JPH0684866A - 異物付着防止方法 - Google Patents
異物付着防止方法Info
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- JPH0684866A JPH0684866A JP23684592A JP23684592A JPH0684866A JP H0684866 A JPH0684866 A JP H0684866A JP 23684592 A JP23684592 A JP 23684592A JP 23684592 A JP23684592 A JP 23684592A JP H0684866 A JPH0684866 A JP H0684866A
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- Japan
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- substrate
- foreign matters
- foreign matter
- zeta potential
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハ等の基板の表面に形成される集積
回路の高密度化に伴い、より微小な異物が歩留まり向上
の障害となっている。特にフッ酸水溶液中での付着が問
題となっており、本発明ではフッ酸中での異物付着を防
止する技術の提供を目的とする。 【構成】フッ酸水溶液中で異物や基板のゼータ電位を低
くできる物質、特にアニオン性界面活性剤を臨界ミセル
濃度以下で添加する。 【効果】半導体装置等のエレクトロニクス部品の歩留ま
りを高めることができる。
回路の高密度化に伴い、より微小な異物が歩留まり向上
の障害となっている。特にフッ酸水溶液中での付着が問
題となっており、本発明ではフッ酸中での異物付着を防
止する技術の提供を目的とする。 【構成】フッ酸水溶液中で異物や基板のゼータ電位を低
くできる物質、特にアニオン性界面活性剤を臨界ミセル
濃度以下で添加する。 【効果】半導体装置等のエレクトロニクス部品の歩留ま
りを高めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
等において、半導体ウエハ等半導体基板の表面を清浄に
する洗浄技術に関する。
等において、半導体ウエハ等半導体基板の表面を清浄に
する洗浄技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板の表面に形成され
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、パ
ターンの線幅が微細化してきている。最小加工寸法は１
６ＭＤＲＡＭで０．５μｍ、６４ＭＤＲＡＭで０．３μ
ｍであり、その製造工程において微小な異物が製品の品
質や歩留まりを低下させている。
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、パ
ターンの線幅が微細化してきている。最小加工寸法は１
６ＭＤＲＡＭで０．５μｍ、６４ＭＤＲＡＭで０．３μ
ｍであり、その製造工程において微小な異物が製品の品
質や歩留まりを低下させている。
【０００３】近年のクリーンルーム等の進歩により半導
体集積回路を製造する環境は非常に清浄なものとなって
きているが、プロセスで発塵する異物（微粒子）の数は
まだまだ多く、異物を原因とする製品不良は全不良の半
分以上を占めている。基板表面を洗浄する手段として、
アールシーエーレビュー３１（１９７０年）第１８７頁
から２０６頁〔ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ， ３１ （１９
７０） Ｐ．１８７〜２０６〕で述べられているよう
に、アンモニア水あるいは塩酸等の酸と過酸化水素水の
混合物を８０℃程度に加熱し、これにウエハを浸漬する
方法（ＲＣＡ洗浄）が一般に行なわれている。この方法
は異物除去能力が高いため広く用いられているが、洗浄
後Ｓｉウエハ表面に自然酸化膜が残るため、製造工程に
よってはフッ化水素酸（フッ酸）の水溶液にウエハを浸
漬して自然酸化膜を除去する処理を加えなければならな
い。すなわち集積回路の製造工程の多くでは、ＲＣＡ洗
浄＋フッ酸洗浄という形でウエハの前洗浄を行なってい
る。
体集積回路を製造する環境は非常に清浄なものとなって
きているが、プロセスで発塵する異物（微粒子）の数は
まだまだ多く、異物を原因とする製品不良は全不良の半
分以上を占めている。基板表面を洗浄する手段として、
アールシーエーレビュー３１（１９７０年）第１８７頁
から２０６頁〔ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ， ３１ （１９
７０） Ｐ．１８７〜２０６〕で述べられているよう
に、アンモニア水あるいは塩酸等の酸と過酸化水素水の
混合物を８０℃程度に加熱し、これにウエハを浸漬する
方法（ＲＣＡ洗浄）が一般に行なわれている。この方法
は異物除去能力が高いため広く用いられているが、洗浄
