KR100340274B1 - 반도체 기판의 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기판의 가공에 의해서 발생한 미세 손상, 반도체 기판 표면에 부착하는 유기물, 금속 불순물 및 미립자를 적은 수의 공정 단계로 양호하게 제거하는 방법에 관한 것이다.
반도체 기판을 과산화수소와 수산화암모늄을 혼합한 혼합액 등에 침지시키는 공정(11), 이 혼합액에 침지된 반도체 기판을 용존 오존 수용액, 질산 또는 과산화수소수 중 1 종 이상의 산화액에 침지시키는 공정(12), 이 산화액에 침지된 반도체 기판을 유기산 또는 그의 염과 불화수소산의 혼합액에 침지시키는 공정(13), 이 혼합액에 침지된 반도체 기판을 유기산 또는 그의 염을 포함하는 용액 또는 유기산 또는 그의 염과 불화수소산의 혼합액에 침지시키는 공정(14), 및 유기산 또는 그의 염을 포함하는 용액 또는 유기산 또는 그의 염과 불화수소산의 혼합액에 침지된 반도체 기판을 용존 오존 수용액, 질산 또는 과산화수소수 중 1 종 이상의 산화액에 침지시키는 공정(15)을 포함한다.
Description
본 발명은 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판의 표면을 세정하는 방법에 관한 것이다.
이러한 종류의 반도체 기판 표면에는 그의 제조 공정 중에 금속 불순물 또는 입경이 1 ㎛ 이하의 미립자, 유기물 등이 부착되어 가공상 손상이 일어난다. 반도체 장치의 고집적화 및 고기능화에 따라서, 반도체 기판의 표면이 이러한 금속 불순물 또는 미립자, 유기물로 오염되어 있지 않고 가공상 손상이 없는 것이 점점 요구되며, 이를 위한 반도체 기판의 세정 기술은 반도체 장치 기술 전체에서 매우 중요해지고 있다.
종래의 반도체 기판의 세정 방법으로서, 과산화수소와 수산화암모늄의 SC-1 용액과, 과산화수소와 희석 염산의 SC-2 용액을 이용한 RCA 세정법이 알려져 있다. 이 RCA 세정법은, 우선 반도체 기판을 SC-1용액에 침지시키고, 이 용액의 산화성 및 알칼리성 특성에 의해 기판으로부터 미립자 및 유기물을 제거한다. 즉, 이 SC-1 용액 중에서는 산화와 환원의 양반응이 동시에 이루어지는데, 암모니아에 의한 환원과 과산화수소에 의한 산화가 동일조에서 경쟁적으로 발생하고, 동시에 수산화암모늄 용액의 에칭 작용에 의해 미립자 및 유기물이 기판 표면에서 이탈됨으로써 제거된다. 또한, 반도체 기판의 가공에 의해 발생한 기계적인 미세 손상을 제거한다. 이어서, 반도체 기판을 불화수소산 수용액에 침지시켜 기판 표면의 자연 산화막을 제거한 후, 이 반도체 기판을 SC-2 용액의 산성 용액에 침지시켜, SC-1 용액에서 불용성인 알칼리 이온 또는 금속 불순물을 제거한다.
이와 같이, RCA 세정은 수산화암모늄 용액의 에칭 작용에 의해 청정화된 기판 표면을 산성 용액의 세정에 의해 재청정화하게 된다.
한편, 반도체 기판을 세정할 때, 세정액 중의 금속 불순물이 기판 표면에 부착하거나 기판 표면에서 한번 제거된 금속 불순물이 재부착되는 것을 방지하여, 불필요한 자연 산화막의 성장을 억제하는 반도체 기판의 세정액 및 그의 세정 방법이개시되어 있다(일본 특허 출원 공개 제95-94458). 이 세정액은, 암모니아를 0.0001 내지 0.001 중량% 포함하거나 또는 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)을 0.0005 내지 0.01 중량% 함유하는 불화수소산과 같은 산성 용액으로 이루어진다. 이 세정액은 산화막을 제거하기 위하여, pH 1 정도의 강산으로 유지된다. 이 세정 방법에 의하면, 반도체 기판을 세정액에 침지시키면 자연 산화막의 제거와 금속 불순물의 제거가 동시에 진행되며, 세정액 중으로 전달된 금속 원소는 착체를 형성하고 금속 착염이 되어 마스킹한다. 반도체 기판의 표면이 산성 용액 중에서 음으로 하전되는 한편, 금속 착염도 산성 용액 중에서 착이온을 형성하여 금속 착염(7)의 표면이 음으로 하전되기 때문에 금속 착염, 즉, 금속 원소 기판으로의 재부착이 방지된다.
