JPH0794458A - 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄液および洗浄方法Info
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- JPH0794458A JPH0794458A JP5234600A JP23460093A JPH0794458A JP H0794458 A JPH0794458 A JP H0794458A JP 5234600 A JP5234600 A JP 5234600A JP 23460093 A JP23460093 A JP 23460093A JP H0794458 A JPH0794458 A JP H0794458A
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板表面に付着する金属不純物を効率
的に除去でき、かつ除去した金属不純物の再付着を防止
できる半導体基板用の洗浄液を提供する。 【構成】 洗浄液１３として、アンモニア（ＮＨ3）を
０.０００１〜０.００１重量％含むか、あるいはエチレ
ンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を０.０００５〜０.０１
重量％含む、酸性溶液からなるものを使用する。半導体
基板１１を洗浄液１３に浸漬すると、自然酸化膜の除去
と金属不純物の除去が同時に進行し(B)、洗浄液１３中
に移行した金属元素１２は、錯体を形成して金属錯塩１
５となり、マスクされる(C)。これにより金属元素１２
の半導体基板１１への再付着が防止される。なお、洗浄
液中に初期から金属不純物が存在していたとしても、同
様の過程によってその金属不純物の付着が防止される。
的に除去でき、かつ除去した金属不純物の再付着を防止
できる半導体基板用の洗浄液を提供する。 【構成】 洗浄液１３として、アンモニア（ＮＨ3）を
０.０００１〜０.００１重量％含むか、あるいはエチレ
ンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を０.０００５〜０.０１
重量％含む、酸性溶液からなるものを使用する。半導体
基板１１を洗浄液１３に浸漬すると、自然酸化膜の除去
と金属不純物の除去が同時に進行し(B)、洗浄液１３中
に移行した金属元素１２は、錯体を形成して金属錯塩１
５となり、マスクされる(C)。これにより金属元素１２
の半導体基板１１への再付着が防止される。なお、洗浄
液中に初期から金属不純物が存在していたとしても、同
様の過程によってその金属不純物の付着が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板用の洗浄液
とこの洗浄液を用いた半導体基板の洗浄方法に関する。
とこの洗浄液を用いた半導体基板の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の洗浄を行なう場合、半導体
基板表面に付着していた金属不純物の再付着を防止する
とともに、洗浄液中に微量含まれている金属不純物が半
導体基板に付着することを抑制することが、重要であ
る。半導体基板の従来の洗浄方法は、例えば特開平２−
２１３０号公報に記載されているように、まず、アンモ
ニア水（２９％）／過酸化水素水（３０％）／水（１：
１：５）（以下、アンモニア系洗浄液とする）で洗浄
し、水洗後、希フッ酸（フッ酸（５０％）：水＝３：１
００）（以下、フッ酸系洗浄液とする）中で洗浄して自
然酸化膜を除去し、その後、塩酸（３６％）／過酸化水
素水（３０％）／水（１：１：５）（以下、塩酸系洗浄
液とする）中で煮沸洗浄するというものである。この洗
浄工程によって、半導体基板表面の自然酸化膜と金属不
純物が除去される。
基板表面に付着していた金属不純物の再付着を防止する
とともに、洗浄液中に微量含まれている金属不純物が半
導体基板に付着することを抑制することが、重要であ
る。半導体基板の従来の洗浄方法は、例えば特開平２−
２１３０号公報に記載されているように、まず、アンモ
ニア水（２９％）／過酸化水素水（３０％）／水（１：
１：５）（以下、アンモニア系洗浄液とする）で洗浄
し、水洗後、希フッ酸（フッ酸（５０％）：水＝３：１
００）（以下、フッ酸系洗浄液とする）中で洗浄して自
然酸化膜を除去し、その後、塩酸（３６％）／過酸化水
素水（３０％）／水（１：１：５）（以下、塩酸系洗浄
液とする）中で煮沸洗浄するというものである。この洗
浄工程によって、半導体基板表面の自然酸化膜と金属不
純物が除去される。
【０００３】上記の洗浄液のうちアンモニア系洗浄液
は、アンモニアの作用によってシリコン酸化膜を溶解除
去し、同時に過酸化水素によってシリコン酸化膜を形成
する競合反応により不純物微粒子を除去する。フッ酸系
洗浄液は、半導体基板表面の自然酸化膜を溶解除去する
ことによって、半導体基板表面に含まれる金属不純物を
除去する。また、塩酸系洗浄液は、過酸化水素を酸化剤
とし、半導体基板表面の金属不純物を可溶性の塩化物に
して溶解除去している。
は、アンモニアの作用によってシリコン酸化膜を溶解除
去し、同時に過酸化水素によってシリコン酸化膜を形成
する競合反応により不純物微粒子を除去する。フッ酸系
洗浄液は、半導体基板表面の自然酸化膜を溶解除去する
