JPS63114128A - 表面処理液 - Google Patents
表面処理液Info
- Publication number
- JPS63114128A JPS63114128A JP25855286A JP25855286A JPS63114128A JP S63114128 A JPS63114128 A JP S63114128A JP 25855286 A JP25855286 A JP 25855286A JP 25855286 A JP25855286 A JP 25855286A JP S63114128 A JPS63114128 A JP S63114128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- performance
- formula
- quaternary ammonium
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000005027 hydroxyaryl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)CCO FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、第４級アンモニウムフッ化物の１種又は２８
以上を含有する半導体基板のエツチング液又はレジスト
剥離液に関する。さらに詳しくいえば、界面張力が小さ
く、ぬれ性が極めて良いため半導体基板の洗浄にすぐれ
た効果を持つエツチング液又はレジスト剥離液に関する
。
以上を含有する半導体基板のエツチング液又はレジスト
剥離液に関する。さらに詳しくいえば、界面張力が小さ
く、ぬれ性が極めて良いため半導体基板の洗浄にすぐれ
た効果を持つエツチング液又はレジスト剥離液に関する
。
（従来の技術および問題点）
半導体基板材料は多くの場合単結晶棒を切断してウェハ
状にし、これを研削または研磨して平たん化した形で供
給されるが、この製造過程においては全表面を速く、均
一に除去し、しかも仕上り面を鏡面にするためにエツチ
ング液又は洗浄液が必要となる。
状にし、これを研削または研磨して平たん化した形で供
給されるが、この製造過程においては全表面を速く、均
一に除去し、しかも仕上り面を鏡面にするためにエツチ
ング液又は洗浄液が必要となる。
また、基板材料を現像した後、不要になったレジスト膜
を剥離する段階では、桟面を残さず完全に取り去るため
に洗浄力のすぐれたレジスト剥離液が必要となる。
を剥離する段階では、桟面を残さず完全に取り去るため
に洗浄力のすぐれたレジスト剥離液が必要となる。
現在、半導体基板たとえばシリコンの印刷基板の製造工
程においては、その最初の工程として、エツチング液又
はレジスト剥離液として用いられる酸、アルカリ、混酸
は、被洗浄基板あるいは被エツチング基板との界面張力
が大きい為ぬれ性が悪く、洗浄性能、レジスト剥離性能
等が充分得られなかった。
程においては、その最初の工程として、エツチング液又
はレジスト剥離液として用いられる酸、アルカリ、混酸
は、被洗浄基板あるいは被エツチング基板との界面張力
が大きい為ぬれ性が悪く、洗浄性能、レジスト剥離性能
等が充分得られなかった。
これを改善する目的でフッ素系の有機界面活性剤（例え
ばパーフルオロアルキルアミンオキサイド等）を５〜１
００ ｐｐｍ添加して界面張力を低下させた後用いられ
ている。
ばパーフルオロアルキルアミンオキサイド等）を５〜１
００ ｐｐｍ添加して界面張力を低下させた後用いられ
ている。
今日、精密加工品特に半導体基板等電子機器材を生産す
るのにおいて使用される各種薬剤中の微細浮遊塵挨（以
下・ぐ−ティクルという）は、歩留りに著しい影響を与
える事が判明しており、薬剤中の・ぐ−ティクルを除く
目的で、０．２μｍのフィルターを通過させた後、使用
している。
るのにおいて使用される各種薬剤中の微細浮遊塵挨（以
下・ぐ−ティクルという）は、歩留りに著しい影響を与
える事が判明しており、薬剤中の・ぐ−ティクルを除く
目的で、０．２μｍのフィルターを通過させた後、使用
している。
前述の界面活性剤を、薬剤に添加し使用する場合、当初
は、界面活性剤の効果が発揮されるが、しかし、何度も
使用しているうちに界面活性剤が徐々にフィルターに捕
捉され、最終的には完全に捕捉されるようになり、界面
活性剤無添加の場合と同等となってしまう。また界面活
性剤を添加することによってフィルターの寿命が短かく
なるためフィルターの交換費用およびフィルター交換に
よる操業停止ロス等が発生するという問題がある。
は、界面活性剤の効果が発揮されるが、しかし、何度も
使用しているうちに界面活性剤が徐々にフィルターに捕
捉され、最終的には完全に捕捉されるようになり、界面
活性剤無添加の場合と同等となってしまう。また界面活
性剤を添加することによってフィルターの寿命が短かく
なるためフィルターの交換費用およびフィルター交換に
よる操業停止ロス等が発生するという問題がある。
（発明の効果）
本発明者らは、テトラメチルアンモニウム水酸化物の水
溶液がポジ型レジスト現像液として、その現像能力ばか
りでなくぬれ性、即ち界面張力の低さが今日の半導体産
業のニーズに合致していることに着目し、本発明に至っ
た。
溶液がポジ型レジスト現像液として、その現像能力ばか
りでなくぬれ性、即ち界面張力の低さが今日の半導体産
業のニーズに合致していることに着目し、本発明に至っ
た。
即ち、本発明である第４級アンモニウムフッ化物溶液が
テトラメチルアンモニウム水酸化物の水溶液同様基板に
対する界面張力が小さく、すなわちぬれ性にすぐれてお
シ、かつ水溶性化合物であることを利用し、それを用い
ることによって前記フッ素系界面活性剤のようにフィル
ターに捕捉されることはなく、酸あるいは混酸に酸度調
整の目的で添加した場合、エンチング性能、洗浄性能、
あるいはレジスト剥離性能を向上することができる。
テトラメチルアンモニウム水酸化物の水溶液同様基板に
対する界面張力が小さく、すなわちぬれ性にすぐれてお
シ、かつ水溶性化合物であることを利用し、それを用い
ることによって前記フッ素系界面活性剤のようにフィル
