JPH0382029A - 湿式処理装置 - Google Patents
湿式処理装置Info
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- JPH0382029A JPH0382029A JP21897589A JP21897589A JPH0382029A JP H0382029 A JPH0382029 A JP H0382029A JP 21897589 A JP21897589 A JP 21897589A JP 21897589 A JP21897589 A JP 21897589A JP H0382029 A JPH0382029 A JP H0382029A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrates
- substrate
- charged
- washing tank
- electric field
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 15
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板の洗浄等に用いられる湿式処理装置
に関する。
に関する。
従来、この種の湿式処理装置における水洗槽は、その槽
内部に超音波もしくはメガソニックの発振器を有してお
り、この槽内に浸漬させた半導体基板の入ったキャリア
に超音波を照射せしめることにより、半導体基板上に付
着した微粒子を除去させるように構成されていた。
内部に超音波もしくはメガソニックの発振器を有してお
り、この槽内に浸漬させた半導体基板の入ったキャリア
に超音波を照射せしめることにより、半導体基板上に付
着した微粒子を除去させるように構成されていた。
上述した従来の湿式処理装置は、水洗槽内において超音
波もしくはメガソニックのエネルギーを半導体基板に照
射し、基板に付着した微粒子を除去するよう」こ構成さ
れているが、基板表面より離脱した微粒子が、ブラウン
運動等により再度基板表面へ達し、再付着してしまうと
いう欠点がある。
波もしくはメガソニックのエネルギーを半導体基板に照
射し、基板に付着した微粒子を除去するよう」こ構成さ
れているが、基板表面より離脱した微粒子が、ブラウン
運動等により再度基板表面へ達し、再付着してしまうと
いう欠点がある。
上述した従来の湿式処理装置に対し本発明は、その水洗
槽に基板に対し垂直に電界を発生させるための手段を具
備しているため、基板表面に電気的引力にて付着してい
る微粒子を除去でき、かつ−度基板より離脱した微粒子
がブラウン運動により再度基板表面へ達するのを防止し
、再付着を生じさせないという相違点を有する。
槽に基板に対し垂直に電界を発生させるための手段を具
備しているため、基板表面に電気的引力にて付着してい
る微粒子を除去でき、かつ−度基板より離脱した微粒子
がブラウン運動により再度基板表面へ達するのを防止し
、再付着を生じさせないという相違点を有する。
本発明の湿式処理装置は、水洗槽中に半導体基板を浸漬
させ半導体基板表面の不純物を除去する湿式処理装置に
おいて、前記半導体基板に電界をかけるための手段を設
けたものである。
させ半導体基板表面の不純物を除去する湿式処理装置に
おいて、前記半導体基板に電界をかけるための手段を設
けたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の正面方向
断面図及び側面方向断面図である。
断面図及び側面方向断面図である。
半導体基板ｌはキャリア２に装填された後、純水の入っ
た水洗槽１３にセットされる。その後帯電物挿入コン）
ｐ−ラ１０が作動し、押し上げシリンダ−５内部のエア
ーをエアー配管１２を介して抜き去ることにより、引き
上げアーム４に固定された二枚の帯電板６，７は水洗槽
１３内の半導体基板１０両サイドに平行に挿入される０
次に帯電コントローラ９が作動し導線８を経て、二枚の
帯電板６，７に興符の電圧を印加する。これにより半導
体基板１の処理表面は帯電板６，７と興符の電荷にて帯
電され、半導体基板面に垂直に電界が発生する。又、同
時にメガンニツク発振器３より超音波が半導体基板１に
放射される。
た水洗槽１３にセットされる。その後帯電物挿入コン）
ｐ−ラ１０が作動し、押し上げシリンダ−５内部のエア
ーをエアー配管１２を介して抜き去ることにより、引き
上げアーム４に固定された二枚の帯電板６，７は水洗槽
１３内の半導体基板１０両サイドに平行に挿入される０
次に帯電コントローラ９が作動し導線８を経て、二枚の
帯電板６，７に興符の電圧を印加する。これにより半導
体基板１の処理表面は帯電板６，７と興符の電荷にて帯
電され、半導体基板面に垂直に電界が発生する。又、同
時にメガンニツク発振器３より超音波が半導体基板１に
放射される。
一般に微粒子は、電気的引力及び分子間力により半導体
基板１の表面へ付着しており、純水中の微粒子の大多数
は負に帯電している。上記の方法により半導体基板ｌの
表面を負に帯電せしめることにより、その表面と微粒子
間には反発力が働き、又メガソニックの放射によるエネ
ルギーも加わって電気的引力２分子間力によって付着し
た微粒子は除去される。
基板１の表面へ付着しており、純水中の微粒子の大多数
は負に帯電している。上記の方法により半導体基板ｌの
表面を負に帯電せしめることにより、その表面と微粒子
間には反発力が働き、又メガソニックの放射によるエネ
ルギーも加わって電気的引力２分子間力によって付着し
た微粒子は除去される。
更に、半導体基板１０表面より一度離脱した粒子は、ブ
ラウン運動にて再度この表面へ達し付着しようとするが
、この表面に対して垂直に生じる電界により微粒子は表
面より離れる方向へ移動し、再付着は防止される。
ラウン運動にて再度この表面へ達し付着しようとするが
、この表面に対して垂直に生じる電界により微粒子は表
面より離れる方向へ移動し、再付着は防止される。
尚、この処理中は、純水配管１４より純水が水洗槽１３
へ絶えず供給されており、水洗槽１３の上端よりオーバ
ーフローシテイル。
へ絶えず供給されており、水洗槽１３の上端よりオーバ
ーフローシテイル。