그러나, 상술한 RCA 세정법은 동일조에서 산화와 환원의 2 가지 작용이 경쟁적으로 발생하기 때문에, 첫째로 기판 표면에서 유리된 금속 불순물은 SC-1 용액 중에 머무르고, 그 표면 전위에 의해 기판 표면에 재부착할 수 있다는 것, 둘째로 유기산에 의해 SC-1 용액 중의 금속 이온을 착물화하여 금속 착염을 형성하려 해도, 유기산이 SC-1 용액으로 산화 환원 처리되고 분해되어 그의 착물화 작용이 매우 저하되게 된다. 이로 인하여 RCA 세정법으로서는 금속의 종류에 따라 금속 불순물이 충분히 제거되지 않는다는 결점이 있었다.
또한, 일본 특허 출원 공개 제95-94458호 공보에 개시되어 있는 세정법은, 미립자의 표면이 강산의 세정액 중에서 약하게 양으로 하전되기 때문에, 반도체 기판에서 상기 이유로 금속 불순물을 제거할 수는 있어도, 미립자는 0에서 양으로 대전하고 있는 기판 표면에 헤테로 응집함으로써 부착되어 있어 제거할 수 없다는 결점이 있었다.
본 발명의 목적은, 반도체 기판의 가공에 의해 발생한 미세 손상, 반도체 기판 표면에 부착된 유기물, 금속 불순물 및 미립자를 적은 수의 공정 단계로 양호하게 제거하는 반도체 기판의 세정 방법을 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 태양에 따른 세정 공정을 나타내는 도면.
도 2는 실시예 1 내지 7 및 비교예의 세정 후의 실리콘 웨이퍼 표면에 잔류하는 미립자의 수를 각각 나타내는 도면.
<부호 설명>
1 ; 반도체 기판의 산화 환원 공정
12 ; 반도체 기판의 산화 공정
13 ; 반도체 기판의 환원 공정
14 ; 반도체 기판의 헹굼 공정
15 ; 반도체 기판의 재산화 공정
청구항 1에 관한 발명은, 도 1에 도시한 바와 같이 반도체 기판을 산화 환원시키는 공정(11), 이 산화 환원된 반도체 기판을 산화시키는 공정(12), 이 산화된 반도체 기판을 환원시키는 공정(13), 이 환원된 반도체 기판을 헹구는 공정(14), 및 이 헹구어진 반도체 기판을 다시 산화시키는 공정(15)을 포함하는 반도체 기판의 세정 방법이다.
본 발명의 바람직한 실시 형태의 세정 방법은 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 기판을 과산화수소와 수산화암모늄을 혼합한 혼합액 등에 침지시키는 공정(11), 이 혼합액에 침지된 반도체 기판을 용존 오존 수용액, 질산 또는 과산화수소수 중 임의의 1 종 또는 2 종 이상을 혼합한 산화액에 침지시키는 공정(12), 이 산화액에 침지된 반도체 기판을 카르복실기를 함유하는 유기산 또는 유기산염과 불화수소산의 혼합액에 침지시키는 공정(13), 및 이 혼합액에 침지된 반도체 기판을 카르복실기를 함유하는 유기산 또는 유기산염을 함유하는 용액 또는 유기산 또는 유기산염과 불화수소산의 혼합액에 침지시키는 공정(14)과, 유기산 또는 유기산염을 포함하는 용액에 침지된 반도체 기판을 용존 오존 수용액, 질산 또는 과산화수소수 중 임의의 1 종 또는 2 종 이상을 혼합한 산화액에 침지시키는 공정(15)을 포함한다.
