射されて方向変換し、レンズ２３を通
して立体基板１の表面の金属導電膜２のうち回路を形成
しない部分に照射される。このマスク１０ａの透過部１
５はレーザ光Ｌを立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４
ａの両方に照射させるパターンで形成してある。また他
方のレーザ源８ｂから発光されたレーザ光Ｌはマスク１
０ｂの透過部１５を１００％透過した後、ハーフミラー
１８で１００％反射されて方向変換すると共にさらに全
反射ミラー１９で１００％反射されて方向変換し、レン
ズ２３を通して立体基板１の表面金属導電膜２のうち回
路を形成しない部分に照射される。このマスク１０ｂは
レーザ光Ｌを斜面部４ａにのみ照射させるパターンで形
成してある。このように、垂直面部４ｂにはレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザ光
Ｌのみが照射されるが、斜面部４ａにはこのレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザ光
Ｌとレーザ源８ｂからの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー
密度のレーザ光Ｌとが照射され、両レーザ光Ｌが合成さ
れて０．８Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度で照射されるこ
とになる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をしたりする
必要なく、レーザ光Ｌの照射を調整するだけで、立体基
板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実効エネルギー
を作用させて金属導電膜２を均一に除去することができ
るものである。
４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度でレーザ光Ｌを発光させ
る場合、一方のレーザ源８ａから発光されたレーザ光Ｌ
はマスク１０ａの透過部１５を１００％透過した後、ハ
ーフミラー１８を１００％透過すると共に全反射ミラー
１９で１００％反射されて方向変換し、レンズ２３を通
して立体基板１の表面の金属導電膜２のうち回路を形成
しない部分に照射される。このマスク１０ａの透過部１
５はレーザ光Ｌを立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４
ａの両方に照射させるパターンで形成してある。また他
方のレーザ源８ｂから発光されたレーザ光Ｌはマスク１
０ｂの透過部１５を１００％透過した後、ハーフミラー
１８で１００％反射されて方向変換すると共にさらに全
反射ミラー１９で１００％反射されて方向変換し、レン
ズ２３を通して立体基板１の表面金属導電膜２のうち回
路を形成しない部分に照射される。このマスク１０ｂは
レーザ光Ｌを斜面部４ａにのみ照射させるパターンで形
成してある。このように、垂直面部４ｂにはレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザ光
Ｌのみが照射されるが、斜面部４ａにはこのレーザ源８
ａからの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザ光
Ｌとレーザ源８ｂからの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー
密度のレーザ光Ｌとが照射され、両レーザ光Ｌが合成さ
れて０．８Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度で照射されるこ
とになる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をしたりする
必要なく、レーザ光Ｌの照射を調整するだけで、立体基
板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実効エネルギー
を作用させて金属導電膜２を均一に除去することができ
るものである。
【００２７】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図４は請求項１及び３の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図４は請求項１及び３の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
【００２８】そして、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌを立体
基板１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成し
ない部分に選択的にレーザ光Ｌを照射するにあたって、
既述のように各面に照射されるレーザ光Ｌのエネルギー
密度を変える必要がある。例えば、垂直面部４ｂの金属
導電膜２を除去するのに最適なエネルギー密度が０．４
Ｊ／ｃｍ2 の場合、垂直面部４ｂに対して６０°の角度
で傾斜している斜面部４ａには２倍のエネルギー密度、
即ち０．８Ｊ／ｃｍ2 でレーザ光Ｌを照射しないと、垂
直面部４ｂと斜面部４ａの金属導電膜２を均一に除去す
ることができない。
レーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌを立体
基板１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成し
ない部分に選択的にレーザ光Ｌを照射するにあたって、
既述のように各面に照射されるレーザ光Ｌのエネルギー
密度を変える必要がある。例えば、垂直面部４ｂの金属
導電膜２を除去するのに最適なエネルギー密度が０．４
Ｊ／ｃｍ2 の場合、垂直面部４ｂに対して６０°の角度
で傾斜している斜面部４ａには２倍のエネルギー密度、
即ち０．８Ｊ／ｃｍ2 でレーザ光Ｌを照射しないと、垂
直面部４ｂと斜面部４ａの金属導電膜２を均一に除去す
ることができない。
【００２９】そこで図４の実施例では、立体基板１の垂
直面部４ｂと斜面部４ａに吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるように、垂直面部４ｂと斜面部４
ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を変えるた
めに、垂直面部４ｂにレーザ光Ｌを照射する回数より
も、斜面部４ａにレーザ光Ｌを照射する回数を多くする
ようにしている。すなわちマスク１０として、レーザ光
Ｌを立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４ａの両方に照
射させるように透過するパターンで透過部１５ｃを設け
たマスク１０ａと、レーザ光Ｌを斜面部４ａにのみ照射
させるように透過するパターンで透過部１５ｄを設けた
マスク１０ｂとを用い、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌを、
まず図４（ａ）のようにマスク１０ａの透過部１５ｃを
透過させ、レンズ２３を通して立体基板１の表面の金属
導電膜２のうち回路を形成しない部分に照射させる。こ
のときレーザ光Ｌは立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部
４ａの両方に照射される。次にマスク１０ａとマスク１
０ｂを取り替え、図４（ｂ）のようにレーザ源８ａから
発光されたレーザ光Ｌをマスク１０ｂの透過部１５ｄを
透過させ、レンズ２３を通して立体基板１の表面の金属
導電膜２のうち回路を形成しない部分に照射させる。こ
のときレーザ光Ｌは斜面部４ａにのみ照射される。ここ
で、垂直面部４ｂには図４（ａ）の工程でレーザ源８か
らの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザ光Ｌが
照射され、垂直面部４ｂに設けた金属導電膜２のうちレ
ーザ光Ｌが照射された部分は図４（ｂ）のように除去さ
れるが、斜面部４ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギ
ー密度は０．４Ｊ／ｃｍ2 では小さいためにレーザ光Ｌ
が照射された部分の金属導電膜２は半分程度の厚みで残
る。しかし、次に図４（ｂ）の工程で斜面部４ａにはさ
らにレーザ源８からの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密
度のレーザ光Ｌが照射されるために、斜面部４ａに照射
されるレーザ光Ｌのエネルギー密度は合計０．８Ｊ／ｃ
ｍ2 となり、図４（ｃ）に示すように半分程度の厚みで
残った金属導電膜２は完全に除去される。従って、レー
ザ光Ｌに特に工夫をしたりする必要なく、レーザ光Ｌの
照射を調整するだけで、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて金属導電膜
２を均一に除去することができるものである。
直面部４ｂと斜面部４ａに吸収されるレーザ光Ｌのエネ
ルギーが略均一になるように、垂直面部４ｂと斜面部４
ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギー密度を変えるた
めに、垂直面部４ｂにレーザ光Ｌを照射する回数より
も、斜面部４ａにレーザ光Ｌを照射する回数を多くする
ようにしている。すなわちマスク１０として、レーザ光
Ｌを立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部４ａの両方に照
射させるように透過するパターンで透過部１５ｃを設け
たマスク１０ａと、レーザ光Ｌを斜面部４ａにのみ照射
させるように透過するパターンで透過部１５ｄを設けた
マスク１０ｂとを用い、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシ
マレーザ等のレーザ源８から発光されるレーザ光Ｌを、
まず図４（ａ）のようにマスク１０ａの透過部１５ｃを
透過させ、レンズ２３を通して立体基板１の表面の金属
導電膜２のうち回路を形成しない部分に照射させる。こ
のときレーザ光Ｌは立体基板１の垂直面部４ｂと斜面部
４ａの両方に照射される。次にマスク１０ａとマスク１
０ｂを取り替え、図４（ｂ）のようにレーザ源８ａから
発光されたレーザ光Ｌをマスク１０ｂの透過部１５ｄを
透過させ、レンズ２３を通して立体基板１の表面の金属
導電膜２のうち回路を形成しない部分に照射させる。こ
のときレーザ光Ｌは斜面部４ａにのみ照射される。ここ
で、垂直面部４ｂには図４（ａ）の工程でレーザ源８か
らの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザ光Ｌが
照射され、垂直面部４ｂに設けた金属導電膜２のうちレ
ーザ光Ｌが照射された部分は図４（ｂ）のように除去さ
れるが、斜面部４ａに照射されるレーザ光Ｌのエネルギ
ー密度は０．４Ｊ／ｃｍ2 では小さいためにレーザ光Ｌ
が照射された部分の金属導電膜２は半分程度の厚みで残
る。しかし、次に図４（ｂ）の工程で斜面部４ａにはさ
らにレーザ源８からの０．４Ｊ／ｃｍ2 のエネルギー密
度のレーザ光Ｌが照射されるために、斜面部４ａに照射
されるレーザ光Ｌのエネルギー密度は合計０．８Ｊ／ｃ
ｍ2 となり、図４（ｃ）に示すように半分程度の厚みで
残った金属導電膜２は完全に除去される。従って、レー
ザ光Ｌに特に工夫をしたりする必要なく、レーザ光Ｌの
照射を調整するだけで、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて金属導電膜
２を均一に除去することができるものである。
【００３０】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図５は請求項１及び４の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図５は請求項１及び４の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
【００３１】この実施例では、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるように、レーザ光Ｌの照射方向に対して立体基板１
の向きを変えて立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射
角度を変えるようにしている。すなわり、レーザ光Ｌの
照射方向に対して斜面部４ａの角度に応じた角度で立体
基板１を回転させ、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの入
射角度と、垂直面部４ｂに対する入射角度が略等しくな
るようにしてある。例えば、斜面部４ａの垂直面部４ｂ
に対する傾きが６０°の場合、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ等のレーザ源８から発光されマスク１０
の透過部１５を透過し、レンズ２３を通して照射される
レーザ光Ｌの照射方向に対して、立体基板１を３０°の
角度で傾くように回転させると、斜面部４ａに対するレ
ーザ光Ｌの入射角度は６０°になると共に垂直面部４ｂ
に対する入射角度も６０°になり、斜面部４ａに対する
レーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角度
とが等しくなる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をした
