JPH01278310A - 半導体ウェハーのダイシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハーのダイシング方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体ウェハーのダイシング方法では、
空気中で半導体素子形成面よりダイシングを行なってい
た。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のダイシング方法では、空気中で素子形成
面より半導体ウェハーのダイシングを行なっているため
に、ダイシング時に発生する微粒子が素子形成面上に付
着する。付着した微粒子は一度乾燥すると半導体ウェハ
ー上から容易には除去されなくなる。

この付着した微粒子は、半導体素子の特性を劣化させた
り、歩留りの低下や品質の低下を招いたりする。特にＣ
ＯＤ等の撮像素子においては、付着した微粒子が画像上
の欠陥の原因となったりする。

グイシング工程は配線が形成された後の工程であり、付
着した微粒子を除去する方法として、例えば過酸化水素
を含むアルカリ溶液（例えばアンモニア溶液）のような
洗浄液に浸漬処理を行なうことによって微粒子を除去す
るような方法は採用できない。従って、ダイシング工程
で付着した微粒子は、除去されることなく、後工程であ
る組立工程に持ち込まれ、半導体素子の歩留り低下を引
き起こす。

また、従来のダイシング方法ではダイシング時に純水を
吹き付けているが、この場合微粒子は一部は純水ととも
に流れるが、一部は純水とともに巻き上げられ、ウェハ
ー表面に再付着する。

ダイシング中の微粒子の半導体ウェハー表面への付着を
防止するために、表面に保護膜を付けてからダイシング
をする方法もあるが、この場合１、工程数が増加すると
いった問題点もある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体ウェノ・−のダイシング方法は、半導体
ウェハーを純水中に浸漬し、水平方向に保持して半導体
ウェハーをダイシングするか、半導体ウェハー表面に対
して平行は方向に純水を流しながら半導体ウェハーをダ
イシングするか又はこれらに超音波を併用して半導体ウ
ェハーをダイシングするかしている。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すもので、半導体ウェハ
ーのダイシング方法の概念図である。

ローダ−から送られてきた半導体ウェノ）−１は、ウェ
ハー・チャック位置で、ウェハー・チャック２によって
吸着される。吸着された半導体ウェハーは、処理槽３内
の純水４中に浸漬され、保持される。

この浸漬された半導体ウェハー１に対して、ダイシング
・ソー５によってダイシングが行なわれる。このとき、
純水の流れる方向６が半導体ウェハー表面７と平行な方
向となるように純水を流す。

こうすることによって、ダイシングの際に発生する微粒
子は、純水の流れに乗り、直ちに半導体ウェハー表面か
ら遊離し、半導体ウェノ・−表面に付着することがない
。

ダイシングを行なう際に超音波を併用すれば微粒子の除
去効果をさらに高めることができる。この場合、処理槽
３の側面に取り付けられた超音波発振板８から超音波が
加えられる。この超音波出力は、超音波発振器９より超
音波発振板８に与えられる。半導体ウェハー表面の微粒
子は、超音波周波数が１００ＫＨｚ程度まではキャビテ
ーション効果によって、また数１００ＫＨｚ程度以上で
は、いわゆる「くさび効果」によって半導体ウェハー表
面より遊離する。

ダイシング終了後の半導体ウェハーは純水中から出され
、収納カセットに収納された後乾燥される。

第２図は、本発明および従来法を用いた場合の、半導体
ウェハー表面上に付着した微粒子数の測・定結果を示す
。

ダイシングを行なった半導体ウェハー表面の微粒子数を
光学顕微鏡によって、暗視野下で観察した。ウェハー面
内１００点につき観察を行ない、観察された輝点り数を
単位面積当たりの微粒子数に換算した。

従来法を用いた場合、微粒子数は約４０００個／Ｃ１＋
！であったのに対して、本発明を用いた場合、微粒子数
は１０個／ｄ以下となっており、２桁以上減少している
。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の半導体ウェハーのダイシ
ング方法は、半導体ウェハーを純水中に浸漬し、この半
導体ウェハー表面に対して平行な方向に純水を流すと同
時に、超音波を併用しながらダイシングを行なう事によ
って、ウェハー表面への微粒子の付着を防止し、高品質
、高歩留りの半導体装置を製造することができる。

また、従来のようにダイシング時に水を吹き付ける場合
と比較して、純水とともに巻き上げられた微粒子が半導
体ウェハーに再付着することもなく、また表面に保護膜
を形成するための工程を追加することもなく、清浄な状
態でダイシングを行なうことができるという効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体ウェハーのダイ
シング方法の概念断面図、第２図は本発明および従来法
を用いた場合の、半導体ウェハー表面上に付着した微粒
子数の測定結果を示すグラフである。 ■・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・ウェハ
ー・チャック、３・・・・・・処理槽、４・・・・・・
純水、５・・・・・・ダイシング・ソー、６・・・・・
・純水が流れる方向、７・・・・・・半導体ウェハー表
面、８・・・・・・超音波発振板、９・・・・・・超音
波発振器。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハーを水中に浸漬し、ダイシングを行な
   う半導体ウェハーのダイシング方法。 ２、半導体ウェハーを水中において水平に保持し、半導
   体ウェハー表面に対して平行な方向に、水を流すことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハー
   のダイシング方法。 ３、ダイシングを行なう時に超音波を併用して与えるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェ
   ハーのダイシング方法。