JP2573418B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JP2573418B2 JP2573418B2 JP2340168A JP34016890A JP2573418B2 JP 2573418 B2 JP2573418 B2 JP 2573418B2 JP 2340168 A JP2340168 A JP 2340168A JP 34016890 A JP34016890 A JP 34016890A JP 2573418 B2 JP2573418 B2 JP 2573418B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は半導体基板の洗浄方法に関するものであり、
特にフッ酸を使用する半導体基板の洗浄方法に関するも
のである。
特にフッ酸を使用する半導体基板の洗浄方法に関するも
のである。
＜従来の技術＞ 従来の技術に於いて半導体基板の洗浄は、第３図に示
すように、薬液１をためた槽２に基板３を浸漬し、洗浄
した後、薬液１をためた槽２から基板３を取出し、純水
４をオーバーフローさせている槽５に基板３を移し、基
板３に残留している薬品を除去した後に、純水槽５より
基板３を取出すものである。この方式（Ａ）では、薬液
にフッ酸を使用する場合、基板の酸化膜が除去されて基
板の活性面（たとえば、シリコン面）が露出すると、第
３図に於いて、フッ酸中より基板を取出す際（（３））
に、基板表面にフッ酸の液面に多く浮遊している異物粒
子が付着しやすく、洗浄後の基板処理に悪影響を及ぼ
す。このような異物の付着を減らすために、従来の技術
に於いては、第４図に示すように、薬液11中での洗浄が
終了した後に、薬液槽12に純水13を導入し、薬液をオー
バーフローさせて純水と置換した後に、純水13中から基
板14を取出す方法（Ｂ）が行なわれている。
すように、薬液１をためた槽２に基板３を浸漬し、洗浄
した後、薬液１をためた槽２から基板３を取出し、純水
４をオーバーフローさせている槽５に基板３を移し、基
板３に残留している薬品を除去した後に、純水槽５より
基板３を取出すものである。この方式（Ａ）では、薬液
にフッ酸を使用する場合、基板の酸化膜が除去されて基
板の活性面（たとえば、シリコン面）が露出すると、第
３図に於いて、フッ酸中より基板を取出す際（（３））
に、基板表面にフッ酸の液面に多く浮遊している異物粒
子が付着しやすく、洗浄後の基板処理に悪影響を及ぼ
す。このような異物の付着を減らすために、従来の技術
に於いては、第４図に示すように、薬液11中での洗浄が
終了した後に、薬液槽12に純水13を導入し、薬液をオー
バーフローさせて純水と置換した後に、純水13中から基
板14を取出す方法（Ｂ）が行なわれている。
＜発明が解決しようとする課題＞ 従来技術における第４図に示す方法により、フッ酸を
使用した洗浄の場合に於いても、基板を浸漬したまま、
フッ酸と純水を置換することで、槽から基板を引き上げ
る際に付着する異物粒子を減らすことが可能であるが、
フッ酸に浸漬する前に、基板の活性面が露出している場
合には、基板をフッ酸に浸漬する際に、フッ酸液面に浮
遊する異物粒子の基板への付着がさけられない。
使用した洗浄の場合に於いても、基板を浸漬したまま、
フッ酸と純水を置換することで、槽から基板を引き上げ
る際に付着する異物粒子を減らすことが可能であるが、
フッ酸に浸漬する前に、基板の活性面が露出している場
合には、基板をフッ酸に浸漬する際に、フッ酸液面に浮
遊する異物粒子の基板への付着がさけられない。
＜課題を解決するための手段＞ 上記問題点を解決するための本発明の方法は、第１図
に示すように、オーバーフローさせた純水槽21に基板22
を浸漬し、基板22が純水23中に浸漬している状態でオー
バーフローを止め、洗浄薬液24を槽21に均一に導入して
調合し、洗浄が終了後、再び純水25を導入して薬液と純
水を置換し、純水25をオーバーフローさせながら槽21か
ら基板22を取出すものである。
に示すように、オーバーフローさせた純水槽21に基板22
を浸漬し、基板22が純水23中に浸漬している状態でオー
バーフローを止め、洗浄薬液24を槽21に均一に導入して
調合し、洗浄が終了後、再び純水25を導入して薬液と純
水を置換し、純水25をオーバーフローさせながら槽21か
ら基板22を取出すものである。
＜作 用＞ 本発明によれば、半導体基板の活性面が薬液の液面に
触れることがなくなり、液面での基板への異物付着をな
くすことが可能である。
触れることがなくなり、液面での基板への異物付着をな
くすことが可能である。
＜実施例＞ 半導体基板洗浄で頻繁に使用される希フッ酸を用いる
洗浄に於ける、本発明の実施例を第１図を例に説明す
る。（１）純水23をオーバーフローさせたテフロン槽21
に、洗浄する基板22を浸漬する。（２）基板22を浸漬し
た後に純水のオーバーフローを止め、槽容積の1/10だけ
純水を排水し、10％に希釈したフッ酸24を槽21に均一に
槽容積の1/10滴下し、槽内の純水を１％の希フッ酸24′
に変えて、１分間洗浄を行う。（３）テフロン槽21の底
部より純水25を導入し、希フッ酸を純水で置換する。
（４）槽21内の純水25の比抵抗値が、18MΩ・cm以上に
回復したら、純水をオーバーフローさせながら基板を槽
から引き上げて、水切り乾燥を行う。
洗浄に於ける、本発明の実施例を第１図を例に説明す
る。（１）純水23をオーバーフローさせたテフロン槽21
に、洗浄する基板22を浸漬する。（２）基板22を浸漬し
た後に純水のオーバーフローを止め、槽容積の1/10だけ
純水を排水し、10％に希釈したフッ酸24を槽21に均一に
槽容積の1/10滴下し、槽内の純水を１％の希フッ酸24′
に変えて、１分間洗浄を行う。（３）テフロン槽21の底
部より純水25を導入し、希フッ酸を純水で置換する。
（４）槽21内の純水25の比抵抗値が、18MΩ・cm以上に
回復したら、純水をオーバーフローさせながら基板を槽
から引き上げて、水切り乾燥を行う。
本実施例に示した希フッ酸洗浄方法で半導体基板（６
インチ・シリコンウェーハ）に付着する異物粒子数（粒
径0.16μｍ以上）を、従来の希フッ酸洗浄方法A,B（A,B
とも、１％フッ酸洗浄時間１分，純水オーバーフロー、
水切り乾燥）と比較した結果を第２図に示す。基板に付
着した粒子数は、従来方式Ａでは110〜170個、従来方式
Ｂでは30〜40個、本発明の方式Ｃでは10〜20個であり、
本発明の希フッ酸洗浄方法により、基板に付着する異物
粒子を減らすことが可能になる。
インチ・シリコンウェーハ）に付着する異物粒子数（粒
径0.16μｍ以上）を、従来の希フッ酸洗浄方法A,B（A,B
とも、１％フッ酸洗浄時間１分，純水オーバーフロー、
水切り乾燥）と比較した結果を第２図に示す。基板に付
着した粒子数は、従来方式Ａでは110〜170個、従来方式
Ｂでは30〜40個、本発明の方式Ｃでは10〜20個であり、
本発明の希フッ酸洗浄方法により、基板に付着する異物
粒子を減らすことが可能になる。
＜発明の効果＞ 本発明の半導体基板の洗浄方法により、洗浄液から基
板に付着する異物粒子を大幅に低減させることが可能に
なる。
板に付着する異物粒子を大幅に低減させることが可能に
なる。
第１図は、本発明の洗浄方法の説明図、第２図は、従来
の洗浄方法（A,B）と本発明の洗浄方法（Ｃ）で実際に
洗浄を行った６インチ径シリコンウェーハに付着した異
物粒子数を示す図、第３図及び第４図は、それぞれ従来
の洗浄方法Ａ及びＢの説明図である。 符号の説明 21:洗浄槽、22:半導体基板、23:純水、24:フッ酸、2
4′：希フッ酸、25:純水。
の洗浄方法（A,B）と本発明の洗浄方法（Ｃ）で実際に
洗浄を行った６インチ径シリコンウェーハに付着した異
物粒子数を示す図、第３図及び第４図は、それぞれ従来
の洗浄方法Ａ及びＢの説明図である。 符号の説明 21:洗浄槽、22:半導体基板、23:純水、24:フッ酸、2
4′：希フッ酸、25:純水。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の洗浄方法に於いて、純水をオ
ーバーフローさせた洗浄槽に半導体基板を浸漬し、純水
中に基板が浸漬している状態で純水中に洗浄薬液を導入
して基板の洗浄を行い、その後、洗浄薬液中に純水を導
入して洗浄薬液を純水と置換した後にオーバーフローさ
せた純水中より基板を取り出し、乾燥させることを特徴
とする、半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340168A JP2573418B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340168A JP2573418B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207031A JPH04207031A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2573418B2 true JP2573418B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=18334383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340168A Expired - Fee Related JP2573418B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573418B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0166831B1 (ko) * | 1995-12-18 | 1999-02-01 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법 |
| DE19840989A1 (de) | 1997-09-09 | 1999-03-18 | Tokyo Electron Ltd | Reinigungsverfahren und Reinigungsgerät |
| JP4484980B2 (ja) | 1999-05-20 | 2010-06-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液 |
| US6539963B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
| US6647998B2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Electrostatic charge-free solvent-type dryer for semiconductor wafers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124220A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01264226A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-20 | Nec Corp | 半導体基板の水洗装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340168A patent/JP2573418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124220A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01264226A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-20 | Nec Corp | 半導体基板の水洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04207031A (ja) | 1992-07-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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