JPS63114132A - 表面処理液 - Google Patents
表面処理液Info
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- JPS63114132A JPS63114132A JP25855386A JP25855386A JPS63114132A JP S63114132 A JPS63114132 A JP S63114132A JP 25855386 A JP25855386 A JP 25855386A JP 25855386 A JP25855386 A JP 25855386A JP S63114132 A JPS63114132 A JP S63114132A
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- Japan
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- cleaning solution
- etchant
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- quaternary ammonium
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- Pending
Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、４級アンモニウム水酸化物の１種又は２種以
上を含有する半導体基板のエツチング液又は洗浄液に関
する。さらに詳しくいえば、界面張力が小さく、ぬれ性
が極めて良いため洗浄能力にすぐれ、また金属イオンを
含有していないため、半導体基板の洗浄に特にすぐれた
エツチング液又は洗浄液に関する。
上を含有する半導体基板のエツチング液又は洗浄液に関
する。さらに詳しくいえば、界面張力が小さく、ぬれ性
が極めて良いため洗浄能力にすぐれ、また金属イオンを
含有していないため、半導体基板の洗浄に特にすぐれた
エツチング液又は洗浄液に関する。
（従来の技術および問題点）
半導体基板材料は多くの場合単結晶棒を切断してウェハ
状にし、これを研削または研磨して平たん化した形で供
給されるが、この製造過程においては全表面層を速く、
均一に除去し、しかも仕上９面を鏡面にするためにエツ
チング液又は洗浄液が必要となる。
状にし、これを研削または研磨して平たん化した形で供
給されるが、この製造過程においては全表面層を速く、
均一に除去し、しかも仕上９面を鏡面にするためにエツ
チング液又は洗浄液が必要となる。
現在、半導体基板たとえばシリコンの印刷基板の製造工
程においてはその最初の工程として、洗浄液またはエツ
チング液として用いられる酸、アルカリ、混酸は被洗浄
基板との界面張力が大きい為ぬれ性が悪く、洗浄性能が
充分得られなかった。
程においてはその最初の工程として、洗浄液またはエツ
チング液として用いられる酸、アルカリ、混酸は被洗浄
基板との界面張力が大きい為ぬれ性が悪く、洗浄性能が
充分得られなかった。
どれを改善する目的でフッ素系の有機界面活性剤（例え
ばパーフルオロアルキルアミンオキサイド等）を５〜１
００ ｐｐｍ添加して、界面張力を低下させた後用いら
れている。
ばパーフルオロアルキルアミンオキサイド等）を５〜１
００ ｐｐｍ添加して、界面張力を低下させた後用いら
れている。
今日、精密加工品特に半導体基板等電子機器材を生産す
るのにおいて使用される各種薬剤中の微細浮遊塵埃（以
下パーティクルという）は、歩留りに著しい影響を与え
る事が判明しており、薬剤中のｌ？−ティクルを除く目
的で０，２μｍのフィルターを通過させた後、使用して
いる。
るのにおいて使用される各種薬剤中の微細浮遊塵埃（以
下パーティクルという）は、歩留りに著しい影響を与え
る事が判明しており、薬剤中のｌ？−ティクルを除く目
的で０，２μｍのフィルターを通過させた後、使用して
いる。
前述の界面活性剤を、薬剤に添加し使用する場合、当初
は、界面活性剤の効果が発揮されるが、しかし、何度も
使用しているうちに界面活性剤が徐々にフィルターに捕
捉され、最終的には完全に捕捉されるようになり、界面
活性剤無添加の場合と同等となってしまう。また界面活
性剤を添加することによってフィルターの寿命が短かく
なるためフィルターの交換費用およびフ４ルター交換に
よる操業停止ロス等が発生するという問題がある。
は、界面活性剤の効果が発揮されるが、しかし、何度も
使用しているうちに界面活性剤が徐々にフィルターに捕
捉され、最終的には完全に捕捉されるようになり、界面
活性剤無添加の場合と同等となってしまう。また界面活
性剤を添加することによってフィルターの寿命が短かく
なるためフィルターの交換費用およびフ４ルター交換に
よる操業停止ロス等が発生するという問題がある。
（発明の効果）
本発明者らは、テトラメチルアンモニウム水酸化物の水
溶液がポジ型レジスト現像液としてその現像能力はかシ
でなくぬれ性、即ち界面張力の低さが今日の半導体産業
のニーズに合致していることに着目し、本発明に至った
。
溶液がポジ型レジスト現像液としてその現像能力はかシ
でなくぬれ性、即ち界面張力の低さが今日の半導体産業
のニーズに合致していることに着目し、本発明に至った
。
本発明である第４級アンモニウム水酸化物含有の洗浄液
およびエツチング液は被洗浄基板との界面張力が極めて
小さい。すなわちぬれ性が著しくすぐれている。かつ水
溶性化合物であるためそれを用いれば前記フッ素系界面
活性剤のように、フィルターに捕捉される事はない。さ
らに、金属含有アルカリ液と比較し、金属イオンを含ま
ないため半導体基板の洗浄に対して極めて有効な洗浄液
である。
およびエツチング液は被洗浄基板との界面張力が極めて
小さい。すなわちぬれ性が著しくすぐれている。かつ水
溶性化合物であるためそれを用いれば前記フッ素系界面
活性剤のように、フィルターに捕捉される事はない。さ
らに、金属含有アルカリ液と比較し、金属イオンを含ま
ないため半導体基板の洗浄に対して極めて有効な洗浄液