りする必要なく、立体基板１を所定角度で回転させるだ
けで、立体基板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実
効エネルギーを作用させて金属導電膜２を均一に除去す
ることができるものである。この方法は、斜面部４ａが
垂直面部４ｂに対して９０°以上の角度で傾斜するアン
ダーカット面になっている場合に特に有効である。
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるように、レーザ光Ｌの照射方向に対して立体基板１
の向きを変えて立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射
角度を変えるようにしている。すなわり、レーザ光Ｌの
照射方向に対して斜面部４ａの角度に応じた角度で立体
基板１を回転させ、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの入
射角度と、垂直面部４ｂに対する入射角度が略等しくな
るようにしてある。例えば、斜面部４ａの垂直面部４ｂ
に対する傾きが６０°の場合、波長２４８ｎｍのＫｒＦ
エキシマレーザ等のレーザ源８から発光されマスク１０
の透過部１５を透過し、レンズ２３を通して照射される
レーザ光Ｌの照射方向に対して、立体基板１を３０°の
角度で傾くように回転させると、斜面部４ａに対するレ
ーザ光Ｌの入射角度は６０°になると共に垂直面部４ｂ
に対する入射角度も６０°になり、斜面部４ａに対する
レーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角度
とが等しくなる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をした
りする必要なく、立体基板１を所定角度で回転させるだ
けで、立体基板１の表面の各面に均一にレーザ光Ｌの実
効エネルギーを作用させて金属導電膜２を均一に除去す
ることができるものである。この方法は、斜面部４ａが
垂直面部４ｂに対して９０°以上の角度で傾斜するアン
ダーカット面になっている場合に特に有効である。
【００３２】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図６は請求項１及び５の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図６は請求項１及び５の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基板１
の表面に金属導電膜２が形成してある。
【００３３】この実施例では、立体基板１の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、一方向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させ
て立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変える
ようにしている。すなわち、図６（ａ）のようにハーフ
ミラー等で形成される分岐ミラー２１及び一対の反射ミ
ラー２２ａ，２２ｂを用い、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザ等のレーザ源から発光されるレーザ光Ｌを
分岐ミラー２１に４５°の角度で入射させ、レーザ光Ｌ
の５０％を分岐ミラー２１で反射させると共に５０％を
分岐ミラー２１を透過させる。そして分岐ミラー２１で
反射させたレーザ光Ｌを反射ミラー２２ａで反射させ、
さらにマスク１０ａの透過部１５ａを透過させると共に
レンズ２３で集光させて立体基板１の表面に照射させ
る。また分岐ミラー２１を透過させたレーザ光Ｌを反射
ミラー２２ｂで反射させ、さらにマスク１０ｂの透過部
１５ｂを透過させると共に集光レンズ２３で集光させて
立体基板１の表面に照射させる。このようにして、一方
向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させることによっ
て、立体基板１の複数箇所に同時にレーザ光Ｌを照射す
ることができるものであり、生産効率を高めることがで
きるものである。また、立体基板１へのレーザ光Ｌの入
射角度は反射ミラー２２ａ，２２ｂを角度を矢印方向に
変えるように回転させてレーザ光Ｌの反射角度を調整す
ることによって制御することができ、斜面部４ａに対す
るレーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角
度が略等しくなるように調整することができ、図６
（ｂ）に示すように斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面
部４ｂの金属導電膜２を均一に除去することができるも
のである。
の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一に
なるよう、一方向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させ
て立体基板１の表面へのレーザ光Ｌの入射角度を変える
ようにしている。すなわち、図６（ａ）のようにハーフ
ミラー等で形成される分岐ミラー２１及び一対の反射ミ
ラー２２ａ，２２ｂを用い、波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザ等のレーザ源から発光されるレーザ光Ｌを
分岐ミラー２１に４５°の角度で入射させ、レーザ光Ｌ
の５０％を分岐ミラー２１で反射させると共に５０％を
分岐ミラー２１を透過させる。そして分岐ミラー２１で
反射させたレーザ光Ｌを反射ミラー２２ａで反射させ、
さらにマスク１０ａの透過部１５ａを透過させると共に
レンズ２３で集光させて立体基板１の表面に照射させ
る。また分岐ミラー２１を透過させたレーザ光Ｌを反射
ミラー２２ｂで反射させ、さらにマスク１０ｂの透過部
１５ｂを透過させると共に集光レンズ２３で集光させて
立体基板１の表面に照射させる。このようにして、一方
向から照射されるレーザ光Ｌを分岐させることによっ
て、立体基板１の複数箇所に同時にレーザ光Ｌを照射す
ることができるものであり、生産効率を高めることがで
きるものである。また、立体基板１へのレーザ光Ｌの入
射角度は反射ミラー２２ａ，２２ｂを角度を矢印方向に
変えるように回転させてレーザ光Ｌの反射角度を調整す
ることによって制御することができ、斜面部４ａに対す
るレーザ光Ｌの入射角度と垂直面部４ｂに対する入射角
度が略等しくなるように調整することができ、図６
（ｂ）に示すように斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面
部４ｂの金属導電膜２を均一に除去することができるも
のである。
【００３４】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図７の実施例は、斜面部４ａが垂直面部４ｂに対
して９０°の角度の直角面である場合の実施例であり、
その他は図６の実施例と同じ構成に形成してある。そし
てこの実施例では、図７（ａ）のように波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光されるエ
ネルギー密度が０．８Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌを分岐ミ
ラー２１で０．４Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌに分岐させ、
さらにそれぞれのレーザ光Ｌを反射ミラー２２ａ，２２
ｂで反射させると共にマスク１０ａ，１０ｂ及びレンズ
２３を通して立体基板１に照射させるようにしてあり、
このとき、反射ミラー２２ａ，２２ｂの角度を調整して
その反射角度を設定することによって、斜面部４ａと垂
直面部４ｂにそれぞれ４５°の入射角でレーザ光Ｌが照
射されるようにしてある。従って、図７（ｂ）に示すよ
うに斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面部４ｂの金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図７の実施例は、斜面部４ａが垂直面部４ｂに対
して９０°の角度の直角面である場合の実施例であり、
その他は図６の実施例と同じ構成に形成してある。そし
てこの実施例では、図７（ａ）のように波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光されるエ
ネルギー密度が０．８Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌを分岐ミ
ラー２１で０．４Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌに分岐させ、
さらにそれぞれのレーザ光Ｌを反射ミラー２２ａ，２２
ｂで反射させると共にマスク１０ａ，１０ｂ及びレンズ
２３を通して立体基板１に照射させるようにしてあり、
このとき、反射ミラー２２ａ，２２ｂの角度を調整して
その反射角度を設定することによって、斜面部４ａと垂
直面部４ｂにそれぞれ４５°の入射角でレーザ光Ｌが照
射されるようにしてある。従って、図７（ｂ）に示すよ
うに斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面部４ｂの金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。
【００３５】図８（ａ）の実施例では、レーザ源から発
光されるレーザ光Ｌをマスク１０の一対の透過部１５に
透過させて分岐させ、この分岐させたレーザ光Ｌをレン
ズ２３に通した後に反射ミラー２２ａ，２２ｂでそれぞ
れ反射させて立体基板１の表面に均一に照射させるよう
にしてある。また図８（ｂ）の実施例では、レーザ源か
ら発光されるレーザ光Ｌをマスク１０の透過部１５に透
過させると共にレンズ２３に通した後、外周面が反射面
となった円錐ミラー２４で反射させてレーザ光Ｌを分岐
させ、この分岐させたレーザ光Ｌを内周面が反射面とな
った円筒ミラー２５でそれぞれ反射させて立体基板１の
表面に均一に照射させるようにしてある。
光されるレーザ光Ｌをマスク１０の一対の透過部１５に
透過させて分岐させ、この分岐させたレーザ光Ｌをレン
ズ２３に通した後に反射ミラー２２ａ，２２ｂでそれぞ
れ反射させて立体基板１の表面に均一に照射させるよう
にしてある。また図８（ｂ）の実施例では、レーザ源か
ら発光されるレーザ光Ｌをマスク１０の透過部１５に透
過させると共にレンズ２３に通した後、外周面が反射面
となった円錐ミラー２４で反射させてレーザ光Ｌを分岐
させ、この分岐させたレーザ光Ｌを内周面が反射面とな
った円筒ミラー２５でそれぞれ反射させて立体基板１の
表面に均一に照射させるようにしてある。
【００３６】図９は請求項１及び６の発明に対応する実
施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立
体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体
基板１の表面に金属導電膜２が形成してある。この実施
例では、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレ
ーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるよう、反射ミラー
５によってレーザ光Ｌを反射させて立体基板１の表面へ
のレーザ光Ｌの入射角度を調整するようにしている。す
なわち、レーザ源８から発光されるレーザ光Ｌをマスク
１０の透過部１５を透過させると共にレンズ２３に通し
た後に反射ミラー５で反射させ、この反射させたレーザ
光Ｌを立体基板１の表面に照射させるようにしてある。
立体基板１へのレーザ光Ｌの入射角度は反射ミラー５の
向きを調整することによって制御することができるの
で、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの入射角度と垂直面
部４ｂに対する入射角度が略等しくなるように調整する
ことができる。例えば反射ミラー５の向きを調整するこ
とによって図９（ａ）のように斜面部４ａに９０°の角
度でレーザ光Ｌを入射させることができ、さらに反射ミ
ラー５の向きを調整することによって垂直面部４ｂに対
しても９０°の角度でレーザ光Ｌを入射させることがで
きる。垂直面部４ｂに対しては反射ミラー５を用いずに
立体基板１の鉛直上方からレーザ光Ｌを照射することに
よって９０°の角度で入射させることも可能である。こ
のようにして、斜面部４ａと垂直面部４ｂに対するレー
ザ光Ｌの入射角度を略等しくなるように調整することに
よって、斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面部４ｂの金
属導電膜２を均一に除去することができるものである。
施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立
体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体
基板１の表面に金属導電膜２が形成してある。この実施
例では、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレ
ーザ光Ｌのエネルギーが略均一になるよう、反射ミラー
５によってレーザ光Ｌを反射させて立体基板１の表面へ
のレーザ光Ｌの入射角度を調整するようにしている。す
なわち、レーザ源８から発光されるレーザ光Ｌをマスク
