JP2898848B2 - 誘電体分離基板の製造装置 - Google Patents
誘電体分離基板の製造装置Info
- Publication number
- JP2898848B2 JP2898848B2 JP5166626A JP16662693A JP2898848B2 JP 2898848 B2 JP2898848 B2 JP 2898848B2 JP 5166626 A JP5166626 A JP 5166626A JP 16662693 A JP16662693 A JP 16662693A JP 2898848 B2 JP2898848 B2 JP 2898848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- semiconductor wafer
- etchant
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の誘電体分離素子用Ｖ溝を形成する際に用いられる誘電
体分離基板の製造装置に関し、特に半導体ウェーハを連
続枚葉式でエッチング処理することにより生産性を高め
うる誘電体分離基板の製造装置に関する。
の誘電体分離素子用Ｖ溝を形成する際に用いられる誘電
体分離基板の製造装置に関し、特に半導体ウェーハを連
続枚葉式でエッチング処理することにより生産性を高め
うる誘電体分離基板の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】素子間の絶縁耐圧が数１０Ｖ〜数１００
Ｖ程度の大きな高耐圧の集積回路装置では、集積化する
それぞれの素子を誘電体膜（例えば、酸化シリコン膜）
などの絶縁膜で完全に分離する方法が採用されている。
Ｖ程度の大きな高耐圧の集積回路装置では、集積化する
それぞれの素子を誘電体膜（例えば、酸化シリコン膜）
などの絶縁膜で完全に分離する方法が採用されている。
【０００３】この場合、半導体単結晶ウェーハを加工し
て作成した誘電体分離基板が用いられるが、単結晶の分
離島を形成するためのＶ溝は、単結晶の異方性を利用し
たエッチング処理により形成される。
て作成した誘電体分離基板が用いられるが、単結晶の分
離島を形成するためのＶ溝は、単結晶の異方性を利用し
たエッチング処理により形成される。
【０００４】例えば、図３に示すように、単結晶シリコ
ンウェーハ１の主表面を酸化して全面にＳｉＯ2 膜２を
形成し、ホトリソグラフ法でパターニングしたのち、エ
ッチングなどの方法で所定箇所のＳｉＯ2 膜２を開口す
る。次に、残されたＳｉＯ2膜２をマスクとして、イソ
プロピルアルコールＩＰＡと水酸化カリウムとの混液を
用いて、異方性エッチングによって、この開口部分にＶ
溝（分離溝）３を形成する。
ンウェーハ１の主表面を酸化して全面にＳｉＯ2 膜２を
形成し、ホトリソグラフ法でパターニングしたのち、エ
ッチングなどの方法で所定箇所のＳｉＯ2 膜２を開口す
る。次に、残されたＳｉＯ2膜２をマスクとして、イソ
プロピルアルコールＩＰＡと水酸化カリウムとの混液を
用いて、異方性エッチングによって、この開口部分にＶ
溝（分離溝）３を形成する。
【０００５】シリコン単結晶の結晶構造においては、上
述したエッチャントを用いた場合、ウェーハの主表面と
なる（１００）面に対して５４．７°の角度を有する
（１１１）面のエッチング速度が相対的に遅いため、こ
のエッチング速度の相違を利用して図示するようなＶ溝
３を形成することができる。
述したエッチャントを用いた場合、ウェーハの主表面と
なる（１００）面に対して５４．７°の角度を有する
（１１１）面のエッチング速度が相対的に遅いため、こ
のエッチング速度の相違を利用して図示するようなＶ溝
３を形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のエッ
チング処理は、１枚あるいは複数枚の半導体ウェーハを
ウェーハキャリアなどに収容した状態でエッチング槽内
に所定の時間だけ浸漬する、いわゆるバッチ式の処理方
法が採用されていた。
チング処理は、１枚あるいは複数枚の半導体ウェーハを
ウェーハキャリアなどに収容した状態でエッチング槽内
に所定の時間だけ浸漬する、いわゆるバッチ式の処理方
法が採用されていた。
【０００７】図２は従来より用いられていたエッチング
処理装置を示す断面図であり、エッチング槽１０内には
エッチャント１１が収容されており、また蒸発したＩＰ
Ａを凝縮させて再びエッチング槽１０に戻すためのジム
ロート１２が設けられている。エッチング槽１０の底面
にはエッチャント１１を所定の温度に加温するためのヒ
ータ４と、エッチング槽１０内に投入された攪拌子５を
回転させる磁気回転器６が設けられている。そして、磁
気回転器６で攪拌子５を回転させてエッチャント１１を
攪拌しながら保持台７に載置された半導体ウェーハ８の
エッチング処理が行われる。なお、「９」は液温センサ
である。
処理装置を示す断面図であり、エッチング槽１０内には
エッチャント１１が収容されており、また蒸発したＩＰ
Ａを凝縮させて再びエッチング槽１０に戻すためのジム
ロート１２が設けられている。エッチング槽１０の底面
にはエッチャント１１を所定の温度に加温するためのヒ