공정(11)은 반도체 기판의 산화와 환원을 동일한 용액 중에서 연속적으로 행함으로써 반도체 기판 표면의 수 나노미터 정도 두께의 미세 손상층을 효과적으로 제거한다. 특히, RCA 세정법으로 사용되는 SC-1용액에 상당하는 용액인 과산화수소와 수산화암모늄을 혼합한 혼합액으로 반도체 기판을 산화 환원시키면, 암모니아에 의한 환원과 과산화수소에 의한 산화가 동일조에서 경쟁적으로 발생하고, 동시에 수산화암모늄 용액의 에칭 작용에 의해서, 미립자 및 유기물이 기판 표면에서 제거되며, 기판의 가공에 의해 발생한 미세 손상이 제거된다. 그러나, 이러한 용액 처리속에서 금속 불순물 및 미립자의 재부착이 발생하는 경우가 있다.
공정(12)는 공정(11) 후에 형성되어 있는 산화막의 밀도를 화학적 산화 작용으로 더욱 증가시키고, 다음 공정(13)에서 이 산화막을 용해시킴으로써 금속 불순물 및 미립자가 기판 표면에서 이탈되기 쉽게 한다.
공정(13)은 공정(11) 및 공정(12)에서 산화막에 도입된 금속 불순물 및 미립자를, 산화막을 용해시킴으로써 기판 표면에서 이탈시킨다. 특히, 불화수소산과 유기산 또는 유기산염을 포함하는 혼합액에 반도체 기판을 침지시키면, 불화수소산이 산화막을 용해시켜 기판 표면에서 금속 불순물 및 미립자가 이탈된 후, 이 금속 불순물은 즉시 유기산 이온에 의해 금속 착염을 형성한다. 이 금속 착염의 착이온은 음이온이다. 또한, 미립자 표면과 산화막이 잔류된 기판 표면은 이에 유기산이온이 흡착함으로써 함께 음전하를 띤다. 이 결과, 금속 불순물 및 미립자의 기판 표면으로의 재부착이 방지된다. 유기산 또는 유기산염의 종류 및 농도를 변화시킴으로써, 유기산 이온에 의한 금속의 착물화 효과와 금속 착염의 표면 전위(ZETA 전위)를 제어할 수 있다. 즉, 유기산 이온의 착체 형성 능력은 유기산 이온과 착체가 되는 금속 이온과의 착체 안정도 상수에 의해 화학적으로 결정된다. 이 상수가 클수록 착이온 형성은 촉진된다. 상술한 바와 같이, 착이온을 형성함으로써 금속 이온은 그 전하가 양에서 음으로 변화된다.
공정 (13)에서 사용되는 불화수소산의 농도는 0.005 내지 0.25 중량%이다. 특히, 0.005 내지 0.10 중량%이 바람직하고, 0.05 내지 0.10 중량%이 더욱 바람직하다. 0.005 중량% 미만이면, 반도체 기판 표면의 자연 산화막의 박리 작용이 부족하며, 0.25 중량%를 초과하면, 이 용액이 강산이 되어 용액 중의 유기산 해리가 억제되고, 그의 착물화 작용이 저하됨과 동시에 미립자의 표면 전위가 0에 가까워지며, 기판 표면의 산화막이 완전히 제거되므로 미립자가 기판 표면에 재부착하게 된다.
공정(14)는 공정(13)에서 제거되지 않고 기판 표면에 잔류하고 있는 금속 불순물 및 미립자를 더욱 효율적으로 제거한다. 이러한 금속 불순물 및 미립자는 공정(13)의 고체 액체 계면에서의 잔사로서, 기판 표면의 용매 분자층을 형성하는 수막(water film) 내에서 평형 상태에 있어 기판 표면에 흡착되지 않는다. 이 금속 불순물은 유기산 이온에 의해 금속 착염을 형성하고, 미립자에는 유기산 이온이 흡착한다. 그 결과, 공정(13)과 마찬가지로 유기산 이온에 의해 음으로 하전된 금속착염 및 미립자는 기판 표면에서 용이하게 이탈된다. 공정(14)에서는, 공정(13)과 동일한 조성의 유기산 또는 유기산염을 포함하는 용액을 이용할 수 있고, 유기산 또는 유기산염의 농도 또는 종류를 서로 바꿀 수도 있다. 공정(13) 및 공정(14)에서 사용되는 용액 중의 유기산 또는 유기산염의 종류 및 그의 농도는 제거하고자 하는 금속 불순물의 종류에 따라 결정된다. 양쪽 공정 용액 중의 유기산 또는 유기산염의 농도는 0.0001 중량% 이상이다. 바람직하게는, 0.003 내지 10 중량%이다. 0.0001 중량% 미만이면 기판 표면에서 유리된 금속 불순물 이온의 착물화 작용이 충분하지 않은 문제점이 있다.