１０の透過部１５を透過させると共にレンズ２３に通し
た後に反射ミラー５で反射させ、この反射させたレーザ
光Ｌを立体基板１の表面に照射させるようにしてある。
立体基板１へのレーザ光Ｌの入射角度は反射ミラー５の
向きを調整することによって制御することができるの
で、斜面部４ａに対するレーザ光Ｌの入射角度と垂直面
部４ｂに対する入射角度が略等しくなるように調整する
ことができる。例えば反射ミラー５の向きを調整するこ
とによって図９（ａ）のように斜面部４ａに９０°の角
度でレーザ光Ｌを入射させることができ、さらに反射ミ
ラー５の向きを調整することによって垂直面部４ｂに対
しても９０°の角度でレーザ光Ｌを入射させることがで
きる。垂直面部４ｂに対しては反射ミラー５を用いずに
立体基板１の鉛直上方からレーザ光Ｌを照射することに
よって９０°の角度で入射させることも可能である。こ
のようにして、斜面部４ａと垂直面部４ｂに対するレー
ザ光Ｌの入射角度を略等しくなるように調整することに
よって、斜面部４ａの金属導電膜２と垂直面部４ｂの金
属導電膜２を均一に除去することができるものである。
【００３７】図９の実施例では、図９（ａ）のように波
長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８か
ら発光されるレーザ光Ｌをマスク１０ａの透過部１５ａ
及びレンズ２３に通した後に反射ミラー５で反射させて
９０°の入射角度で一方の斜面部４ａに照射させ、この
斜面部４ａに設けた金属導電膜２のうち回路を形成しな
い部分を図９（ｂ）のように除去した後、図９（ｂ）の
矢印のように立体基板１を水平に所定角度で回転させ、
次に図９（ｃ）のように他のマスク１０ｂを用いてレー
ザ光Ｌをこのマスク１０ｂの透過部１５ｂ及びレンズ２
３に通した後に反射ミラー５で反射させて９０°の入射
角度で他方の斜面部４ａに照射させ、この斜面部４ａに
設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を図９
（ｄ）のように除去するようにしてある。このように立
体基板１を回転させることによって、立体基板１の複数
の面にレーザ光Ｌを照射することができるものであり、
しかも図６〜図８の実施例のようにレーザ光Ｌを分岐し
ていないので、エネルギー密度の高いレーザ光Ｌを照射
することができるものである。垂直面部４ｂに対して
は、立体基板１の鉛直上方からレーザ光Ｌを照射するこ
とによって９０°の入射角度で照射して垂直面部４ｂに
設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を除去
することができる。
長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８か
ら発光されるレーザ光Ｌをマスク１０ａの透過部１５ａ
及びレンズ２３に通した後に反射ミラー５で反射させて
９０°の入射角度で一方の斜面部４ａに照射させ、この
斜面部４ａに設けた金属導電膜２のうち回路を形成しな
い部分を図９（ｂ）のように除去した後、図９（ｂ）の
矢印のように立体基板１を水平に所定角度で回転させ、
次に図９（ｃ）のように他のマスク１０ｂを用いてレー
ザ光Ｌをこのマスク１０ｂの透過部１５ｂ及びレンズ２
３に通した後に反射ミラー５で反射させて９０°の入射
角度で他方の斜面部４ａに照射させ、この斜面部４ａに
設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を図９
（ｄ）のように除去するようにしてある。このように立
体基板１を回転させることによって、立体基板１の複数
の面にレーザ光Ｌを照射することができるものであり、
しかも図６〜図８の実施例のようにレーザ光Ｌを分岐し
ていないので、エネルギー密度の高いレーザ光Ｌを照射
することができるものである。垂直面部４ｂに対して
は、立体基板１の鉛直上方からレーザ光Ｌを照射するこ
とによって９０°の入射角度で照射して垂直面部４ｂに
設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を除去
することができる。
【００３８】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１０の実施例は、斜面部４ａが垂直面部４ｂに
対して９０°の角度の直角面である場合の実施例であ
り、その他は図８の実施例と同じ構成に形成してある
が、この実施例では反射ミラー５で反射させたレーザ光
Ｌを斜面部４ａに９０°の入射角度で照射させると共
に、反射ミラー５を取り除くことによって垂直面部４ｂ
にレーザ光Ｌを９０°の入射角度で照射させることがで
きるようにしてある。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１０の実施例は、斜面部４ａが垂直面部４ｂに
対して９０°の角度の直角面である場合の実施例であ
り、その他は図８の実施例と同じ構成に形成してある
が、この実施例では反射ミラー５で反射させたレーザ光
Ｌを斜面部４ａに９０°の入射角度で照射させると共
に、反射ミラー５を取り除くことによって垂直面部４ｂ
にレーザ光Ｌを９０°の入射角度で照射させることがで
きるようにしてある。
【００３９】図１１は請求項１及び７の発明に対応する
実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に
立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、こ
の立体基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図
１１（ａ）のようにパラジウムの厚み０．５μｍの金属
導電膜２が設けてある。この実施例では、立体基板１の
表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギー
が略均一になるよう、レーザ光Ｌを照射するに先立っ
て、立体基板１の表面の垂直面部４ｂにレーザ光Ｌの吸
収効率の低い材料６をコーティングしておくようにして
ある。すなわち、図１１（ｂ）のように斜面部４ａにお
いてのみ金属導電膜２の表面に厚み１０μｍの電着レジ
スト２７を塗布した後、金属導電膜２に通電して電気銅
めっきをおこなうことによって、レーザ光Ｌの吸収効率
の低い材料６として厚み０．５μｍの銅めっき層６ａを
図１１（ｃ）のように垂直面部４ｂにおいてのみ金属導
電膜２の表面に設けてある。電着レジスト２７を剥離す
ると図１１（ｃ）のように、垂直面部４ｂは０．５μｍ
のパラジウムの金属導電膜２と０．５μｍの銅めっき層
６ａの２層に、斜面部４ａは０．５μｍのパラジウムの
金属導電膜２の１層になっている。
実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に
立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、こ
の立体基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図
１１（ａ）のようにパラジウムの厚み０．５μｍの金属
導電膜２が設けてある。この実施例では、立体基板１の
表面の立体の各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギー
が略均一になるよう、レーザ光Ｌを照射するに先立っ
て、立体基板１の表面の垂直面部４ｂにレーザ光Ｌの吸
収効率の低い材料６をコーティングしておくようにして
ある。すなわち、図１１（ｂ）のように斜面部４ａにお
いてのみ金属導電膜２の表面に厚み１０μｍの電着レジ
スト２７を塗布した後、金属導電膜２に通電して電気銅
めっきをおこなうことによって、レーザ光Ｌの吸収効率
の低い材料６として厚み０．５μｍの銅めっき層６ａを
図１１（ｃ）のように垂直面部４ｂにおいてのみ金属導
電膜２の表面に設けてある。電着レジスト２７を剥離す
ると図１１（ｃ）のように、垂直面部４ｂは０．５μｍ
のパラジウムの金属導電膜２と０．５μｍの銅めっき層
６ａの２層に、斜面部４ａは０．５μｍのパラジウムの
金属導電膜２の１層になっている。
【００４０】そして図１１（ｄ）のように波長１０６４
ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネル
ギー密度が０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマスク１０
の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面
に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を
除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは
垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収
効率が悪いが、垂直面部４ｂにはレーザ光Ｌの吸収効率
の低い材料６として銅めっき層６ａが設けてあるため
に、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌ
に特に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交
換したりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図１１
（ｅ）のように立体基板１の立体表面の各面から金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。
ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネル
ギー密度が０．５Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマスク１０
の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面
に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を
除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは
垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収
効率が悪いが、垂直面部４ｂにはレーザ光Ｌの吸収効率
の低い材料６として銅めっき層６ａが設けてあるため
に、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌ
に特に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交
換したりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図１１
（ｅ）のように立体基板１の立体表面の各面から金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。
【００４１】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１２は請求項１及び８の発明に対応する実施例
を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基
板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、この立体
基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図１２
（ａ）のように銅の厚み０．５μｍの金属導電膜２が設
けてある。この実施例では、立体基板１の表面の立体の
各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一にな
るよう、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基板１
の表面の斜面部４ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材料
７をコーティングしておくようにしてある。すなわち、
図１２（ｂ）のように斜面部４ａにおいてのみ金属導電
膜２の表面にマスクスパッタリングをおこなってレーザ
光Ｌの吸収効率の高い材料７としてニッケル膜７ａを析
出させてある。そして図１２（ｃ）のように波長１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネ
ルギー密度が０．３Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマスク１
０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表
面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分
を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａ
は垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸
収効率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率
の高い材料７としてニッケル膜７ａが設けてあるため
に、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌ
に特に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交
換したりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図１２
（ｄ）のように金属導電膜２を均一に除去することがで
きるものである。またこの実施例では斜面部４ａのレー
ザ光Ｌの吸収効率を高めているために、レーザ光Ｌのエ
ネルギーを有効に活用することができるものである。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１２は請求項１及び８の発明に対応する実施例
を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基
板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、この立体
基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等で図１２
（ａ）のように銅の厚み０．５μｍの金属導電膜２が設
けてある。この実施例では、立体基板１の表面の立体の
各面に吸収されるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一にな
るよう、レーザ光Ｌを照射するに先立って、立体基板１
の表面の斜面部４ａにレーザ光Ｌの吸収効率の高い材料
７をコーティングしておくようにしてある。すなわち、
図１２（ｂ）のように斜面部４ａにおいてのみ金属導電
膜２の表面にマスクスパッタリングをおこなってレーザ
光Ｌの吸収効率の高い材料７としてニッケル膜７ａを析
出させてある。そして図１２（ｃ）のように波長１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネ
ルギー密度が０．３Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマスク１
０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表
面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分
を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａ
は垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸
収効率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率
の高い材料７としてニッケル膜７ａが設けてあるため
に、立体基板１の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、レーザ光Ｌ
に特に工夫をしたりする必要なく、またマスク１０を交
換したりする必要なく、立体基板１の表面の各面に均一
にレーザ光Ｌの実効エネルギーを作用させて、図１２
（ｄ）のように金属導電膜２を均一に除去することがで
きるものである。またこの実施例では斜面部４ａのレー
ザ光Ｌの吸収効率を高めているために、レーザ光Ｌのエ
ネルギーを有効に活用することができるものである。
【００４２】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１３は、請求項１及び８の発明に対応する第２
の実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様
に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、
この立体基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等を
することによって、まず図１３（ａ）のように斜面部４
ａにパラジウム２ａの厚み０．５μｍの金属導電膜２を
設けると共に、図１３（ｂ）のように垂直面部４ｂに銅
２ｂの厚み０．５μｍの金属導電膜２が設けてある。パ
ラジウム２ａは銅２ｂよりもレーザ光Ｌの吸収効率の高
いので、この実施例においても斜面部４ａにはレーザ光
Ｌの吸収効率の高い材料７が設けられている。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１３は、請求項１及び８の発明に対応する第２
の実施例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様
に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、
この立体基板１の表面にスパッタリングや真空蒸着等を
することによって、まず図１３（ａ）のように斜面部４
ａにパラジウム２ａの厚み０．５μｍの金属導電膜２を
設けると共に、図１３（ｂ）のように垂直面部４ｂに銅
２ｂの厚み０．５μｍの金属導電膜２が設けてある。パ
ラジウム２ａは銅２ｂよりもレーザ光Ｌの吸収効率の高
いので、この実施例においても斜面部４ａにはレーザ光
Ｌの吸収効率の高い材料７が設けられている。
【００４３】そして図１３（ｃ）のように波長１０６４
ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネル
ギー密度が０．３Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマスク１０
の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面
に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を
除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは
垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収
効率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率の
高い材料７であるパラジウム２ａで金属導電膜２が設け
てあるために、立体基板１の表面の立体の各面に吸収さ
れるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、
図１３（ｄ）のように立体基板１の各面の金属導電膜２
を均一に除去することができるものである。
ｎｍのＹＡＧレーザ等のレーザ源から発光されるエネル
ギー密度が０．３Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマスク１０
の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１の表面
に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない部分を
除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部４ａは
垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌの吸収
効率が悪いが、斜面部４ａにはレーザ光Ｌの吸収効率の
高い材料７であるパラジウム２ａで金属導電膜２が設け
てあるために、立体基板１の表面の立体の各面に吸収さ
れるレーザ光Ｌのエネルギーが略均一になる。従って、
図１３（ｄ）のように立体基板１の各面の金属導電膜２
を均一に除去することができるものである。
【００４４】図１４は、請求項９の発明に対応する実施
例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体
基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基
板１の表面に指向性のある成膜をおこなって、斜面部４
ａには小さい膜厚で、垂直面部４ｂには大きい膜厚で金
属導電膜２を設けてある。すなわち、真空蒸着で立体基
板１の表面に銅の金属導電膜２を設ける場合、図１４
（ａ）のように蒸着成分は蒸着源から矢印方向に飛翔す
る指向性があるために、斜面部４ａの金属導電膜２は小
さい膜厚、例えば０．５μｍの膜厚で、垂直面部４ｂの
金属導電膜２は大きい膜厚、例えば１μｍの膜厚でそれ
ぞれ設けることができるものである。
例を示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体
基板１を作製すると共に表面を粗面化してあり、立体基
板１の表面に指向性のある成膜をおこなって、斜面部４
ａには小さい膜厚で、垂直面部４ｂには大きい膜厚で金
属導電膜２を設けてある。すなわち、真空蒸着で立体基
板１の表面に銅の金属導電膜２を設ける場合、図１４
（ａ）のように蒸着成分は蒸着源から矢印方向に飛翔す
る指向性があるために、斜面部４ａの金属導電膜２は小
さい膜厚、例えば０．５μｍの膜厚で、垂直面部４ｂの
金属導電膜２は大きい膜厚、例えば１μｍの膜厚でそれ
ぞれ設けることができるものである。
【００４５】そして図１４（ｂ）のように波長２４８ｎ
ｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光される
エネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマス
ク１０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１
の表面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない
部分を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部
４ａは垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌ
の吸収効率が悪いが、斜面部４ａの金属導電膜２は膜厚
が小さいために、小さいエネルギーのレーザ光Ｌで除去
することができる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をし
たりする必要なく、図１４（ｃ）のように立体基板１の
各面の金属導電膜２を均一に除去することができるもの
である。
ｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光される
エネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマス
ク１０の透過部１５及びレンズ２３を通して立体基板１
の表面に照射し、金属導電膜２のうち回路を形成しない
部分を除去する。このとき、立体基板１の表面の斜面部
４ａは垂直面部４ｂよりも単位面積当たりのレーザ光Ｌ
の吸収効率が悪いが、斜面部４ａの金属導電膜２は膜厚
が小さいために、小さいエネルギーのレーザ光Ｌで除去
することができる。従って、レーザ光Ｌに特に工夫をし
たりする必要なく、図１４（ｃ）のように立体基板１の
各面の金属導電膜２を均一に除去することができるもの
である。
【００４６】このようにしてレーザ光Ｌの照射で金属導
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１５は、請求項１０の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、まずこの立
体基板１の表面に真空蒸着等で銅の１μｍ厚の金属導電
膜２を図１５（ａ）のように形成すると共に、さらにそ
の上に電着レジストを塗布して全面露光をおこなうとに
よってレジスト膜３を硬化させる。
電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して回
路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行なう
ことによって、立体回路を形成することができるもので
ある。図１５は、請求項１０の発明に対応する実施例を
示すものであり、図１の実施例の場合と同様に立体基板
１を作製すると共に表面を粗面化してあり、まずこの立
体基板１の表面に真空蒸着等で銅の１μｍ厚の金属導電
膜２を図１５（ａ）のように形成すると共に、さらにそ
の上に電着レジストを塗布して全面露光をおこなうとに
よってレジスト膜３を硬化させる。
【００４７】そして図１５（ｂ）のように波長２４８ｎ
ｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光される
エネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマス
ク１０の透過部１５及びレンズ２３を通して１０ショッ
ト、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路
を形成しない部分に照射する。このとき、立体基板１の
表面の斜面部４ａは垂直面部４ｂよりも単位面積当たり
のレーザ光Ｌの吸収効率が悪いために、垂直面部４ｂで
はレーザ光Ｌを照射した箇所のレジスト膜３と金属導電
膜２の両方が同時に除去されるが、斜面部４ａではレー
ザ光Ｌを照射した箇所のレジスト膜３は除去されるもの
の金属導電膜２は少なくとも０．５μｍの厚みで残る。
しかし、レーザ光Ｌを照射した箇所において斜面部４ａ
に残ったこの金属導電膜２はレジスト膜３で被覆されて
いなために、塩化第２銅溶液などのエッチング溶液を用
いてエッチング処理することによって図１５（ｃ）のよ
うに除去することができる。金属導電膜２の上に残った
レジスト膜３は苛性ソーダ水溶液等を用いて図１５
（ｄ）のように剥離することができる。
ｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源から発光される
エネルギー密度が０．４Ｊ／ｃｍ2 のレーザ光Ｌをマス