ータ４と、エッチング槽１０内に投入された攪拌子５を
回転させる磁気回転器６が設けられている。そして、磁
気回転器６で攪拌子５を回転させてエッチャント１１を
攪拌しながら保持台７に載置された半導体ウェーハ８の
エッチング処理が行われる。なお、「９」は液温センサ
である。
【０００８】しかしながら、半導体ウェーハに形成され
る分離溝のエッチング時間は、エッチング処理の前工程
であるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜窓開
けエッチ処理や、アンモニアと過酸化水素を用いた洗浄
処理および純水を用いたリンス処理、あるいは後工程で
あるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜除去処
理や純水によるリンス処理などに比べ長い時間を要す
る。それゆえに、前後工程の時間的バランスに問題を有
していた。
る分離溝のエッチング時間は、エッチング処理の前工程
であるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜窓開
けエッチ処理や、アンモニアと過酸化水素を用いた洗浄
処理および純水を用いたリンス処理、あるいは後工程で
あるフッ酸やフッ化アンモニウムを用いた酸化膜除去処
理や純水によるリンス処理などに比べ長い時間を要す
る。それゆえに、前後工程の時間的バランスに問題を有
していた。
【０００９】にも拘わらず、エッチング処理をバッチ式
で行うと、前処理工程で処理された枚葉の半導体ウェー
ハを一時的に保留しておく必要があるが、このような保
留は洗浄品質の面から好ましくなかった。また、連続枚
葉式の後処理工程へ半導体ウェーハを引き渡す場合につ
いても、バッチ単位でエッチング処理された半導体ウェ
ーハを枚葉で後処理工程へ搬送する必要が生じ、この場
合も前処理工程と同様に半導体ウェーハを一時的に保留
しておく必要が生じる。また、特開平２−２１９２２８
号公報には、リフトコンベアを用いて基板を枚葉毎に連
続して搬送し、その基板を薬品層に浸漬させる技術が記
載されている。しかしながら、この開示技術は、基板を
垂直方向に吊り下げて薬品層に浸漬させた状態で搬送す
るだけなので、異方性エッチングを行って半導体ウェー
ハに分離用Ｖ溝を形成させるときに要求される薬品槽内
の温度分布の均一さが十分に確保されない。したがっ
て、特開平２−２１９２２８号公報の技術をそのまま用
いては、異方性エッチングの品質が確保できない。
で行うと、前処理工程で処理された枚葉の半導体ウェー
ハを一時的に保留しておく必要があるが、このような保
留は洗浄品質の面から好ましくなかった。また、連続枚
葉式の後処理工程へ半導体ウェーハを引き渡す場合につ
いても、バッチ単位でエッチング処理された半導体ウェ
ーハを枚葉で後処理工程へ搬送する必要が生じ、この場
合も前処理工程と同様に半導体ウェーハを一時的に保留
しておく必要が生じる。また、特開平２−２１９２２８
号公報には、リフトコンベアを用いて基板を枚葉毎に連
続して搬送し、その基板を薬品層に浸漬させる技術が記
載されている。しかしながら、この開示技術は、基板を
垂直方向に吊り下げて薬品層に浸漬させた状態で搬送す
るだけなので、異方性エッチングを行って半導体ウェー
ハに分離用Ｖ溝を形成させるときに要求される薬品槽内
の温度分布の均一さが十分に確保されない。したがっ
て、特開平２−２１９２２８号公報の技術をそのまま用
いては、異方性エッチングの品質が確保できない。
【００１０】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、エッチング処理を連続枚葉
式で行うことにより、エッチング処理工程の前後工程と
の連続性を確保し、半導体ウェーハのエッチング処理品
質と生産性を向上させることを目的とする。さらに本発
明は、半導体ウェーハを異方性エッチングして分離用溝
部を形成させることを目的とする。
鑑みてなされたものであり、エッチング処理を連続枚葉
式で行うことにより、エッチング処理工程の前後工程と
の連続性を確保し、半導体ウェーハのエッチング処理品
質と生産性を向上させることを目的とする。さらに本発
明は、半導体ウェーハを異方性エッチングして分離用溝
部を形成させることを目的とする。
【００１１】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、エッチング処理を連続枚葉
式で行うことにより、エッチング処理工程の前後工程と
の連続性を確保し、半導体ウェーハのエッチング処理品
質と生産性を向上させることを目的とする。
鑑みてなされたものであり、エッチング処理を連続枚葉
式で行うことにより、エッチング処理工程の前後工程と
の連続性を確保し、半導体ウェーハのエッチング処理品
質と生産性を向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の誘電体分離基板の製造装置は、半導体ウェ
ーハの分離用溝部を異方性エッチングによって形成する
誘電体分離基板の製造装置であって、半導体ウェーハ
を、その半導体ウェーハのエッチング面が水平な状態に
なるように保持するウェーハハンガと、前記ウェーハハ