ことによって、半導体基板表面に含まれる金属不純物を
除去する。また、塩酸系洗浄液は、過酸化水素を酸化剤
とし、半導体基板表面の金属不純物を可溶性の塩化物に
して溶解除去している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の洗浄液
には、以下に述べるような問題点がある。
には、以下に述べるような問題点がある。
【０００５】アンモニア系洗浄液の場合、微粒子除去能
力に優れているが、アルカリ性であるため、洗浄液中に
金属が微量（洗浄液１ｇ中に１０-12ｇ程度）含まれて
いるだけでも半導体基板表面に１×１０12〜１×１０13
原子／ｃｍ2の割合で金属が付着することになる。ま
た、配線材料などに使用される銅に代表される貴金属元
素は半導体基板の表面に付着しやすく、特に、フッ酸系
洗浄液などを用いて自然酸化膜を除去した場合に半導体
基板に再付着しやすい。図５,６は、フッ酸系洗浄剤を
使用した場合における金属不純物の半導体基板への付着
／再付着を説明する図である。図５に示すように金属元
素９２で既に汚染された半導体基板９１を洗浄する場合
（図５の(A)）、この半導体基板９１を洗浄液９３に浸
漬すれば金属元素９２は一旦は洗浄液９３中に移行する
が（図５の(B)）、自然酸化膜が除去されていることな
どにより、金属元素９２の半導体基板９１への再付着が
起こり（図５の(C)）、結局、洗浄後の半導体基板９１
には金属元素９２が付着していることになる（図５の
(D)）。また、洗浄液自体に金属元素が含有される場
合、図６に示すように、洗浄前の半導体基板９１にはわ
ずかの量の金属元素９２しか付着していないものの（図
６の(A)）、金属元素９２を含有する洗浄液９３に浸漬
することにより金属不純物の除去が行なわれるが（図６
の(B)）、金属元素９２の再付着が起こり（図６の
(C)）、結局、洗浄後の半導体基板９１の表面には洗浄
前より多量の金属元素９２が付着していることになる
（図６の(D)）。
力に優れているが、アルカリ性であるため、洗浄液中に
金属が微量（洗浄液１ｇ中に１０-12ｇ程度）含まれて
いるだけでも半導体基板表面に１×１０12〜１×１０13
原子／ｃｍ2の割合で金属が付着することになる。ま
た、配線材料などに使用される銅に代表される貴金属元
素は半導体基板の表面に付着しやすく、特に、フッ酸系
洗浄液などを用いて自然酸化膜を除去した場合に半導体
基板に再付着しやすい。図５,６は、フッ酸系洗浄剤を
使用した場合における金属不純物の半導体基板への付着
／再付着を説明する図である。図５に示すように金属元
素９２で既に汚染された半導体基板９１を洗浄する場合
（図５の(A)）、この半導体基板９１を洗浄液９３に浸
漬すれば金属元素９２は一旦は洗浄液９３中に移行する
が（図５の(B)）、自然酸化膜が除去されていることな
どにより、金属元素９２の半導体基板９１への再付着が
起こり（図５の(C)）、結局、洗浄後の半導体基板９１
には金属元素９２が付着していることになる（図５の
(D)）。また、洗浄液自体に金属元素が含有される場
合、図６に示すように、洗浄前の半導体基板９１にはわ
ずかの量の金属元素９２しか付着していないものの（図
６の(A)）、金属元素９２を含有する洗浄液９３に浸漬
することにより金属不純物の除去が行なわれるが（図６
の(B)）、金属元素９２の再付着が起こり（図６の
(C)）、結局、洗浄後の半導体基板９１の表面には洗浄
前より多量の金属元素９２が付着していることになる
（図６の(D)）。
【０００６】近年、半導体素子の微細化が進むにつれ、
金属不純物などが半導体素子の特性や半導体素子の製造
歩留りに与える影響が、ますます大きくなっている。金
属不純物が半導体基板表面に付着した場合、シリコン酸
化膜の絶縁耐圧の著しい低下やｐｎ接合のリーク電流の
増大などが引き起こされ、半導体素子の特性が劣化した
り歩留りが低下したりする。また、塩酸系洗浄剤には、
金属不純物の除去性能には優れているが、過酸化水素の
使用により、金属除去と同時に不必要な自然酸化膜が形
成されるという問題点がある。
金属不純物などが半導体素子の特性や半導体素子の製造
歩留りに与える影響が、ますます大きくなっている。金
属不純物が半導体基板表面に付着した場合、シリコン酸
化膜の絶縁耐圧の著しい低下やｐｎ接合のリーク電流の
増大などが引き起こされ、半導体素子の特性が劣化した
り歩留りが低下したりする。また、塩酸系洗浄剤には、
金属不純物の除去性能には優れているが、過酸化水素の
使用により、金属除去と同時に不必要な自然酸化膜が形
成されるという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、洗浄液中の金属不純物が
半導体基板表面に付着したり半導体基板表面から一旦は
除去された金属不純物が再付着したりすることを防げ、
不必要な自然酸化膜の成長が抑制される半導体基板用洗
浄液と、この洗浄液を用いた洗浄方法を提供することに
ある。
半導体基板表面に付着したり半導体基板表面から一旦は
除去された金属不純物が再付着したりすることを防げ、
不必要な自然酸化膜の成長が抑制される半導体基板用洗
浄液と、この洗浄液を用いた洗浄方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の洗
浄液は、アンモニアを０.０００１〜０.００１重量％含
