JPH09227170A - ガラス基板の洗浄方法 - Google Patents
ガラス基板の洗浄方法Info
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- JPH09227170A JPH09227170A JP3070196A JP3070196A JPH09227170A JP H09227170 A JPH09227170 A JP H09227170A JP 3070196 A JP3070196 A JP 3070196A JP 3070196 A JP3070196 A JP 3070196A JP H09227170 A JPH09227170 A JP H09227170A
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- Japan
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- glass substrate
- base board
- glass base
- cleaning
- phosphoric acid
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0075—Cleaning of glass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板の端面研磨の際に基板端面の隙間
に浸入した研磨材を, ガラスの表面に損傷を与えること
なく除去する。 【解決手段】 １）80〜90℃の温度に加熱したリン酸に
ガラス基板を浸漬して該ガラス基板に付着した研磨材を
除去するガラス基板の洗浄方法， ２）前記１記載の洗浄の後に，加熱した硫酸と過酸化水
素水との混合液に前記ガラス基板を浸漬して該ガラス基
板に付着した金属あるいは有機物を除去するガラス基板
の洗浄方法。
に浸入した研磨材を, ガラスの表面に損傷を与えること
なく除去する。 【解決手段】 １）80〜90℃の温度に加熱したリン酸に
ガラス基板を浸漬して該ガラス基板に付着した研磨材を
除去するガラス基板の洗浄方法， ２）前記１記載の洗浄の後に，加熱した硫酸と過酸化水
素水との混合液に前記ガラス基板を浸漬して該ガラス基
板に付着した金属あるいは有機物を除去するガラス基板
の洗浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板端面に付
着した研磨材を除去するためのガラス基板の洗浄方法に
関する。
着した研磨材を除去するためのガラス基板の洗浄方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】現在, ガラス基板の製造工程ではガラス
基板を切断した後に, ガラス基板の端面の凹凸を平坦化
するため研磨を行っている。この研磨の際に, CeO2, La
2O3,Nd2O3 等の研磨材が端面の隙間に浸入してしまうこ
とがある。これらの残留異物は液晶表示装置(LCD) 等の
薄膜多層基板の製造過程で剥がれ落ちて, その結果外観
不良, 層間短絡, 断線等の障害を引き起こす原因となっ
ている。
基板を切断した後に, ガラス基板の端面の凹凸を平坦化
するため研磨を行っている。この研磨の際に, CeO2, La
2O3,Nd2O3 等の研磨材が端面の隙間に浸入してしまうこ
とがある。これらの残留異物は液晶表示装置(LCD) 等の
薄膜多層基板の製造過程で剥がれ落ちて, その結果外観
不良, 層間短絡, 断線等の障害を引き起こす原因となっ
ている。
【０００３】これらの研磨材は超音波洗浄のみでは除去
できない。そこで，フッ酸にガラス基板を浸漬して表面
のガラスを溶解させれば, ある程度の研磨材は除去でき
るが, ガラス基板の平坦精度は悪くなり, 更にガラスの
表面が白濁することもあり，基板表面に与える損傷は大
きい。
できない。そこで，フッ酸にガラス基板を浸漬して表面
のガラスを溶解させれば, ある程度の研磨材は除去でき
るが, ガラス基板の平坦精度は悪くなり, 更にガラスの
表面が白濁することもあり，基板表面に与える損傷は大
きい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はガラス基板の
端面研磨の際に基板端面の隙間に浸入した研磨材を, ガ
ラスの表面に損傷を与えることなく除去することを目的
とする。
端面研磨の際に基板端面の隙間に浸入した研磨材を, ガ
ラスの表面に損傷を与えることなく除去することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）80〜90℃の温度に加熱したリン酸にガラス基板を浸
漬して該ガラス基板に付着した研磨材を除去するガラス
基板の洗浄方法，あるいは ２）前記１記載の洗浄の後に，加熱した硫酸と過酸化水
素水との混合液に前記ガラス基板を浸漬して該ガラス基
板に付着した金属あるいは有機物を除去するガラス基板
の洗浄方法により達成される。
漬して該ガラス基板に付着した研磨材を除去するガラス
基板の洗浄方法，あるいは ２）前記１記載の洗浄の後に，加熱した硫酸と過酸化水
素水との混合液に前記ガラス基板を浸漬して該ガラス基
板に付着した金属あるいは有機物を除去するガラス基板
の洗浄方法により達成される。
【０００６】本発明は，80〜90℃に加熱したリン酸にガ
ラス基板を浸漬処理することにより, 基板端面に残留し
た研磨材，例えば専科セリウムをガラス基板表面に損傷
を与えることなく除去することができる。
ラス基板を浸漬処理することにより, 基板端面に残留し
た研磨材，例えば専科セリウムをガラス基板表面に損傷
を与えることなく除去することができる。
【０００７】なお，リン酸洗浄だけでは，ガラス基板の
表面に付着している金属や有機物を除去できない場合に
は，リン酸洗浄の後にガラス基板を硫酸と過酸化水素水
の混合液に浸漬処理を行って，金属や有機物をガラス基
板表面に損傷を与えることなく除去することができる。
表面に付着している金属や有機物を除去できない場合に
は，リン酸洗浄の後にガラス基板を硫酸と過酸化水素水
の混合液に浸漬処理を行って，金属や有機物をガラス基
板表面に損傷を与えることなく除去することができる。
【０００８】図１は本発明の原理説明図である。図は，
60, 70, 80, 90, 100 ℃に加熱したリン酸液50 ml に,
5 g の研磨材を添加したときの, 各温度に対する研磨材
の溶解率 (％) と溶解時間(s) の関係を示す。その結果
は以下の通りである。 60℃の加熱リン酸は，長時間加熱しても研磨材は殆