ク１０の透過部１５及びレンズ２３を通して１０ショッ
ト、立体基板１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路
を形成しない部分に照射する。このとき、立体基板１の
表面の斜面部４ａは垂直面部４ｂよりも単位面積当たり
のレーザ光Ｌの吸収効率が悪いために、垂直面部４ｂで
はレーザ光Ｌを照射した箇所のレジスト膜３と金属導電
膜２の両方が同時に除去されるが、斜面部４ａではレー
ザ光Ｌを照射した箇所のレジスト膜３は除去されるもの
の金属導電膜２は少なくとも０．５μｍの厚みで残る。
しかし、レーザ光Ｌを照射した箇所において斜面部４ａ
に残ったこの金属導電膜２はレジスト膜３で被覆されて
いなために、塩化第２銅溶液などのエッチング溶液を用
いてエッチング処理することによって図１５（ｃ）のよ
うに除去することができる。金属導電膜２の上に残った
レジスト膜３は苛性ソーダ水溶液等を用いて図１５
（ｄ）のように剥離することができる。
【００４８】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射及びエ
ッチングで金属導電膜２を部分的に除去した後、図２
（ｄ）と同様して回路パターンで残した金属導電膜２に
電気めっきを行なうことによって、立体回路を形成する
ことができるものである。このように、エッチングの手
法を併用することによって、斜面部４ａにおけるレーザ
光Ｌの実効エネルギーの不足を補って、立体基板１の表
面の各面の金属導電膜２を均一に除去することができ、
立体回路のパターンニングの信頼性を高めることができ
るものである。
ッチングで金属導電膜２を部分的に除去した後、図２
（ｄ）と同様して回路パターンで残した金属導電膜２に
電気めっきを行なうことによって、立体回路を形成する
ことができるものである。このように、エッチングの手
法を併用することによって、斜面部４ａにおけるレーザ
光Ｌの実効エネルギーの不足を補って、立体基板１の表
面の各面の金属導電膜２を均一に除去することができ、
立体回路のパターンニングの信頼性を高めることができ
るものである。
【００４９】図１６は、請求項１１及び１２の発明に対
応する実施例を示すものであり、レーザ源８と集光レン
ズ９とのマスク１０を設け、斜面部４ａと垂直面部４ｂ
など立体基板１の表面の高さに応じてマスク１０のレー
ザ光Ｌを透過させる透過部１５と集光レンズとの間の距
離を変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ
光Ｌの結像点を調整し、立体基板１の表面の立体の各面
にレーザ光Ｌを結像させるようにしてある。すなわち、
集光レンズ９の焦点距離をｆ、マスク１０と集光レンズ
９との間の反射ミラー３０を介した光学的距離をａ、集
光レンズ９と立体基板１の表面との間の距離をｂとする
と、１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立する条件でレ
ーザ光Ｌは立体基板１の表面に結像する。従って、立体
基板１の表面のうち高さが高い面は集光レンズ９との間
の距離が小さい、つまりｂの数値が小さくなるために、
この面に結像させるためにはａを大きくしてマスク１０
と集光レンズ９との間の距離が大きくなるように調整す
ればよく、また立体基板１の表面のうち高さが低い面は
集光レンズ９との間の距離が大きい、つまりｂの数値が
大きいために、この面に結像させるためにはａを小さく
してマスク１０と集光レンズ９との間の距離が小さくな
るように調整すればよい。具体的には、集光レンズ９と
立体基板１の表面との間の距離がｂ′の部分では、マス
ク１０と集光レンズ９との間の距離ａ′は上記の数式か
ら導かれるａ′＝ｆｂ′／（ｂ−ｆ′）のとして算出す
ることができ、このａ′の距離になるようにマスク１０
と集光レンズ９との間の距離を調整すればよい。例え
ば、集光レンズ９の焦点距離ｆ＝１００ｍｍ、集光レン
ズ９と立体基板１の表面との距離ｂ＝２００ｍｍの場
合、マスク１０と集光レンズ９との間の距離ａ＝２００
ｍｍに調整することによって、立体基板１の表面にレー
ザ光Ｌを結像させることができるが、立体基板１の表面
のうちこの面よりも２０ｍｍ高い面では、ｂ′＝１８０
ｍｍになるために、上記の数式よりａ′＝２２５ｍｍと
なる。従ってマスク１０と集光レンズ１０との距離が２
２５ｍｍになるように調整することによって、この面に
レーザ光Ｌを結像させることができることになる。
応する実施例を示すものであり、レーザ源８と集光レン
ズ９とのマスク１０を設け、斜面部４ａと垂直面部４ｂ
など立体基板１の表面の高さに応じてマスク１０のレー
ザ光Ｌを透過させる透過部１５と集光レンズとの間の距
離を変えることによって、立体基板１の表面でのレーザ
光Ｌの結像点を調整し、立体基板１の表面の立体の各面
にレーザ光Ｌを結像させるようにしてある。すなわち、
集光レンズ９の焦点距離をｆ、マスク１０と集光レンズ
９との間の反射ミラー３０を介した光学的距離をａ、集
光レンズ９と立体基板１の表面との間の距離をｂとする
と、１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立する条件でレ
ーザ光Ｌは立体基板１の表面に結像する。従って、立体
基板１の表面のうち高さが高い面は集光レンズ９との間
の距離が小さい、つまりｂの数値が小さくなるために、
この面に結像させるためにはａを大きくしてマスク１０
と集光レンズ９との間の距離が大きくなるように調整す
ればよく、また立体基板１の表面のうち高さが低い面は
集光レンズ９との間の距離が大きい、つまりｂの数値が
大きいために、この面に結像させるためにはａを小さく
してマスク１０と集光レンズ９との間の距離が小さくな
るように調整すればよい。具体的には、集光レンズ９と
立体基板１の表面との間の距離がｂ′の部分では、マス
ク１０と集光レンズ９との間の距離ａ′は上記の数式か
ら導かれるａ′＝ｆｂ′／（ｂ−ｆ′）のとして算出す
ることができ、このａ′の距離になるようにマスク１０
と集光レンズ９との間の距離を調整すればよい。例え
ば、集光レンズ９の焦点距離ｆ＝１００ｍｍ、集光レン
ズ９と立体基板１の表面との距離ｂ＝２００ｍｍの場
合、マスク１０と集光レンズ９との間の距離ａ＝２００
ｍｍに調整することによって、立体基板１の表面にレー
ザ光Ｌを結像させることができるが、立体基板１の表面
のうちこの面よりも２０ｍｍ高い面では、ｂ′＝１８０
ｍｍになるために、上記の数式よりａ′＝２２５ｍｍと
なる。従ってマスク１０と集光レンズ１０との距離が２
２５ｍｍになるように調整することによって、この面に
レーザ光Ｌを結像させることができることになる。
【００５０】そして図１６の実施例ではマスク１０とし
て立体基板１の高さの異なる各面にレーザ光Ｌを透過さ
せて照射させる透過部１５ａ，１５ｂ…をそれぞれ設け
た複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用いて、立体
基板１の表面の立体の各面にレーザ光Ｌを結像させるよ
うにしてある。すなわち、まず図１の実施例の場合と同
様に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この
立体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で
銅の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長
２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から
発光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光
Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１
／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように平板マス
ク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距離ａを設
定して、図１６（ａ）〜（ｄ）の順に各平板マスク１１
ａ，１１ｂ…の位置を変えながらレーザ光Ｌの照射を行
なうことによって、図１９のように立体基板１の表面の
立体の各面にレーザ光Ｌを結像させ、立体基板１の各面
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
て立体基板１の高さの異なる各面にレーザ光Ｌを透過さ
せて照射させる透過部１５ａ，１５ｂ…をそれぞれ設け
た複数枚の平板マスク１１ａ，１１ｂ…を用いて、立体
基板１の表面の立体の各面にレーザ光Ｌを結像させるよ
うにしてある。すなわち、まず図１の実施例の場合と同
様に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この
立体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で
銅の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長
２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から
発光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光
Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１
／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように平板マス
ク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９との間の距離ａを設
定して、図１６（ａ）〜（ｄ）の順に各平板マスク１１
ａ，１１ｂ…の位置を変えながらレーザ光Ｌの照射を行
なうことによって、図１９のように立体基板１の表面の
立体の各面にレーザ光Ｌを結像させ、立体基板１の各面
の金属導電膜２を均一に除去することができるものであ
る。
【００５１】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射で金属
導電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して
回路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行な
うことによって、立体回路を形成することができるもの
である。図１７は、請求項１１及び１２の発明に対応す
る第２の実施例を示すものであり、この実施例では、レ
ーザ光Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応
じて１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように複
数枚の各平板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９と
の間の距離ａを設定して重ねて配置し、複数枚の平板マ
スク１１ａ，１１ｂ…を通してレーザ光Ｌの照射を行な
うようにしてある。
導電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して
回路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行な
うことによって、立体回路を形成することができるもの
である。図１７は、請求項１１及び１２の発明に対応す
る第２の実施例を示すものであり、この実施例では、レ
ーザ光Ｌを照射する立体基板１の表面の各面の高さに応
じて１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように複
数枚の各平板マスク１１ａ，１１ｂ…と集光レンズ９と
の間の距離ａを設定して重ねて配置し、複数枚の平板マ
スク１１ａ，１１ｂ…を通してレーザ光Ｌの照射を行な
うようにしてある。
【００５２】図１８は、請求項１１及び１３の発明に対
応する実施例を示すものであり、上記の図１６の実施例
ではマスク１０として複数枚の平板マスク１１ａ，１１
ｂ…を用いて、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の位置を
変えることによって、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の
透過部１５ａ，１５ｂ…と集光レンズ９との間の距離を
変えて立体基板１の表面でのレーザ光Ｌの結像点を調整
するようにしているが、図１６の実施例では、マスク１
０として立体基板１の表面の高さに応じた立体形状を有
する立体マスク１２を用いて、立体基板１の表面の高さ
に応じて立体マスク１２のレーザ光Ｌの透過箇所と集光
レンズ９との間の距離を変えるようにしてある。
応する実施例を示すものであり、上記の図１６の実施例
ではマスク１０として複数枚の平板マスク１１ａ，１１
ｂ…を用いて、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の位置を
変えることによって、各平板マスク１１ａ，１１ｂ…の
透過部１５ａ，１５ｂ…と集光レンズ９との間の距離を
変えて立体基板１の表面でのレーザ光Ｌの結像点を調整
するようにしているが、図１６の実施例では、マスク１
０として立体基板１の表面の高さに応じた立体形状を有
する立体マスク１２を用いて、立体基板１の表面の高さ
に応じて立体マスク１２のレーザ光Ｌの透過箇所と集光
レンズ９との間の距離を変えるようにしてある。
【００５３】すなわち、まず図１の実施例の場合と同様