ンガを複数保持し、当該保持された各ウェーハハンガを
それぞれ同一方向に連続して搬送するコンベアと、エッ
チャントが収容され、前記コンベアに保持されたウェー
ハハンガよって搬送される前記半導体ウェーハを当該エ
ッチャント内に順次浸漬させるエッチング槽と、前記エ
ッチング槽内に設けられ、前記半導体ウェーハが前記エ
ッチャントに浸漬しているときに、当該エッチャントを
攪拌する攪拌手段とを有することを特徴としている。
に、本発明の誘電体分離基板の製造装置は、半導体ウェ
ーハの分離用溝部を異方性エッチングによって形成する
誘電体分離基板の製造装置であって、半導体ウェーハ
を、その半導体ウェーハのエッチング面が水平な状態に
なるように保持するウェーハハンガと、前記ウェーハハ
ンガを複数保持し、当該保持された各ウェーハハンガを
それぞれ同一方向に連続して搬送するコンベアと、エッ
チャントが収容され、前記コンベアに保持されたウェー
ハハンガよって搬送される前記半導体ウェーハを当該エ
ッチャント内に順次浸漬させるエッチング槽と、前記エ
ッチング槽内に設けられ、前記半導体ウェーハが前記エ
ッチャントに浸漬しているときに、当該エッチャントを
攪拌する攪拌手段とを有することを特徴としている。
【００１３】このとき、本発明の誘電体分離基板の製造
装置では、前記コンベアは、前記ウェーハハンガに保持
された半導体ウェーハを、前記エッチャント内部で上下
方向に移動させながら通過させるように構成することが
好ましい。
装置では、前記コンベアは、前記ウェーハハンガに保持
された半導体ウェーハを、前記エッチャント内部で上下
方向に移動させながら通過させるように構成することが
好ましい。
【００１４】
【作用】半導体ウェーハにエッチング処理を施す場合、
まずウェーハハンガに半導体ウェーハを枚葉で収容し、
コンベアを用いてウェーハハンガをエッチング槽に対し
て連続的に搬送する。
まずウェーハハンガに半導体ウェーハを枚葉で収容し、
コンベアを用いてウェーハハンガをエッチング槽に対し
て連続的に搬送する。
【００１５】エッチング処理時間が長い場合には搬送速
度を遅くし、逆にエッチング処理時間が短い場合には搬
送速度を速くする。これにより、エッチング処理を連続
枚葉式で行うことができ、前後処理工程に対して半導体
ウェーハを連続して搬送することが可能となる。その結
果、エッチング処理の前後で半導体ウェーハを保留する
必要がなくなり、エッチング処理品質が向上するだけで
なく、生産性の向上も期待できる。
度を遅くし、逆にエッチング処理時間が短い場合には搬
送速度を速くする。これにより、エッチング処理を連続
枚葉式で行うことができ、前後処理工程に対して半導体
ウェーハを連続して搬送することが可能となる。その結
果、エッチング処理の前後で半導体ウェーハを保留する
必要がなくなり、エッチング処理品質が向上するだけで
なく、生産性の向上も期待できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例に係るエッチング処理
装置を示す縦断面図である。
明する。図１は本発明の一実施例に係るエッチング処理
装置を示す縦断面図である。
【００１７】本実施例のエッチング処理装置は、エッチ
ャント１１を収容する船状のエッチング槽１３を有して
おり、石英ガラス、若しくはフッ素系樹脂、若しくはポ
リエチレン、若しくはポリプロピレン、若しくはクリー
ン塩化ビニルにより形成されている。フッ素系樹脂とし
ては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体（ＰＦＡ）などを例示することができる。
ャント１１を収容する船状のエッチング槽１３を有して
おり、石英ガラス、若しくはフッ素系樹脂、若しくはポ
リエチレン、若しくはポリプロピレン、若しくはクリー
ン塩化ビニルにより形成されている。フッ素系樹脂とし
ては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体（ＰＦＡ）などを例示することができる。
【００１８】このエッチング槽１３には、イソプロピル
アルコール（以下、ＩＰＡともいう）の補給管１４と純
水の補給管１５が設けられており、例えば、静電レベル
センサ１７により感知されるＩＰＡリッチ相の幅に応じ
て、ＩＰＡと純水を補充する。また、水酸化カリウムの
補給管１６も設けられており、ｐＨセンサ１８により検
知されたｐＨ値に応じて水酸化カリウムを補給する。ま
た、図示はしないが、エッチング槽１３の周囲には、必
要に応じてエッチャントを所定の温度に保つためのラン
プヒータなどが配備されている。これらの周辺機器は、
本発明のエッチング処理装置には必ずしも必須の要件で
はなく、エッチング条件等に応じて適宜選択すればよ
い。
アルコール（以下、ＩＰＡともいう）の補給管１４と純
水の補給管１５が設けられており、例えば、静電レベル
センサ１７により感知されるＩＰＡリッチ相の幅に応じ
て、ＩＰＡと純水を補充する。また、水酸化カリウムの
補給管１６も設けられており、ｐＨセンサ１８により検
知されたｐＨ値に応じて水酸化カリウムを補給する。ま
た、図示はしないが、エッチング槽１３の周囲には、必
