JPH0959685A - 半導体装置の洗浄に使用される洗浄液及びこれを用いた洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄に使用される洗浄液及びこれを用いた洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の洗浄液を提供する。
【解決手段】 半導体装置の金属層の洗浄に用いられる
洗浄液において、前記洗浄液はアンモニア水、メタノー
ル、フッ化水素酸及び純水より構成され、その構成比が
アンモニア水、メタノール及び純水の容積比を１：１〜
５０：０．１〜５０とし、フッ化水素酸の割合（容積）
は前記アンモニア水、メタノール及び純水を混合した溶
液に対して１〜１００００ｐｐｍであることを特徴とす
る洗浄液を提供する。本発明による洗浄液は各溶液を混
合するだけで製造が可能であり、洗浄する金属層を食刻
及び損傷させずにポリマー及び不純物粒子を取り除くこ
とができる。よって、半導体装置の洗浄工程を単純化さ
せ、収率及び信頼性を向上させる。
洗浄液において、前記洗浄液はアンモニア水、メタノー
ル、フッ化水素酸及び純水より構成され、その構成比が
アンモニア水、メタノール及び純水の容積比を１：１〜
５０：０．１〜５０とし、フッ化水素酸の割合（容積）
は前記アンモニア水、メタノール及び純水を混合した溶
液に対して１〜１００００ｐｐｍであることを特徴とす
る洗浄液を提供する。本発明による洗浄液は各溶液を混
合するだけで製造が可能であり、洗浄する金属層を食刻
及び損傷させずにポリマー及び不純物粒子を取り除くこ
とができる。よって、半導体装置の洗浄工程を単純化さ
せ、収率及び信頼性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の洗浄に
使用される洗浄液に係り、特に半導体装置の金属層の洗
浄に使用される洗浄液及びこれを用いた洗浄方法に関す
る。
使用される洗浄液に係り、特に半導体装置の金属層の洗
浄に使用される洗浄液及びこれを用いた洗浄方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程において、半導体装置
の高集積化に伴い回路配線の欠陥を取り除くことが極め
て大事である。したがって、半導体装置の製造工程には
数十回の洗浄工程が行われる。該洗浄工程は半導体装置
の製造工程中、埃、不純物粒子、有機物、無機物、各種
の重金属などを取り除く。即ち、半導体装置の回路上で
望ましくない物質を取り除くために行われ、広くは食刻
工程も含む。
の高集積化に伴い回路配線の欠陥を取り除くことが極め
て大事である。したがって、半導体装置の製造工程には
数十回の洗浄工程が行われる。該洗浄工程は半導体装置
の製造工程中、埃、不純物粒子、有機物、無機物、各種
の重金属などを取り除く。即ち、半導体装置の回路上で
望ましくない物質を取り除くために行われ、広くは食刻
工程も含む。
【０００３】金属層、例えばアルミニウム層の形成され
た半導体基板の洗浄において、従来はアミノエチルピペ
リジン（aminoethyl piperidine)、イソプロピルアミン
（isopropyl amine)、ヒドロキシエチルモルホリン（hy
droxyethyl morpholine)、アミノアルコール（amino al
cohol)、ジエチレントリアミン（diethylentriamine)な
どのようなアミン類とＮ−メチル−２−ピロリドン（N-
methyl-2-pyrrolidone：ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシ
ド（dimethyl sulfoxide：ＤＭＳＯ）、ジメチルアセト
アミド（dimethylacetamide;ＤＭＡＣ）、ＤＭＦ（dime
thylformamide）、スルホラン（sulfolane)、ＢＬＯ
（γ−Butyrolactone)など、またはこの混合物のような
溶媒類より構成された洗浄液を用いて金属層上に形成さ
れた感光膜と金属層間に形成された中間層（ＩＭＤ：In
ter Metal Dielectric film)にコンタクトホールを形成
する時に発生するポリマーを取り除く。
た半導体基板の洗浄において、従来はアミノエチルピペ
リジン（aminoethyl piperidine)、イソプロピルアミン
（isopropyl amine)、ヒドロキシエチルモルホリン（hy
droxyethyl morpholine)、アミノアルコール（amino al
cohol)、ジエチレントリアミン（diethylentriamine)な
どのようなアミン類とＮ−メチル−２−ピロリドン（N-
methyl-2-pyrrolidone：ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシ
ド（dimethyl sulfoxide：ＤＭＳＯ）、ジメチルアセト
アミド（dimethylacetamide;ＤＭＡＣ）、ＤＭＦ（dime
thylformamide）、スルホラン（sulfolane)、ＢＬＯ
（γ−Butyrolactone)など、またはこの混合物のような
溶媒類より構成された洗浄液を用いて金属層上に形成さ
れた感光膜と金属層間に形成された中間層（ＩＭＤ：In
ter Metal Dielectric film)にコンタクトホールを形成
する時に発生するポリマーを取り除く。
【０００４】しかしながら、この場合、金属層の相当部
分が化学的に腐食されて設計のような抵抗と導電度を保
つことができなくなる。該金属層の腐食程度を最小化
し、乾式食刻工程で発生されたポリマーを容易に取り除
くために他の洗浄液（例えば、ＮＰ−９３５；ＤＭＡＣ
とジメタノールアミンとが含まれた洗浄液）を用いて洗
浄工程を行うと、不純物粒子を取り除く能力が劣る。そ
のため、前記洗浄工程以後にはアンモニア（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ）、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）及び脱イオン水（ＤＩ−
Ｈ2 Ｏ）より構成されるＳＣ−１という不純物粒子専用
洗浄液で洗浄工程をもう一回行わなければならない問題
点があった。
分が化学的に腐食されて設計のような抵抗と導電度を保
つことができなくなる。該金属層の腐食程度を最小化
し、乾式食刻工程で発生されたポリマーを容易に取り除
くために他の洗浄液（例えば、ＮＰ−９３５；ＤＭＡＣ
とジメタノールアミンとが含まれた洗浄液）を用いて洗
浄工程を行うと、不純物粒子を取り除く能力が劣る。そ
のため、前記洗浄工程以後にはアンモニア（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ）、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）及び脱イオン水（ＤＩ−
Ｈ2 Ｏ）より構成されるＳＣ−１という不純物粒子専用
洗浄液で洗浄工程をもう一回行わなければならない問題
点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は前記従来の技術の問題点を解決するために、一回
の洗浄工程で金属層を腐食させずにポリマーと不純物粒
子を取り除くことができる洗浄液を提供することにあ
る。
目的は前記従来の技術の問題点を解決するために、一回
の洗浄工程で金属層を腐食させずにポリマーと不純物粒
子を取り除くことができる洗浄液を提供することにあ
る。
【０００６】本発明の他の目的は前記洗浄液を用いた半
導体装置の洗浄方法を提供することにある。
導体装置の洗浄方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、半導体装置の金属層の洗浄に用いられる洗
浄液において、前記洗浄液はアンモニア水、メタノー
ル、フッ化水素酸（フッ酸）及び純水より構成され、そ
の構成比がアンモニア水、メタノール、純水の容積比を
１：１〜５０：０．１〜５０倍とし、フッ化水素酸の割
合（容積）は前記アンモニア水、メタノール及び純水を
混合した溶液に対して１〜１００００ｐｐｍであること
を特徴とする洗浄液を提供する。
に本発明は、半導体装置の金属層の洗浄に用いられる洗
浄液において、前記洗浄液はアンモニア水、メタノー
ル、フッ化水素酸（フッ酸）及び純水より構成され、そ
の構成比がアンモニア水、メタノール、純水の容積比を
１：１〜５０：０．１〜５０倍とし、フッ化水素酸の割
合（容積）は前記アンモニア水、メタノール及び純水を
混合した溶液に対して１〜１００００ｐｐｍであること
を特徴とする洗浄液を提供する。
【０００８】前記他の目的を達成するために本発明は、
半導体基板上に形成される金属層の洗浄方法において、
前記洗浄方法は金属層の形成された半導体基板をアンモ
ニア水、メタノール、フッ化水素酸及び純水より構成さ
れた洗浄液を用いて洗浄する段階を含む。
半導体基板上に形成される金属層の洗浄方法において、
前記洗浄方法は金属層の形成された半導体基板をアンモ
ニア水、メタノール、フッ化水素酸及び純水より構成さ
れた洗浄液を用いて洗浄する段階を含む。
【０００９】前記洗浄液の温度は２０〜１００℃であ