に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この立
体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で銅
の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から発
光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光Ｌ
を照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１／
ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように集光レンズ
９との間の距離ａが満足される立体形状に図１８（ｂ）
のように作製した立体マスク１２を用い、図１８（ａ）
のようにして立体マスク１２の透過部１５を透過させた
レーザ光Ｌを立体基板１の表面に照射するようにしてあ
る。立体マスク１２の透過部１５は立体マスク１２の立
体形状に沿った立体形状になっているために、立体基板
１の表面の各面に対応する透過部１５と集光レンズ９と
の距離ｂは１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式を満たすこと
ができ、図１９のように立体基板１の表面の立体の各面
にレーザ光Ｌを結像させて、立体基板１の各面の金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。この
実施例では図１５の実施例のようにマスク１０として複
数枚の平板マスク１１，１１ｂ…を用いる必要がなく、
一枚の立体マスク１２で対応することができるものであ
る。
に立体基板１を作製すると共に表面を粗面化し、この立
体基板１の表面にはマグネトロンスパッタリング等で銅
の１μｍ厚の金属導電膜２が設けてある。そして波長２
４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ源８から発
光されるレーザ光Ｌを照射するにあたって、レーザ光Ｌ
を照射する立体基板１の表面の各面の高さに応じて１／
ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式が成立するように集光レンズ
９との間の距離ａが満足される立体形状に図１８（ｂ）
のように作製した立体マスク１２を用い、図１８（ａ）
のようにして立体マスク１２の透過部１５を透過させた
レーザ光Ｌを立体基板１の表面に照射するようにしてあ
る。立体マスク１２の透過部１５は立体マスク１２の立
体形状に沿った立体形状になっているために、立体基板
１の表面の各面に対応する透過部１５と集光レンズ９と
の距離ｂは１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆの数式を満たすこと
ができ、図１９のように立体基板１の表面の立体の各面
にレーザ光Ｌを結像させて、立体基板１の各面の金属導
電膜２を均一に除去することができるものである。この
実施例では図１５の実施例のようにマスク１０として複
数枚の平板マスク１１，１１ｂ…を用いる必要がなく、
一枚の立体マスク１２で対応することができるものであ
る。
【００５４】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射で金属
導電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して
回路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行な
うことによって、立体回路を形成することができるもの
である。上記各実施例ではマスク１０を用いて立体基板
１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない
部分の全面にレーザ光Ｌに照射して、回路パターンで金
属導電膜２を残した他の部分は除去するようにしたが、
ビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭で走査させ
て照射するようにすることもできる。すなわち、図２０
（ａ）のように成形した立体基板１の表面に、プラズマ
処理後にスパッタリング等をおこなって図２０（ｂ）の
ように金属導電膜２を形成し（金属導電膜２を斜線で示
す）、次にビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭
で走査させて照射することによって図２０（ｃ）のよう
に回路パターンの輪郭で金属導電膜２を除去し、この回
路パターンの部分の金属導電膜２に通電して電気めっき
することによって図２０（ｄ）のように銅２０μｍ、ニ
ッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層１６を設け、
そしてソフトエッッチングして回路パターンの輪郭より
外側の金属導電膜２を除去することによって、図２０
（ｅ）のような立体回路を形成することができるもので
ある。
導電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して
回路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行な
うことによって、立体回路を形成することができるもの
である。上記各実施例ではマスク１０を用いて立体基板
１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない
部分の全面にレーザ光Ｌに照射して、回路パターンで金
属導電膜２を残した他の部分は除去するようにしたが、
ビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭で走査させ
て照射するようにすることもできる。すなわち、図２０
（ａ）のように成形した立体基板１の表面に、プラズマ
処理後にスパッタリング等をおこなって図２０（ｂ）の
ように金属導電膜２を形成し（金属導電膜２を斜線で示
す）、次にビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭
で走査させて照射することによって図２０（ｃ）のよう
に回路パターンの輪郭で金属導電膜２を除去し、この回
路パターンの部分の金属導電膜２に通電して電気めっき
することによって図２０（ｄ）のように銅２０μｍ、ニ
ッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層１６を設け、
そしてソフトエッッチングして回路パターンの輪郭より
外側の金属導電膜２を除去することによって、図２０
（ｅ）のような立体回路を形成することができるもので
ある。
【００５５】また上記各実施例では、立体基板の表面に
設けた金属導電膜をレーザ光の照射で除去する工程を経
て、立体回路を形成するようにしているが、立体基板の
表面に設けたレジストを露光処理する工程を経て立体回
路を形成することもできる。例えば、立体基板の表面に
薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上に感光性
のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光を部分的
に照射してレジストを部分的に露光させる。そして、現
像処理して回路となる箇所のレジストを部分的に溶解除
去するようにした場合には、レジストの除去によって露
出する部分の金属導電膜に通電して電気めっきをおこな
うことにより所望厚さの回路に成長させ、最後にレジス
トを剥離すると共にレジストの剥離によって露出する金
属導電膜をエッチング処理して除去することによって、
立体回路を形成するようにすることができるものであ
り、あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジ
ストを部分的に溶解除去するようにした場合には、レジ
ストの除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチ
ング処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導
電膜を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気
めっきをおこなうことによって所望厚さの回路に成長さ
せ、立体回路を形成することができるものである。
設けた金属導電膜をレーザ光の照射で除去する工程を経
て、立体回路を形成するようにしているが、立体基板の
表面に設けたレジストを露光処理する工程を経て立体回
路を形成することもできる。例えば、立体基板の表面に
薄膜の金属導電膜を設けると共にさらにその上に感光性
のレジストを設け、立体基板の表面にレーザ光を部分的
に照射してレジストを部分的に露光させる。そして、現
像処理して回路となる箇所のレジストを部分的に溶解除
去するようにした場合には、レジストの除去によって露
出する部分の金属導電膜に通電して電気めっきをおこな
うことにより所望厚さの回路に成長させ、最後にレジス
トを剥離すると共にレジストの剥離によって露出する金
属導電膜をエッチング処理して除去することによって、
立体回路を形成するようにすることができるものであ
り、あるいは、現像処理して回路となる箇所以外のレジ
ストを部分的に溶解除去するようにした場合には、レジ
ストの除去によって露出する部分の金属導電膜をエッチ
ング処理して除去し、さらにレジストを剥離して金属導
電膜を露出させると共にこの金属導電膜に通電して電気
めっきをおこなうことによって所望厚さの回路に成長さ
せ、立体回路を形成することができるものである。
【００５６】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に記載の
発明は、立体基板の表面にレーザ光を照射することによ
って、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するか
あるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光処理す
る工程を経て、立体基板の表面に回路を形成するにあた
って、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光のエネルギーが略均一になるようにレーザ光の照射を
調整する手段を用いて、立体基板の表面にレーザ光を照
射するようにしたので、立体基板の表面の立体の各面の
金属導電膜やレジストに作用するレーザ光のエネルギー
が実効的に略均一になり、立体基板の表面の各面の金属
導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことが
できるものであり、立体基板の表面に均一に回路を形成
することができるものである。
発明は、立体基板の表面にレーザ光を照射することによ
って、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するか
あるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光処理す
る工程を経て、立体基板の表面に回路を形成するにあた
って、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ
光のエネルギーが略均一になるようにレーザ光の照射を
調整する手段を用いて、立体基板の表面にレーザ光を照
射するようにしたので、立体基板の表面の立体の各面の
金属導電膜やレジストに作用するレーザ光のエネルギー
が実効的に略均一になり、立体基板の表面の各面の金属
導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことが
できるものであり、立体基板の表面に均一に回路を形成
することができるものである。
【００５７】また請求項２に記載の発明は、立体基板の
表面のレーザ光の照射方向に対して傾斜する斜面部の傾
斜角度に応じて、斜面部へのレーザ光の照射のエネルギ
ー密度を調整することによって、立体基板の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略均一にな
るようにしたので、立体基板の表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ、
立体基板の表面に均一に回路を形成することができるも
のである。
表面のレーザ光の照射方向に対して傾斜する斜面部の傾
斜角度に応じて、斜面部へのレーザ光の照射のエネルギ
ー密度を調整することによって、立体基板の表面の立体
の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略均一にな
るようにしたので、立体基板の表面の各面の金属導電膜
の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ、
立体基板の表面に均一に回路を形成することができるも
のである。
【００５８】また請求項３に記載の発明は、立体基板の
表面のレーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部に対
するレーザ光の照射回数よりも上記斜面部に対するレー
ザ光の照射回数を多くすることによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたので、レーザ光に工夫をする必要
なく照射回数の調整で立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものである。
