KR940016542A - 전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정중 웨이퍼 현상(DEVELOPING)후 세척(RINSE)단계에 있어서, 현상 트랙 시스템 스핀 유니트에 현상액이 튀지 않게 하기 위해 설치한 캐치컵내에 수많은 미립자들이 웨이퍼를 감싸고 있고, 상기의 미립자들중 캐치컵내에서 종래의 흡입에 의한 방법으로 제거되지 않은 미립자들을 캐치컵내에 전기장을 형성시켜 웨이퍼 중심에서 바깥쪽으로 이동시켜 제거하고 일부는 전극 플레이트에 직접 접착되게하여 제거하는 전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거 방법이다.

Description

전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거 방법을 도시한 개략도.

Claims (2)

  1. 반도체 제조 공정중 웨이퍼 오염 미립자의 제거 방법에 있어서, 캐치컵(3)내 벽면근처에 (+)극과 (-)극의 전극 플레이트(6, 5)를 웨이퍼를 중심으로 마주 대향하도록 각각 설치하고, 상기 각각의 전극 플레이트에 전원을 연결하여 형성되는 전기장을 이용해 미립자(2)들을 제거하는 전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거방법.
  2. 제 1 항에 있어서, (-)전극 플레이트로 Zn을 사용하고, (+)전극 플레이트로 Cu를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920027044A 1992-12-31 1992-12-31 전기장을 이용한 웨이퍼 오염 미립자 제거방법 KR960010337B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990047949A (ko) * 1997-12-06 1999-07-05 윤종용 반도체 세정 공정에서 메탈 파티클 제거 방법 및 그 방법이 적용된 습식 세정 장치
KR100614659B1 (ko) * 2005-04-22 2006-08-22 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100800964B1 (ko) * 2002-12-16 2008-02-05 동부일렉트로닉스 주식회사 감광막 현상 장치

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