JPH05129264A - 洗浄液および洗浄方法 - Google Patents
洗浄液および洗浄方法Info
- Publication number
- JPH05129264A JPH05129264A JP29124091A JP29124091A JPH05129264A JP H05129264 A JPH05129264 A JP H05129264A JP 29124091 A JP29124091 A JP 29124091A JP 29124091 A JP29124091 A JP 29124091A JP H05129264 A JPH05129264 A JP H05129264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- amino group
- mol
- solution
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Prevention Of Fouling (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハ等の基板の表面に形成される集積
回路の高密度化に伴い、より微小な異物や微量の汚染膜
が歩留まり向上の障害となっている。本発明では異物の
再付着や汚染膜の付着を防止する洗浄液の提供を目的と
する。 【構成】アミノ基を有する物質を添加したフッ酸水溶液
を洗浄液として用いることにより、微小異物の再付着や
微量な汚染膜の付着を防止できる。 【効果】半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等のエレ
クトロニクス部品の歩留まりを高めることができる。
回路の高密度化に伴い、より微小な異物や微量の汚染膜
が歩留まり向上の障害となっている。本発明では異物の
再付着や汚染膜の付着を防止する洗浄液の提供を目的と
する。 【構成】アミノ基を有する物質を添加したフッ酸水溶液
を洗浄液として用いることにより、微小異物の再付着や
微量な汚染膜の付着を防止できる。 【効果】半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等のエレ
クトロニクス部品の歩留まりを高めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
等において、半導体ウエハ等半導体基板の表面を清浄に
する洗浄技術に関する。
等において、半導体ウエハ等半導体基板の表面を清浄に
する洗浄技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板の表面に形成され
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、そ
れにつれてパタ−ンの線幅が微細化してきている。最小
加工寸法は１６ＭＤＲＡＭでは０．５μｍ、６４ＭＤＲ
ＡＭでは０．３μｍであり、その製造工程においてより
微量な汚染が製品の品質や歩留まり向上の障害になると
考えられる。
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、そ
れにつれてパタ−ンの線幅が微細化してきている。最小
加工寸法は１６ＭＤＲＡＭでは０．５μｍ、６４ＭＤＲ
ＡＭでは０．３μｍであり、その製造工程においてより
微量な汚染が製品の品質や歩留まり向上の障害になると
考えられる。
【０００３】従来、基板表面を洗浄する手段として、ア
−ルシ−エ−レビュ−３１（１９７０年）第１８７頁か
ら２０６頁［ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ， ３１ （１９７
０）Ｐ．１８７〜２０６］で述べられているように、ア
ンモニア水あるいは塩酸等の酸と過酸化水素水の混合物
を８０℃程度に加熱し、これにウエハを浸漬する方法
や、フッ酸水溶液にウエハを浸漬する方法、超純水中で
超音波を加える方法などがある。
−ルシ−エ−レビュ−３１（１９７０年）第１８７頁か
ら２０６頁［ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ， ３１ （１９７
０）Ｐ．１８７〜２０６］で述べられているように、ア
ンモニア水あるいは塩酸等の酸と過酸化水素水の混合物
を８０℃程度に加熱し、これにウエハを浸漬する方法
や、フッ酸水溶液にウエハを浸漬する方法、超純水中で
超音波を加える方法などがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】集積回路における集積
度の高密度化により１６ＭＤＲＡＭにおける最小加工寸
法は０．５μｍであり、それにつれて、洗浄の対象とな
っている異物の大きさも微小化し、０．０５μｍの異物
をも除去する必要があると考えられている。異物が微小
化するにつれて基板に付着しやすくなるため、洗浄中の
再付着が問題となり、従来用いられていた洗浄液では充
分に洗浄できないと考えられる。
度の高密度化により１６ＭＤＲＡＭにおける最小加工寸
法は０．５μｍであり、それにつれて、洗浄の対象とな
っている異物の大きさも微小化し、０．０５μｍの異物
