JPH0336809A - 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法 - Google Patents

弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法

Info

Publication number
JPH0336809A
JPH0336809A JP17261589A JP17261589A JPH0336809A JP H0336809 A JPH0336809 A JP H0336809A JP 17261589 A JP17261589 A JP 17261589A JP 17261589 A JP17261589 A JP 17261589A JP H0336809 A JPH0336809 A JP H0336809A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rinsing
wafer
cleaning
acidic solution
acoustic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17261589A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Kondo
近藤 健雄
Kenji Einaga
永長 健治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP17261589A priority Critical patent/JPH0336809A/ja
Publication of JPH0336809A publication Critical patent/JPH0336809A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は弾性表面波素子用のウェハの洗浄方法に関する
ものである。
(ロ)従来の技術 弾性表面波素子の製造工程を簡単に説明する。
L i T a 03. L i N b 03等の圧
電性単結晶ウェハの表面を鏡面に研摩すると共に裏面を
粗面化する。次に、ウェハを洗浄した後、ウェハ表面に
所定厚のAt)Illを蒸着等により形成する。このA
g膜上にレジストを塗布し、所定パターンのフォトマス
クにより転写パターンを紫外線露光する。
その後、現像を行い、所定電極パターン上を除きレジス
トを除去する。そして、エツチングにより所定パターン
の電極が形成され、レジスト剥離を行う。このようにし
てウェハ上に多数の弾性表面波素子が形成される。
以上の製造工程において、ウェハの洗浄は歩留りに及ぼ
す影響が大きい。すなわち、ウェハの洗浄が十分でなけ
れば電極間の短絡、容量不良、電極の部分的欠陥等の電
極パターン不良が生じ、歩留りが低下する。
ウェハ加工工程において、ウェハ主面には研摩剤および
ワックスが付着している。このような油脂成分を除去す
るため、界面活性剤を含むアルカリ性溶液にて超音波洗
浄を行う。
一方、L i T a O3、L i N b O3等
の圧電性単結晶ウェハは焦電性を有するので、電気的引
力により、ゴミ、ウェハのカケラ等がウェハ主面に吸着
し、汚れの原因となる。この焦電気を除去するために、
ウェハを電解質溶液に侵せきする方法が特開昭60−5
9808号公報(HO3)(3/08)に開示されてい
る。
しかしながら、界面活性剤を含むアルカリ性溶液を用い
て超音波洗浄を行ったが、油脂成分の除去については効
果はあるが、焦電気の除去には十分な効果は得られなか
った。
また、界面活性剤を含むアルカリ性溶液による洗浄の後
、ウェハに吸着したアルカリ剤の除去のため、多量の水
洗を必要とする。
(ハ) 発明が解決しようとする課題 本発明は上述の問題に鑑み、ウェハ表面の油脂成分等の
汚れを除去すると共に焦電気を除去し、それによるゴミ
、ウェハのカケラ等のウェハ表面への付着が防がれ、か
つ洗浄後の水洗が少量で済み、歩留りよく弾性表面波素
子が得られる弾性表面波素子用ウニへの洗浄方法を提供
することを目的とするものである。
(ニ)課題を解決するための手段 本発明は弾性表面波素子用ウェハの洗浄方法であり、弾
性表面波素子用ウェハを界面活性剤を含むアルカリ性溶
液にて洗浄した後、酸性溶液にて洗浄することを特徴と
するものである。
(ホ) 作用 界面活性剤を含むアルカリ性溶液による洗浄により、油
脂成分が除去される。その後、酸性溶液による洗浄によ
り、焦電気が除去されると共に、ウェハ表面に付着した
アルカリ剤が中和される。
(へ)実施例 本発明の一実施例を以下に説明する。
まず、表面を鏡面研摩すると共に裏面を粗面化したLi
Ta0>、Li Nboi等の圧電性単結晶ウェハを界
面活性剤を含むアルカリ性溶液を用いて超音波洗浄を行
う。次に、リン酸、酢酸、硝酸をこの順に、体質比率で
16:3:1の割合で混合した混合液を、純水で1〜1
0%に希釈し、50′Cに加温した酸性溶液に侵し、5
秒間に1回の割合での揺動による洗浄を行う。このとき
の洗浄時間は5〜15分間である。その後、水洗を行う
以上のように洗浄した後、顕微鏡にてウェハ表面をI!
!察し、付着しているゴミの個数を計測した。その結果
を図面に示す(図中・)。同図において、横軸は酸性溶
液の濃度、縦軸はゴミの付着個数である。なお図中ムは
界面活性剤を含むアルカリ性溶液による洗浄のみで、酸
性溶液による洗浄を行わなかった場合である。
図面から明らかな如く、濃度が増すにつれてゴミの個数
は減少している。濃度が10%の場合、酸性溶液による
洗浄を行わなかった場合と比べて約115の量まで減少
している。
また、図面かられかるように酸性溶液は濃度が5〜10
%で良好な洗浄力(焦電気除去)を有する。
また、酸性溶液により、アルカリ溶液による洗浄時にウ
ェハに付着したアルカリ成分が中和されるので、酸性溶
液による洗浄後の水洗に要する時間および水量は、酸性
溶液による洗浄を行わない場合に比べて171O以下で
済む。
(ト)発明の詳細 な説明したように、本発明による洗浄方法によると、界
面活性剤を含むアルカリ性溶液による洗浄により、油脂
成分等が除去され、その後の酸性溶液による洗浄により
焦電気が除去されると共にウェハ表面に付着したアルカ
リ剤が中和されるので、良好な洗浄が行えるため、歩留
りが向上し、かつ水洗時間を大幅に削減できる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明による一実施例における酸性溶液の濃度に
対するゴミの付着量を示す図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)弾性表面波素子用ウエハを界面活性剤を含むアル
    カリ性溶液にて洗浄した後、酸性溶液にて洗浄すること
    を特徴とする弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法。
JP17261589A 1989-07-03 1989-07-03 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法 Pending JPH0336809A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17261589A JPH0336809A (ja) 1989-07-03 1989-07-03 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17261589A JPH0336809A (ja) 1989-07-03 1989-07-03 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0336809A true JPH0336809A (ja) 1991-02-18

Family

ID=15945162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17261589A Pending JPH0336809A (ja) 1989-07-03 1989-07-03 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0336809A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
JP2009189036A (ja) * 2009-04-02 2009-08-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 弾性表面波フィルタの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6277203B1 (en) 1998-09-29 2001-08-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
US6319330B1 (en) 1998-09-29 2001-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
JP2009189036A (ja) * 2009-04-02 2009-08-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 弾性表面波フィルタの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6274059B1 (en) Method to remove metals in a scrubber
KR100471704B1 (ko) 기판의세정방법
US5837662A (en) Post-lapping cleaning process for silicon wafers
JP4484980B2 (ja) フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液
KR100437429B1 (ko) 전자재료용 세정수 및 전자재료의 세정방법
US20030121528A1 (en) Brushless multipass silicon wafer cleaning process for post chemical mechanical polishing using immersion
US6100198A (en) Post-planarization, pre-oxide removal ozone treatment
JP4482844B2 (ja) ウェハの洗浄方法
JPH10256211A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JPH0336809A (ja) 弾性表面波素子用ウエハの洗浄方法
JPS6072233A (ja) 半導体ウエ−ハの洗浄装置
JP2573418B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2001070898A (ja) 精密基板の洗浄液及び洗浄方法
JP2001217215A (ja) 半導体基板の表面処理用組成物および表面処理方法
JP2002100599A (ja) シリコンウェーハの枚葉洗浄方法
JP3879827B2 (ja) フォトマスクブランクスの製造方法
JP3337895B2 (ja) 半導体基板洗浄方法
JPH01278310A (ja) 半導体ウェハーのダイシング方法
JPH056884A (ja) シリコンウエハーの洗浄方法
JPH0684866A (ja) 異物付着防止方法
JP2000049132A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JPH11138113A (ja) 微粒子の除去方法
JPH05259144A (ja) 基板洗浄方法
JPH07153728A (ja) 温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法
JPH05343380A (ja) 半導体基板の洗浄方法