공정(14)에서 유기산 또는 유기산염에 미량의 불화수소산을 다시 첨가하면, 기판의 표면에 형성되어 있던 자연 산화막을 가볍게 에칭하므로, 자연 산화막상의 미립자 및 금속 불순물이 유기산 또는 유기산염에 불화수소산을 첨가한 용액 중으로 용이하게 전달행될 수 있게 된다. 즉, 불화수소산의 첨가에 의해 자연 산화막의 제거와 동시에, 자연 산화막 중의 금속 불순물까지도 세정할 수 있게 된다. 이 경우에 불화수소산의 농도는 0.1 중량% 이하이며, 바람직하게는 0.01 중량% 이하이다. 0.1 중량%을 초과하면, 표면의 자연 산화막이 과도하게 에칭되어 용액 중에서의 기판의 표면 전위가 변동되므로 미립자 및 금속의 재부착이 발생할 우려가 있다.
공정(15)는, 첫째로 기판 표면 및 그 근처를 오염시켜 왔던 규화물계 금속, 특히, Cu의 제거 효과를 높이고, 둘째로 공정(13) 및 공정(14)에서 사용하여 온 유기산 또는 유기산염의 잔류 성분, 또는 기판 표면에 부착되어 있던 유기물을 분해 제거하고, 세째로 세정 후의 기판 표면을 산화막에 의해 화학적으로 보호한다. Cu는 산화 전위가 높은 약간 산성의 용액을 용액 중에 직접 용해시킴으로써 제거된다. 또한, 기판 표면을 화학적 산화막으로 보호함으로써 고체 기체 계면에서의 미립자의 부착을 확실하게 방지한다.
공정(12) 또는 공정(15)에서 사용되는 산화액으로서는 용존 오존 수용액, 질산 또는 과산화수소수를 들 수 있다. 이 중에서 용존 오존 수용액이 고순도일 뿐 아니라 저농도에서 산화력이 풍부하고, 입수하기 쉽기 때문에 바람직하다. 이 용존 오존 수용액의 오존 농도는 0.5 ppm 이상인 것이 바람직하다. 0.5 ppm 미만이면 기판 표면에 친수성 산화막을 형성하는 것이 곤란해지며, 기판 표면에 부착되어 있던 유기산이나 유기물의 분해 제거 작용이 저하된다. 순수한 물에 대한 오존의 용해 한계는 약 25 ppm이기 때문에, 용존 오존 수용액의 오존 농도는 2 내지 25 ppm이 보다 바람직하다.
공정(13) 및(또는) 공정(14)에서 사용되는 유기산 또는 유기산염으로서는, 옥살산, 시트르산, 숙신산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 타르타르산, 살리실산, 포름산, 말레산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 에난트산, 카프릴산, 벤조산, 아크릴산, 아디프산, 말론산, 말산, 글리콜산, 프탈산, 테레프탈산 및 푸마르산으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 유기산 또는 그의 염을 들 수 있다.
상기 열거한 유기산 또는 유기산염은 기판을 오염시키는 불순물의 금속 이온에 대한 착물화 작용이 있다.
이하에 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 설명한다.
<실시예1>
통상의 연마 공정을 경유한, 세정하지 않은 실리콘 웨이퍼를 하기 조건으로 세정 처리하였다.