表面のレーザ光の照射方向に対して垂直な垂直面部に対
するレーザ光の照射回数よりも上記斜面部に対するレー
ザ光の照射回数を多くすることによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたので、レーザ光に工夫をする必要
なく照射回数の調整で立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものである。
【００５９】また請求項４に記載の発明は、レーザ光の
照射方向に対して立体基板の向きを変えて立体基板の表
面へのレーザ光の入射角度を変えることによって、立体
基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネル
ギーが略均一になるようにしたので、レーザ光に工夫を
する必要なく立体基板の向きの調整で立体基板の表面の
各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこ
なうことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成す
ることができるものである。
照射方向に対して立体基板の向きを変えて立体基板の表
面へのレーザ光の入射角度を変えることによって、立体
基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネル
ギーが略均一になるようにしたので、レーザ光に工夫を
する必要なく立体基板の向きの調整で立体基板の表面の
各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこ
なうことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成す
ることができるものである。
【００６０】また請求項５に記載の発明は、一方向から
照射されるレーザ光を分岐させて立体基板の表面へのレ
ーザ光の入射角度を変えることによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたので、レーザ光に工夫をする必要
なく入射角度の調整で立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものであり、しかもレーザ光の分岐によって立体基板
の表面の各面を均一にレーザ光で照射することができる
ものである。
照射されるレーザ光を分岐させて立体基板の表面へのレ
ーザ光の入射角度を変えることによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたので、レーザ光に工夫をする必要
なく入射角度の調整で立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものであり、しかもレーザ光の分岐によって立体基板
の表面の各面を均一にレーザ光で照射することができる
ものである。
【００６１】また請求項６に記載の発明は、反射ミラー
によってレーザ光を反射させて立体基板の表面へのレー
ザ光の入射角度を調整することによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたので、レーザ光に工夫をする必要
なく入射角度の調整で立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものである。
によってレーザ光を反射させて立体基板の表面へのレー
ザ光の入射角度を調整することによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたので、レーザ光に工夫をする必要
なく入射角度の調整で立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことがで
き、立体基板の表面に均一に回路を形成することができ
るものである。
【００６２】また請求項７に記載の発明は、レーザ光を
照射するに先立って、立体基板の表面の上記垂直面部に
レーザ光の吸収効率の低い材料をコーティングしておく
ことによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたの
で、レーザ光の吸収効率の低い材料を用いることによっ
てレーザ光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
照射するに先立って、立体基板の表面の上記垂直面部に
レーザ光の吸収効率の低い材料をコーティングしておく
ことによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収され
るレーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたの
で、レーザ光の吸収効率の低い材料を用いることによっ
てレーザ光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
【００６３】また請求項８に記載の発明は、レーザ光を
照射するに先立って、立体基板の表面の上記斜面部にレ
ーザ光の吸収効率の高い材料をコーティングしておくこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたので、
レーザ光の吸収効率の高い材料を用いることによってレ
ーザ光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面の金
属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうこと
ができ、立体基板の表面に均一に回路を形成することが
できるものである。
照射するに先立って、立体基板の表面の上記斜面部にレ
ーザ光の吸収効率の高い材料をコーティングしておくこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたので、
レーザ光の吸収効率の高い材料を用いることによってレ
ーザ光に工夫をする必要なく立体基板の表面の各面の金
属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなうこと
ができ、立体基板の表面に均一に回路を形成することが
できるものである。
【００６４】次に、本発明の請求項９に記載の発明は、
立体基板の表面にレーザ光を照射することによって、立
体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するかあるいは
立体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を
経て、立体基板の表面に回路を形成するにあたって、立
体基板の表面の上記斜面部における金属導電膜あるいは
レジストの膜厚を上記垂直面部における膜厚よりも薄く
形成しておいて、立体基板の表面にレーザ光を照射する
ようにしたので、斜面部に対するレーザ光が作用するエ
ネルギーは垂直面部に対して作用するエネルギーよりも
小さいが、斜面部と垂直面部における金属導電膜あるい
はレジストの膜厚の差によって、立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
立体基板の表面にレーザ光を照射することによって、立
体基板の表面に設けた金属導電膜を除去するかあるいは
立体基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を
経て、立体基板の表面に回路を形成するにあたって、立
体基板の表面の上記斜面部における金属導電膜あるいは
レジストの膜厚を上記垂直面部における膜厚よりも薄く
形成しておいて、立体基板の表面にレーザ光を照射する
ようにしたので、斜面部に対するレーザ光が作用するエ
ネルギーは垂直面部に対して作用するエネルギーよりも
小さいが、斜面部と垂直面部における金属導電膜あるい
はレジストの膜厚の差によって、立体基板の表面の各面
の金属導電膜の除去やレジストの露光を均一におこなう
ことができ、立体基板の表面に均一に回路を形成するこ
とができるものである。
【００６５】さらに、本発明の請求項１０に記載の発明
は、立体基板の表面に金属導電膜とレジスト膜をこの順
に設け、立体基板の表面にレーザ光を照射して、レーザ
光が照射された箇所において上記斜面部のレジスト膜
と、上記垂直面部のレジスト膜及び金属導電膜を除去
し、次にエッチング処理してレジスト膜で被覆されない
金属導電膜を除去した後、レジスト膜を剥離するように
したので、レーザ光のエネルギーが高く作用する垂直面
部ではレジスト膜と金属導電膜が除去され、レーザ光の
エネルギーの作用が低い斜面部ではレジスト膜のみが除
去されて金属導電膜は残るが、この残った金属導電膜は
レジスト膜で被覆されていずエッチング処理で除去する
ことができ、立体基板の表面の各面の金属導電膜の除去
を均一におこなうことができるものであり、立体基板の
表面に均一に回路を形成することができるものである。
は、立体基板の表面に金属導電膜とレジスト膜をこの順
に設け、立体基板の表面にレーザ光を照射して、レーザ
光が照射された箇所において上記斜面部のレジスト膜
と、上記垂直面部のレジスト膜及び金属導電膜を除去
し、次にエッチング処理してレジスト膜で被覆されない
金属導電膜を除去した後、レジスト膜を剥離するように
したので、レーザ光のエネルギーが高く作用する垂直面
部ではレジスト膜と金属導電膜が除去され、レーザ光の
エネルギーの作用が低い斜面部ではレジスト膜のみが除
去されて金属導電膜は残るが、この残った金属導電膜は
レジスト膜で被覆されていずエッチング処理で除去する
ことができ、立体基板の表面の各面の金属導電膜の除去
を均一におこなうことができるものであり、立体基板の
表面に均一に回路を形成することができるものである。
【００６６】さらに、本発明の請求項１１に記載の発明
は、レーザ源から集光レンズを通したレーザ光を立体基
板の表面に照射することによって、立体基板の表面に設
けた金属導電膜を除去するかあるいは立体基板の表面に
設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板の
表面に回路を形成するにあたって、レーザ源と集光レン
ズとの間にマスクを設け、立体基板の表面の高さに応じ
てマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距
離を変えることによって、立体基板の表面でのレーザ光
の結像点を調整するようにしたので、立体基板の表面の
高さに応じてレーザ光を結像させることができ、立体基
板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を
均一におこなうことができるものであり、立体基板の表
面に均一に回路を形成することができるものである。
は、レーザ源から集光レンズを通したレーザ光を立体基
板の表面に照射することによって、立体基板の表面に設
けた金属導電膜を除去するかあるいは立体基板の表面に
設けたレジストを露光処理する工程を経て、立体基板の
表面に回路を形成するにあたって、レーザ源と集光レン
ズとの間にマスクを設け、立体基板の表面の高さに応じ
てマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距
離を変えることによって、立体基板の表面でのレーザ光
の結像点を調整するようにしたので、立体基板の表面の
高さに応じてレーザ光を結像させることができ、立体基
板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジストの露光を
均一におこなうことができるものであり、立体基板の表
面に均一に回路を形成することができるものである。
【００６７】また請求項１２の発明は、マスクとして複
数枚の平板マスクを用い、各平板マスクと集光レンズと
の間の距離を変えることによって、立体基板の表面の高
さに応じてマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズと
の間の距離を変えるようにしたので、複数枚の平板マス
クを用いて立体基板の表面の高さに応じてレーザ光を結
像させることができ、立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ
るものであり、立体基板の表面に均一に回路を形成する
ことができるものである。
数枚の平板マスクを用い、各平板マスクと集光レンズと
の間の距離を変えることによって、立体基板の表面の高
さに応じてマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズと
の間の距離を変えるようにしたので、複数枚の平板マス
クを用いて立体基板の表面の高さに応じてレーザ光を結
像させることができ、立体基板の表面の各面の金属導電
膜の除去やレジストの露光を均一におこなうことができ
るものであり、立体基板の表面に均一に回路を形成する
ことができるものである。
【００６８】また請求項１３の発明は、マスクとして立
体基板の表面の高さに応じた立体形状を有する立体マス
クを用いることによって、立体基板の表面の高さに応じ
てマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距
離を変えるようにしたので、立体マスクを用いて立体基
板の表面の高さに応じてレーザ光を結像させることがで
き、立体基板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジス
トの露光を均一におこなうことができるものであり、立
体基板の表面に均一に回路を形成することができるもの
である。
体基板の表面の高さに応じた立体形状を有する立体マス
