JP3767694B2 - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はシリコンウェーハのような半導体基板の表面を洗浄する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種の半導体基板の表面には、その製造工程中に金属不純物や粒径が1μm以下の微粒子等が付着する。半導体デバイスの高集積化、高機能化に伴って、半導体基板の表面がこれらの金属不純物や微粒子等で汚染されていないことが益々要求され、そのための半導体基板の洗浄技術は半導体デバイス技術全体の中で極めて重要なものとなってきている。
従来の半導体基板の洗浄方法として、過酸化水素と水酸化アンモニウムのSC1溶液と、過酸化水素と希塩酸のSC2溶液を用いたRCA洗浄法が知られている。このRCA洗浄法では、先ず半導体基板をSC1溶液に浸漬して、この溶液の酸化性及びアルカリ性の性質により基板から微粒子及び有機残留物を除去する。即ち、このSC1溶液中では酸化と還元の両反応が同時に行われ、アンモニアによる還元と過酸化水素による酸化が同一槽で競合して起こり、同時に水酸化アンモニウム溶液のエッチング作用によって微粒子を基板表面からリフトオフすることにより除去する。次いでこの半導体基板をSC2溶液の酸性溶液に浸漬して、SC1溶液で不溶のアルカリイオンや金属不純物を除去する。
【0003】
一方、半導体基板を洗浄したときに洗浄液中の金属不純物が基板表面に付着したり、基板表面から一度除去された金属不純物が再付着することを防止し、不必要な自然酸化膜の成長を抑制する半導体基板の洗浄液及びその洗浄方法が開示されている(特開平7−94458)。この洗浄液は、アンモニアを0.0001〜0.001重量%含むか或いはエチレンジアミン四酢酸(EDTA)を0.0005〜0.01重量%含むフッ酸のような酸性溶液で構成される。この洗浄液は酸化膜を除去するために、洗浄液のpHは1程度の強酸に維持される。この洗浄方法によれば、図3に示すように半導体基板1を洗浄液5に浸漬すると、自然酸化膜2の除去と金属不純物4の除去が同時に進行し、洗浄液中に移行した金属元素は錯体を形成して金属錯塩7となりマスクされる。半導体基板1の表面が酸性溶液中でマイナスに荷電される一方、金属錯塩7も酸性溶液中で錯イオンを形成して金属錯塩7の表面がマイナスに荷電されるため、金属錯塩、即ち金属元素の基板への再付着が防止される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述したRCA洗浄法は、基板を汚染している金属不純物と微粒子を2つの槽で除去するため、薬液の洗浄とそれに付随した水洗等により洗浄工程が複雑であり、また洗浄用の薬液も酸とアルカリの2種類以上必要とした。これらのことからこの洗浄法は洗浄に要する時間が長く、洗浄装置が大型化し、洗浄コストが高価になる不具合があった。
また、特開平7−94458号公報に示される洗浄法では、図3(c)及び(d)に示すように微粒子3の表面が強酸の洗浄液5中でプラスに荷電されるため、半導体基板1から上記理由で金属不純物4を除去できても、微粒子3は基板1の表面に付着し、除去できない欠点があった。
【0005】
更に、上述したRCA洗浄法は、同一槽で酸化と還元の2つの作用を競合して起こるために、第一に基板表面から遊離した金属不純物はSC1溶液中に留まり、その表面電位により基板表面に再付着することがあること、第二に有機酸によりSC1溶液中の金属イオンを錯化して金属錯塩を形成しようとしても、有機酸がSC1溶液で酸化還元処理されて分解し、その錯化作用が極めて低下するようになる。このためRCA洗浄法では金属の種類によって金属不純物が十分に除去されない欠点があった。
本発明の目的は、半導体基板表面に付着する金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去する半導体基板の洗浄方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、半導体基板表面に少なくとも500nmの波長の光を照射しながら前記半導体基板を0.1重量%を越えた50重量%以下のクエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸又はギ酸からなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機酸を含みpHが4以下である洗浄液により洗浄し、光の照射作用により有機酸の還元解離を促進して洗浄液中に遊離した金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくする半導体基板の洗浄方法である。
