JPH02257613A - 微粒子汚染の除去方法 - Google Patents
微粒子汚染の除去方法Info
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- JPH02257613A JPH02257613A JP7954389A JP7954389A JPH02257613A JP H02257613 A JPH02257613 A JP H02257613A JP 7954389 A JP7954389 A JP 7954389A JP 7954389 A JP7954389 A JP 7954389A JP H02257613 A JPH02257613 A JP H02257613A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
微粒子汚染の除去方法に係り、特に電子デバイスの製造
工程における微粒子汚染の除去方法に関し。
工程における微粒子汚染の除去方法に関し。
電子デバイスを傷つけることなく表面に付着した微粒子
の汚染を除去することを目的とし。
の汚染を除去することを目的とし。
表面が微粒子汚染された物体の該微粒子汚染を除去する
方法であって、該物体を液体窒素中に浸漬して超音波洗
浄する微粒子汚染の除去方法によ〔産業上の利用分野〕 本発明は微粒子汚染の除去方法に係り、特に電子デバイ
スの製造工程における微粒子汚染の除去方法に関する。
方法であって、該物体を液体窒素中に浸漬して超音波洗
浄する微粒子汚染の除去方法によ〔産業上の利用分野〕 本発明は微粒子汚染の除去方法に係り、特に電子デバイ
スの製造工程における微粒子汚染の除去方法に関する。
半導体装置の微細化に伴い、半導体装置の製造工程にお
ける微粒子汚染の問題が顕著になってきている。特に、
半導体基板上に付着したり露光マスクやレチクルに付着
して、なかなか除去しきれない微粒子による汚染が問題
となる。
ける微粒子汚染の問題が顕著になってきている。特に、
半導体基板上に付着したり露光マスクやレチクルに付着
して、なかなか除去しきれない微粒子による汚染が問題
となる。
さらに２表示パネルのような電子部品の製造工程におい
ても、付着した微粒子による汚染が問題となる。
ても、付着した微粒子による汚染が問題となる。
このため、かかる微粒子汚染を電子デバイスを傷つける
ことなく除去する必要がある。
ことなく除去する必要がある。
従来、半導体基板、露光用マスク、Ｌ／チクルに付着し
た微粒子汚染の除去方法としては、酸・アルカリ洗浄し
て、その後２純水中で洗い流す方法があった。しかし、
この方法は、対象物を酸化したりエツチングしたりする
おそれがある。
た微粒子汚染の除去方法としては、酸・アルカリ洗浄し
て、その後２純水中で洗い流す方法があった。しかし、
この方法は、対象物を酸化したりエツチングしたりする
おそれがある。
また、ブラシ等で強制的に微粒子汚染を除去する方法が
あるが、これも対象物を傷つけるおそれが極めて大きい
。
あるが、これも対象物を傷つけるおそれが極めて大きい
。
さらに、フロン系有機溶剤中に浸漬する方法がある。こ
れは対象物に付着した微粒子汚染を除去する能力は高い
が、フロン系有機溶剤の使用は今後好ましくない状況に
ある。
れは対象物に付着した微粒子汚染を除去する能力は高い
が、フロン系有機溶剤の使用は今後好ましくない状況に
ある。
従って、従来の方法では対象物に付着した微粒子を、そ
の対象物を傷つけることなく除去することが難しかった
。
の対象物を傷つけることなく除去することが難しかった
。
本発明は、対象物に付着した微粒子を、その対象物を傷
つけることなく効率よく除去し且つ簡単に実施できる方
法を提供することを目的とする。
つけることなく効率よく除去し且つ簡単に実施できる方
法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記課題は２表面が微粒子汚染された物体１の該微粒子
汚染を除去する方法であって、該物体１を液体窒素２中
に浸漬して超音波洗浄する微粒子汚染の除去方法によっ
て解決される。
汚染を除去する方法であって、該物体１を液体窒素２中
に浸漬して超音波洗浄する微粒子汚染の除去方法によっ
て解決される。
（作用〕
物体−七に付着した微粒子は、低温下ではその付着力が
弱められる。有機物はガラス転位温度以下になると物体
への付着力が低下し、さらに、低温下では固体同志間の
表面張力が太き（なって剥がれ易くなる。
弱められる。有機物はガラス転位温度以下になると物体
への付着力が低下し、さらに、低温下では固体同志間の
表面張力が太き（なって剥がれ易くなる。
ところで、電子デバイスの製造工程で使用する有機物乃
至高分子は、そのガラス転位温度がたいてい一１００°
Ｃ以下である。
至高分子は、そのガラス転位温度がたいてい一１００°
Ｃ以下である。
それ故、液体窒素のような一１００℃以下で液体状態で
ある低温液体中に微粒子汚染のある物体を浸漬すると、
その微粒子は剥がれ易（なる。
ある低温液体中に微粒子汚染のある物体を浸漬すると、
その微粒子は剥がれ易（なる。
さらに、その物体表面で低温液体は沸騰を起こし、微粒
子の付着している場所から気泡が発生する。この気泡も
物理的に微粒子を除去する作用を持つ。
子の付着している場所から気泡が発生する。この気泡も
