JPH01251689A - 被覆基板の両面へのパターン同時形成法 - Google Patents
被覆基板の両面へのパターン同時形成法Info
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- JPH01251689A JPH01251689A JP63079771A JP7977188A JPH01251689A JP H01251689 A JPH01251689 A JP H01251689A JP 63079771 A JP63079771 A JP 63079771A JP 7977188 A JP7977188 A JP 7977188A JP H01251689 A JPH01251689 A JP H01251689A
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、薄膜が被覆された基板の両面にパターンを形
成するパターン同時形成法に関し、詳しくは、導電性薄
膜を備えた鏡の両面にパターンを同時に形成するパター
ン同時形成方法に関する。
成するパターン同時形成法に関し、詳しくは、導電性薄
膜を備えた鏡の両面にパターンを同時に形成するパター
ン同時形成方法に関する。
従来より、金属あるいは非金属材料に微細加工を施す方
法は非常に多い。これらの微細加工法を用いて基板上に
形成された薄膜に所定のパターンを描き、製品、例えば
プリント配線基板、を製造することにも広く利用されて
いる。 ところで、基板の両面に形成された薄膜に同一のパター
ンを夫々描く場合、フォトエツチング法がよく用いられ
る。この従来のパターン形成法を第6図に示す。先ず、
第5図の如く、基板23の片面に透明導電膜(rTo膜
)24を蒸着法又はスパッタリング法等により形成しく
第5図(I))、同様に、他の片面にも薄膜25を形成
する(第5図(■))。 この後、パターン形成工程に入る。第6図は、このパタ
ーン形成工程を示した工程図である。先ず、図中(a)
で示すように、何れか一方の薄膜25上にフォトレジス
ト26を塗布する。 次いで、(b)で示すようにフォトレジスト26上にフ
ォトマスク27を重ねて露光する。 その後、(c)に示す如く、露光したフォトレジスト2
6を溶かし去る。 次いで、(d)に示す如く、透明導電膜24上に保護膜
(レジスト)28を塗布する。これは、次のエツチング
工程で透明導電膜2・1が損傷を受けないようにするた
めである。 次いで、(e)に示す如く、エツチングにより金属薄膜
25を除去し、パターンを形成する。 パターンを形成した後、(r)に示す如く、フォトレノ
スト26及び保護膜28を除去する。 このようにして、一方の片面に形成された金属薄膜25
にパターンを形成し、さらに他方の透明導電膜24ら上
記(a)〜(f)と同様の工程でパターンを形成する。 尚、パターン形成はどしらの膜から始めてもよい。第7
図は、基板23の両面にパターンが形成された状態の断
面を示す図である。 尚、表裏のパターンは、同一位置にあり、かつ、同一形
状となっている。但し、パターンの溝幅は、表裏で同一
とは限らない。さらに、パターン形成後、透明導電膜を
絶縁する目的で透明保護膜(Si02など)を蒸着法等
により透明導電膜上全面に形成してもよい。 上記基板が透明なガラス板であれば、表面に透明導電膜
24を有し、かつ、表裏の膜に微細な溝幅のパターンが
形成された鏡を作出することができる。この鏡は、透明
導電膜上に水滴が付着して鏡面が曇った場合、その曇り
度合を静電容量の変化としてとらまえることができ、防
曇ミラーのミラーガラスとして利用すれば、電気的に曇
り度合を検知することができる。このような鏡の応用例
としては、自動車のアウタミラーやインナーミラーがあ
る。 ところで、上記フォトエツチング法の欠点は次ぎのよう
に要約することができる。 ■ パターン形成工程の工程数が多く、複雑であり、生
産性が良くない。さらに、工程数が多いことにより生産
設備も多くなる。 ■ エツチング液の処理に費用がかかり、エツチング工
程に熟練を要する。又、作業管理が難しい。 ■ パターン形状が異なるごとにマスク(原版)が必要
となる。 ■ 表と裏のパターンを同一にするためにマスクの位置
合わせ作業に時間と熟練を要する。 ■ フォトマスクを使用することから鏡の形状が平面に
限定される。曲面形状の鏡−・の適用が困難である。 ■ 多品種生産には向かない。又、生産コストが高くつ
く。
法は非常に多い。これらの微細加工法を用いて基板上に
形成された薄膜に所定のパターンを描き、製品、例えば