ど溶解しない。 70℃の加熱リン酸は，5 g の研磨材を溶解するのに
6分間加熱する必要があり, 工程進行のタクトに問題が
ある。 80℃の加熱リン酸は，5 g の研磨材を溶解するのに
100 秒を要し, この程度の時間であればタクトとしては
問題はない。 90℃の加熱リン酸は，5 g の研磨材を溶解するのに
15 秒を要し, タクトとしては勿論問題はない。 100℃の加熱リン酸は，研磨材を瞬時に溶解するけれ
ども, 液が沸騰して液が飛散するため洗浄処理としては
適当ではない。 80〜90℃の加熱リン酸中に 5分間の浸漬処理を行っ
たガラス基板をAFM (At-omic Force Microscope)で表面
観察したところ, 表面形状 (粗さ) は未処理のガラス基
板と変わらないことを確認した。
60, 70, 80, 90, 100 ℃に加熱したリン酸液50 ml に,
5 g の研磨材を添加したときの, 各温度に対する研磨材
の溶解率 (％) と溶解時間(s) の関係を示す。その結果
は以下の通りである。 60℃の加熱リン酸は，長時間加熱しても研磨材は殆
ど溶解しない。 70℃の加熱リン酸は，5 g の研磨材を溶解するのに
6分間加熱する必要があり, 工程進行のタクトに問題が
ある。 80℃の加熱リン酸は，5 g の研磨材を溶解するのに
100 秒を要し, この程度の時間であればタクトとしては
問題はない。 90℃の加熱リン酸は，5 g の研磨材を溶解するのに
15 秒を要し, タクトとしては勿論問題はない。 100℃の加熱リン酸は，研磨材を瞬時に溶解するけれ
ども, 液が沸騰して液が飛散するため洗浄処理としては
適当ではない。 80〜90℃の加熱リン酸中に 5分間の浸漬処理を行っ
たガラス基板をAFM (At-omic Force Microscope)で表面
観察したところ, 表面形状 (粗さ) は未処理のガラス基
板と変わらないことを確認した。
【０００９】以上のことから, ガラス基板の端面研磨の
際に隙間に浸入した研磨材は 5 g以下であるから, この
研磨材をガラス基板表面に損傷を与えることなく除去す
るためには80〜90℃のリン酸中で60〜120 秒間浸漬すれ
ばよいことがわかる。
際に隙間に浸入した研磨材は 5 g以下であるから, この
研磨材をガラス基板表面に損傷を与えることなく除去す
るためには80〜90℃のリン酸中で60〜120 秒間浸漬すれ
ばよいことがわかる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図２は本発明の実施の形態の説明
図である。図示の槽構成のバッチ式基板洗浄機を用い
て，基板洗浄を行うことにより，端面の隙間に浸入した
研磨材や基板表面に付着した金属や有機物を基板に損傷
を与えることなく除去することができる。
図である。図示の槽構成のバッチ式基板洗浄機を用い
て，基板洗浄を行うことにより，端面の隙間に浸入した
研磨材や基板表面に付着した金属や有機物を基板に損傷
を与えることなく除去することができる。
【００１１】図において， 1は第１水洗槽, 2は80℃の
リン酸槽, 3は第２水洗槽， 4は第３水洗槽， 5は80℃
のH2SO4/H2O2混合槽, 6は第４水洗槽, 7は第５水洗
槽, 8は第６水洗槽, 9は基板引き上げ槽で65℃の温水
槽である。
リン酸槽, 3は第２水洗槽， 4は第３水洗槽， 5は80℃
のH2SO4/H2O2混合槽, 6は第４水洗槽, 7は第５水洗
槽, 8は第６水洗槽, 9は基板引き上げ槽で65℃の温水
槽である。
【００１２】この洗浄槽を用いて， 660mm×460mm の大
きさのガラス基板を10枚を１バッチにして洗浄した例を
次に示す。第１水洗槽 1では，温度30℃の純水で300 秒
間のオーバフロー水洗を行う。
きさのガラス基板を10枚を１バッチにして洗浄した例を
次に示す。第１水洗槽 1では，温度30℃の純水で300 秒
間のオーバフロー水洗を行う。
【００１３】リン酸槽 2では，温度80℃のリン酸で120
秒間の処理を行う。この際, 基板に揺動を与えながら20
0KHz(250W)の超音波をリン酸に与える。第２水洗槽 3で
は，温度40℃の純水で500 秒間, 基板に揺動を与えなが
ら 700KHz の高周波洗浄を行う。
秒間の処理を行う。この際, 基板に揺動を与えながら20
0KHz(250W)の超音波をリン酸に与える。第２水洗槽 3で
は，温度40℃の純水で500 秒間, 基板に揺動を与えなが
ら 700KHz の高周波洗浄を行う。
【００１４】第３水洗槽 4では, 温度50℃の純水で300
秒間のオーバフロー水洗を行う。H2SO4/H2O2混合槽 5で
は，温度80℃で90秒間の処理を行う。この際, H2O2の供
給頻度は 500cc/120分である。
秒間のオーバフロー水洗を行う。H2SO4/H2O2混合槽 5で
は，温度80℃で90秒間の処理を行う。この際, H2O2の供
給頻度は 500cc/120分である。
【００１５】第４水洗槽 6では，40℃の純水で600 秒
間, 基板に揺動を与えながら 70 KHz(200W)の超音波洗
浄を行う。第５水洗槽 7では，温度40℃の純水で300 秒
間, 揺動を与えながら700KHzの高周波洗浄を行う。
間, 基板に揺動を与えながら 70 KHz(200W)の超音波洗
浄を行う。第５水洗槽 7では，温度40℃の純水で300 秒
間, 揺動を与えながら700KHzの高周波洗浄を行う。
【００１６】第６水洗槽 8では， 温度55℃の純水で30
0 秒間のオーバフロー水洗を行う。基板引き上げ槽 9で
は，温度65℃の純水中に600 秒間浸漬した後, 4 mm／秒
の速度で引き上げる。
0 秒間のオーバフロー水洗を行う。基板引き上げ槽 9で
は，温度65℃の純水中に600 秒間浸漬した後, 4 mm／秒
の速度で引き上げる。
【００１７】このように，熱リン酸処理と，硫酸と過酸
化水素水の混合液の基板処理により，基板作製の歩留の
向上を確認することができた。
化水素水の混合液の基板処理により，基板作製の歩留の
向上を確認することができた。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば，ガラス基板の端面研磨
の際に基板端面の隙間に浸入した研磨材を, ガラスの表
面に損傷を与えることなく除去することができる。この
結果LCD 等の薄膜多層基板の製造歩留と信頼性を向上す
ることができる。
の際に基板端面の隙間に浸入した研磨材を, ガラスの表
面に損傷を与えることなく除去することができる。この