である。
以下実施例によって本発明の詳細な説明する。
〈実施例〉
１、テトラメチルアンモニウム水酸化物水溶液（１，０
、５，０、１０，０ｗｔ％） ２、テトラエチルアンモニウム水酸化物水溶液（１，０
、５，０、１０，Ｏｖｔ％） ３、ヒドロキシエチルト、リメチルアンモニウム水酸化
物水溶液 （１，０、５，０、１０，Ｏｗｔ
チ）４、水酸化カリウム水溶液 （１，０、５，０、１
０，Ｏｗｔ係）５、市販の界面活性剤 （
１００，０ｖｒｔ％）６・純水
（１００，０ｗｔ％）上記の液を、２６℃の条件に
てシリコンウニノー−上に形成されたシリコン酸化膜上
に滴下し、その界面張力を比較した結果を表１に示す。
、５，０、１０，０ｗｔ％） ２、テトラエチルアンモニウム水酸化物水溶液（１，０
、５，０、１０，Ｏｖｔ％） ３、ヒドロキシエチルト、リメチルアンモニウム水酸化
物水溶液 （１，０、５，０、１０，Ｏｗｔ
チ）４、水酸化カリウム水溶液 （１，０、５，０、１
０，Ｏｗｔ係）５、市販の界面活性剤 （
１００，０ｖｒｔ％）６・純水
（１００，０ｗｔ％）上記の液を、２６℃の条件に
てシリコンウニノー−上に形成されたシリコン酸化膜上
に滴下し、その界面張力を比較した結果を表１に示す。
界面張力は第１図に示したように上記液とシリコン酸化
膜の接触仰角を測定しこれを界面張力の表示とした。
膜の接触仰角を測定しこれを界面張力の表示とした。
表 １
第１図は、界面張力の測定法を示す図でちる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿１〜Ｒ＿４は、同一であっても異なっていて
もよく、各々炭素数１〜１０個のアルキル基、炭素数２
〜１０のアルコキシアルキル基、またはアリール基もし
くはヒドロキシアリール基を表わす。）で示される第４
級アンモニウム水酸化物の１種又は２種以上を含有する
混合物を１〜５０ｗｔ％含む半導体基板のエッチング液
または洗浄液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25855386A JPS63114132A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 表面処理液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25855386A JPS63114132A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 表面処理液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114132A true JPS63114132A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17321827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25855386A Pending JPS63114132A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 表面処理液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114132A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327525A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Fujitsu Ltd | エッチング方法 |
| US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
| EP0690483A2 (en) | 1994-06-23 | 1996-01-03 | MALLINCKRODT BAKER, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| US6914039B2 (en) * | 2000-09-08 | 2005-07-05 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching liquid composition |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP25855386A patent/JPS63114132A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0327525A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Fujitsu Ltd | エッチング方法 |
| US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
| EP0690483A2 (en) | 1994-06-23 | 1996-01-03 | MALLINCKRODT BAKER, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| US5498293A (en) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness |
| US6914039B2 (en) * | 2000-09-08 | 2005-07-05 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching liquid composition |
| US7507350B2 (en) | 2000-09-08 | 2009-03-24 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching liquid composition |
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