微粒子除去後、装置本体に取り付けられたキャリアセッ
トアーム１５により、キャリア２は水洗槽より取り出さ
れるが、このとき帯電挿入コントローラーｌＯが作動し
、押し上げシリンダ５にエアーを入れることにより半導
体基板１間の電界を崩すことなく同速度にて帯電板６，
７も引き上げられる。
トアーム１５により、キャリア２は水洗槽より取り出さ
れるが、このとき帯電挿入コントローラーｌＯが作動し
、押し上げシリンダ５にエアーを入れることにより半導
体基板１間の電界を崩すことなく同速度にて帯電板６，
７も引き上げられる。
以上説明したように本発明は、半導体基板に対して垂直
に電界をかける手段を水洗槽に具備せしめたことにより
、電気的引力により半導体基板表面に付着した微粒子を
除去でき、かつ、ブラウン運動により基板表面へ微粒子
が泳動することを防止できる効果がある。
に電界をかける手段を水洗槽に具備せしめたことにより
、電気的引力により半導体基板表面に付着した微粒子を
除去でき、かつ、ブラウン運動により基板表面へ微粒子
が泳動することを防止できる効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の正面方向
の断面図及び側面方向の断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・キャリア、
３・・・・・・メガンニツク発振器、４・・・・・・引
き上げアーム、５・・・・・・押し上げシリンダ、６，
７・・・・・・帯電板、８・・・・・・導線、９・・・
・・・帯電コントローラー １０・・・・・・帯電物挿
入コントローラー １１．．１２・・・・・・エアー配
管、１３・・・・・・水洗槽、１４・・・・・・純水配
管、１５・・・・・・キャリアセットアーム。
の断面図及び側面方向の断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・キャリア、
３・・・・・・メガンニツク発振器、４・・・・・・引
き上げアーム、５・・・・・・押し上げシリンダ、６，
７・・・・・・帯電板、８・・・・・・導線、９・・・
・・・帯電コントローラー １０・・・・・・帯電物挿
入コントローラー １１．．１２・・・・・・エアー配
管、１３・・・・・・水洗槽、１４・・・・・・純水配
管、１５・・・・・・キャリアセットアーム。
Claims (1)
- 水洗槽中に半導体基板を浸漬させ半導体基板表面の不純
物を除去する湿式処理装置において、前記半導体基板に
電界をかけるための手段を設けたことを特徴とする湿式
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21897589A JPH0382029A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 湿式処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21897589A JPH0382029A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 湿式処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382029A true JPH0382029A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16728298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21897589A Pending JPH0382029A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 湿式処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382029A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702400A2 (en) * | 1992-05-29 | 1996-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| US5695569A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| US5695570A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for the photo-stimulated removal of trace metals from a semiconductor surface |
| WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21897589A patent/JPH0382029A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695569A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| US5695570A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for the photo-stimulated removal of trace metals from a semiconductor surface |
| EP0702400A2 (en) * | 1992-05-29 | 1996-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| EP0702400A3 (en) * | 1992-05-29 | 1996-05-15 | Texas Instruments Inc | Removal of metallic contaminants |
| WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
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