結果LCD 等の薄膜多層基板の製造歩留と信頼性を向上す
ることができる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施の形態の説明図
1 第１水洗槽 2 80℃のリン酸槽 3 第２水洗槽 4 第３水洗槽 5 80℃のH2SO4/H2O2混合槽 6 第４水洗槽 7 第５水洗槽 8 第６水洗槽 9 基板引き上げ槽
Claims (2)
- 【請求項１】 80〜90℃の温度に加熱したリン酸にガラ
ス基板を浸漬して該ガラス基板に付着した研磨材を除去
することを特徴とするガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の洗浄の後に，加熱した硫
酸と過酸化水素水との混合液に前記ガラス基板を浸漬し
て該ガラス基板に付着した金属あるいは有機物を除去す
ることを特徴とするガラス基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070196A JPH09227170A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | ガラス基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070196A JPH09227170A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | ガラス基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09227170A true JPH09227170A (ja) | 1997-09-02 |
Family
ID=12310967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070196A Pending JPH09227170A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | ガラス基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09227170A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342041A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Asahi Glass Co Ltd | 光学部材及びその洗浄方法 |
| WO2006087910A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | ガラス基板洗浄装置及びガラス基板洗浄方法 |
| JP2007051017A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板の処理方法及びその方法で処理されてなるディスプレイ用ガラス基板 |
| JP2010041044A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-02-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板及びその作製方法 |
| US8097087B2 (en) | 2009-07-21 | 2012-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of cleaning support plate |
| WO2012093516A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板、その製造方法および磁気記録媒体 |
| WO2014057861A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | セントラル硝子株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
| JP2018518444A (ja) * | 2015-06-10 | 2018-07-12 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスから金属付着物を除去する方法 |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP3070196A patent/JPH09227170A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342041A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Asahi Glass Co Ltd | 光学部材及びその洗浄方法 |
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| JP4650791B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2011-03-16 | 日本電気硝子株式会社 | ディスプレイ用ガラス基板の処理方法 |
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| US8884371B2 (en) | 2008-07-08 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | SOI substrate and manufacturing method thereof |
| US8097087B2 (en) | 2009-07-21 | 2012-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of cleaning support plate |
| WO2012093516A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板、その製造方法および磁気記録媒体 |
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| JP2018518444A (ja) * | 2015-06-10 | 2018-07-12 | コーニング インコーポレイテッド | ガラスから金属付着物を除去する方法 |
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