ターに捕捉されることはなく、酸あるいは混酸に酸度調
整の目的で添加した場合、エンチング性能、洗浄性能、
あるいはレジスト剥離性能を向上することができる。
以下、実施例によって本発明の詳細な説明する。
〈実施例〉
１、テトラメチルアンモニウムフルオライド水溶液（２
，５、５，０、１０，０、２０，０ｗｔチ）２、テトラ
ブチルアンモニウムフルオライド水溶液（１０，Ｏｗｔ
％） ３、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムフルオラ
イド水溶液 （５，０、１０，Ｏｗｔチ）４
．７ツ化アンモニウム水溶液 （１，０＊ ２．５．５．Ｏｗｔチ） ５、市販の界面活性剤 （１００，Ｏｗｔチ
）、６．純水 （１００，Ｏｗ
ｔチ）上記の液を、２６℃の条件にてシリコンウェハー
上に形成されたシリコン酸化膜上に滴下し、その界面張
力を比較した結果を表１に示す。界面張力は第１図に示
したように上記液とシリコン酸化膜の接触仰角を測定し
、これを界面張力の表示とした。
，５、５，０、１０，０、２０，０ｗｔチ）２、テトラ
ブチルアンモニウムフルオライド水溶液（１０，Ｏｗｔ
％） ３、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムフルオラ
イド水溶液 （５，０、１０，Ｏｗｔチ）４
．７ツ化アンモニウム水溶液 （１，０＊ ２．５．５．Ｏｗｔチ） ５、市販の界面活性剤 （１００，Ｏｗｔチ
）、６．純水 （１００，Ｏｗ
ｔチ）上記の液を、２６℃の条件にてシリコンウェハー
上に形成されたシリコン酸化膜上に滴下し、その界面張
力を比較した結果を表１に示す。界面張力は第１図に示
したように上記液とシリコン酸化膜の接触仰角を測定し
、これを界面張力の表示とした。
表 １
第１図は、界面張力の測定法を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１〜Ｒ＿４は、同一であっても異なっていて
もよく、各々炭素数１〜１０個のアルキル基、炭素数２
〜１０のアルコキシアルキル基、またはアリール基もし
くはヒドロキシアリール基を表わす）で示される第４級
アンモニウムフッ化物の１種又は２種以上を含む半導体
基板のエッチング液又はレジスト剥離液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25855286A JPS63114128A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 表面処理液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25855286A JPS63114128A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 表面処理液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114128A true JPS63114128A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17321813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25855286A Pending JPS63114128A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 表面処理液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114128A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039349A (en) * | 1990-05-18 | 1991-08-13 | Veriflo Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces to absolute or near-absolute cleanliness |
| EP0662705A2 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning agent for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| EP0827188A2 (en) * | 1996-08-09 | 1998-03-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device using same |
| US5876509A (en) * | 1995-08-18 | 1999-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution for cleaning semiconductor device and cleaning method using the same |
| JP2007128064A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-24 | Air Products & Chemicals Inc | 残留物を除去するための水性洗浄組成物及びそれを使用する方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550112A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-11 | Jones & Healy Marine Ltd | Assisting device for voyage |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP25855286A patent/JPS63114128A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550112A (en) * | 1978-10-05 | 1980-04-11 | Jones & Healy Marine Ltd | Assisting device for voyage |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039349A (en) * | 1990-05-18 | 1991-08-13 | Veriflo Corporation | Method and apparatus for cleaning surfaces to absolute or near-absolute cleanliness |