汚染された半導体基板を洗浄液に浸漬し、その基板表面に少なくとも500nmの波長の光を照射する。洗浄液への浸漬により基板表面に付着していた微粒子及び金属不純物が洗浄液中に移行する。洗浄液が0.1重量%を越えた50重量%以下の有機酸を含んだpH4以下の酸性溶液であるため、微粒子の表面は基板表面と同じマイナスに荷電される。また液中に遊離した金属不純物は有機酸の解離した分子と錯体を形成し、金属錯塩になる。この金属錯塩の錯イオンはマイナスイオンである。この結果、微粒子も金属不純物もそれぞれの表面電位が基板の表面電位と同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防止される。基板表面に光を照射していない場合には、この洗浄液中の反応が平衡状態に達すると、基板表面近傍の金属不純物は除去されなくなるが、本発明のように基板表面に光を照射している場合には、この光照射により光触媒作用が有機酸の還元解離を促進させて、金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくする。これにより基板表面近傍の金属不純物を除去する効果が高まる。
【0007】
請求項2に係る発明は、半導体基板表面に少なくとも500nmの波長の光を照射しながらこの半導体基板を0.1重量%を越えた50重量%以下のクエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸又はギ酸からなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機酸と0.005〜0.25重量%のフッ酸を含みpHが4以下である洗浄液により洗浄し、光の照射作用により有機酸の還元解離を促進して洗浄液中に遊離した金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくする半導体基板の洗浄方法である。
図1(a)及び(b)に示すように、汚染された半導体基板11を洗浄液15に浸漬し、その基板11の表面に少なくとも500nmの波長の光20を照射する。請求項5に記載された洗浄液に更にフッ酸(HF)を含むことにより、フッ酸が半導体基板11の表面に形成された自然酸化膜12を除去し、自然酸化膜12上の微粒子13及び金属不純物14、並びに自然酸化膜中に含まれた金属不純物14が洗浄液15中に移行する。洗浄液15が0.005〜0.25重量%のフッ酸と0.1重量%を越えた50重量%以下の有機酸を含んだpH4以下の酸性溶液であるため、微粒子13の表面は基板11表面と同じマイナスに荷電される。また液中に遊離した金属不純物14は有機酸の分子16と錯体を形成し、金属錯塩17になる。この金属錯塩17の錯イオンはマイナスイオンである。この結果、微粒子13も金属不純物14もそれぞれの表面電位が基板11の表面電位と同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防止される(図1(c))。基板表面に光を照射していない場合には、この洗浄液中の反応が平衡状態に達すると、基板表面近傍の金属不純物は除去されなくなるが、本発明のように基板表面に光20を照射している場合には、この光照射によりこの光照射により光触媒作用が有機酸の還元解離を促進させて、金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくする。これにより基板表面近傍の金属不純物を除去する効果が高まる。洗浄液15から半導体基板11を引上げると、清浄化された基板11が得られる(図1(d))。
上記列挙した有機酸は基板を汚染する不純物の金属イオンの錯化作用がある。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の洗浄方法において使用する洗浄液は、有機酸を含み、除去しようとする金属不純物の種類に応じて、有機酸の種類及びその濃度が決められる。この洗浄液のpHは4以下である。この有機酸の洗浄液中の濃度は0.1重量%を越えた50重量%以下である。好ましくは0.2重量%以上10重量%以下である。50重量%を越えると微粒子の再付着量が増加する不具合がある。
本発明の有機酸としては、クエン酸、コハク酸、EDTAの他に、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸、ギ酸などが本発明に適する。金属不純物を構成する金属元素に応じて、上記有機酸から1種又は2種以上の酸が適宜選定される。
【0009】
また洗浄液にフッ酸を含む場合には、このフッ酸の濃度は0.005〜0.25重量%である。特に0.005〜0.10重量%が好ましく、0.05〜0.1重量%が更に好ましい。0.005重量%未満では、半導体基板表面の自然酸化膜の剥離作用に乏しく、また0.25重量%を越えると、洗浄液がpHが2未満の強酸となり洗浄液中の有機酸の解離が抑制され、その錯化作用が低下するとともに、微粒子の表面電位がプラスになり、微粒子が基板表面に再付着するようになる。
【0010】
本発明の洗浄方法では、洗浄液により半導体基板を洗浄する際に、半導体基板に光を照射しながら洗浄する。半導体基板に照射する光の波長は、少なくとも500nmである。好ましくは400〜900nm、より好ましくは600〜700nmである。500nm未満では半導体基板表面近傍における光触媒作用が弱く、有機酸が還元解離しない。また光の照度は高い方が照射量が多くなり、光触媒作用が大きくなり、有機酸の還元解離が促進される。これにより錯イオン形成能力が向上し、基板表面近傍の金属不純物を除去する効果が高まると考えられる。