むかあるいはエチレンジアミン四酢酸を０.０００５〜
０.０１重量％含む酸性溶液で構成される。また本発明
の半導体基板の洗浄方法は、アンモニアを０.０００１
〜０.００１重量％含むかあるいはエチレンジアミン四
酢酸を０.０００５〜０.０１重量％含む酸性溶液で構成
される洗浄液を使用する。
浄液は、アンモニアを０.０００１〜０.００１重量％含
むかあるいはエチレンジアミン四酢酸を０.０００５〜
０.０１重量％含む酸性溶液で構成される。また本発明
の半導体基板の洗浄方法は、アンモニアを０.０００１
〜０.００１重量％含むかあるいはエチレンジアミン四
酢酸を０.０００５〜０.０１重量％含む酸性溶液で構成
される洗浄液を使用する。
【０００９】本発明において酸性溶液としては、例え
ば、フッ化水素酸を主成分とする水溶液が使用される。
ば、フッ化水素酸を主成分とする水溶液が使用される。
【００１０】
【作用】フッ酸などの酸性溶液を主体としこれにアンモ
ニアまたはエチレンジアミン四酢酸を少量加えた構成と
なっているので、半導体基板から金属不純物が容易に離
脱し、離脱した（あるいは初めから洗浄液中に存在す
る）金属は、直ちにアンモニアあるいはエチレンジアミ
ン四酢酸と錯体を形成し、マスクされる。洗浄液中に最
初から含まれるあるいは半導体基板から移行した金属は
がこのようにマスクされているので、洗浄液内の金属が
半導体基板表面に付着（再付着）することが抑制され
る。
ニアまたはエチレンジアミン四酢酸を少量加えた構成と
なっているので、半導体基板から金属不純物が容易に離
脱し、離脱した（あるいは初めから洗浄液中に存在す
る）金属は、直ちにアンモニアあるいはエチレンジアミ
ン四酢酸と錯体を形成し、マスクされる。洗浄液中に最
初から含まれるあるいは半導体基板から移行した金属は
がこのようにマスクされているので、洗浄液内の金属が
半導体基板表面に付着（再付着）することが抑制され
る。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】《実施例１》図１は、本発明の実施例１の
洗浄液を使用した場合の洗浄機構を表わす図である。こ
の実施例では、半導体基板として意図的に金属を表面に
付着させたものを洗浄する。
洗浄液を使用した場合の洗浄機構を表わす図である。こ
の実施例では、半導体基板として意図的に金属を表面に
付着させたものを洗浄する。
【００１３】鉄（Ｆｅ）と銅（Ｃｕ）をそれぞれ１リッ
トル当たり約５００μｇ程度含有する硝酸溶液を調製
し、清浄な半導体基板１１上にこの硝酸溶液を滴下し
た。その後、数十秒間放置し、遠心法によって半導体基
板１１表面の液滴を除去し、乾燥させた（図１の
(A)）。
トル当たり約５００μｇ程度含有する硝酸溶液を調製
し、清浄な半導体基板１１上にこの硝酸溶液を滴下し
た。その後、数十秒間放置し、遠心法によって半導体基
板１１表面の液滴を除去し、乾燥させた（図１の
(A)）。
【００１４】希フッ酸（１〜１０重量％）中にアンモニ
ア（ＮＨ3）を０.０００１〜０.００１重量％含有させ
た洗浄液１３を用意し、上述のようにして表面に金属元
素１２を付着せしめた半導体基板１１をこの洗浄液１３
に浸漬し、半導体基板１１を洗浄した（図１の(B)）。
これにより、半導体基板１１の表面の自然酸化膜が除去
され、同時に半導体基板１１の表面の金属不純物（金属
元素１２）も除去される。半導体基板１１から洗浄液１
３中に移行した金属元素１２は、アンモニア分子１４と
錯体を形成し、金属錯塩１５となる（図１の(C)）。な
お、金属元素１２の１原子あたりに配位するアンモニア
分子１２の数は、金属元素１２の種類によって異なる
が、通常は４〜６分子程度である。このように金属錯塩
１５が形成されることにより、半導体基板１１への金属
不純物の再付着が防がれる。
ア（ＮＨ3）を０.０００１〜０.００１重量％含有させ
た洗浄液１３を用意し、上述のようにして表面に金属元
素１２を付着せしめた半導体基板１１をこの洗浄液１３
に浸漬し、半導体基板１１を洗浄した（図１の(B)）。
これにより、半導体基板１１の表面の自然酸化膜が除去
され、同時に半導体基板１１の表面の金属不純物（金属
元素１２）も除去される。半導体基板１１から洗浄液１
３中に移行した金属元素１２は、アンモニア分子１４と
錯体を形成し、金属錯塩１５となる（図１の(C)）。な
お、金属元素１２の１原子あたりに配位するアンモニア
分子１２の数は、金属元素１２の種類によって異なる
が、通常は４〜６分子程度である。このように金属錯塩
１５が形成されることにより、半導体基板１１への金属
不純物の再付着が防がれる。
【００１５】ここで、洗浄液１３中のアンモニアの濃度
について説明する。本発明の洗浄液は、自然酸化膜の除
去も目的としているので、液のｐＨを１程度に維持する
必要がある。また、金属不純物に対して確実に錯体を形
成する必要があるので、金属不純物量の少なくとも６倍
〜１０倍は存在しなければならない。洗浄液１ｇ当たり
に換算して１ｐｇ（＝１０-12ｇ）程度の金属不純物を
除去できることとすると、結局、アンモニアの濃度は、
０.０００１重量％〜０.００１重量％ということにな
る。なお、ｐＨが１というのは、従来のフッ化アンモニ
ウム系洗浄液とは全く異なる値である。すなわち本発明
の洗浄液では、フッ化アンモニウム系洗浄液と異なっ
て、自然酸化膜を除去しながら金属不純物を除去するこ