プリント配線基板、を製造することにも広く利用されて
いる。 ところで、基板の両面に形成された薄膜に同一のパター
ンを夫々描く場合、フォトエツチング法がよく用いられ
る。この従来のパターン形成法を第6図に示す。先ず、
第5図の如く、基板23の片面に透明導電膜(rTo膜
)24を蒸着法又はスパッタリング法等により形成しく
第5図(I))、同様に、他の片面にも薄膜25を形成
する(第5図(■))。 この後、パターン形成工程に入る。第6図は、このパタ
ーン形成工程を示した工程図である。先ず、図中(a)
で示すように、何れか一方の薄膜25上にフォトレジス
ト26を塗布する。 次いで、(b)で示すようにフォトレジスト26上にフ
ォトマスク27を重ねて露光する。 その後、(c)に示す如く、露光したフォトレジスト2
6を溶かし去る。 次いで、(d)に示す如く、透明導電膜24上に保護膜
(レジスト)28を塗布する。これは、次のエツチング
工程で透明導電膜2・1が損傷を受けないようにするた
めである。 次いで、(e)に示す如く、エツチングにより金属薄膜
25を除去し、パターンを形成する。 パターンを形成した後、(r)に示す如く、フォトレノ
スト26及び保護膜28を除去する。 このようにして、一方の片面に形成された金属薄膜25
にパターンを形成し、さらに他方の透明導電膜24ら上
記(a)〜(f)と同様の工程でパターンを形成する。 尚、パターン形成はどしらの膜から始めてもよい。第7
図は、基板23の両面にパターンが形成された状態の断
面を示す図である。 尚、表裏のパターンは、同一位置にあり、かつ、同一形
状となっている。但し、パターンの溝幅は、表裏で同一
とは限らない。さらに、パターン形成後、透明導電膜を
絶縁する目的で透明保護膜(Si02など)を蒸着法等
により透明導電膜上全面に形成してもよい。 上記基板が透明なガラス板であれば、表面に透明導電膜
24を有し、かつ、表裏の膜に微細な溝幅のパターンが
形成された鏡を作出することができる。この鏡は、透明
導電膜上に水滴が付着して鏡面が曇った場合、その曇り
度合を静電容量の変化としてとらまえることができ、防
曇ミラーのミラーガラスとして利用すれば、電気的に曇
り度合を検知することができる。このような鏡の応用例
としては、自動車のアウタミラーやインナーミラーがあ
る。 ところで、上記フォトエツチング法の欠点は次ぎのよう
に要約することができる。 ■ パターン形成工程の工程数が多く、複雑であり、生
産性が良くない。さらに、工程数が多いことにより生産
設備も多くなる。 ■ エツチング液の処理に費用がかかり、エツチング工
程に熟練を要する。又、作業管理が難しい。 ■ パターン形状が異なるごとにマスク(原版)が必要
となる。 ■ 表と裏のパターンを同一にするためにマスクの位置
合わせ作業に時間と熟練を要する。 ■ フォトマスクを使用することから鏡の形状が平面に
限定される。曲面形状の鏡−・の適用が困難である。 ■ 多品種生産には向かない。又、生産コストが高くつ
く。
以上の説明でも明らかなように、フォトエツチング法に
は、改善すべき」二足問題点がある。 本発明は、基板の両面に形成された薄膜に同時にかつフ
ォトマスクやフォトレノストを用いることなくパターン
を描くことができるようにすることにより、工程を短縮
するとともに、熟練を要せずに精度の高いかつ品質の安
定したパターンを基板の両面に形成することのできろパ
ターン同時形成法を提供することを目的としている。
は、改善すべき」二足問題点がある。 本発明は、基板の両面に形成された薄膜に同時にかつフ
ォトマスクやフォトレノストを用いることなくパターン
を描くことができるようにすることにより、工程を短縮
するとともに、熟練を要せずに精度の高いかつ品質の安
定したパターンを基板の両面に形成することのできろパ
ターン同時形成法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段、及び作用・効果】((1
が 成) 上記目的を達成するために、本発明を以下の如く構成し
た。 すなわち、本発明によるパターン同時形成法は、片面に
透明な導電膜又は金属薄膜を、もう一方の片面に金属薄
膜を備えた、かつ、レーザ光を透過しうるような基板の
何れか一方の片面側から所望のパターン形状に従ってレ
ーザ光を照射することにより、上記両膜の被照射部を同
時に除去して所定のパターンを基板の表裏面に形成する
ようにしたものである。 尚、パターン形成後に、上記導電膜を保護する目的で、
該導電膜上全面に透明な絶縁膜を形成するのが好ましい