をも除去する必要があると考えられている。異物が微小
化するにつれて基板に付着しやすくなるため、洗浄中の
再付着が問題となり、従来用いられていた洗浄液では充
分に洗浄できないと考えられる。
【０００５】また異物に限らず汚染膜等についてもより
微量なレベルでデバイス特性に影響を与えるものと予想
されるため、従来の方法では充分な洗浄が行なえない。
微量なレベルでデバイス特性に影響を与えるものと予想
されるため、従来の方法では充分な洗浄が行なえない。
【０００６】本発明の目的は微小異物の再付着や微量汚
染膜の付着を防止できる洗浄液の提供である。
染膜の付着を防止できる洗浄液の提供である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はアミノ基を有す
る物質を添加したフッ酸水溶液を洗浄液として用いるこ
とにより、微小異物や微量な汚染膜等の付着を防止する
ものである。本発明による洗浄液は、単独で用いたり、
通常ＲＣＡ洗浄と呼ばれる上記した洗浄（アンモニア水
あるいは塩酸等の酸と過酸化水素水の混合物を用いる方
法）に連続して用いることができる他、単にフッ酸水溶
液により酸化膜を除去し水洗した後に引き続き用いるこ
ともできる。
る物質を添加したフッ酸水溶液を洗浄液として用いるこ
とにより、微小異物や微量な汚染膜等の付着を防止する
ものである。本発明による洗浄液は、単独で用いたり、
通常ＲＣＡ洗浄と呼ばれる上記した洗浄（アンモニア水
あるいは塩酸等の酸と過酸化水素水の混合物を用いる方
法）に連続して用いることができる他、単にフッ酸水溶
液により酸化膜を除去し水洗した後に引き続き用いるこ
ともできる。
【０００８】
【作用】本洗浄液を用いることで微小異物の再付着が防
止される効果については、特願平２−２１９７１０で述
べたように異物および基板のゼ−タ電位の絶対値が大き
くなり静電気反発力が生ずるためであると考えられる。
また、微量な汚染膜が付着しにくい理由については明確
ではないが、金属イオン等が吸着しにくいことやフッ酸
洗浄液より引き上げた後、空気中での汚染が起こりにく
いためであると考えられる。
止される効果については、特願平２−２１９７１０で述
べたように異物および基板のゼ−タ電位の絶対値が大き
くなり静電気反発力が生ずるためであると考えられる。
また、微量な汚染膜が付着しにくい理由については明確
ではないが、金属イオン等が吸着しにくいことやフッ酸
洗浄液より引き上げた後、空気中での汚染が起こりにく
いためであると考えられる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を図を用いて説明する。
【００１０】(実施例１）図１に示すごとく洗浄槽１に
ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９溶液２を調整しアミノ基を有す
る物質を添加する。
ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９溶液２を調整しアミノ基を有す
る物質を添加する。
【００１１】図１に用いた物質の種類と添加量を表１、
表２に示す。
表２に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】界面活性剤を併用する場合についても検討
した。界面活性剤については特に限定されるものではな
いが、実験にはポリオキシエチレンラウリルエ−テル
（エマルゲン１２０、花王株式会社製）を用いた。モデ
ル異物として粒径０．５〜１．５μｍのＳｉ粒子を１×
１０10個／ｍ3の濃度で洗浄槽中に分散させた。４イン
チＳｉウエハ３を１０分間浸漬した後、液中より引き上
げ水洗しスピンナにより乾燥させ、異物検査装置を用い
て付着異物数を測定した。得られた結果を表１、表２に
示す。アミノ基を有する物質あるいは界面活性剤を添加
しない場合を比較例とした。アミノ基を有する物質ある
いは界面活性剤を添加することにより付着異物数が著し
く少なくなることがわかった。アミノ基を有する物質は
１０~7モル／ｌ以上の添加量で効果がみられ、１０~1モ
ル／ｌ程度の添加まで有効である。また界面活性剤は１
０~7モル／ｌより１０~5モル／ｌまでの添加量で最も効
果がある。
した。界面活性剤については特に限定されるものではな
いが、実験にはポリオキシエチレンラウリルエ−テル
（エマルゲン１２０、花王株式会社製）を用いた。モデ
ル異物として粒径０．５〜１．５μｍのＳｉ粒子を１×
１０10個／ｍ3の濃度で洗浄槽中に分散させた。４イン
チＳｉウエハ３を１０分間浸漬した後、液中より引き上
げ水洗しスピンナにより乾燥させ、異物検査装置を用い
て付着異物数を測定した。得られた結果を表１、表２に
示す。アミノ基を有する物質あるいは界面活性剤を添加
しない場合を比較例とした。アミノ基を有する物質ある
いは界面活性剤を添加することにより付着異物数が著し
く少なくなることがわかった。アミノ基を有する物質は
１０~7モル／ｌ以上の添加量で効果がみられ、１０~1モ
ル／ｌ程度の添加まで有効である。また界面活性剤は１
０~7モル／ｌより１０~5モル／ｌまでの添加量で最も効
果がある。
【００１５】ウエハ上に付着した異物を洗浄する場合、
洗浄により除去した異物が溶液中に存在しこれがウエハ