要に応じてエッチャントを所定の温度に保つためのラン
プヒータなどが配備されている。これらの周辺機器は、
本発明のエッチング処理装置には必ずしも必須の要件で
はなく、エッチング条件等に応じて適宜選択すればよ
い。
【００１９】本実施例では、図３に示すように、シリコ
ン単結晶ウェーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するために
行うエッチング処理であることから、本実施例で用いら
れるエッチャント１１は、イソプロピルアルコールが約
１０体積％、水酸化カリウムが約２０体積％、純水が約
７０体積％の混液が用いられる。この混液ではＩＰＡの
比重が０．７８８と小さいので、図１に示すようにエッ
チャント１１の表面にＩＰＡのリッチ相が現れ、底面は
水酸化カリウムのリッチ相となる。
ン単結晶ウェーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するために
行うエッチング処理であることから、本実施例で用いら
れるエッチャント１１は、イソプロピルアルコールが約
１０体積％、水酸化カリウムが約２０体積％、純水が約
７０体積％の混液が用いられる。この混液ではＩＰＡの
比重が０．７８８と小さいので、図１に示すようにエッ
チャント１１の表面にＩＰＡのリッチ相が現れ、底面は
水酸化カリウムのリッチ相となる。
【００２０】本実施例のエッチング槽１３の底面には、
複数の磁気回転器１９が設けられており、エッチング槽
１３内に投入された攪拌子２０に回転方向の磁力を与
え、エッチャントを適切に攪拌する。これら磁気回転器
１９と攪拌子２０の数量については特に制限はない。
複数の磁気回転器１９が設けられており、エッチング槽
１３内に投入された攪拌子２０に回転方向の磁力を与
え、エッチャントを適切に攪拌する。これら磁気回転器
１９と攪拌子２０の数量については特に制限はない。
【００２１】半導体ウェーハを搭載するウェーハハンガ
２１は、連続してコンベア２２により搬送されるように
なっており、例えば一つのウェーハハンガ２１には１枚
の半導体ウェーハがその半導体ウェーハのエッチング面
を水平な状態にしたまま載置される。このウェーハハン
ガ２１を搬送するコンベア２２は、後述する前処理工程
および後処理工程まで連続して敷設されており、コンベ
アレールをアップダウン状に設けることにより、ウェー
ハハンガ２１に搭載された半導体ウェーハは各処理槽に
浸漬されることになる。
２１は、連続してコンベア２２により搬送されるように
なっており、例えば一つのウェーハハンガ２１には１枚
の半導体ウェーハがその半導体ウェーハのエッチング面
を水平な状態にしたまま載置される。このウェーハハン
ガ２１を搬送するコンベア２２は、後述する前処理工程
および後処理工程まで連続して敷設されており、コンベ
アレールをアップダウン状に設けることにより、ウェー
ハハンガ２１に搭載された半導体ウェーハは各処理槽に
浸漬されることになる。
【００２２】なお、本実施例のエッチング処理装置で
は、エッチング槽１３内でもウェーハハンガ２１をアッ
プダウンさせるように構成しているが、これは半導体ウ
ェーハを槽内で移動させることによる攪拌効果を期待す
るものであり、またこれ以外にもエッチング槽１３内に
極力多くの半導体ウェーハを浸漬させるためでもある。
ただし、本発明では、かかるアップダウンの構成は必ず
しも必須ではなく、エッチング槽内を直線状に通過させ
てもよい。
は、エッチング槽１３内でもウェーハハンガ２１をアッ
プダウンさせるように構成しているが、これは半導体ウ
ェーハを槽内で移動させることによる攪拌効果を期待す
るものであり、またこれ以外にもエッチング槽１３内に
極力多くの半導体ウェーハを浸漬させるためでもある。
ただし、本発明では、かかるアップダウンの構成は必ず
しも必須ではなく、エッチング槽内を直線状に通過させ
てもよい。
【００２３】上述したエッチング槽１３の前工程には、
エッチング処理を施す前に半導体ウェーハを洗浄するた
めの前処理工程が設けられており、フッ酸溶液またはフ
ッ酸溶液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフ
ッ酸槽２３と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水
（ＤＩＷ）がオーバーフローする純水槽２４に半導体ウ
ェーハを浸漬するようになっている。
エッチング処理を施す前に半導体ウェーハを洗浄するた
めの前処理工程が設けられており、フッ酸溶液またはフ
ッ酸溶液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフ
ッ酸槽２３と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水
（ＤＩＷ）がオーバーフローする純水槽２４に半導体ウ
ェーハを浸漬するようになっている。
【００２４】また、エッチング処理を施したあとに、半
導体ウェーハの表面のマスク酸化膜を除去するために、
前処理工程と同じように、フッ酸溶液または、フッ酸溶
液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフッ酸槽