ととなり、金属不純物の高い除去効率が達成される。
について説明する。本発明の洗浄液は、自然酸化膜の除
去も目的としているので、液のｐＨを１程度に維持する
必要がある。また、金属不純物に対して確実に錯体を形
成する必要があるので、金属不純物量の少なくとも６倍
〜１０倍は存在しなければならない。洗浄液１ｇ当たり
に換算して１ｐｇ（＝１０-12ｇ）程度の金属不純物を
除去できることとすると、結局、アンモニアの濃度は、
０.０００１重量％〜０.００１重量％ということにな
る。なお、ｐＨが１というのは、従来のフッ化アンモニ
ウム系洗浄液とは全く異なる値である。すなわち本発明
の洗浄液では、フッ化アンモニウム系洗浄液と異なっ
て、自然酸化膜を除去しながら金属不純物を除去するこ
ととなり、金属不純物の高い除去効率が達成される。
【００１６】《比較例》洗浄液として従来の洗浄液（希
フッ酸１〜１０重量％）を使用したほかは実施例１と同
様にして洗浄を行なった。この洗浄液でも、半導体基板
の表面の自然酸化膜が除去され、同時に半導体基板の表
面に付着している金属不純物も除去される。しかし比較
例の洗浄液では、洗浄液中に溶出した金属不純物を錯形
成によってマスキングすることが行なわれないので、金
属不純物の再付着が避けられず、とりわけシリコンより
もイオン化傾向が小さい元素（銅など）が大量に半導体
基板に再付着することになる。
フッ酸１〜１０重量％）を使用したほかは実施例１と同
様にして洗浄を行なった。この洗浄液でも、半導体基板
の表面の自然酸化膜が除去され、同時に半導体基板の表
面に付着している金属不純物も除去される。しかし比較
例の洗浄液では、洗浄液中に溶出した金属不純物を錯形
成によってマスキングすることが行なわれないので、金
属不純物の再付着が避けられず、とりわけシリコンより
もイオン化傾向が小さい元素（銅など）が大量に半導体
基板に再付着することになる。
【００１７】図２は、実施例１と比較例１のそれぞれに
ついて、洗浄後に半導体基板の表面に残存している各種
金属元素をフッ酸蒸気で溶解させたのち原子吸光分光法
によって定量した結果を示している。このグラフから明
らかなように、実施例１の洗浄液を用いて洗浄した半導
体基板の表面には、ほとんど金属元素が残存していない
のに対し、比較例では、かなりの量の金属元素が残存し
ている。これより、本発明の洗浄液の有効性が立証され
た。
ついて、洗浄後に半導体基板の表面に残存している各種
金属元素をフッ酸蒸気で溶解させたのち原子吸光分光法
によって定量した結果を示している。このグラフから明
らかなように、実施例１の洗浄液を用いて洗浄した半導
体基板の表面には、ほとんど金属元素が残存していない
のに対し、比較例では、かなりの量の金属元素が残存し
ている。これより、本発明の洗浄液の有効性が立証され
た。
【００１８】《実施例２》本発明は、洗浄液自体に金属
元素が微量混入するような場合においても有効である。
図３は、洗浄液自体に金属元素１２が含まれている場合
の洗浄機構を示す図である。
元素が微量混入するような場合においても有効である。
図３は、洗浄液自体に金属元素１２が含まれている場合
の洗浄機構を示す図である。
【００１９】半導体基板１１は、実施例１と異なり意図
的には金属元素で汚染されていない。したがって、ごく
微量の金属元素１２が存在するのみである（図３の
(A)）。金属元素１２を微量含むこと以外は実施例１と
同組成の洗浄液１３を用意し、この半導体基板１１を浸
漬すると、金属不純物の除去が行なわれる（図３の
(B)）。洗浄液中の金属元素１２は、アンモニア分子１
４と錯体を形成して金属錯塩１５となる（図３の
(C)）。これにより半導体基板１１への金属不純物の付
着が防がれ、金属元素で汚染されていない半導体基板１
１が得られる（図３の(D)）。
的には金属元素で汚染されていない。したがって、ごく
微量の金属元素１２が存在するのみである（図３の
(A)）。金属元素１２を微量含むこと以外は実施例１と
同組成の洗浄液１３を用意し、この半導体基板１１を浸
漬すると、金属不純物の除去が行なわれる（図３の
(B)）。洗浄液中の金属元素１２は、アンモニア分子１
４と錯体を形成して金属錯塩１５となる（図３の
(C)）。これにより半導体基板１１への金属不純物の付
着が防がれ、金属元素で汚染されていない半導体基板１
１が得られる（図３の(D)）。
【００２０】《実施例３》洗浄液として、希フッ酸（１
〜１０重量％）中にエチレンジアミン四酢酸［ＥＤＴ
Ａ；(ＨＯＯＣＣＨ2)2Ｎ-ＣＨ2ＣＨ2-Ｎ(ＣＨ2ＣＯＯ
Ｈ)2］を０.０００５重量％〜０.０１重量％含むものを
使用した。ここで、ＥＤＴＡの濃度は、実施例１と同様
の考察を行なうことにより、０.０００５重量％〜０.０
１重量％とすべきことがわかる。
〜１０重量％）中にエチレンジアミン四酢酸［ＥＤＴ
Ａ；(ＨＯＯＣＣＨ2)2Ｎ-ＣＨ2ＣＨ2-Ｎ(ＣＨ2ＣＯＯ
Ｈ)2］を０.０００５重量％〜０.０１重量％含むものを
使用した。ここで、ＥＤＴＡの濃度は、実施例１と同様
の考察を行なうことにより、０.０００５重量％〜０.０
１重量％とすべきことがわかる。
【００２１】実施例１と同様に、金属元素１２が付着し
た半導体基板１１を用意し（図４の(A)）、この半導体
基板１１を洗浄液１３に浸漬する（図４の(B)）。これ
によって半導体基板１１の表面の自然酸化膜の除去と金