物理的に微粒子を除去する作用を持つ。
その上、３０ｋ）ｌｘ程度の超音波振動を低温液体に与
えると、物体表面の微粒子汚染を除去する作用がさらに
顕著になる。
えると、物体表面の微粒子汚染を除去する作用がさらに
顕著になる。
以下１本発明の実施例について説明する。
第１図は実施例を説明するための図で、１は対象となる
物体としてシリコンウェハ、２は低温液体として液体窒
素、３は超音波発信器、４は処理槽、５はフィルタ付ポ
ンプ、５１は循環用バイブを表す。
物体としてシリコンウェハ、２は低温液体として液体窒
素、３は超音波発信器、４は処理槽、５はフィルタ付ポ
ンプ、５１は循環用バイブを表す。
シリコンウェハ１を液体窒素２中に浸漬し、超音波発信
器３により３Ｑｋ）Ｉｚの超音波振動を液体窒素２に与
える。フィルタ付ポンプ５を作動して処理槽４の液体窒
素２を循環用バイブ５１を通じて循環させる。フィルタ
付ポンプ５には１例えば。
器３により３Ｑｋ）Ｉｚの超音波振動を液体窒素２に与
える。フィルタ付ポンプ５を作動して処理槽４の液体窒
素２を循環用バイブ５１を通じて循環させる。フィルタ
付ポンプ５には１例えば。
浮遊している０、０２μｍ以上の微粒子を捕獲するフィ
ルタが設けられるＪ 第１図に示す装置により、４インチのシリコンウェハｌ
を１０分間超音波洗浄処理した時の、処理による微粒子
数の減少をしらべた結果を第２図に示す。比較のため、
純水による超音波洗浄処理した時の、微粒子数の減少を
しらべた結果も第２図に合わせて示す。
ルタが設けられるＪ 第１図に示す装置により、４インチのシリコンウェハｌ
を１０分間超音波洗浄処理した時の、処理による微粒子
数の減少をしらべた結果を第２図に示す。比較のため、
純水による超音波洗浄処理した時の、微粒子数の減少を
しらべた結果も第２図に合わせて示す。
第２図に見るように、液体窒素２中に浸漬して超音波洗
浄処理すると、シリコンウェハ１上の微粒子数は約１１
５に減少する。一方、純水による超音波洗浄処理は殆ど
効果がない。
浄処理すると、シリコンウェハ１上の微粒子数は約１１
５に減少する。一方、純水による超音波洗浄処理は殆ど
効果がない。
液体窒素２中に浸漬して超音波洗浄処理するこの処理は
、シリコンウェハ１の表面を傷つけることはなかった。
、シリコンウェハ１の表面を傷つけることはなかった。
低温液体は液体窒素に限らず、 −１００’Ｃ以下で液
体である物質２例えば、液体酸素、液体ヘリウム等も適
用可能である。
体である物質２例えば、液体酸素、液体ヘリウム等も適
用可能である。
また、超音波発信器の発信周波数は、２０ｋＨｚ乃至１
００ｋｌｌｚ程度のものでよい。
００ｋｌｌｚ程度のものでよい。
微粒子汚染を除去する対象となる物体１はシリコンウェ
ハに限らず、その他の半導体基板、露光マスク、レチク
ル等半導体装置の製造工程で微粒子汚染が問題となる物
体に２本発明の方法はすべて適用できる。
ハに限らず、その他の半導体基板、露光マスク、レチク
ル等半導体装置の製造工程で微粒子汚染が問題となる物
体に２本発明の方法はすべて適用できる。
さらに２表示パネル等の微粒子汚染を嫌う電子部品の製
造工程にも本発明の方法は適用できる。
造工程にも本発明の方法は適用できる。
４は処理槽。
５はフィルタ付ポンプ。
５１は循環用パイプ
〔発明の効果〕
以上説明した様に９本発明の方法によれば、電子デバイ
スを傷つけることなく表面に付着した微粒子の汚染の除
去することができる。
スを傷つけることなく表面に付着した微粒子の汚染の除
去することができる。
本発明の方法は、電子デバイスの製造歩留りの向上に寄
与する。
与する。
第１図は実施例を説明するための図。
第２図は処理による微粒子数の減少を示す図である。図
において。 １は対象となる物体であってシリコンウェハ。 ２は低温液体であって液体窒素。 ３は超音波発信器゛。 実 左征 イダＩ 第 １ 図 是王里 １； １ろイ’Ｈ，９千−キ欠５０ シぶ（づ
ｆＶ ２ 四］
において。 １は対象となる物体であってシリコンウェハ。 ２は低温液体であって液体窒素。 ３は超音波発信器゛。 実 左征 イダＩ 第 １ 図 是王里 １； １ろイ’Ｈ，９千−キ欠５０ シぶ（づ
ｆＶ ２ 四］
Claims (1)
- 表面が微粒子汚染された物体（１）の該微粒子汚染を除
去する方法であって、該物体（１）を液体窒素（２）中
に浸漬して超音波洗浄することを特徴とする微粒子汚染
の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7954389A JPH02257613A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 微粒子汚染の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7954389A JPH02257613A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 微粒子汚染の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02257613A true JPH02257613A (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=13692912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7954389A Pending JPH02257613A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 微粒子汚染の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02257613A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116928A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Sharp Corp | 半導体ウェハの洗浄方法 |
| US6153043A (en) * | 1998-02-06 | 2000-11-28 | International Business Machines Corporation | Elimination of photo-induced electrochemical dissolution in chemical mechanical polishing |
| US7264679B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
| GB2547070A (en) * | 2015-11-23 | 2017-08-09 | Delavan Inc | Powder removal systems |
| CN114016140A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-02-08 | 安徽芙芮雅羽绒有限公司 | 一种羽毛低损伤漂洗工艺 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP7954389A patent/JPH02257613A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116928A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Sharp Corp | 半導体ウェハの洗浄方法 |
| US6153043A (en) * | 1998-02-06 | 2000-11-28 | International Business Machines Corporation | Elimination of photo-induced electrochemical dissolution in chemical mechanical polishing |
| US6251787B1 (en) | 1998-02-06 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Elimination of photo-induced electrochemical dissolution in chemical mechanical polishing |
| US7264679B2 (en) | 2004-02-11 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of chamber components |
| US8043557B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-10-25 | American Air Liquide, Inc. | Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen |
| GB2547070A (en) * | 2015-11-23 | 2017-08-09 | Delavan Inc | Powder removal systems |
| US10195667B2 (en) | 2015-11-23 | 2019-02-05 | Delavan Inc. | Powder removal systems |
| US10493531B2 (en) | 2015-11-23 | 2019-12-03 | Delavan Inc. | Powder removal systems |
| GB2547070B (en) * | 2015-11-23 | 2020-01-08 | Delavan Inc | Powder removal systems |
| GB2578231A (en) * | 2015-11-23 | 2020-04-22 | Delavan Inc | Powder removal systems |
| GB2578231B (en) * | 2015-11-23 | 2020-12-16 | Delavan Inc | Powder removal systems |
| CN114016140A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-02-08 | 安徽芙芮雅羽绒有限公司 | 一种羽毛低损伤漂洗工艺 |
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