クを用いることによって、立体基板の表面の高さに応じ
てマスクのレーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距
離を変えるようにしたので、立体マスクを用いて立体基
板の表面の高さに応じてレーザ光を結像させることがで
き、立体基板の表面の各面の金属導電膜の除去やレジス
トの露光を均一におこなうことができるものであり、立
体基板の表面に均一に回路を形成することができるもの
である。
【図１】本発明の一実施例の概略断面図である。
【図２】本発明の同上の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は斜視図である。
（ａ）乃至（ｄ）は斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｃ）は概略断面図である。
乃至（ｃ）は概略断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
及び（ｂ）は概略断面図である。
及び（ｂ）は概略断面図である。
【図７】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
及び（ｂ）は概略断面図である。
及び（ｂ）は概略断面図である。
【図８】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
及び（ｂ）は概略断面図である。
及び（ｂ）は概略断面図である。
【図９】本発明の他の実施例を示すものであり、（ａ）
乃至（ｄ）は概略断面図である。
乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｅ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｅ）は概略断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１３】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１４】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｃ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｃ）は概略断面図である。
【図１５】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１６】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
（ａ）乃至（ｄ）は概略断面図である。
【図１７】本発明の他の実施例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図１８】本発明の他の実施例を示すものであり、
（ａ）は概略断面図、（ｂ）は立体マスクの斜視図であ
る。
（ａ）は概略断面図、（ｂ）は立体マスクの斜視図であ
る。
【図１９】本発明の他の実施例を示す立体基板の一部切
欠斜視図である。
欠斜視図である。
【図２０】立体回路を形成する方法の一つを示すもので
あり、（ａ）乃至（ｅ）は斜視図である。
あり、（ａ）乃至（ｅ）は斜視図である。
１ 立体基板 ２ 金属導電膜 ３ レジスト膜 ４ａ 斜面部 ４ｂ 垂直面部 ５ 反射ミラー ６ レーザ光の吸収効率の低い材料 ７ レーザ光の吸収効率の高い材料 ８ レーザ源 ９ 集光レンズ １０ マスク １１ 平板マスク １２ 立体マスク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１２月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５４】上記のようにしてレーザ光Ｌの照射で金属
導電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して
回路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行な
うことによって、立体回路を形成することができるもの
である。上記各実施例ではマスク１０を用いて立体基板
１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない
部分の全面にレーザ光Ｌに照射して、回路パターンで金
属導電膜２を残した他の部分は除去するようにしたが、
ビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭で走査させ
て照射するようにすることもできる。すなわち、図２０
（ａ）のように成形した立体基板１の表面に、プラズマ
処理後にスパッタリング等をおこなって図２０（ｂ）の
ように金属導電膜２を形成し（金属導電膜２を斜線で示
す）、次にビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭
で走査させて照射することによって図２０（ｃ）のよう
に回路パターンの輪郭で金属導電膜２を除去し、この回
路パターンの部分の金属導電膜２に通電して電気めっき
することによって図２０（ｄ）のように銅２０μｍ、ニ
ッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層１６を設け、
そしてソフトエッチングして回路パターンの輪郭より外
側の金属導電膜２を除去することによって、図２０
（ｅ）のような立体回路を形成することができるもので
ある。 ─────────────────────────────────────────────────────
導電膜２を部分的に除去した後、図２（ｄ）と同様して
回路パターンで残した金属導電膜２に電気めっきを行な
うことによって、立体回路を形成することができるもの
である。上記各実施例ではマスク１０を用いて立体基板
１の表面に設けた金属導電膜２のうち回路を形成しない
部分の全面にレーザ光Ｌに照射して、回路パターンで金
属導電膜２を残した他の部分は除去するようにしたが、
ビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭で走査させ
て照射するようにすることもできる。すなわち、図２０
（ａ）のように成形した立体基板１の表面に、プラズマ
処理後にスパッタリング等をおこなって図２０（ｂ）の
ように金属導電膜２を形成し（金属導電膜２を斜線で示
す）、次にビーム状のレーザ光Ｌを回路パターンの輪郭
で走査させて照射することによって図２０（ｃ）のよう
に回路パターンの輪郭で金属導電膜２を除去し、この回
路パターンの部分の金属導電膜２に通電して電気めっき
することによって図２０（ｄ）のように銅２０μｍ、ニ
ッケル５μｍ、金１μｍの厚みでめっき層１６を設け、
そしてソフトエッチングして回路パターンの輪郭より外
側の金属導電膜２を除去することによって、図２０
（ｅ）のような立体回路を形成することができるもので
ある。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年３月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｋ 26/18 Ｈ０５Ｋ 3/08 Ｄ 3/18 Ｄ 7511−4Ｅ
Claims (13)
- 【請求項１】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにレーザ光の
照射を調整する手段を用いて、立体基板の表面にレーザ
光を照射することを特徴とする立体回路の形成方法。 - 【請求項２】 立体基板の表面のレーザ光の照射方向に
対して傾斜する斜面部の傾斜角度に応じて、斜面部への
レーザ光の照射のエネルギー密度を調整することによっ
て、立体基板の表面の立体の各面に吸収されるレーザ光
のエネルギーが略均一になるようにしたことを特徴とす
る請求項１に記載の立体回路の形成方法。 - 【請求項３】 立体基板の表面のレーザ光の照射方向に
対して垂直な垂直面部に対するレーザ光の照射回数より
も上記斜面部に対するレーザ光の照射回数を多くするこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたことを
特徴とする請求項１に記載の立体回路の形成方法。 - 【請求項４】 レーザ光の照射方向に対して立体基板の
向きを変えて立体基板の表面へのレーザ光の入射角度を
変えることによって、立体基板の表面の立体の各面に吸
収されるレーザ光のエネルギーが略均一になるようにし
たことを特徴とする請求項１に記載の立体回路の形成方
法。 - 【請求項５】 一方向から照射されるレーザ光を分岐さ
せて立体基板の表面へのレーザ光の入射角度を変えるこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたことを
特徴とする請求項１に記載の立体回路の形成方法。 - 【請求項６】 反射ミラーによってレーザ光を反射させ
て立体基板の表面へのレーザ光の入射角度を調整するこ
とによって、立体基板の表面の立体の各面に吸収される
レーザ光のエネルギーが略均一になるようにしたことを
特徴とする請求項１に記載の立体回路の形成方法。 - 【請求項７】 レーザ光を照射するに先立って、立体基
板の表面の上記垂直面部にレーザ光の吸収効率の低い材
料をコーティングしておくことによって、立体基板の表
面の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略
均一になるようにしたことを特徴とする請求項１に記載
の立体回路の形成方法。 - 【請求項８】 レーザ光を照射するに先立って、立体基
板の表面の上記斜面部にレーザ光の吸収効率の高い材料
をコーティングしておくことによって、立体基板の表面
の立体の各面に吸収されるレーザ光のエネルギーが略均
一になるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の
立体回路の形成方法。 - 【請求項９】 立体基板の表面にレーザ光を照射するこ
とによって、立体基板の表面に設けた金属導電膜を除去
するかあるいは立体基板の表面に設けたレジストを露光
処理する工程を経て、立体基板の表面に回路を形成する
にあたって、立体基板の表面の上記斜面部における金属
導電膜あるいはレジストの膜厚を上記垂直面部における
膜厚よりも薄く形成しておいて、立体基板の表面にレー
ザ光を照射することを特徴とする立体回路の形成方法。 - 【請求項１０】 立体基板の表面に金属導電膜とレジス
ト膜をこの順に設け、立体基板の表面にレーザ光を照射
して、レーザ光が照射された箇所において上記斜面部の
レジスト膜と、上記垂直面部のレジスト膜及び金属導電
膜を除去し、次にエッチング処理してレジスト膜で被覆
されない金属導電膜を除去した後、レジスト膜を剥離す
ることを特徴とする立体回路の形成方法。 - 【請求項１１】 レーザ源から集光レンズを通したレー
ザ光を立体基板の表面に照射することによって、立体基
板の表面に設けた金属導電膜を除去するかあるいは立体
基板の表面に設けたレジストを露光処理する工程を経
て、立体基板の表面に回路を形成するにあたって、レー
ザ源と集光レンズとの間にマスクを設け、立体基板の表
面の高さに応じてマスクのレーザ光の透過箇所と集光レ
ンズとの間の距離を変えることによって、立体基板の表
面でのレーザ光の結像点を調整することを特徴とする立
体回路の形成方法。 - 【請求項１２】 マスクとして複数枚の平板マスクを用
い、各平板マスクと集光レンズとの間の距離を変えるこ
とによって、立体基板の表面の高さに応じてマスクのレ
ーザ光の透過箇所と集光レンズとの間の距離を変えるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の立体回路の形成方
法。 - 【請求項１３】 マスクとして立体基板の表面の高さに
応じた立体形状を有する立体マスクを用いることによっ
て、立体基板の表面の高さに応じてマスクのレーザ光の
透過箇所と集光レンズとの間の距離を変えることを特徴
とする請求項１１に記載の立体回路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28563194A JP3417094B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 立体回路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28563194A JP3417094B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 立体回路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148803A true JPH08148803A (ja) | 1996-06-07 |
| JP3417094B2 JP3417094B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=17694039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28563194A Expired - Fee Related JP3417094B2 (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 立体回路の形成方法 |
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|---|---|
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