JP2011023689A - サポートプレートの洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄化される基板に貼り合せることによって当該基板を支持するためのサポートプレート1を洗浄する方法であって、サポートプレート1に酸素プラズマを接触させて、当該サポートプレート1に付着した有機物を除去する有機物除去工程を含む。
【選択図】図1
Description
本発明に係るサポートプレートの洗浄方法について以下に説明する。本発明に係るサポートプレートの洗浄方法は、サポートプレートに酸素プラズマを接触させて、当該サポートプレートに付着した有機物を除去する有機物除去工程を含む。また、本発明に係るサポートプレートの洗浄方法は、上記有機物除去工程に加えて、サポートプレートにレーザ光を照射して、当該サポートプレートに付着した金属を除去する金属除去工程を含むことが好ましい。また、上記「有機物除去工程」および上記「金属除去工程」の順番は、有機物および金属を除去できればよく、有機物除去工程の後に金属除去工程を行ってもよいし、金属除去工程の後に有機物除去工程を行ってもよい。
有機物除去工程は、サポートプレートに酸素プラズマを接触させて、当該サポートプレートに付着した有機物を除去する工程である。上記有機物除去工程においてサポートプレートに酸素プラズマを接触させる手段としては、従来公知の酸素プラズマ装置を用いることができる。酸素プラズマ装置の代表的な方式として、枚葉式とバッチ式があるが、本発明はこれに限定されない。
金属除去工程は、サポートプレートにレーザ光を照射して、当該サポートプレートに付着した金属を除去する工程である。上記金属除去工程で除去される金属としては、一般に基板に回路を形成するために用いられる金属が意図される。例えば、Al、Ti、Zr、Cd、Au、Ag、Pt、Pd、Zn、Ni、Cu、Sn等を挙げることができる。
本発明の実施形態であるサポートプレート剥離装置の構成の一例を、図3に基づいて説明する。図3は、本実施形態に係るサポートプレート剥離装置80の構成の一例を示す図である。サポートプレート剥離装置80は、サポートプレートに貼着された基板を剥離し、剥離後の基板およびサポートプレートを洗浄するために用いられる。
剥離手段30は、接着剤層を溶解することができる溶剤を接着剤層に供給するための構成であるとともに、接着剤層が溶解した後、もしくは接着力を十分に低下させた後に、サポートプレートから薄板化された基板を剥離する。
基板洗浄手段50は、第1洗浄ユニット52、第2洗浄ユニット54、および第3洗浄ユニット59を有する。
サポートプレート洗浄手段60は、有機物除去ユニット61および金属除去ユニット62を有する。
搬送手段40は、処理対象積層体8を保持して剥離手段30へ搬送する機能、サポートプレートを剥離手段30から基板洗浄手段50へ搬送する機能、及び、サポートプレートを基板洗浄手段50から第3洗浄ユニット59へ搬送する機能を有する。
図3に示すように、本実施形態のサポートプレート剥離装置80は、さらに、位置合せ部71を備えていても良い。位置合せ部71は、処理対象積層体収納部20から取り出した処理対象積層体8を剥離手段30に搬送する前に、位置合せを行い、剥離手段30において、適切な位置に処理対象積層体8が配置されるようにする。位置合せ部71は、搬送手段40の走行路46に沿って(走行路46に面して)設置すると、ロボットの走行方向(X)、アームの伸ばし方向(Y)、ロボットの回転(θ)の3点にて位置決めができるので、高い精度の位置決めができて好ましい。なお、スペースの効率面や位置合せ後に搬送する複数の剥離手段との距離が等しいなどの利点を考慮し、位置合せ部71を搬送手段40の走行路46の延長線上に配置することも好ましい。
実施例1〜3では、半導体製造工程で使用されたサポートプレートから基板を剥離後、乾燥させたものを評価用サポートプレートとして用いた。評価用サポートプレートには、有機物として接着剤が、金属としてアルミニウム、銅、金等が付着している。評価用サポートプレートのサイズは、6インチである。
実施例1では、有機物除去工程を行った後に、金属除去工程を行った。実施例2では金属除去工程のみを行い、実施例3では有機物除去工程のみを行なった。
有機物および金属の除去は目視によって確認した。
(有機物除去工程)
酸素プラズマ発生装置として、バッチ式OPM−EM100(東京応化工業株式会社製)を用いた。処理方法としては、バッチ式で行った。酸素プラズマは、サポートプレートの両面に接触させた。処理条件を以下に示す。
圧力:133Pa
酸素流量:350sccm
処理時間:60分
(金属除去工程)
レーザ照射装置として、レーザ波長500nm前後のYAGレーザ(株式会社ブイテクノロジー社製)を用いた。処理方法としては、バッチ式で行った。レーザ光は、サポートプレートにおける金属が付着している面の背面側から照射した。処理条件を以下に示す。
照射出力:25mJ
波長:532nm
金属除去工程後に有機物および金属の除去を目視で確認した。結果を表1に示す。
(金属除去工程)
レーザ照射装置として、レーザ波長1000前後のYVO4 レーザ(MD−V9910、キーエンス社製)を用いた。処理方法としては、バッチ式で行った。レーザ光は、サポートプレートにおける金属が付着している面に直接照射した。処理条件を以下に示す。
照射出力:160mJ
波長:1064nm
金属除去工程後に金属の除去を目視で確認した。結果を表1に示す。
(有機物除去工程)
酸素プラズマ発生装置として、TCA−7822(東京応化工業株式会社製)を用いた。処理方法としては、枚葉式で行い、サポートプレートの両面に酸素プラズマを接触させた。処理条件を以下に示す。
圧力:67Pa
酸素流量:3000sccm
処理時間10分
ステージ温度:240℃
有機物除去工程後に有機物の除去を目視で確認した。結果を表1に示す。
2 サポートプレート本体
3 保護膜
Claims (6)
- 薄化される基板に貼り合せることによって当該基板を支持するためのサポートプレートを洗浄する方法であって、
上記サポートプレートに酸素プラズマを接触させて、当該サポートプレートに付着した有機物を除去する有機物除去工程を含むことを特徴とするサポートプレートの洗浄方法。 - 上記サポートプレートの両面に酸素プラズマを接触させることを特徴とする請求項1に記載のサポートプレートの洗浄方法。
- 上記サポートプレートは、上記基板が剥離された後のサポートプレートであることを特徴とする請求項1または2に記載のサポートプレートの洗浄方法。
- 上記サポートプレートにレーザ光を照射して、当該サポートプレートに付着した金属を除去する金属除去工程を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のサポートプレートの洗浄方法。
- 上記有機物除去工程の後に上記金属除去工程を行なうことを特徴とする請求項4に記載のサポートプレートの洗浄方法。
- 上記サポートプレートにおける金属が付着している面の背面側から、当該サポートプレートにレーザ光を照射することを特徴とする請求項4または5に記載のサポートプレートの洗浄方法。
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