JPH0475339A - 電界洗浄法 - Google Patents
電界洗浄法Info
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- JPH0475339A JPH0475339A JP18870290A JP18870290A JPH0475339A JP H0475339 A JPH0475339 A JP H0475339A JP 18870290 A JP18870290 A JP 18870290A JP 18870290 A JP18870290 A JP 18870290A JP H0475339 A JPH0475339 A JP H0475339A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主として集積回路装置の新らしい洗浄法に関す
る。
る。
洗浄液中にＳｉウェーハを浸漬し、洗浄・エツチング等
を行なうのが通例であった口 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記従来技術によると、８１ウエーノ・表面に
ゴミが付着すると云う課題があった。
を行なうのが通例であった口 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記従来技術によると、８１ウエーノ・表面に
ゴミが付着すると云う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決する新しい洗浄法
を提供する事を目的とする。
を提供する事を目的とする。
上記課題を解決する為に本発明は電界洗浄法に関し、洗
浄液中に被洗浄物を浸漬すると共に、洗浄液に電界を印
加する手段をとる事を基本とする〔従来の技術〕 従来、Ｓｉウェーハに代表される半導体集積回路装置の
製造工程における洗浄法は、主として、弗酸水溶液、塩
酸・過酸化水素水溶液、アンモニア・過酸化水素水溶液
、及び純水等の他有機溶剤〔実施例〕 以下、実施例により本発明を詳述する。
浄液中に被洗浄物を浸漬すると共に、洗浄液に電界を印
加する手段をとる事を基本とする〔従来の技術〕 従来、Ｓｉウェーハに代表される半導体集積回路装置の
製造工程における洗浄法は、主として、弗酸水溶液、塩
酸・過酸化水素水溶液、アンモニア・過酸化水素水溶液
、及び純水等の他有機溶剤〔実施例〕 以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、弗酸水溶液をテフロン容器内に満たし、Ｓｉウェ
ーハを浸漬すると共に、テフロン被覆した金属電極を浸
漬し、該電極に負の電圧を印加すると弗酸水溶液中の正
に帯電したゴミ等の微粒子は、電極側に吸い寄せられ、
８１ウ工−八表面に付着する事はなく、Ｓｉウェーハ表
面の自然酸化膜の除去や洗浄を行なう事ができる。すな
わち、Ｓｉウェーハ表面には弗素原子がターミネイト（
吸着〕シ、より電気陰性度が高くなっているので弗酸水
溶液中で水素原子がターミネイトされて電気陰性度が低
くなって正に帯電しているとみなされる微粒子はクーロ
ン力によりＳｉウニ←ハ表面に付着し易くなっているの
を、Ｓｉウェーハ以舛の負電界側に引き寄せればＳｉウ
ェーハ表面には弗酸水溶液中の微粒子が付着する事はな
い訳である。この様な作用からして、Ｓｉウェーハに対
し電界勾配を持たせれば良い訳で、テフロン容器外から
金属電極により高電圧を印加し、正電極と負電極の間の
正電極に近い位置に８１ウエーノ・を置けば良く、又、
エレクトレット等を溶液中に浸漬したり容器外に被覆さ
せても良い事となる。勿論ＳｉウェーハやＳｉウェーハ
を支持するＳｌや８１０泊具を正又は接地電位にしても
良（、溶液に電極を挿入し、正又は接地電位としても良
い。
ーハを浸漬すると共に、テフロン被覆した金属電極を浸
漬し、該電極に負の電圧を印加すると弗酸水溶液中の正
に帯電したゴミ等の微粒子は、電極側に吸い寄せられ、
８１ウ工−八表面に付着する事はなく、Ｓｉウェーハ表
面の自然酸化膜の除去や洗浄を行なう事ができる。すな
わち、Ｓｉウェーハ表面には弗素原子がターミネイト（
吸着〕シ、より電気陰性度が高くなっているので弗酸水
溶液中で水素原子がターミネイトされて電気陰性度が低
くなって正に帯電しているとみなされる微粒子はクーロ
ン力によりＳｉウニ←ハ表面に付着し易くなっているの
を、Ｓｉウェーハ以舛の負電界側に引き寄せればＳｉウ
ェーハ表面には弗酸水溶液中の微粒子が付着する事はな
い訳である。この様な作用からして、Ｓｉウェーハに対
し電界勾配を持たせれば良い訳で、テフロン容器外から
金属電極により高電圧を印加し、正電極と負電極の間の
正電極に近い位置に８１ウエーノ・を置けば良く、又、
エレクトレット等を溶液中に浸漬したり容器外に被覆さ
せても良い事となる。勿論ＳｉウェーハやＳｉウェーハ
を支持するＳｌや８１０泊具を正又は接地電位にしても
良（、溶液に電極を挿入し、正又は接地電位としても良
い。
又、容器はテフロンに限らず耐薬品性のセラミック容器
やガラス容器等であっても良い。
やガラス容器等であっても良い。
本発明は、被洗浄物表面に弗素原子がターミネイトされ
た場合のみならず他の原子がターミネイトされる場合に
も適用でき、例えば水厳基（−ｏＨ）のターミネイトの
場合にも被洗浄物は弗素原子のターミネイトの場合より
電気陰性度は高くはないが、やはり微粒子は正に帯電さ
れるので被洗浄物の他に負のより高い電界を有する物を
容器の中又は外に設置する必要がある。又、被洗浄物表
面に水素原子がターミネイトされた場合は、被洗浄物表
面は正に帯電する事となり、正に帯電した微粒子は付着
し難い事となるがこの場合負に帯電した微粒子が発生す
る場合が多いので、やはり前述の実施例とは逆の正の電
位をもった電極やエレクトレットを容器内や外に設置す
る必要がある。
た場合のみならず他の原子がターミネイトされる場合に
も適用でき、例えば水厳基（−ｏＨ）のターミネイトの
場合にも被洗浄物は弗素原子のターミネイトの場合より
電気陰性度は高くはないが、やはり微粒子は正に帯電さ
れるので被洗浄物の他に負のより高い電界を有する物を
容器の中又は外に設置する必要がある。又、被洗浄物表