。 (作 用) 上記構成によれば、レーザ光が基板を透過することによ
り、レーザ光に照射された両膜の被照射部が溶融、蒸発
して基板素地が露出せしめられることになる。従って、
所定のパターン形状に従ってレーザ光あるいは基板を走
査もしくは移動せしめれば、基板の表裏面に同時にかつ
同一の所定のパターンが形成されることになる。又、レ
ーザ光は集光レンズで小さい焦点に収束させることがで
き、微細な溝幅のパターンを形成することが可能である
。さらに、レーザ光の焦点位置、照射方向、レーザ出力
等を調整することにより、表裏面に形成された各パター
ンの溝幅を夫々調整することら可能である。 (効 果) レーザ光により同時にパターンが形成されるのでパター
ン形成工程が大幅に短縮でき、かつ、表裏のパターンの
位置ずれが生じにくく、パターンの位置精度が向上する
。さらに、マスク類やレジスト類を用いなくてよく、作
業工数が低減する。 又、化学的処理を必要としないので、従来の問題点の1
つである廃液処理の問題も生じない。さらに、基板が曲
面を有してなる場合においてらパターンを形成すること
ができ、そして、パターン形状及びパターン幅の選択の
自由度が広くなる。又、レーザ光の走査もしくは基板の
レーザ光に対する相対移動に関連してパターンの再現性
の良否が決まるが、走査もしくは相対移動が数値制御の
移動装置により正確に実行可能であるので、パターンの
再現性は良く、さらにパターンの品質ら安定する。そし
て、本発明のパターン同時形成法によれば、多品種生産
への対応が容易になる。
が 成) 上記目的を達成するために、本発明を以下の如く構成し
た。 すなわち、本発明によるパターン同時形成法は、片面に
透明な導電膜又は金属薄膜を、もう一方の片面に金属薄
膜を備えた、かつ、レーザ光を透過しうるような基板の
何れか一方の片面側から所望のパターン形状に従ってレ
ーザ光を照射することにより、上記両膜の被照射部を同
時に除去して所定のパターンを基板の表裏面に形成する
ようにしたものである。 尚、パターン形成後に、上記導電膜を保護する目的で、
該導電膜上全面に透明な絶縁膜を形成するのが好ましい
。 (作 用) 上記構成によれば、レーザ光が基板を透過することによ
り、レーザ光に照射された両膜の被照射部が溶融、蒸発
して基板素地が露出せしめられることになる。従って、
所定のパターン形状に従ってレーザ光あるいは基板を走
査もしくは移動せしめれば、基板の表裏面に同時にかつ
同一の所定のパターンが形成されることになる。又、レ
ーザ光は集光レンズで小さい焦点に収束させることがで
き、微細な溝幅のパターンを形成することが可能である
。さらに、レーザ光の焦点位置、照射方向、レーザ出力
等を調整することにより、表裏面に形成された各パター
ンの溝幅を夫々調整することら可能である。 (効 果) レーザ光により同時にパターンが形成されるのでパター
ン形成工程が大幅に短縮でき、かつ、表裏のパターンの
位置ずれが生じにくく、パターンの位置精度が向上する
。さらに、マスク類やレジスト類を用いなくてよく、作
業工数が低減する。 又、化学的処理を必要としないので、従来の問題点の1
つである廃液処理の問題も生じない。さらに、基板が曲
面を有してなる場合においてらパターンを形成すること
ができ、そして、パターン形状及びパターン幅の選択の
自由度が広くなる。又、レーザ光の走査もしくは基板の
レーザ光に対する相対移動に関連してパターンの再現性
の良否が決まるが、走査もしくは相対移動が数値制御の
移動装置により正確に実行可能であるので、パターンの
再現性は良く、さらにパターンの品質ら安定する。そし
て、本発明のパターン同時形成法によれば、多品種生産
への対応が容易になる。
次ぎに、第1〜4図に従って、本発明の一実施例を具体
的に説明する。 第1.2図は、基板たる透明ガラス阪3の両面に形成さ
れた薄膜、詳しくは、金属薄膜(Cr等)5と透明導電
膜(ITO膜)4、にパターン2を形成してなる鏡1を
示している。尚、第2図は第1図の■−■線断面図であ
る。上記両膜4,5は蒸着法やスパッタリング法により
透明ガラス仮3の両面に形成することができる。又、透
明ガラス3は平面、曲面の何れの形状であってもよい。 このような鏡は、鏡面の曇り度合を電気的に検知するす
ることが可能であり、その用途として自動車のアウター
ミラー等に利用できる。 ところで、この鏡lは次のようにして形成される。すな
わち、透明ガラス3の何れか一方の片面に導電膜4を、
又何れか他方の片面に金属薄膜5を、第5図に示した従
来技術と同様の蒸着法やスパッタリング法により、形成
する。上記透明導電膜4と金属薄膜5の各膜厚は夫々3