り、４５℃のものが望ましく、洗浄時間は１〜１０分以
内の条件で行うことが望ましい。
り、４５℃のものが望ましく、洗浄時間は１〜１０分以
内の条件で行うことが望ましい。
【００１０】前記金属層はチタンまたはチタン窒化物
と、アルミニウム合金の二重層より構成することが好ま
しい。
と、アルミニウム合金の二重層より構成することが好ま
しい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明を詳細に説明する。
明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の洗浄液はアンモニア水、メタノー
ル、フッ化水素酸及び純水より構成される。前記アンモ
ニア水は１〜５０％、前記メタノールは９０〜１００％
の純度を有し、前記フッ化水素酸は１〜６０％の純度を
有する。そして、前記洗浄液の混合比はアンモニア水
（容積）１に対して、メタノールの割合（容積）を１倍
〜５０倍、純水の割合（容積）を０．１〜５０倍とし、
フッ化水素酸の割合（容積）は前記アンモニア水、メタ
ノール及び純粋を混合した溶液に対して１ないし１００
００ｐｐｍである。
ル、フッ化水素酸及び純水より構成される。前記アンモ
ニア水は１〜５０％、前記メタノールは９０〜１００％
の純度を有し、前記フッ化水素酸は１〜６０％の純度を
有する。そして、前記洗浄液の混合比はアンモニア水
（容積）１に対して、メタノールの割合（容積）を１倍
〜５０倍、純水の割合（容積）を０．１〜５０倍とし、
フッ化水素酸の割合（容積）は前記アンモニア水、メタ
ノール及び純粋を混合した溶液に対して１ないし１００
００ｐｐｍである。
【００１３】次に、前述した本発明の洗浄液を用いて金
属層の形成された半導体基板を洗浄する場合の腐食程
度、ポリマー除去能力及び不純物（粒子）除去能力につ
いて説明する。
属層の形成された半導体基板を洗浄する場合の腐食程
度、ポリマー除去能力及び不純物（粒子）除去能力につ
いて説明する。
【００１４】図１は、本発明により洗浄液の組成比によ
る金属層の腐食程度を示したグラフである。
る金属層の腐食程度を示したグラフである。
【００１５】具体的にアンモニア水：メタノール：水の
容積比を１：１０：１として構成し、フッ化水素酸を５
００ｐｐｍ〜３００００ｐｐｍまで加えて構成した洗浄
液で金属層の形成された半導体基板を洗浄してフッ化水
素酸の添加分量による金属層の腐食程度を示した。Ｘ軸
はフッ化水素酸の添加量であり、Ｙ軸は金属層の腐食程
度を示す。加えられたフッ化水素酸の量が６００〜７０
０ｐｐｍとなるまでは金属層の腐食程度が増えるが、そ
の以後は徐々に減少して約２０００ｐｐｍを越えると金
属層の腐食程度が殆どない状態となる。このような現状
は次のような化学反応式により説明する。
容積比を１：１０：１として構成し、フッ化水素酸を５
００ｐｐｍ〜３００００ｐｐｍまで加えて構成した洗浄
液で金属層の形成された半導体基板を洗浄してフッ化水
素酸の添加分量による金属層の腐食程度を示した。Ｘ軸
はフッ化水素酸の添加量であり、Ｙ軸は金属層の腐食程
度を示す。加えられたフッ化水素酸の量が６００〜７０
０ｐｐｍとなるまでは金属層の腐食程度が増えるが、そ
の以後は徐々に減少して約２０００ｐｐｍを越えると金
属層の腐食程度が殆どない状態となる。このような現状
は次のような化学反応式により説明する。
【００１６】 ＮＨ4 ＯＨ→ＮＨ4 ＋ＯＨ- （式１） ＨＦ→Ｈ+ ＋Ｆ- （式２） Ｆ- （ａｑ．）＋Ｈ2 Ｏ⇔ＮＨ4 + ＋ＯＨ- （ＮＨ3 雰囲気で）（式３） 式１＋式２、 →ＮＨ4 + ＋Ｆ- ＋Ｈ+ ＋ＯＨ- →ＮＨ4 Ｆ＋Ｈ2 Ｏ まず、式３において、Ｆ- イオンは水と反応してＯＨ-
イオンを誘発するが、ＮＨ3 の雰囲気ではＨＦの量に応
じて反応の方向が変わる。特に、ＮＨ3 雰囲気でＨＦの
量がわずかの場合（６００〜７００ｐｐｍ以下）、反応
は順方向にＯＨ- イオンを誘発させるように行われる
が、ＨＦの量が増加すれば（６００〜７００ｐｐｍ以
上）、逆方向にＯＨ- イオンを減少させるＯＨ- 消滅反
応が起こる。したがって、ＨＦの量が増えるほどＯＨ-
イオンが減少して金属層の腐食程度が減る。
イオンを誘発するが、ＮＨ3 の雰囲気ではＨＦの量に応
じて反応の方向が変わる。特に、ＮＨ3 雰囲気でＨＦの
量がわずかの場合（６００〜７００ｐｐｍ以下）、反応
は順方向にＯＨ- イオンを誘発させるように行われる
が、ＨＦの量が増加すれば（６００〜７００ｐｐｍ以
上）、逆方向にＯＨ- イオンを減少させるＯＨ- 消滅反
応が起こる。したがって、ＨＦの量が増えるほどＯＨ-
イオンが減少して金属層の腐食程度が減る。
【００１７】図２は、従来の洗浄液と本発明による洗浄
液の不純物粒子の除去力を比べた観察図である。
液の不純物粒子の除去力を比べた観察図である。
【００１８】具体的に従来の洗浄液であるＮＰ−９３５
とＳＣ−１に対して本発明による洗浄液の不純物粒子の
除去力を比べた。従来の金属洗浄液のＮＰ−９３５の不
純物粒子の除去力は約１０％に過ぎないが、本発明によ
る洗浄液は８０％の除去力を示した。そして、従来の洗
浄液のうち、その不純物粒子の除去力が最も良いＳＣ−
１と比べて類似な数値の不純物粒子の除去力を示した。
とＳＣ−１に対して本発明による洗浄液の不純物粒子の
除去力を比べた。従来の金属洗浄液のＮＰ−９３５の不
純物粒子の除去力は約１０％に過ぎないが、本発明によ
る洗浄液は８０％の除去力を示した。そして、従来の洗
浄液のうち、その不純物粒子の除去力が最も良いＳＣ−
１と比べて類似な数値の不純物粒子の除去力を示した。
【００１９】図３及び図４はそれぞれ従来の洗浄液と本
発明による洗浄液のポリマー除去力を比べて示したＳＥ
Ｍ写真である。
発明による洗浄液のポリマー除去力を比べて示したＳＥ
Ｍ写真である。
【００２０】具体的にポリマーは金属層を乾式食刻工程
で食刻するときに誘発され、該ポリマーがフォトレジス
トの除去工程後にも取り除かれなければ、後続する金属
膜の蒸着工程に影響を与えてコンタクトの抵抗が増える
などの欠陥をもたらすので、ポリマーは取り除かれるべ
きである。本発明による洗浄液で金属層の形成された基
板を洗浄すれば、図４に示したように従来の洗浄液のＮ
Ｐ−９３５（図３参照）に比して劣らず、かえって優れ
るポリマー除去力を示す。
で食刻するときに誘発され、該ポリマーがフォトレジス
トの除去工程後にも取り除かれなければ、後続する金属
膜の蒸着工程に影響を与えてコンタクトの抵抗が増える
などの欠陥をもたらすので、ポリマーは取り除かれるべ
きである。本発明による洗浄液で金属層の形成された基
板を洗浄すれば、図４に示したように従来の洗浄液のＮ
Ｐ−９３５（図３参照）に比して劣らず、かえって優れ
るポリマー除去力を示す。
【００２１】前記ＮＰ−９３５洗浄液は一般に７０℃の
温度で３０分以上行うべきであり、ＩＰＡ（Isopropyl
alcohol)及び純水を用いた洗浄液の洗浄工程を３分程度
行わなければならないので、長い工程時間が求められ
る。反面、本発明の洗浄方法は２０〜１００℃の温度、
望ましくは４５℃の温度で１〜１０分の洗浄工程と１０
分の回転乾燥工程のみを行うので、洗浄による工程所要
時間を１０分以上縮めることができる。
温度で３０分以上行うべきであり、ＩＰＡ（Isopropyl
alcohol)及び純水を用いた洗浄液の洗浄工程を３分程度
行わなければならないので、長い工程時間が求められ
る。反面、本発明の洗浄方法は２０〜１００℃の温度、
望ましくは４５℃の温度で１〜１０分の洗浄工程と１０
分の回転乾燥工程のみを行うので、洗浄による工程所要
時間を１０分以上縮めることができる。
【００２２】次に、不純物粒子の除去に係る洗浄液の水
素イオン濃度及び洗浄液の時間によるピット腐食密度を
説明する。
素イオン濃度及び洗浄液の時間によるピット腐食密度を
説明する。
【００２３】図５は、本発明による洗浄液の水素イオン
の濃度を示したグラフである。
の濃度を示したグラフである。
【００２４】具体的にアンモニア水、メタノール及び水
の容積比が１：１０：１の場合、フッ化水素酸の添加量
による水素イオン濃度のグラフである。フッ化水素酸を
加える前の水素イオンの濃度は１１程度であるが、約１
００００ｐｐｍ程度のフッ化水素酸を加えると、水素イ
オンの濃度が下がり約９にいたる。不純物粒子の除去に
最適な洗浄液の水素イオンの濃度は９〜１０程度なの
で、本発明による洗浄液の水素イオンの濃度はこれに符
合する。
の容積比が１：１０：１の場合、フッ化水素酸の添加量
による水素イオン濃度のグラフである。フッ化水素酸を
加える前の水素イオンの濃度は１１程度であるが、約１
００００ｐｐｍ程度のフッ化水素酸を加えると、水素イ
オンの濃度が下がり約９にいたる。不純物粒子の除去に
最適な洗浄液の水素イオンの濃度は９〜１０程度なの
で、本発明による洗浄液の水素イオンの濃度はこれに符
合する。
【００２５】図６は、本発明による洗浄液の時間による
水素イオン濃度の変化を示すグラフである。
水素イオン濃度の変化を示すグラフである。
【００２６】具体的に本発明による洗浄液の製造時点か
ら時間の経過による水素イオン濃度の変化をテストし
た。図面を参照すれば、洗浄液の製造後、８時間経過後
にも水素イオン濃度はあまり変わらない。より詳細に
は、初期の水素イオン濃度９．６が８時間後には９．２
となる。即ち、８時間内には洗浄液としての機能を充分
に行うことができる。前記８時間後には構成溶液の蒸発
量が多くて洗浄液を構成する各構成液をさらに供給する
ことが望ましい。
ら時間の経過による水素イオン濃度の変化をテストし
た。図面を参照すれば、洗浄液の製造後、８時間経過後
にも水素イオン濃度はあまり変わらない。より詳細に
は、初期の水素イオン濃度９．６が８時間後には９．２
となる。即ち、８時間内には洗浄液としての機能を充分
に行うことができる。前記８時間後には構成溶液の蒸発
量が多くて洗浄液を構成する各構成液をさらに供給する
ことが望ましい。
【００２７】図７は、本発明による洗浄液の時間による
ピット腐食密度を示したグラフである。
ピット腐食密度を示したグラフである。
【００２８】具体的に本発明による洗浄液中に金属層を
有する試料を浸して８時間にかけてピット腐食密度を観
察した。前記ピット腐食は金属の粒子境界で局部的に特
定部位が取られる腐食減少である。前記本発明による洗
浄液の可溶有効時間である８時間以内には殆ど変化がな
くていずれの問題がない。本実験に用いられた試料は蒸
着された金属層とこれを熱フローさせた金属層である。
前記二つの金属層は特性においては違いはないが、ただ
粒子境界の大きさにおいて前記熱フロー金属層が蒸着金
属層より約１０倍大きい。
有する試料を浸して８時間にかけてピット腐食密度を観
察した。前記ピット腐食は金属の粒子境界で局部的に特
定部位が取られる腐食減少である。前記本発明による洗
浄液の可溶有効時間である８時間以内には殆ど変化がな
くていずれの問題がない。本実験に用いられた試料は蒸
着された金属層とこれを熱フローさせた金属層である。
前記二つの金属層は特性においては違いはないが、ただ
粒子境界の大きさにおいて前記熱フロー金属層が蒸着金
属層より約１０倍大きい。
【００２９】
【発明の効果】本発明による洗浄液はポリマー除去力に
おいて従来の洗浄液のＮＰ−９３５と同等な能力を有
し、不純物粒子の除去力において従来のＳＣ−１と同等
な能力を有する。したがって、分離させて行った二つの
工程を一回の洗浄工程で単純化させうる。本発明による
洗浄液は各溶液を混合するだけで製造でき、洗浄する金
属層を食刻・損傷させずにもポリマー及び不純物粒子を
短時間内に取り除くことができる。したがって、半導体
装置の洗浄工程を単純化させるのでコスト低になり、収
率及び信頼性を向上させる。
おいて従来の洗浄液のＮＰ−９３５と同等な能力を有
し、不純物粒子の除去力において従来のＳＣ−１と同等
な能力を有する。したがって、分離させて行った二つの
工程を一回の洗浄工程で単純化させうる。本発明による
洗浄液は各溶液を混合するだけで製造でき、洗浄する金
属層を食刻・損傷させずにもポリマー及び不純物粒子を
短時間内に取り除くことができる。したがって、半導体
装置の洗浄工程を単純化させるのでコスト低になり、収
率及び信頼性を向上させる。
【００３０】以上、本発明を具体的に説明したが、本発
明はこれに限らず、当業者の通常的な知識の範囲におい
てその変形や改良が可能である。
明はこれに限らず、当業者の通常的な知識の範囲におい
てその変形や改良が可能である。
【図１】本発明による洗浄液の組成比による金属層の腐
食程度の一例を示すグラフである。
食程度の一例を示すグラフである。
【図２】従来の洗浄液と本発明による洗浄液の不純物粒
子の除去力の比較を示す観察図である。
子の除去力の比較を示す観察図である。
【図３】従来の洗浄液のポリマ−除去力を示すＳＥＭ写
真である。
真である。
【図４】本発明による洗浄液のポリマ−除去力の一例を
示すＳＥＭ写真である。
示すＳＥＭ写真である。
【図５】本発明による洗浄液の水素イオンの濃度の一例
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】本発明による洗浄液の時間による水素イオン濃
度の変化の一例を示すグラフである。
度の変化の一例を示すグラフである。
【図７】本発明による洗浄液の時間によるピット腐食密
度の一例を示すグラフである。
度の一例を示すグラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体装置の金属層の洗浄に用いられる
洗浄液において、前記洗浄液はアンモニア水、メタノー
ル、フッ化水素酸及び純水より構成され、その構成比が
アンモニア水、メタノール及び純水の容積比を１：１〜
５０：０．１〜５０とし、フッ化水素酸の割合（容積）
は前記アンモニア水、メタノール及び純水を混合した溶
液に対して１〜１００００ｐｐｍであることを特徴とす
る洗浄液。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成される金属層の洗浄
方法において、 前記洗浄方法は金属層の形成された半導体基板をアンモ
ニア水、メタノール、フッ化水素酸及び純水より構成さ
れた洗浄液を用いて洗浄することを特徴とする半導体装
置の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記洗浄液の温度は２０〜１００℃であ
ることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の洗浄
方法。 - 【請求項４】 前記洗浄液の洗浄時間は１〜１０分以内
であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の
洗浄方法。 - 【請求項５】 前記金属層はチタン膜より構成されてい
ることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の洗浄
方法。 - 【請求項６】 前記金属層はチタン窒化物とアルミニウ
ム合金の二重層より構成されていることを特徴とする請
求項２に記載の半導体装置の洗浄方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025459A KR0147659B1 (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
| KR95P25459 | 1995-08-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959685A true JPH0959685A (ja) | 1997-03-04 |
| JP3759789B2 JP3759789B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=19423750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23590096A Expired - Fee Related JP3759789B2 (ja) | 1995-08-18 | 1996-08-19 | 半導体装置の洗浄に使用される洗浄液及びこれを用いた洗浄方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5876509A (ja) |
| EP (1) | EP0762488B1 (ja) |
| JP (1) | JP3759789B2 (ja) |
| KR (1) | KR0147659B1 (ja) |
| DE (1) | DE69632107T2 (ja) |
| TW (1) | TW304901B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143637A (en) * | 1998-03-13 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100252223B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치의 콘택홀 세정방법 |
| US6440647B1 (en) | 1998-02-26 | 2002-08-27 | Alpha Metals, Inc. | Resist stripping process |
| US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
| KR102506031B1 (ko) | 2018-07-13 | 2023-03-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 반도체 기판 세정액 및 이를 이용한 반도체 기판 세정 방법 |
| KR102506026B1 (ko) | 2018-07-18 | 2023-03-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 반도체 기판 세정액 및 이를 이용한 반도체 기판 세정 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4215005A (en) * | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
| US4343677A (en) * | 1981-03-23 | 1982-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for patterning films using reactive ion etching thereof |
| US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
| JPS63114128A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Showa Denko Kk | 表面処理液 |
| JPH069195B2 (ja) * | 1989-05-06 | 1994-02-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法 |
| JP2852355B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1999-02-03 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工表面処理剤 |
| JP2553946B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1996-11-13 | 信淳 渡辺 | 基板表面処理用ガスの供給方法 |
| JP2866161B2 (ja) * | 1990-07-23 | 1999-03-08 | 株式会社ピュアレックス | 洗浄液用添加剤 |
| JP3064060B2 (ja) * | 1991-09-20 | 2000-07-12 | ステラケミファ株式会社 | 微粒子の含有量の少ない微細加工表面処理剤 |
| JP3264405B2 (ja) * | 1994-01-07 | 2002-03-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-08-18 KR KR1019950025459A patent/KR0147659B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-07-30 EP EP96305578A patent/EP0762488B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-30 DE DE69632107T patent/DE69632107T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-15 US US08/698,368 patent/US5876509A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-16 TW TW085110022A patent/TW304901B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-08-19 JP JP23590096A patent/JP3759789B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143637A (en) * | 1998-03-13 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Process for production of semiconductor device and cleaning device used therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5876509A (en) | 1999-03-02 |
| KR0147659B1 (ko) | 1998-08-17 |
| TW304901B (ja) | 1997-05-11 |
| KR970010936A (ko) | 1997-03-27 |
| JP3759789B2 (ja) | 2006-03-29 |
| DE69632107T2 (de) | 2005-03-03 |
| DE69632107D1 (de) | 2004-05-13 |
| EP0762488B1 (en) | 2004-04-07 |
| EP0762488A2 (en) | 1997-03-12 |
| EP0762488A3 (en) | 1997-09-10 |
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