面に水素原子がターミネイトされた場合は、被洗浄物表
面は正に帯電する事となり、正に帯電した微粒子は付着
し難い事となるがこの場合負に帯電した微粒子が発生す
る場合が多いので、やはり前述の実施例とは逆の正の電
位をもった電極やエレクトレットを容器内や外に設置す
る必要がある。
本例はアルカリ性、酸性、中性、あるいは有機溶液等の
溶液による洗浄エツチング等を例にあげたが、最近は蒸
気やガスによる洗浄・エツチングも行なわれる様になり
、これら蒸気やガスによる洗浄・エツチングにも本電界
洗浄法を適用する事ができる。
溶液による洗浄エツチング等を例にあげたが、最近は蒸
気やガスによる洗浄・エツチングも行なわれる様になり
、これら蒸気やガスによる洗浄・エツチングにも本電界
洗浄法を適用する事ができる。
本発明により、半導体ウェーハ等から成る半導体集積回
路装置のエツチング・洗浄時にゴミ等の微粒子等が付着
する事がなくなると云う効果がある。
路装置のエツチング・洗浄時にゴミ等の微粒子等が付着
する事がなくなると云う効果がある。
以上
Claims (1)
- 洗浄液中には被洗浄物が浸漬されると共に、洗浄液に
は電界を印加する事を特徴とする電界洗浄法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18870290A JPH0475339A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 電界洗浄法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18870290A JPH0475339A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 電界洗浄法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475339A true JPH0475339A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16228319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18870290A Pending JPH0475339A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 電界洗浄法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475339A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0567939A2 (en) * | 1992-04-29 | 1993-11-03 | Texas Instruments Incorporated | Method of removing small particles from a surface |
| EP0571950A2 (en) * | 1992-05-29 | 1993-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| US5481325A (en) * | 1993-04-07 | 1996-01-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Mechanism for locking cartridge compartment cover of camera |
| US5695570A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for the photo-stimulated removal of trace metals from a semiconductor surface |
| US5695569A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| JP2001228138A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Kurita Water Ind Ltd | 水質の評価方法と、水質評価用半導体基板の保持容器 |
| JP2011124383A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18870290A patent/JPH0475339A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695570A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for the photo-stimulated removal of trace metals from a semiconductor surface |
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| EP0571950A3 (en) * | 1992-05-29 | 1993-12-15 | Texas Instruments Inc | Removal of metal contamination |
| EP0702400A2 (en) * | 1992-05-29 | 1996-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
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| JP4507336B2 (ja) * | 2000-02-17 | 2010-07-21 | 栗田工業株式会社 | 水質の評価方法と、水質評価用半導体基板の保持容器 |
| JP2011124383A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
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