【0011】
次に金属不純物で汚染された、シリコンウェーハに代表される半導体基板をフッ酸で洗浄したときに金属不純物が基板に付着して析出する現象と、フッ酸と有機酸で洗浄したときに金属不純物が基板に付着して析出する現象について説明する。
(a) フッ酸で洗浄したときにウェーハに金属が付着して析出する現象
ウェーハ表面をエッチングしない溶液に金属イオンが含まれていて、この溶液中の金属不純物がウェーハ表面に付着する場合、一般的にこの付着金属はシリサイドを形成し易い元素と、シリケイトを形成し易い元素の2種類に分類される。シリサイドを形成し易い元素にはシリコンと結合し易いCu、Niなどがあり、シリケイトを形成し易い元素にはシリコン酸化物と結合し易いFe、Al、Znなどがある。例えば濃度が高いフッ酸でシリコンウェーハを洗浄した場合にはウェーハ表面の自然酸化膜が除去されて、ウェーハ表面の約90%が水素によって終端する。これによりウェーハ表面電位が低下し、シリサイドを形成し易いCu、Niなどがウェーハ表面から電子を受取ってウェーハ表面に付着する。ウェーハ表面からCuイオンなどのイオン種への電子の移行し易さは溶液中の界面準位に依存する。上記状態では界面準位がシリコンウェーハの界面準位と近い状態にあって、電子遷移過程によって電子が移行し、結果としてこの種の金属イオンがウェーハ表面に移行すると考えられる。
【0012】
反対に濃度が低いフッ酸でシリコンウェーハを洗浄した場合には、自然酸化膜のエッチング能力が低下し、ウェーハ表面に自然酸化膜の残る割合が大きくなり、シリケイトを形成し易いFe、Al、Znなどがウェーハ表面に付着する。この状態では付着する金属種とウェーハ表面との間で界面準位が大きく離れていて、上述した電子の遷移過程は簡単に起らない。Feイオンなどは酸素と結合して酸化物を形成する方がシリコンと直接結合するよりも、超えなければならないエネルギーギャップが小さい。このためFeイオンなどは電子遷移ではなく、Feイオンとシリコン酸化物との両者の接触頻度に依存した化学反応系に属するものと考えられる。
(b) フッ酸と有機酸とで洗浄したときにウェーハに金属が付着して析出する現象
フッ酸と有機酸との混合液を洗浄液とする場合にこの金属の付着析出現象は上記(a)をベースとした複合系として考えられる。即ち、洗浄液中にフッ酸と有機酸がそれぞれどの程度存在しているかによって、上記付着析出現象が変ってくる。この付着現象を決定する因子として、酸の解離定数又は電離定数があり、この定数が大きいと、より多くのプロトンが放出され、酸のイオン種が増加する。フッ酸と有機酸の混合系では、酸の解離定数が大きい方がより優先的に解離すると考えられる。
フッ酸及び各種の有機酸のそれぞれの第1解離定数を大きい順に並べると、次の式(1)となる。
【0013】
【数1】
シュウ酸>EDTA>酒石酸>クエン酸
≒フッ酸>コハク酸>酢酸 …… (1)
本発明のフッ酸と有機酸を混合した洗浄液において、上記(1)式の関係から有機酸の種類やフッ酸の濃度を変えることによって、金属の付着析出現象がどのように変化するかは、未だ十分に解明されていないが、次のように推論する。
(1) シュウ酸、EDTA又は酒石酸とフッ酸を含む洗浄液の場合
金属不純物で汚染されたシリコンウェーハを酸解離定数がフッ酸より大きな有機酸とフッ酸とにより洗浄した場合には、有機酸の解離が強いので、フッ酸はそれ単独の洗浄液よりも解離せず、HF分子として洗浄液中に残存し易くなる。このためシリコン酸化物はHF分子と化学反応を起して分解し、これによりウェーハ表面は水素によって終端する。HF分子が多いほど、換言すればフッ酸の濃度が高いほど、自然酸化膜は除去され、Cuのようなシリサイドを形成し易い金属が付着析出し易くなる。但し、有機酸量の増加に伴う吸着量の減少は、有機酸イオンの配位効果の影響である。一方、Feのようなシリケイトを形成し易い金属は付着析出しにくくなる。このFeのような金属は有機酸の濃度の増加により錯イオンを形成し易くなりウェーハ表面への付着量が減少する。
(2) コハク酸又は酢酸とフッ酸を含む洗浄液の場合
金属不純物で汚染されたシリコンウェーハを酸解離定数がフッ酸より小さな有機酸とフッ酸により洗浄した場合には、フッ酸の解離が強いのでHF分子として残留しにくく、自然酸化膜のエッチング能力が低下する。このため自然酸化膜が残存して、フッ酸の濃度が高くなるほど、Cuのようなシリサイドを形成し易い金属が付着析出しにくくなる。一方、Feのようなシリケイトを形成し易い金属は付着析出し易くなる。しかしこのFeのような金属は有機酸の濃度の増加により錯イオンを形成し易くなりウェーハ表面への付着量が減少する。
(3) クエン酸とフッ酸を含む洗浄液の場合