２５と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水がオー
バーフローする純水槽２６，２７に半導体ウェーハを浸
漬するようになっている。なお、本発明では、これら前
後処理工程の具体的構成には何ら限定されることはな
い。
導体ウェーハの表面のマスク酸化膜を除去するために、
前処理工程と同じように、フッ酸溶液または、フッ酸溶
液およびフッ化アンモニウム溶液が満たされたフッ酸槽
２５と、イオン交換樹脂を用いて生成された純水がオー
バーフローする純水槽２６，２７に半導体ウェーハを浸
漬するようになっている。なお、本発明では、これら前
後処理工程の具体的構成には何ら限定されることはな
い。
【００２５】さらに、後処理を終えた半導体ウェーハを
乾燥させるために、乾燥機２８が設けられており、この
乾燥は、水滴が付着した半導体ウェーハをＩＰＡ蒸気中
に晒すことにより、水をＩＰＡに置換したのち、これを
蒸発させることよりウェーハ表面を乾燥させるようにな
っている。
乾燥させるために、乾燥機２８が設けられており、この
乾燥は、水滴が付着した半導体ウェーハをＩＰＡ蒸気中
に晒すことにより、水をＩＰＡに置換したのち、これを
蒸発させることよりウェーハ表面を乾燥させるようにな
っている。
【００２６】次に作用を説明する。シリコン単結晶ウェ
ーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するため、ＩＰＡおよび
水酸化カリウムの水溶液（エッチャント）１１を用いて
エッチング処理を施す場合、まずウェーハハンガ２１に
半導体ウェーハを１枚づつ搭載し、コンベア２２を駆動
させてウェーハハンガ２１を前処理槽２３，２４、エッ
チング槽１３、および後処理槽２５，２６，２７に対し
て連続的に搬送する。また、後処理を終えた半導体ウェ
ーハを乾燥機２８に投入し、ＩＰＡ蒸気を用いてウェー
ハの表面を乾燥させる。
ーハに誘電体分離用Ｖ溝を形成するため、ＩＰＡおよび
水酸化カリウムの水溶液（エッチャント）１１を用いて
エッチング処理を施す場合、まずウェーハハンガ２１に
半導体ウェーハを１枚づつ搭載し、コンベア２２を駆動
させてウェーハハンガ２１を前処理槽２３，２４、エッ
チング槽１３、および後処理槽２５，２６，２７に対し
て連続的に搬送する。また、後処理を終えた半導体ウェ
ーハを乾燥機２８に投入し、ＩＰＡ蒸気を用いてウェー
ハの表面を乾燥させる。
【００２７】このように、本実施例のエッチング処理装
置では、エッチング処理を連続枚葉式で行うことがで
き、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続して搬
送することが可能となる。その結果、エッチング処理の
前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、エッ
チング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向上も
期待できる。
置では、エッチング処理を連続枚葉式で行うことがで
き、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続して搬
送することが可能となる。その結果、エッチング処理の
前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、エッ
チング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向上も
期待できる。
【００２８】また、誘電体分離用Ｖ溝の線幅が広くてエ
ッチング処理に長時間を要する場合には、ウェーハハン
ガの搬送速度を遅くし、エッチング槽内の浸漬時間を長
くする。逆に、Ｖ溝の線幅が狭くてエッチング処理時間
が短い場合には、ウェーハハンガの搬送速度を速くして
エッチング槽内の浸漬時間を短くすればよい。
ッチング処理に長時間を要する場合には、ウェーハハン
ガの搬送速度を遅くし、エッチング槽内の浸漬時間を長
くする。逆に、Ｖ溝の線幅が狭くてエッチング処理時間
が短い場合には、ウェーハハンガの搬送速度を速くして
エッチング槽内の浸漬時間を短くすればよい。
【００２９】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施例に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨で
ある。
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上記の実施例に開示された各要素は、本発明の技術
的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨で
ある。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、異方性エッチングによ
り誘電体分離基板を製造するとき、エッチングの品質を
高めつつ、生産性をも高めることができる。 また、本発
明によれば、エッチャントを効果的に攪拌してエッチャ
ントの濃度と温度とを均一にしているので、さらに品質