00人〜3000程度度である。又、何れの膜を初めに
形成してらよい。 次いでパターン形成工程に入る。このパターン形成工程
を第3図に示す。読図に示す如く、図示されないレーザ
発振器から放射されたレーザ光10を集光レンズ11で
収束し、焦点12が鏡Iの表面近傍又は透明ガラス板3
の内部に位置するように集光レンズ11の位置を調整し
てレーザ光10を鏡!に照射する。尚、レーザ光10の
照射方向は鏡lの透明導電膜4側又は金属薄膜5側の何
れの側からでもよい。図示の如く、照射されたレーザ光
10は、透明ガラス板3を透過ずろ。レーザ光10を照
射することにより透明導電膜・1とこれと対面する金属
薄膜5の各透過部は同時に除去され、パターンJ2a、
2bが形成される。従って、形成しようとするパターン
形状に従ってレーザ光!0を走査すれば、第1図に描か
れているようなパターン2が鏡lの表裏面に同一かつ同
時に形成される。 レーザ光10の種類としては、YGAレーザ(波長1.
06μ肩)が好適である。なぜならば、この波長のレー
ザ光10は、透明ガラス板3を殆んど透過する一方、透
明導電膜4及び金属薄@5に対しては、レーザ光tOの
一部を透過し、かつ、一部を吸収するような特性を有し
ているからである。 従って、レーザ光lOが照射された透過導電膜4と金属
薄膜5の各照射部分が除去される一方、透明ガラス板3
は何ら損傷を受けることもない。所望のパターン2に従
ってレーザ光lOを走査する場合、鏡lを固定してレー
ザ光10を移動さ仕るか、或いは、レーザ光lOを固定
して鏡18移動さけるかのもどちらでもよい。さらに、
これらの走査や移動は、数値制御により高精度にかつ容
易に行うことができるので、パターンの再現性もよい。 このようにして、鏡1の表裏面に形成されたパターン′
7R2a、2bの幅は、レーザ光10の焦点位置、照射
方向、レーザの出力等により略同じにすることが可能で
あり、又、表面と裏面とで溝幅を異なるようにすること
も可能である。レーザ光10の1回の走査でパターン溝
2 a、 2 bの幅は、通常lOμm〜100μm程
度となる。但し、膜厚やレーザ光照射条件により多少異
なる。 さらに、本実施例では、第2図に示す如く、透明導電膜
4を保護するために該膜4の上に、換言すれば鏡lの表
面全面に、耐磨耗性のよい透明絶縁膜9、例えば5iC
)、、を蒸着法等により形成した。この皮膜の厚さは、
500人〜3000人程程度ある。 以上の説明でも明らかなように、本実施例では、従来例
においてパターンを形成するために必要であったレジス
ト類やマスク類を使用しない。さらに、パターン形成工
程が従来のそれと比較すれば大幅に短縮されている。 これまでの説明では、一方の薄膜を透明な膜で形成した
例であるが、用途によっては両方の膜を金属薄膜で形成
し、上述と同様にレーザ光を照射してパターンを同時に
形成することも可能である。 第4図は、透明ガラス板3の両面に金属薄膜5゜I3を
形成した場合の変形例を示している。図中、(r)はパ
ターンが形成された状態の断面図、(II)は一方の片
面全面に透明絶縁膜9を被覆した状態の断面図を夫々示
している。尚、2つの金属薄膜5.13の材質、膜厚は
同じであっても、又異なっていてもよい。例えば、半透
明の金属薄膜13を鏡面側に用いれば、防曇効果を有す
る鏡lでかつ前述した用途に用いることができろ。
的に説明する。 第1.2図は、基板たる透明ガラス阪3の両面に形成さ
れた薄膜、詳しくは、金属薄膜(Cr等)5と透明導電
膜(ITO膜)4、にパターン2を形成してなる鏡1を
示している。尚、第2図は第1図の■−■線断面図であ
る。上記両膜4,5は蒸着法やスパッタリング法により
透明ガラス仮3の両面に形成することができる。又、透
明ガラス3は平面、曲面の何れの形状であってもよい。 このような鏡は、鏡面の曇り度合を電気的に検知するす
ることが可能であり、その用途として自動車のアウター
ミラー等に利用できる。 ところで、この鏡lは次のようにして形成される。すな
わち、透明ガラス3の何れか一方の片面に導電膜4を、
又何れか他方の片面に金属薄膜5を、第5図に示した従
来技術と同様の蒸着法やスパッタリング法により、形成
する。上記透明導電膜4と金属薄膜5の各膜厚は夫々3
00人〜3000程度度である。又、何れの膜を初めに
形成してらよい。 次いでパターン形成工程に入る。このパターン形成工程
を第3図に示す。読図に示す如く、図示されないレーザ
発振器から放射されたレーザ光10を集光レンズ11で
収束し、焦点12が鏡Iの表面近傍又は透明ガラス板3