공정(11)로서, 상기 실리콘 웨이퍼를 SC-1 용액(H2O:H2O2(30%): NH4OH(29%) = 5:1:0.5의 혼합액)에 침지시켜 80 ℃에서 10분간 처리하였다. 이어서, 공정(12)으로서, 이 실리콘 웨이퍼를 오존 농도가 5 ppm인 실온의 용존 오존 수용액에 10분간 침지시켰다. 추가로, 공정(13)으로서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산을 0.06 중량% 첨가한 용액에 불화수소산을 0.05 중량% 첨가한 용액을 준비하고, 이 실온의 용액에 상기 용존 오존 수용액에 침지시킨 실리콘 웨이퍼를 5분간 침지시켰다. 그 후, 공정(14)로서 순수한 물에 대하여 유기산인 시트르산을 0.6 중량% 첨가한 용액을 준비하여, 이 실온의 용액으로 상기 공정(13)을 끝낸 실리콘 웨이퍼를 5분간 헹구었다. 마지막으로 공정(15)로서, 이 헹구어진 실리콘 웨이퍼를 오존 농도가 5 ppm인 실온의 용존 오존 수용액에 10분간 침지시켰다.
<실시예 2>
공정(13)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 옥살산을 0.03 중량% 혼합한 것 및 공정(14)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 질산을 0.3 중량% 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복하여 실리콘 웨이퍼를 세정하였다.
<실시예 3>
공정(13)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 에틸렌디아민테트라아세트산을 0.001 중량% 혼합한 것 및 공정(14)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 에틸렌디아민테트라아세트산을 O.001 중량% 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복하여 실리콘 웨이퍼를 세정하였다.
<실시예 4>
공정(13)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 포름산을 0.014 중량% 혼합한 것 및 공정(14)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 포름산을 0.14 중량% 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복하여 실리콘 웨이퍼를 세정하였다.
<실시예 5>
공정(13)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산의 대신에 숙신산을 0.035 중량% 혼합한 것 및 공정(14)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 숙신산을 0.35 중량% 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복하여 실리콘 웨이퍼를 세정하였다.
<실시예 6>
공정(13)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 살리실산을 0.04 중량% 혼합한 것 및 공정(14)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 살리실산을 0.4 중량% 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복하여 실리콘 웨이퍼를 세정하였다.
<실시예 7>
공정(13)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 말레산을 0.035 중량% 혼합한 것 및 공정(14)에서, 순수한 물에 대하여 유기산으로서 시트르산 대신에 말레산을 0.35 중량% 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복하여 실리콘 웨이퍼를 세정하였다.
<비교예>
종래의 SC-1용액에 의한 세정을 비교예의 세정법으로서 채용하였다.
즉, 실시예 1과 같이 통상의 연마 공정을 경유한, 세정하지 않은 실리콘 웨이퍼를 SC-1용액(H2O:H2O2(30%):NH4OH(29 %) = 5:1:0.5의 혼합액)에 침지시켜, 80 ℃에서 10분간 처리한 후, 이 실리콘 웨이퍼를 매우 순수한 물로 5분간 헹구었다.
<비교 시험과 평가>
(a) 잔류 미립자의 수
실시예 1 내지 7과 비교예의 각각 세정한 후의 실리콘 웨이퍼 표면에 잔류하는 입경이 0.12 ㎛ 이상인 크기의 미립자의 수를 입자 계수기로 계수함으로써, 웨이퍼상의 잔류하는 미립자의 수를 산출하였다. 그 결과를 도 2에 나타냈다.
도 2에서 밝혀진 바와 같이, 실시예 1, 2, 3, 4, 5, 6 및 7의 방법으로 세정된 웨이퍼에 잔류하는 미립자의 수는 각각 11, 26, 21, 33, 48, 20 및 22개로 적었다. 이에 대하여 비교예의 방법으로 세정된 웨이퍼에 잔류하는 미립자의 수는 420개로 매우 많았다. 이것으로부터, 실시예 1 내지 7의 세정 방법은 비교예의 세정 방법보다 미립자를 잘 세정한다는 것이 판명되었다.