属不純物（金属元素１２）の除去とが同時に行なわれ、
洗浄液１３中に金属元素１２が移行する。洗浄液１３中
の金属元素１２は、直ちにＥＤＴＡ分子１６と錯体（キ
レート）を形成し、金属錯塩１５となる（図４の
(C)）。キレートとなって金属元素１２がマスクされて
いるので、金属元素１２の半導体基板１１への再付着は
起こらず、表面に金属元素１２が残存していない半導体
基板１１が得られる（図４の(D)）。
た半導体基板１１を用意し（図４の(A)）、この半導体
基板１１を洗浄液１３に浸漬する（図４の(B)）。これ
によって半導体基板１１の表面の自然酸化膜の除去と金
属不純物（金属元素１２）の除去とが同時に行なわれ、
洗浄液１３中に金属元素１２が移行する。洗浄液１３中
の金属元素１２は、直ちにＥＤＴＡ分子１６と錯体（キ
レート）を形成し、金属錯塩１５となる（図４の
(C)）。キレートとなって金属元素１２がマスクされて
いるので、金属元素１２の半導体基板１１への再付着は
起こらず、表面に金属元素１２が残存していない半導体
基板１１が得られる（図４の(D)）。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アンモニ
アを０.０００１〜０.００１重量％含むかあるいはエチ
レンジアミン四酢酸を０.０００５〜０.０１重量％含む
酸性溶液で半導体基板用の洗浄液を構成することによ
り、不必要な自然酸化膜の形成が抑えられ、かつ洗浄中
の半導体基板への金属不純物の付着や再付着を防止で
き、これによって高品質の半導体素子を高い歩留りで得
られるようになるという効果がある。
アを０.０００１〜０.００１重量％含むかあるいはエチ
レンジアミン四酢酸を０.０００５〜０.０１重量％含む
酸性溶液で半導体基板用の洗浄液を構成することによ
り、不必要な自然酸化膜の形成が抑えられ、かつ洗浄中
の半導体基板への金属不純物の付着や再付着を防止で
き、これによって高品質の半導体素子を高い歩留りで得
られるようになるという効果がある。
【図１】実施例１の洗浄液を使用した場合の洗浄機構を
表わす図である。
表わす図である。
【図２】実施例１および比較例の洗浄液をそれぞれ使用
した場合における、各金属の洗浄後の表面密度を示すグ
ラフである。
した場合における、各金属の洗浄後の表面密度を示すグ
ラフである。
【図３】実施例２の洗浄液を使用した場合の洗浄機構を
表わす図である。
表わす図である。
【図４】実施例３の洗浄液を使用した場合の洗浄機構を
表わす図である。
表わす図である。
【図５】従来の洗浄液を使用した場合の洗浄機構を表わ
す図である。
す図である。
【図６】従来の洗浄液を使用した場合の洗浄機構を表わ
す図である。
す図である。
１１ 半導体基板 １２ 金属元素 １３ 洗浄液 １４ アンモニア分子 １５ 金属錯塩 １６ エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）分子
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板表面の洗浄に使用される洗浄
液であって、アンモニアを０.０００１〜０.００１重量
％含むかあるいはエチレンジアミン四酢酸を０.０００
５〜０.０１重量％含む酸性溶液で構成される半導体基
板の洗浄液。 - 【請求項２】 酸性溶液がフッ化水素酸を主成分とする
水溶液である請求項１記載の半導体基板の洗浄液。 - 【請求項３】 半導体基板の洗浄方法において、アンモ
ニアを０.０００１〜０.００１重量％含むかあるいはエ
チレンジアミン四酢酸を０.０００５〜０.０１重量％含
む酸性溶液で構成される洗浄液を使用することを特徴と
する半導体基板の洗浄方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234600A JP2586304B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 |
| KR1019940023611A KR0158008B1 (ko) | 1993-09-21 | 1994-09-16 | 산 수용액을 사용한 반도체 기판 세척법 |
| US08/308,302 US5509970A (en) | 1993-09-21 | 1994-09-19 | Method of cleaning semiconductor substrate using an aqueous acid solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234600A JP2586304B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794458A true JPH0794458A (ja) | 1995-04-07 |
| JP2586304B2 JP2586304B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16973580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5234600A Expired - Fee Related JP2586304B2 (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5509970A (ja) |