後Ｓｉウエハ表面に自然酸化膜が残るため、製造工程に
よってはフッ化水素酸（フッ酸）の水溶液にウエハを浸
漬して自然酸化膜を除去する処理を加えなければならな
い。すなわち集積回路の製造工程の多くでは、ＲＣＡ洗
浄＋フッ酸洗浄という形でウエハの前洗浄を行なってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フッ酸水溶液中では異
物の付着が起きやすいため、前記ＲＣＡ洗浄によりＳｉ
ウエハ上の付着異物を除去しても、引き続き行なわれる
フッ酸洗浄で再び異物が付着してしまうという現象がし
ばしば見られる。フッ酸洗浄中に付着する異物は、ウエ
ハ裏面に付着していた異物が脱離する等種々の要因でフ
ッ酸水溶液中にもたらされたものである。
物の付着が起きやすいため、前記ＲＣＡ洗浄によりＳｉ
ウエハ上の付着異物を除去しても、引き続き行なわれる
フッ酸洗浄で再び異物が付着してしまうという現象がし
ばしば見られる。フッ酸洗浄中に付着する異物は、ウエ
ハ裏面に付着していた異物が脱離する等種々の要因でフ
ッ酸水溶液中にもたらされたものである。
【０００５】従って、半導体集積回路等の半導体装置を
高い歩留りで製造するためには、フッ酸水溶液中での異
物付着を防止あるいは低減することが不可欠である。
高い歩留りで製造するためには、フッ酸水溶液中での異
物付着を防止あるいは低減することが不可欠である。
【０００６】本発明の目的はフッ酸水溶液中での異物付
着を防止あるいは低減できる技術を提供することであ
る。
着を防止あるいは低減できる技術を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はフッ酸水溶液中
に異物や基板のゼータ電位を制御する物質を添加するこ
とにより、基板への異物付着を防止するものである。特
にアニオン性界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で添加す
ることにより、フッ酸水溶液中での異物付着を低減する
ことができる。
に異物や基板のゼータ電位を制御する物質を添加するこ
とにより、基板への異物付着を防止するものである。特
にアニオン性界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で添加す
ることにより、フッ酸水溶液中での異物付着を低減する
ことができる。
【０００８】
【作用】フッ酸水溶液中で異物付着が起きやすいのは、
異物および基板のゼータ電位の絶対値が小さくなってい
るためであり、特願平１−２１０１８８で述べた異物付
着メカニズムにより説明することができる。ここでゼー
タ電位について簡単に述べる。空気中で帯電していなく
ても、ほとんどの異物あるいは基板は水溶液中で負に帯
電するという性質がある。（ただしアルミナ等正に帯電
しているものも存在する。）この際の異物あるいは基板
の表面電位をゼータ電位と言う。帯電のメカニズム等詳
細については、例えば北原文雄著「分散、乳化系の化
学」（工学図書Ｓ５４年）を参照されたい。
異物および基板のゼータ電位の絶対値が小さくなってい
るためであり、特願平１−２１０１８８で述べた異物付
着メカニズムにより説明することができる。ここでゼー
タ電位について簡単に述べる。空気中で帯電していなく
ても、ほとんどの異物あるいは基板は水溶液中で負に帯
電するという性質がある。（ただしアルミナ等正に帯電
しているものも存在する。）この際の異物あるいは基板
の表面電位をゼータ電位と言う。帯電のメカニズム等詳
細については、例えば北原文雄著「分散、乳化系の化
学」（工学図書Ｓ５４年）を参照されたい。
【０００９】フッ酸水溶液中ではＳｉ粒子、Ｓｉ基板と
もゼータ電位の絶対値は小さくなっており（ゼロに近づ
いており）、このため異物，基板間の静電気反発力が低
下してしまうため、異物が付着しやすくなると考えられ
る。本発明はフッ酸水溶液中にアニオン性界面活性剤を
添加することにより、異物や基板のゼータ電位を低くす
る（絶対値を大きくする）というものである。そのため
に異物，基板間の静電気反発力が増大し異物の付着が防
止あるいは低減されるものと考えられる。
もゼータ電位の絶対値は小さくなっており（ゼロに近づ
いており）、このため異物，基板間の静電気反発力が低
下してしまうため、異物が付着しやすくなると考えられ
る。本発明はフッ酸水溶液中にアニオン性界面活性剤を
添加することにより、異物や基板のゼータ電位を低くす
る（絶対値を大きくする）というものである。そのため
に異物，基板間の静電気反発力が増大し異物の付着が防
止あるいは低減されるものと考えられる。
【００１０】検討に用いたアニオン性界面活性剤を表１
に示す。
に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】アニオン性界面活性剤は疎水部（主として
炭化水素から成る）、親水部（硫酸基，スルホン酸基等
から成る）、対カチオン（ナトリウムイオン，アンモニ
ウムイオン，アミノエタノールイオン等）の３つの要素
からなり、それぞれ異なった組み合わせのものを検討に
用いた。
炭化水素から成る）、親水部（硫酸基，スルホン酸基等
から成る）、対カチオン（ナトリウムイオン，アンモニ
ウムイオン，アミノエタノールイオン等）の３つの要素
からなり、それぞれ異なった組み合わせのものを検討に
用いた。
【００１３】アニオン性界面活性剤を超純水中あるいは
フッ酸水溶液中（ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１:９９）に添加した場
合のＳｉ粒子のゼータ電位変化を表２に示す。
フッ酸水溶液中（ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１:９９）に添加した場
合のＳｉ粒子のゼータ電位変化を表２に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】表２における界面活性剤の種類はそのＮ
ｏ．が表１で示したものに対応する。（以下の表におい
ても同様である。）アニオン性界面活性剤を添加するこ
とによりＳｉ粒子のゼータ電位が低くなることが示され
ている。すなわち特願平１−２１０１８８で述べた異物
付着メカニズムによれば、このようなアニオン性界面活
性剤を添加したフッ酸水溶液中では異物付着が防止ある
いは低減されると考えられる。
ｏ．が表１で示したものに対応する。（以下の表におい
ても同様である。）アニオン性界面活性剤を添加するこ
とによりＳｉ粒子のゼータ電位が低くなることが示され
ている。すなわち特願平１−２１０１８８で述べた異物
付着メカニズムによれば、このようなアニオン性界面活
性剤を添加したフッ酸水溶液中では異物付着が防止ある
いは低減されると考えられる。
【００１６】またアニオン性界面活性剤の添加量を多く
するに従い、ゼータ電位の絶対値は大きくなっていく
が、ある濃度以上の添加で飽和あるいは逆転している。
これはアニオン性界面活性剤をその臨界ミセル濃度（界
面活性剤分子が会合してしまう濃度）以上加えるとＳｉ
粒子に付着する界面活性剤の量が減少してしまうために
起こるものと考えられる。表２ではゼータ電位の添加量
依存性を超純水中でのデータで示しているが、フッ酸中
でもゼータ電位の値自体は異なるが同様の添加量依存性
を示すものと考えられる。
するに従い、ゼータ電位の絶対値は大きくなっていく
が、ある濃度以上の添加で飽和あるいは逆転している。
これはアニオン性界面活性剤をその臨界ミセル濃度（界
面活性剤分子が会合してしまう濃度）以上加えるとＳｉ
粒子に付着する界面活性剤の量が減少してしまうために
起こるものと考えられる。表２ではゼータ電位の添加量
依存性を超純水中でのデータで示しているが、フッ酸中
でもゼータ電位の値自体は異なるが同様の添加量依存性
を示すものと考えられる。
【００１７】アニオン性界面活性剤の添加量について
は、液中のイオン濃度についても考慮しなければならな
い。特願平１−２１０１８８で述べたように液中のイオ
ン濃度が高くなると基板への異物付着が多くなる。従っ
て、アニオン性界面活性剤をフッ酸水溶液のイオン濃度
以上に添加することはできない。なぜなら、異物，基板
のゼータ電位を低くできても、イオン濃度が高くなって
しまうため、異物付着数は逆に増大することが予想され
るためである。通常の半導体製造工程で用いられている
フッ酸の濃度は容積比でＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９やＨ
Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：１９などであり、イオン濃度としては
１０~3モル／ｌ程度である。従って、添加できるアニオ
ン性界面活性剤の濃度は１０~3〜１０~4モル／ｌ程度ま
でであり、明らかに臨界ミセル濃度以下の添加に限られ
る。
は、液中のイオン濃度についても考慮しなければならな
い。特願平１−２１０１８８で述べたように液中のイオ
ン濃度が高くなると基板への異物付着が多くなる。従っ
て、アニオン性界面活性剤をフッ酸水溶液のイオン濃度
以上に添加することはできない。なぜなら、異物，基板
のゼータ電位を低くできても、イオン濃度が高くなって
しまうため、異物付着数は逆に増大することが予想され
るためである。通常の半導体製造工程で用いられている
フッ酸の濃度は容積比でＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９やＨ
Ｆ：Ｈ2Ｏ＝１：１９などであり、イオン濃度としては
１０~3モル／ｌ程度である。従って、添加できるアニオ
ン性界面活性剤の濃度は１０~3〜１０~4モル／ｌ程度ま
でであり、明らかに臨界ミセル濃度以下の添加に限られ
る。
【００１８】ここでは、Ｓｉ粒子のゼータ電位測定値を
示したが、ゼータ電位は粒子径によらず一定であること
が知られており、従ってＳｉウエハのゼータ電位もアニ
オン性界面活性剤を添加することで、低くなっていると
考えられる。また、Ｓｉ粒子以外の粒子についても、表
３に示すようにアニオン性界面活性剤を添加すること
で、ゼータ電位の値を低くすることができる。（超純水
中での測定値。界面活性剤は１０~4モル／ｌ添加。）
示したが、ゼータ電位は粒子径によらず一定であること
が知られており、従ってＳｉウエハのゼータ電位もアニ
オン性界面活性剤を添加することで、低くなっていると
考えられる。また、Ｓｉ粒子以外の粒子についても、表
３に示すようにアニオン性界面活性剤を添加すること
で、ゼータ電位の値を低くすることができる。（超純水
中での測定値。界面活性剤は１０~4モル／ｌ添加。）
【００１９】
【表３】
【００２０】本発明の実施例では表１に示したアニオン
性界面活性剤を用いて検討しているが、表１に示したも
のは親水部、疎水部、対カチオンとしてそれぞれ異なっ
た要素から成っている。従って、それらの組合せが異な
ったものでも、もちろん本発明の効果は期待でき、また
全く新しい構造のアニオン性界面活性剤でも、フッ酸中
で異物，基板のゼータ電位を制御できるものであれば、
本発明は有効である。
性界面活性剤を用いて検討しているが、表１に示したも
のは親水部、疎水部、対カチオンとしてそれぞれ異なっ
た要素から成っている。従って、それらの組合せが異な
ったものでも、もちろん本発明の効果は期待でき、また
全く新しい構造のアニオン性界面活性剤でも、フッ酸中
で異物，基板のゼータ電位を制御できるものであれば、
本発明は有効である。
【００２１】
【実施例】以下本発明の実施例を図を用いて説明する。
【００２２】(実施例１）図１に示すごとく洗浄槽１に
容積比でＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９溶液２（フッ酸は市販
の５０％濃度のものを用いた）を調整した。
容積比でＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９溶液２（フッ酸は市販
の５０％濃度のものを用いた）を調整した。
【００２３】次にアニオン性界面活性剤を所定量添加し
た。用いたアニオン性界面活性剤の添加量を表４に示
す。
た。用いたアニオン性界面活性剤の添加量を表４に示
す。
【００２４】
【表４】
【００２５】付着防止効果を検証するためモデル異物を
用いた。モデル異物としては実際の製造工程でよく見ら
れるＳｉ粒子を用いた。粒径０．５〜１．５μｍのＳｉ
粒子を６×１０8個／ｍ3の濃度で洗浄槽中に分散させ
た。５インチＳｉウエハ３を５，１５，２５分間浸漬し
た後、液中より引き上げ水洗しスピンナにより乾燥さ
せ、異物検査装置を用いて付着異物数を測定した。得ら
れた結果の一例を図２に示す。
用いた。モデル異物としては実際の製造工程でよく見ら
れるＳｉ粒子を用いた。粒径０．５〜１．５μｍのＳｉ
粒子を６×１０8個／ｍ3の濃度で洗浄槽中に分散させ
た。５インチＳｉウエハ３を５，１５，２５分間浸漬し
た後、液中より引き上げ水洗しスピンナにより乾燥さ
せ、異物検査装置を用いて付着異物数を測定した。得ら
れた結果の一例を図２に示す。
【００２６】アニオン性界面活性剤を添加していない比
較例では、浸漬時間とともに異物付着数は直線的に増加
している。アニオン性界面活性剤を添加することにより
付着異物数が著しく減少した。他のアニオン性界面活性
剤についても同様の結果が得られ、結果を表４にまとめ
た。いずれの界面活性剤を用いても異物付着数は１／３
程度となり本発明の効果が実証された。アニオン性界面
活性剤の添加量については、１０~7モル／ｌから１０~3
モル／ｌ程度の添加量において有効であると考えられ
る。Ｎｏ．３以外の界面活性剤についても表２に示した
ゼータ電位の変化より同様であると考えられる。
較例では、浸漬時間とともに異物付着数は直線的に増加
している。アニオン性界面活性剤を添加することにより
付着異物数が著しく減少した。他のアニオン性界面活性
剤についても同様の結果が得られ、結果を表４にまとめ
た。いずれの界面活性剤を用いても異物付着数は１／３
程度となり本発明の効果が実証された。アニオン性界面
活性剤の添加量については、１０~7モル／ｌから１０~3
モル／ｌ程度の添加量において有効であると考えられ
る。Ｎｏ．３以外の界面活性剤についても表２に示した
ゼータ電位の変化より同様であると考えられる。
【００２７】（実施例２）実施例１と同様にアニオン性
界面活性剤を添加したフッ酸水溶液中に浸漬したウエハ
を２−アミノエタノールを１０~5モル／ｌ添加した超純
水中で１分間リンスした後、水洗しスピンナにより乾燥
させ、異物検査装置を用いて付着異物数を測定した。２
−アミノエタノール水溶液でのリンスを加えたのは以下
の理由による。アニオン性界面活性剤を添加したフッ酸
中に浸漬したＳｉウエハはぬれ性が良いために溶液をは
じかず、汚染液がウエハに付着してくる。このため、２
−アミノエタノールを添加していない超純水で水洗をお
こなうと、この汚染液よりの異物がウエハに付着する可
能性がある。しかし、特願平２−２１９７１０で述べた
ように２−アミノエタノールを微量添加することで異物
付着が防止されるため、付着してきた汚染液よりの異物
付着を防止できるものと考えられる。
界面活性剤を添加したフッ酸水溶液中に浸漬したウエハ
を２−アミノエタノールを１０~5モル／ｌ添加した超純
水中で１分間リンスした後、水洗しスピンナにより乾燥
させ、異物検査装置を用いて付着異物数を測定した。２
−アミノエタノール水溶液でのリンスを加えたのは以下
の理由による。アニオン性界面活性剤を添加したフッ酸
中に浸漬したＳｉウエハはぬれ性が良いために溶液をは
じかず、汚染液がウエハに付着してくる。このため、２
−アミノエタノールを添加していない超純水で水洗をお
こなうと、この汚染液よりの異物がウエハに付着する可
能性がある。しかし、特願平２−２１９７１０で述べた
ように２−アミノエタノールを微量添加することで異物
付着が防止されるため、付着してきた汚染液よりの異物
付着を防止できるものと考えられる。
【００２８】得られた結果を表４に示す。２−アミノエ
タノールを添加した超純水中でのリンスを行なわない場
合に比べ、異物付着数は若干の低下を示した。
タノールを添加した超純水中でのリンスを行なわない場
合に比べ、異物付着数は若干の低下を示した。
【００２９】（実施例３）ＲＣＡ洗浄をほどこしたＳｉ
ウエハを用いて実施例１と同様の検討を行なった。得ら
れた結果を表５に示す。
ウエハを用いて実施例１と同様の検討を行なった。得ら
れた結果を表５に示す。
【００３０】
【表５】
【００３１】アニオン性界面活性剤を添加しない比較例
に比べ付着異物数が著しく減少した。従って、本発明は
実際の製造工程で広く用いられているＲＣＡ洗浄＋フッ
酸洗浄の組み合わせでも有効であることが実証された。
に比べ付着異物数が著しく減少した。従って、本発明は
実際の製造工程で広く用いられているＲＣＡ洗浄＋フッ
酸洗浄の組み合わせでも有効であることが実証された。
【００３２】（実施例４）図１に示すごとく洗浄槽１に
ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：１９溶液２を調整しアニオン性界面
活性剤を添加し、実施例１と同様の検討を行なった。表
６に示すように、アニオン性界面活性剤を添加すること
により異物付着数が著しく減少した。
ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：１９溶液２を調整しアニオン性界面
活性剤を添加し、実施例１と同様の検討を行なった。表
６に示すように、アニオン性界面活性剤を添加すること
により異物付着数が著しく減少した。
【００３３】
【表６】
【００３４】（実施例５）実施例２と同様に２−アミノ
エタノールを微量添加した超純水でのリンスを加えた結
果を表６に示す。異物付着数は実施例４に比べ若干の低
下を示した。
エタノールを微量添加した超純水でのリンスを加えた結
果を表６に示す。異物付着数は実施例４に比べ若干の低
下を示した。
【００３５】（実施例６）図２に示すようにＳｉウエハ
３上に熱酸化膜４、レジスト５を形成した後、リソグラ
フィにより孔部６を形成した。
３上に熱酸化膜４、レジスト５を形成した後、リソグラ
フィにより孔部６を形成した。
【００３６】熱酸化膜４をＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：９９にア
ニオン性界面活性剤Ｎｏ．３を１０~4モル／ｌ添加した
溶液でエッチングした。界面活性剤を添加しない比較例
に比べ、均一にエッチングされることがわかった。
ニオン性界面活性剤Ｎｏ．３を１０~4モル／ｌ添加した
溶液でエッチングした。界面活性剤を添加しない比較例
に比べ、均一にエッチングされることがわかった。
【００３７】実施例６では熱酸化膜が均一にエッチング
できるという本発明の別の効果が示された。
できるという本発明の別の効果が示された。
【００３８】（実施例７）本発明を実施するための洗浄
システムの一例を図４に示す。
システムの一例を図４に示す。
【００３９】超純水製造部で製造された超純水と所定量
のフッ酸およびゼータ電位制御物質が洗浄槽にて混合さ
れ、Ｓｉウエハ搬送系から洗浄槽に運ばれるＳｉウエハ
の洗浄に用いられる。
のフッ酸およびゼータ電位制御物質が洗浄槽にて混合さ
れ、Ｓｉウエハ搬送系から洗浄槽に運ばれるＳｉウエハ
の洗浄に用いられる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、フッ酸水溶液中での異
物付着を防止することができるため、半導体装置等のエ
レクトロニクス部品の歩留まりを高めることができ、低
コストで上記製品を製造することができる。
物付着を防止することができるため、半導体装置等のエ
レクトロニクス部品の歩留まりを高めることができ、低
コストで上記製品を製造することができる。
【図１】本発明の実施例を説明する図である。
【図２】本発明の実施例で得られた結果を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例を説明する図である。
【図４】本発明による洗浄システムの一例を示す図であ
る。
る。
１…洗浄槽、２…洗浄液、３…Ｓｉウエハ、４…熱酸化
膜、５…レジスト、６…孔部。
膜、５…レジスト、６…孔部。
フロントページの続き (72)発明者 岡 齊 横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立 製作所生産技術研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】フッ酸水溶液中に存在する微粒子のゼータ
電位（液中における表面電位）を制御できる物質を、該
溶液中に１０~7〜１０~3モル／ｌの範囲の添加量で添加
することを特徴とする異物付着防止方法。 - 【請求項２】請求項１記載のフッ酸水溶液中に存在する
微粒子のゼータ電位を制御できる物質がアニオン性界面
活性剤であることを特徴とする異物付着防止方法。 - 【請求項３】請求項２記載のアニオン性界面活性剤を臨
界ミセル濃度以下の濃度で添加することを特徴とする異
物付着防止方法。 - 【請求項４】Ｓｉウエハ等の基板を浸漬した際、該基板
への異物付着が防止あるいは低減されるようアニオン性
界面活性剤を添加したことを特徴とするフッ酸水溶液。 - 【請求項５】Ｓｉウエハ等の基板を浸漬した際、該基板
への異物付着が防止あるいは低減されるようアニオン性
界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で添加したことを特徴
とするフッ酸水溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23684592A JPH0684866A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 異物付着防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23684592A JPH0684866A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 異物付着防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684866A true JPH0684866A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17006651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23684592A Pending JPH0684866A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 異物付着防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684866A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995020642A1 (fr) * | 1994-01-26 | 1995-08-03 | Daikin Industries, Ltd. | Agent nettoyant et procede de nettoyage |
| WO1997018582A1 (fr) * | 1995-11-15 | 1997-05-22 | Daikin Industries, Ltd. | Solution de nettoyage de plaquettes et son procede de production |
| KR20040036754A (ko) * | 2002-10-24 | 2004-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적기계연마 공정에서의 세정 단계 |
| WO2005052109A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Kishimoto Sangyo Co.,Ltd. | 洗浄剤 |
| KR100644073B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 실리콘 질화막의 세정 방법 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP23684592A patent/JPH0684866A/ja active Pending
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| JP2005154558A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Kishimoto Sangyo Co Ltd | 洗浄剤 |
| US7579307B2 (en) | 2003-11-25 | 2009-08-25 | Kishimoto Sangyo Co., Ltd. | Cleaner for semiconductor devices |
| JP4498726B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-07-07 | Ｋｉｓｃｏ株式会社 | 洗浄剤 |
| KR100644073B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 실리콘 질화막의 세정 방법 |
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