の内部に位置するように集光レンズ11の位置を調整し
てレーザ光10を鏡!に照射する。尚、レーザ光10の
照射方向は鏡lの透明導電膜4側又は金属薄膜5側の何
れの側からでもよい。図示の如く、照射されたレーザ光
10は、透明ガラス板3を透過ずろ。レーザ光10を照
射することにより透明導電膜・1とこれと対面する金属
薄膜5の各透過部は同時に除去され、パターンJ2a、
2bが形成される。従って、形成しようとするパターン
形状に従ってレーザ光!0を走査すれば、第1図に描か
れているようなパターン2が鏡lの表裏面に同一かつ同
時に形成される。 レーザ光10の種類としては、YGAレーザ(波長1.
06μ肩)が好適である。なぜならば、この波長のレー
ザ光10は、透明ガラス板3を殆んど透過する一方、透
明導電膜4及び金属薄@5に対しては、レーザ光tOの
一部を透過し、かつ、一部を吸収するような特性を有し
ているからである。 従って、レーザ光lOが照射された透過導電膜4と金属
薄膜5の各照射部分が除去される一方、透明ガラス板3
は何ら損傷を受けることもない。所望のパターン2に従
ってレーザ光lOを走査する場合、鏡lを固定してレー
ザ光10を移動さ仕るか、或いは、レーザ光lOを固定
して鏡18移動さけるかのもどちらでもよい。さらに、
これらの走査や移動は、数値制御により高精度にかつ容
易に行うことができるので、パターンの再現性もよい。 このようにして、鏡1の表裏面に形成されたパターン′
7R2a、2bの幅は、レーザ光10の焦点位置、照射
方向、レーザの出力等により略同じにすることが可能で
あり、又、表面と裏面とで溝幅を異なるようにすること
も可能である。レーザ光10の1回の走査でパターン溝
2 a、 2 bの幅は、通常lOμm〜100μm程
度となる。但し、膜厚やレーザ光照射条件により多少異
なる。 さらに、本実施例では、第2図に示す如く、透明導電膜
4を保護するために該膜4の上に、換言すれば鏡lの表
面全面に、耐磨耗性のよい透明絶縁膜9、例えば5iC
)、、を蒸着法等により形成した。この皮膜の厚さは、
500人〜3000人程程度ある。 以上の説明でも明らかなように、本実施例では、従来例
においてパターンを形成するために必要であったレジス
ト類やマスク類を使用しない。さらに、パターン形成工
程が従来のそれと比較すれば大幅に短縮されている。 これまでの説明では、一方の薄膜を透明な膜で形成した
例であるが、用途によっては両方の膜を金属薄膜で形成
し、上述と同様にレーザ光を照射してパターンを同時に
形成することも可能である。 第4図は、透明ガラス板3の両面に金属薄膜5゜I3を
形成した場合の変形例を示している。図中、(r)はパ
ターンが形成された状態の断面図、(II)は一方の片
面全面に透明絶縁膜9を被覆した状態の断面図を夫々示
している。尚、2つの金属薄膜5.13の材質、膜厚は
同じであっても、又異なっていてもよい。例えば、半透
明の金属薄膜13を鏡面側に用いれば、防曇効果を有す
る鏡lでかつ前述した用途に用いることができろ。
第1図〜第4図は、本発明の一実施例に係るパターン同
時形成法を説明するための図で、第1図は鏡面に形成さ
れたパターンを有する鏡の正面図、第2図は第1図の■
−■線断面図、第3図はパターンを形成するための説明
図、第4図は本実施例の一変形例を示す鏡の断面図、第
5図〜第7図は従来例に係るパターン形成法を示し、第
5図は基板の両面に薄膜を形成する工程を示した図、第
6図は薄膜にパターンを形成するための工程を示した説
明図、第7図は基板の両面にパターンが形成された状態
を示す断面図である。 1・・・鏡、2・・・パターン、2a、2b・・・被照
射部(パターン溝)、3・・・基板(透明ガラス板)、
4・・・透明導電膜、5・・・金属薄膜、9・・・透明
絶縁膜、10・・・レーザ光、11・・・集光レンズ、
12・・・焦点、13・・余情薄膜。
時形成法を説明するための図で、第1図は鏡面に形成さ
れたパターンを有する鏡の正面図、第2図は第1図の■
−■線断面図、第3図はパターンを形成するための説明
図、第4図は本実施例の一変形例を示す鏡の断面図、第
5図〜第7図は従来例に係るパターン形成法を示し、第
5図は基板の両面に薄膜を形成する工程を示した図、第
6図は薄膜にパターンを形成するための工程を示した説
明図、第7図は基板の両面にパターンが形成された状態
を示す断面図である。 1・・・鏡、2・・・パターン、2a、2b・・・被照
射部(パターン溝)、3・・・基板(透明ガラス板)、
4・・・透明導電膜、5・・・金属薄膜、9・・・透明
絶縁膜、10・・・レーザ光、11・・・集光レンズ、