に再付着することが問題であるため、本実施例では水溶
液中にモデル異物を分散させ異物の付着を観測すること
で本発明の効果を確認した。
洗浄により除去した異物が溶液中に存在しこれがウエハ
に再付着することが問題であるため、本実施例では水溶
液中にモデル異物を分散させ異物の付着を観測すること
で本発明の効果を確認した。
【００１６】（実施例２）ＲＣＡ洗浄をほどこしたＳｉ
ウエハを用いて、実施例１と同様の検討を行なった。得
られた結果を表３に示す。
ウエハを用いて、実施例１と同様の検討を行なった。得
られた結果を表３に示す。
【００１７】
【表３】
【００１８】比較例に比べ付着異物数が著しく少ないこ
とがわかった。
とがわかった。
【００１９】（実施例３）洗浄槽１にＨＦ：Ｈ2Ｏ＝
１：９９溶液２を形成しアミノ基を有する物質を添加す
る。実施例１と同様の物質を用いた。４インチＳｉウエ
ハ３を浸漬した後、液中より引き上げ水洗しスピンナに
より乾燥させ、ウエハ表面にウエット熱酸化膜を形成し
た。キャリアのライフタイムを測定した結果を表１、表
２に示す。アミノ基を有する物質あるいは界面活性剤を
添加しない比較例に比べキャリアのライフタイムは約２
倍大きく、ウエハ表面への汚染膜等の付着が少なかった
ことがわかった。
１：９９溶液２を形成しアミノ基を有する物質を添加す
る。実施例１と同様の物質を用いた。４インチＳｉウエ
ハ３を浸漬した後、液中より引き上げ水洗しスピンナに
より乾燥させ、ウエハ表面にウエット熱酸化膜を形成し
た。キャリアのライフタイムを測定した結果を表１、表
２に示す。アミノ基を有する物質あるいは界面活性剤を
添加しない比較例に比べキャリアのライフタイムは約２
倍大きく、ウエハ表面への汚染膜等の付着が少なかった
ことがわかった。
【００２０】（実施例４）ＲＣＡ洗浄をほどこしたＳｉ
ウエハを用いて、実施例３と同様の検討を行なった。得
られた結果を表３に示す。比較例に比べキャリアのライ
フタイムは約２倍大きく、ウエハ表面への汚染膜等の付
着が少ないことがわかった。
ウエハを用いて、実施例３と同様の検討を行なった。得
られた結果を表３に示す。比較例に比べキャリアのライ
フタイムは約２倍大きく、ウエハ表面への汚染膜等の付
着が少ないことがわかった。
【００２１】（実施例５）図２に示すようにＳｉウエハ
３上に熱酸化膜４、レジスト５を形成した後、リソグラ
フィにより孔部６を形成する。
３上に熱酸化膜４、レジスト５を形成した後、リソグラ
フィにより孔部６を形成する。
【００２２】熱酸化膜４をＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９に２
−アミノエタノ−ルを１０~3モル／ｌ添加した溶液でエ
ッチングする。２−アミノエタノ−ルを添加しない比較
例に比べ、均一にエッチングされることがわかった。
−アミノエタノ−ルを１０~3モル／ｌ添加した溶液でエ
ッチングする。２−アミノエタノ−ルを添加しない比較
例に比べ、均一にエッチングされることがわかった。
【００２３】（実施例６）実施例５と同様にして孔部６
を形成した後、熱酸化膜４をＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９に
２−アミノエタノ−ルを１０~3モル／ｌ、界面活性剤を
１０~7モル／ｌ添加した溶液でエッチングする。２−ア
ミノエタノ−ルおよび界面活性剤を添加しない比較例に
比べ、均一にエッチングされることがわかった。
を形成した後、熱酸化膜４をＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９に
２−アミノエタノ−ルを１０~3モル／ｌ、界面活性剤を
１０~7モル／ｌ添加した溶液でエッチングする。２−ア
ミノエタノ−ルおよび界面活性剤を添加しない比較例に
比べ、均一にエッチングされることがわかった。
【００２４】実施例５、６では熱酸化膜が均一にエッチ
ングできるという本発明の別の効果が示された。
ングできるという本発明の別の効果が示された。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、微小異物の再付着や微
量な汚染膜の付着を防止して半導体基板等の洗浄が可能
となるため、半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等の
エレクトロニクス部品の歩留まりを高めることができ、
低コストで上記製品を製造することができる。
量な汚染膜の付着を防止して半導体基板等の洗浄が可能
となるため、半導体装置、薄膜デバイス、ディスク等の
エレクトロニクス部品の歩留まりを高めることができ、
低コストで上記製品を製造することができる。
【図１】本発明の実施例を説明する図である。
【図２】本発明の実施例を説明する図である。
１…洗浄槽、２…洗浄液、３…Ｓｉウエハ、４…熱酸化
膜、５…レジスト、６…孔部
膜、５…レジスト、６…孔部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 (Ｃ１１Ｄ 7/60 7:08 7:32）
Claims (5)
- 【請求項１】フッ酸水溶液にアミノ基を有する物質を添