(b) 금속 불순물 농도
실시예 1 내지 7과 비교예의 각각 세정한 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 Al, Fe, Ni, Cu 및 Zn의 5 종류의 금속 불순물 농도를 측정하였다. 이 금속 불순물 농도는 세정 후의 실리콘 웨이퍼의 중앙부에 불화수소산과 질산의 혼합산을 적하하여, 그 물방울이 웨이퍼의 전표면에 골고루 미치도록 물방울을 뿌린 후, 물방울을 회수하여 원자 흡광 분석법으로 분석함으로써 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타냈다. 표 l에서, "<1×109" 는 1×109미만으로서 검출 한계 이하라는 것을 의미한다.
| 금속 불순물의 농도(x 109원자/cm2) | |||||
| Al | Fe | Ni | Cu | Zn | |
| 실시예 1 | 9.4 | <1 | <1 | <1 | <1 |
| 실시예 2 | <1 | <1 | <1 | <1 | <1 |
| 실시예 3 | 5.0 | <1 | <1 | <1 | <1 |
| 실시예 4 | 14.0 | <1 | <1 | <1 | <1 |
| 실시예 5 | <1 | <1 | <1 | <1 | 2.9 |
| 실시예 6 | 9.4 | 11.0 | <1 | <1 | <1 |
| 실시예 7 | 19.0 | <1 | <1 | 6.8 | <1 |
| 비교예 | 110.0 | 22.0 | <1 | <1 | 5.0 |
표 1로부터 밝혀진 바와 같이, 실시예1 내지 7의 웨이퍼는 종래 비교예의 웨이퍼와 비교하여 Ni 농도 및 Cu 농도가 유사하다는 것 이외는 다른 Al, Fe 및 Zn의 3종류의 금속에 대해서는 모두 실시예 1 내지 7이 비교예보다 우수한 세정 효과를 나타냈다.
이상 기술한 바와 같이, 본 발명의 세정 방법으로서는 산화 환원, 산화, 환원, 헹굼 및 산화의 순으로 반도체 기판을 화학 반응시킴으로써 반도체 기판의 가공에 의해 발생한 미세 손상, 반도체 기판 표면에 부착된 유기물, 금속 불순물 및 미립자를 적은 수의 공정 단계로 양호하게 제거할 수 있다.
Claims (8)
- 과산화수소와 수산화암모늄을 혼합하여 제조된 혼합 용액 중에서 반도체 기판을 산화 환원시키는 공정(11),오존 수용액, 질산 용액 또는 과산화수소 용액 중 어느 하나의 산화액에 반도체 기판을 침지시키거나, 또는 상기 오존 수용액, 질산 용액 또는 과산화수소 용액 중 2 종 이상을 혼합한 산화액에 반도체 기판을 침지시킴으로써 상기 산화 환원된 반도체 기판을 산화시키는 공정(12),카르복실기를 갖는 유기산 또는 유기산염과 불화수소산의 혼합액에 반도체 기판을 침지시킴으로써 상기 산화된 반도체 기판을 환원시키는 공정(13),카르복실기를 갖는 유기산 또는 유기산염을 함유하는 용액에 반도체 기판을 침지시킴으로써 상기 환원된 반도체 기판을 헹구는 공정(14), 및오존 수용액, 질산 용액 또는 과산화수소 용액 중 어느 하나의 산화액에 반도체 기판을 침지시키거나, 또는 상기 오존 수용액, 질산 용액 또는 과산화수소 용액 중 2 종 이상을 혼합한 산화액에 반도체 기판을 침지시킴으로써 상기 헹구어진 반도체 기판을 재산화시키는 공정 (15)을 포함하는 반도체 기판의 세정 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 환원 공정 (13)에서의 불화수소산 농도가 0.005 내지 0.25 중량%인 세정 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 환원 공정 (13) 또는 헹구는 공정 (14)에서의 유기산 또는 유기산염의 농도가 0.0001 중량% 이상인 세정 방법.
- 제1항에 있어서, 환원 공정 (13) 또는 헹구는 공정 (14)에서의 유기산 또는 유기산염이 옥살산, 시트르산, 숙신산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 타르타르산, 살리실산, 포름산, 말레산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산, 카프로산, 에난트산, 카프릴산, 벤조산, 아크릴산, 아디프산, 말론산, 말산, 글리콜산, 프탈산, 테레프탈산 및 푸마르산으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 유기산 또는 그의 염인 세정 방법.
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