12・・・焦点、13・・余情薄膜。
Claims (1)
- 1.片面に透明導電膜(4)又は金属薄膜(13)を、
もう一方の片面に金属薄膜(5)を備え、かつ、レーザ
光(10)を透過しうるような基板(3)の何れか一方
の片面側から所望のパターン(2)形状に従ってレーザ
光(10)を照射することにより、上記両膜(4,5)
の被照射部(2a,2b)を同時に除去して所定のパタ
ーン(2)を上記基板(3)の表裏面に形成するように
したことを特徴とする被覆基板の両面へのパターン同時
形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63079771A JPH0636467B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 被覆基板の両面へのパターン同時形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63079771A JPH0636467B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 被覆基板の両面へのパターン同時形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01251689A true JPH01251689A (ja) | 1989-10-06 |
JPH0636467B2 JPH0636467B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=13699469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63079771A Expired - Lifetime JPH0636467B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 被覆基板の両面へのパターン同時形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0636467B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023689A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | サポートプレートの洗浄方法 |
JP2017065953A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | Towa株式会社 | 部材の加工方法および部材の加工装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
JPS6297791A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-07 | Nec Corp | レ−ザマ−キング装置 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63079771A patent/JPH0636467B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
JPS5130970A (en) * | 1974-09-10 | 1976-03-16 | Seiko Instr & Electronics | Pataandenkyoku no keiseihoho |
JPS6297791A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-07 | Nec Corp | レ−ザマ−キング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023689A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | サポートプレートの洗浄方法 |
JP2017065953A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | Towa株式会社 | 部材の加工方法および部材の加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0636467B2 (ja) | 1994-05-11 |
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