クエン酸とフッ酸とは解離能力の差が殆どないため、クエン酸とフッ酸のうち濃度の高い方の酸に支配されるようになる。即ち、フッ酸の濃度がクエン酸の濃度より低くなるほど、クエン酸が優位となるためフッ酸は解離しにくくなり、HF分子として残留し易くなる。これにより自然酸化膜が除去され、Cuのようなシリサイドを形成し易い金属が付着析出し易くなる。反対にフッ酸の濃度がクエン酸の濃度より高くなるほど、フッ酸の解離が優勢になるが、解離しないHF分子も増加するため自然酸化膜が除去され、Cuのようなシリサイドを形成し易い金属が付着析出し易くなる。一方、Feのようなシリケイトを形成し易い金属も付着析出し易くなる。しかしこのFeのような金属は有機酸の濃度の増加により錯イオンを形成し易くなりウェーハ表面への付着量が減少する。
【0014】
【実施例】
次に本発明の実施例を比較例とともに説明する。
<実施例1>
先ずSC1溶液(H2O:H2O2(30%):NH4OH(29%)=5:1:0.25の混合液)にFeイオンを100ppb添加して80℃に昇温し、次いでこの80℃の溶液にシリコンウェーハを10分間浸漬した後、リンスを10分間行い、遠心力によりウェーハ表面の液滴を除去し乾燥させた。
一方、純水に対して有機酸としてクエン酸を0.6重量%混合した洗浄液を用意した。この室温の洗浄液に上記金属で汚染されたシリコンウェーハを10分間浸漬し、このシリコンウェーハの表面に照度が100,000ルクスで波長が500nmの光を照射した。その後、このシリコンウェーハを超純水で10分間リンスした。これにより上述したウェーハ表面の自然酸化膜の剥離と、金属不純物の錯イオン化と、ウェーハ、微粒子及び金属不純物の各表面電位の制御が行われ、シリコンウェーハが洗浄された。
<実施例2>
照射する光の波長を550nmに変えた以外は実施例1と同様にシリコンウェーハを洗浄した。
<実施例3>
照射する光の波長を600nmに変えた以外は実施例1と同様にシリコンウェーハを洗浄した。
<実施例4>
照射する光の波長を650nmに変えた以外は実施例1と同様にシリコンウェーハを洗浄した。
<比較例1>
光を全く照射しない以外は実施例1と同様にシリコンウェーハを洗浄した。
<比較例2>
照射する光の波長を450nmに変えた以外は実施例1と同様にシリコンウェーハを洗浄した。
【0015】
実施例1〜4及び比較例1,2の洗浄後のシリコンウェーハ表面のFe濃度を調べた。この金属不純物濃度は全反射蛍光X線分光分析法で分析することにより測定した。その結果を図2に示す。
図2から明らかなように、実施例1〜4のように照射光の波長を500nm以上にすると、450nm以下の比較例1及び2と比べて、Fe濃度が約1桁小さくなるのが判った。実施例1〜4のすべてについて、Fe濃度は図2の下向きの矢印に示すように検出限界以下となった。
【0016】
【発明の効果】
以上述べたように、請求項1又は2に係る発明の洗浄方法によれば、光照射により光触媒作用が有機酸の還元解離を促進させて、金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくするため、基板表面近傍の金属不純物を除去する効果を高めることができる。洗浄用の薬液も有機酸のみの1種類、又はフッ酸と有機酸の2種類で済む。
【図面の簡単な説明】
【図1】 請求項2に係る発明の洗浄液で洗浄したときの洗浄機構を示す図。
【図2】 照射する光の波長を変えたときの実施例及び比較例のFeの除去効果を示す図。
【図3】 従来の洗浄液で洗浄したときの洗浄機構を示す図。
【符号の説明】
11 半導体基板
12 自然酸化膜
13 微粒子
14 金属不純物
15 洗浄液
16 有機酸の分子
17 金属錯塩
Claims (2)
- 半導体基板表面に少なくとも500nmの波長の光を照射しながら前記半導体基板を0.1重量%を越えた50重量%以下のクエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸又はギ酸からなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機酸を含みpHが4以下である洗浄液により洗浄し、前記光の照射作用により有機酸の還元解離を促進して前記洗浄液中に遊離した金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくする半導体基板の洗浄方法。
- 半導体基板表面に少なくとも500nmの波長の光を照射しながら前記半導体基板を0.1重量%を越えた50重量%以下のクエン酸、コハク酸、エチレンジアミン四酢酸、酒石酸、サリチル酸、シュウ酸、酢酸又はギ酸からなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機酸と0.005〜0.25重量%のフッ酸を含みpHが4以下である洗浄液により洗浄し、前記光の照射作用により有機酸の還元解離を促進して前記洗浄液中に遊離した金属不純物を金属錯塩にする効果を大きくする半導体基板の洗浄方法。
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