加することを特徴とする洗浄液。 - 【請求項２】フッ酸水溶液にアミノ基を有する物質およ
び界面活性剤を添加することを特徴とする洗浄液。 - 【請求項３】フッ酸水溶液にアミノ基を有する物質を１
０~7〜１０~1モル／ｌ添加することを特徴とする洗浄
液。 - 【請求項４】フッ酸水溶液にアミノ基を有する物質を１
０~7〜１０~1モル／ｌ、界面活性剤を１０~7〜１０~5モ
ル／ｌ添加することを特徴とする洗浄液。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれか１項に記載の
洗浄液を用いることを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29124091A JPH05129264A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 洗浄液および洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29124091A JPH05129264A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 洗浄液および洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129264A true JPH05129264A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17766295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29124091A Pending JPH05129264A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 洗浄液および洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129264A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU641832B2 (en) * | 1990-11-30 | 1993-09-30 | Kyowa Hakko Food Specialities Co., Ltd. | Process for producing bread dough |
| JPH0746074A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Nec Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| WO1995020642A1 (fr) * | 1994-01-26 | 1995-08-03 | Daikin Industries, Ltd. | Agent nettoyant et procede de nettoyage |
| US5803956A (en) * | 1994-07-28 | 1998-09-08 | Hashimoto Chemical Company, Ltd. | Surface treating composition for micro processing |
| JP2011105814A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Tosoh Corp | 電子デバイスの洗浄方法 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP29124091A patent/JPH05129264A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU641832B2 (en) * | 1990-11-30 | 1993-09-30 | Kyowa Hakko Food Specialities Co., Ltd. | Process for producing bread dough |
| JPH0746074A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Nec Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| WO1995020642A1 (fr) * | 1994-01-26 | 1995-08-03 | Daikin Industries, Ltd. | Agent nettoyant et procede de nettoyage |
| US5803956A (en) * | 1994-07-28 | 1998-09-08 | Hashimoto Chemical Company, Ltd. | Surface treating composition for micro processing |
| JP2011105814A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Tosoh Corp | 電子デバイスの洗浄方法 |
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