| EP0662705A2 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning agent for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| EP0662705A3 (en) * | 1994-01-07 | 1995-09-27 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaning agent for semiconductor component and method of manufacturing a semiconductor component. |
| US5876509A (en) * | 1995-08-18 | 1999-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution for cleaning semiconductor device and cleaning method using the same |
| EP0827188A2 (en) * | 1996-08-09 | 1998-03-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device using same |
| EP0827188A3 (en) * | 1996-08-09 | 1998-08-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device using same |
| JP2007128064A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-05-24 | Air Products & Chemicals Inc | 残留物を除去するための水性洗浄組成物及びそれを使用する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100269013B1 (ko) | 웨이퍼 처리액 및 그 제조방법 | |
| EP1043629B1 (en) | Photoresist stripping composition and process for stripping photoresist | |
| KR900005850B1 (ko) | 포지티브형(型) 포토레지스트 조성물용(用) 현상액 | |
| TW312807B (ja) | ||
| JPH0641770A (ja) | シリコンウエハ表面の処理方法 | |
| US5763375A (en) | Cleaning agents and cleaning method | |
| KR20010034100A (ko) | 신규 세정제와 이를 이용한 세정방법 | |
| US20040089840A1 (en) | Fluorinated surfactants for buffered acid etch solutions | |
| KR100250002B1 (ko) | 반도체 기판용 저표면장력 세정조성물 | |
| JPH10177998A (ja) | エッチング剤 | |
| US5164286A (en) | Photoresist developer containing fluorinated amphoteric surfactant | |
| JP3169024B2 (ja) | シリコンウエハーおよび半導体素子洗浄液 | |
| US6147042A (en) | Detergent for processes for producing semiconductor devices or producing liquid crystal devices | |
| JPS63114128A (ja) | 表面処理液 | |
| US20030152874A1 (en) | Photoresist stripping composition and process for stripping resist | |
| JP2894717B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH10256211A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPS63114132A (ja) | 表面処理液 | |
| EP0147074A2 (en) | Method of developing a positive photoresist layer, and composition for use therein | |
| JPH0745600A (ja) | 液中異物付着防止溶液とそれを用いたエッチング方法及び装置 | |
| JP3115647B2 (ja) | 現像液及び現像方法 | |
| JP3064060B2 (ja) | 微粒子の含有量の少ない微細加工表面処理剤 | |
| EP0163202B1 (en) | Photoresist stripper and stripping method | |
| KR100190042B1 (ko) | 반도체 기판 세정 용액 | |
| JP3261819B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 |