| JP (1) | JP2586304B2 (ja) |
| KR (1) | KR0158008B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011170952A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Sanyo Chem Ind Ltd | 磁気ディスク基板用洗浄剤 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853491A (en) * | 1994-06-27 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing |
| US5662769A (en) * | 1995-02-21 | 1997-09-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical solutions for removing metal-compound contaminants from wafers after CMP and the method of wafer cleaning |
| US5603849A (en) * | 1995-11-15 | 1997-02-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and compositions for cleaning silicon wafers with a dynamic two phase liquid system with hydrofluoric acid |
| US5685951A (en) * | 1996-02-15 | 1997-11-11 | Micron Technology, Inc. | Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity in a vapor phase system |
| US5716535A (en) * | 1996-03-05 | 1998-02-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity |
| US5913980A (en) * | 1996-04-10 | 1999-06-22 | Ebara Solar, Inc. | Method for removing complex oxide film growth on silicon crystal |
| US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
| US5919311A (en) * | 1996-11-15 | 1999-07-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Control of SiO2 etch rate using dilute chemical etchants in the presence of a megasonic field |
| JPH10178077A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Nec Corp | 半導体基板の定量汚染試料の作製方法 |
| US6755989B2 (en) * | 1997-01-09 | 2004-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
| US6896826B2 (en) * | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
| US6482269B1 (en) * | 1997-05-29 | 2002-11-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the removal of copper and other metallic impurities from silicon |
| DE19741465A1 (de) * | 1997-09-19 | 1999-03-25 | Wacker Chemie Gmbh | Polykristallines Silicium |
| US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
| US5964953A (en) * | 1998-05-26 | 1999-10-12 | Memc Electronics Materials, Inc. | Post-etching alkaline treatment process |
| US6572453B1 (en) | 1998-09-29 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-fluid polishing process |
| US6127282A (en) * | 1998-11-12 | 2000-10-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for removing copper residue from surfaces of a semiconductor wafer |
| US6568409B1 (en) | 1999-03-26 | 2003-05-27 | Mcf Systems Atlanta, Inc. | Ultrasonic parts washer apparatus |
| US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
| US6436302B1 (en) | 1999-08-23 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Post CU CMP polishing for reduced defects |
| US6394106B1 (en) | 1999-09-24 | 2002-05-28 | Michael Jolley | Cleaning solutions and methods for semiconductor wafers |
| US7220322B1 (en) | 2000-08-24 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Cu CMP polishing pad cleaning |
| US6620743B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-09-16 | Asm America, Inc. | Stable, oxide-free silicon surface preparation |
| US6627546B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
| US20030104680A1 (en) * | 2001-11-13 | 2003-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the removal of copper from polished boron-doped silicon wafers |
| KR20040041019A (ko) * | 2002-11-08 | 2004-05-13 | 스미또모 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤 | 반도체 기판용 세정액 |
| KR100482372B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-04-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 |
| JP4308806B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体基板の処理方法、半導体部品および電子機器 |
| US7479460B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
| WO2010118206A2 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Sunsonix | Process and apparatus for removal of contaminating material from substrates |
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| US5308400A (en) * | 1992-09-02 | 1994-05-03 | United Microelectronics Corporation | Room temperature wafer cleaning process |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP5234600A patent/JP2586304B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-16 KR KR1019940023611A patent/KR0158008B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-09-19 US US08/308,302 patent/US5509970A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011170952A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Sanyo Chem Ind Ltd | 磁気ディスク基板用洗浄剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5509970A (en) | 1996-04-23 |
| KR0158008B1 (ko) | 1999-02-01 |
| JP2586304B2 (ja) | 1997-02-26 |
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