の高い誘電体分離基板を製造することができる。
り誘電体分離基板を製造するとき、エッチングの品質を
高めつつ、生産性をも高めることができる。 また、本発
明によれば、エッチャントを効果的に攪拌してエッチャ
ントの濃度と温度とを均一にしているので、さらに品質
の高い誘電体分離基板を製造することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の誘電体分離基板の製造装置は、
エッチャントを収容するエッチング槽と、半導体ウェー
ハを枚葉で収容するウェーハハンガと、前記ウェーハハ
ンガを搬送するコンベアとを有し、前記エッチング槽内
に前記半導体ウェーハを連続して浸漬させるように構成
しているので、エッチング処理を連続枚葉式で行うこと
ができ、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続し
て搬送することが可能となる。その結果、エッチング処
理の前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、
エッチング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向
上も期待できる。
エッチャントを収容するエッチング槽と、半導体ウェー
ハを枚葉で収容するウェーハハンガと、前記ウェーハハ
ンガを搬送するコンベアとを有し、前記エッチング槽内
に前記半導体ウェーハを連続して浸漬させるように構成
しているので、エッチング処理を連続枚葉式で行うこと
ができ、前後処理工程に対して半導体ウェーハを連続し
て搬送することが可能となる。その結果、エッチング処
理の前後で半導体ウェーハを保留する必要がなくなり、
エッチング処理品質が向上するだけでなく、生産性の向
上も期待できる。
【図１】本発明の一実施例に係るエッチング処理装置を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図２】従来のエッチング処理装置を示す断面図であ
る。
る。
【図３】誘電体分離基板の構造を説明するための断面図
である。
である。
１１…エッチャント １３…エッチング槽 １９…磁気回転器 ２０…攪拌子 ２１…ウェーハハンガ ２２…コンベア ２３，２４…前処理槽 ２５，２６，２７…後処理槽 ２８…乾燥機
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/306 H01L 21/76 H01L 21/308
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェーハの分離用溝部を異方性エッ
チングによって形成する誘電体分離基板の製造装置であ
って、 半導体ウェーハを、その半導体ウェーハのエッチング面
が水平な状態になるように保持するウェーハハンガと、 前記ウェーハハンガを複数保持し、当該保持された各ウ
ェーハハンガをそれぞれ同一方向に連続して搬送するコ
ンベアと、 エッチャントが収容され、前記コンベアに保持されたウ
ェーハハンガよって搬送される前記半導体ウェーハを当
該エッチャント内に順次浸漬させるエッチング槽と、 前記エッチング槽内に設けられ、前記半導体ウェーハが
前記エッチャントに浸漬しているときに、当該エッチャ
ントを攪拌する攪拌手段と を有する ことを特徴とする誘
電体分離基板の製造装置。 - 【請求項２】前記コンベアは、前記ウェーハハンガに保
持された半導体ウェーハを、前記エッチャント内部で上
下方向に移動させながら通過させることを特徴とする請
求項１に記載の誘電体分離基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5166626A JP2898848B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 誘電体分離基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5166626A JP2898848B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 誘電体分離基板の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722380A JPH0722380A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2898848B2 true JP2898848B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=15834782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5166626A Expired - Lifetime JP2898848B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 誘電体分離基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2898848B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4111105B2 (ja) * | 2003-09-01 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | エッチング装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02219228A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-08-31 | Tsurumi Kogyo Kk | 洗浄装置 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP5166626A patent/JP2898848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722380A (ja) | 1995-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5681398A (en) | Silicone wafer cleaning method | |
| AU721781B2 (en) | Substrate processing method and apparatus and Soi substrate | |
| Kersten et al. | Photolithography on micromachined 3D surfaces using electrodeposited photoresists | |
| JP2007165935A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| JP5037241B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| TWI414018B (zh) | 低介電常數之介電膜的修復方法 | |
| US20210166939A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
| JP2898848B2 (ja) | 誘電体分離基板の製造装置 | |
| WO1997008742A1 (en) | Procedure for drying silicon | |
| JPH0745600A (ja) | 液中異物付着防止溶液とそれを用いたエッチング方法及び装置 | |
| US7806126B1 (en) | Substrate proximity drying using in-situ local heating of substrate and substrate carrier point of contact, and methods, apparatus, and systems for implementing the same | |
| JPH05160101A (ja) | 自動洗浄装置 | |
| US20060144420A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2006324386A (ja) | 薬液処理方法及び、薬液処理装置 | |
| JP4357456B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH11265867A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2005051099A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| WO2001054181A2 (en) | Process and apparatus for cleaning silicon wafers | |
| JP3333664B2 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH09181042A (ja) | ウェット処理装置 | |
| JP3134483B2 (ja) | 半導体基板の液体による処理装置 | |
| CN114830302A (zh) | 蚀刻包括薄表面层的基板以改善所述层的厚度均匀性的方法 | |
| JPH0917762A (ja) | 処理装置 | |
| JPH09312276A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JPH0878370A (ja) | 半導体基板の洗浄装置と洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990223 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080312 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140312 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |