JPH0482219A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH0482219A JPH0482219A JP19826490A JP19826490A JPH0482219A JP H0482219 A JPH0482219 A JP H0482219A JP 19826490 A JP19826490 A JP 19826490A JP 19826490 A JP19826490 A JP 19826490A JP H0482219 A JPH0482219 A JP H0482219A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は基板の洗浄装置に関するものである。
第３図は従来の洗浄装置を示す模式断面図、第４図は第
３図に示す８ｉ基板の正面図である。図において、（１
）は処理槽、（２）Ｆｉ処理液、（８）はＳｉ基板（以
下基板という）、（４６）はバスケラ）、（４ｈ）はバ
スケット下部、（６）は超音波振動子、（６；は超音波
電源、（テ）は８１基板（８）上に付着した残留異物で
ある。
３図に示す８ｉ基板の正面図である。図において、（１
）は処理槽、（２）Ｆｉ処理液、（８）はＳｉ基板（以
下基板という）、（４６）はバスケラ）、（４ｈ）はバ
スケット下部、（６）は超音波振動子、（６；は超音波
電源、（テ）は８１基板（８）上に付着した残留異物で
ある。
次に動作について説明する。処理槽（１）内の処理液（
２）の内に基板（８）が、バスケット（４ａ）内に収納
された後、浸漬され洗浄処理が行なわれる。拡散前洗浄
は、拡散又は酸化処理前の基板（８）を清浄にする之め
半導体製造の為の基本的な処理であり、かつ重要工程で
もある。処理液（２）としては、退散１ヒ水素（ＨｔＯ
２）と硫酸（ＨｚＳＯａ ）の混液や）＋２０２と塩化
水Ｘ （ＥＣ／ ）の混液、およびＥ２０２とアンモニ
ア（ＮＨ４０Ｂ ）の混液等がよく使用嘔れている。
２）の内に基板（８）が、バスケット（４ａ）内に収納
された後、浸漬され洗浄処理が行なわれる。拡散前洗浄
は、拡散又は酸化処理前の基板（８）を清浄にする之め
半導体製造の為の基本的な処理であり、かつ重要工程で
もある。処理液（２）としては、退散１ヒ水素（ＨｔＯ
２）と硫酸（ＨｚＳＯａ ）の混液や）＋２０２と塩化
水Ｘ （ＥＣ／ ）の混液、およびＥ２０２とアンモニ
ア（ＮＨ４０Ｂ ）の混液等がよく使用嘔れている。
多くの場合、短時間で洗浄効果を高める為に、超音波振
動子（５）を処理槽（１）の底部に置き、超音波電源・
６１により超音波振動子（６ｊから超音波を処理液（２
）に導入し、洗浄効果を促進する。使用される超音波の
周波数としては、通常数十ＫＨｚ〜数百ＫＨｚが多用て
れる。ところが、超音波振動子（５）が基板（３）のＦ
方にある為、バスケット下部（４シ）において超音波の
振動が吸収さ２１、基板（８）上の異物が、処理前に基
板（８）全面に存在した場合、処理後は第４図に示すご
とく残留異物（７１が基板（８）上に残る。
動子（５）を処理槽（１）の底部に置き、超音波電源・
６１により超音波振動子（６ｊから超音波を処理液（２
）に導入し、洗浄効果を促進する。使用される超音波の
周波数としては、通常数十ＫＨｚ〜数百ＫＨｚが多用て
れる。ところが、超音波振動子（５）が基板（３）のＦ
方にある為、バスケット下部（４シ）において超音波の
振動が吸収さ２１、基板（８）上の異物が、処理前に基
板（８）全面に存在した場合、処理後は第４図に示すご
とく残留異物（７１が基板（８）上に残る。
従来の洗浄装置は以上のように構成されているので、基
板上に付着した微少（サブミクロン以上のもの）は残留
異物が基板上に局部的に残留し、洗浄処理後に行なわれ
る拡散及び酸化膜形成時に、異常生長や、ピンホール、
等の局部欠陥等の原因となり、最終的に得られる半導体
装置の歩留を低下させるという問題点があった。
板上に付着した微少（サブミクロン以上のもの）は残留
異物が基板上に局部的に残留し、洗浄処理後に行なわれ
る拡散及び酸化膜形成時に、異常生長や、ピンホール、
等の局部欠陥等の原因となり、最終的に得られる半導体
装置の歩留を低下させるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、基板の全面にわたり均一に存在する微少な残
留異物を除去しうる洗浄装置を得ることを目的とする。
たもので、基板の全面にわたり均一に存在する微少な残
留異物を除去しうる洗浄装置を得ることを目的とする。
この発明に係る洗浄装置は、超音波源を処理すべき基板
の上方に設置するようにしたものである。
の上方に設置するようにしたものである。
この発明における洗浄装置は、基板より上方に載置され
次超音波源により発生した超音波により基板全面の異物
が均一に除去される。
次超音波源により発生した超音波により基板全面の異物
が均一に除去される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は洗浄装置の模式断面図である。図において（１）
〜（８１＋ （，４ａ） 、（４ｂ） 、 ＋５！ Ｉ
（６’ｌは第３図の従来例Ｖ′こ示したものと同等で
あるので説明を省略する。（８ａ）、（８ｂ）は超音波
振動子（５）を載置するための受は板、（９）は受は板
（ワ）と超音波振動子（５１をつなぐリング機構である
。超音波振動子（５）は図に示すＡの位置に立てること
ができる。
図は洗浄装置の模式断面図である。図において（１）
〜（８１＋ （，４ａ） 、（４ｂ） 、 ＋５！ Ｉ
（６’ｌは第３図の従来例Ｖ′こ示したものと同等で
あるので説明を省略する。（８ａ）、（８ｂ）は超音波
振動子（５）を載置するための受は板、（９）は受は板
（ワ）と超音波振動子（５１をつなぐリング機構である
。超音波振動子（５）は図に示すＡの位置に立てること
ができる。
第２図はこの発明の他の実施例による洗浄装置の模式断
面図である。図において（１）〜（８） 、 （４ａ）
。
面図である。図において（１）〜（８） 、 （４ａ）
。
＋５！ 、 （６’ｌは第１図に示したものと同等であ
る。（１ｚ。
る。（１ｚ。
（１３１はシリンダーである。バスケラ） （４ａ）は
図に示すＢの位置に移動させることができる。
図に示すＢの位置に移動させることができる。
次に動作について説明する。超音波振動子（５Ｉより発
生し、下方向に進行する。超音波は基板（３）の洗浄に
寄与するが、バスケラ） （４ａ）の上方からきた超音
波はバスケット下部（４ｂ）のようなかげになる部分が
全くないため、基板（８）全面が効率良く洗浄できる。
生し、下方向に進行する。超音波は基板（３）の洗浄に
寄与するが、バスケラ） （４ａ）の上方からきた超音
波はバスケット下部（４ｂ）のようなかげになる部分が
全くないため、基板（８）全面が効率良く洗浄できる。
処理槽（１）内へのバスケット（４ａ）の持ちこみ方法
は、例えばリンク機構（９）を受は板（８）と超音波振
動子（５）の間にとりつけ、超音波振動子（５）をＡ位
置に回転移動させることにより、バスケット（４ａ）を
処理槽（１）外の上方より導入する。
は、例えばリンク機構（９）を受は板（８）と超音波振
動子（５）の間にとりつけ、超音波振動子（５）をＡ位
置に回転移動させることにより、バスケット（４ａ）を
処理槽（１）外の上方より導入する。
また、その他の持ち込み方法としては、第２図に示すご
とく、あらかじめ超音波振動子（５）を処理槽（１）の
開口面の半分以下に設置し、超音波振動子（５）のない
部分の開口よりバスケット（０）を投入し図のＢ位置に
まず載置した後、シリンダーＵＺによりバスケラ） （
４ａ）を実線の位置まで右方向に移動する。処理槽（１
）よりとり出す場合は、シリンダー（１３によりバスケ
ット（４ａ）を左方向に移動すれば開口部よりとり出す
ことができる。
とく、あらかじめ超音波振動子（５）を処理槽（１）の
開口面の半分以下に設置し、超音波振動子（５）のない
部分の開口よりバスケット（０）を投入し図のＢ位置に
まず載置した後、シリンダーＵＺによりバスケラ） （
４ａ）を実線の位置まで右方向に移動する。処理槽（１
）よりとり出す場合は、シリンダー（１３によりバスケ
ット（４ａ）を左方向に移動すれば開口部よりとり出す
ことができる。
なお、上記実施例では、バスケット（４ａ）を用いて基
板（３）を収納する場合について説明したが、他の収納
治具、例えば石英ボート等でも同様に上方向からは、超
音波の吸収が起きないので上記実施例と同様の効果を奏
する。
板（３）を収納する場合について説明したが、他の収納
治具、例えば石英ボート等でも同様に上方向からは、超
音波の吸収が起きないので上記実施例と同様の効果を奏
する。
また、上記実施例では、洗浄装置の場合について説明し
たが、エツチング装置でも同様の効果がある。
たが、エツチング装置でも同様の効果がある。
また、処理すべき基板については、Ｓ１基板以外、例え
ばガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ ）やその他の基板につい
ても同様の効果を奏する。
ばガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ ）やその他の基板につい
ても同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、超音波振動子を処理
すべき基板の上方に設置したので、超音波の吸収が発生
せず、基板上の異物を基板全面に渡って除去することが
でき、後で生じる種々の処理（例えば酸化膜（Ｓｉｏｚ
）、窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）等の形成）で形成でれた膜に
できる異常成長等の欠陥を少なくすることができ、最終
的に得られる半導体装置の歩留向上や信頼性向上の効果
がある。
すべき基板の上方に設置したので、超音波の吸収が発生
せず、基板上の異物を基板全面に渡って除去することが
でき、後で生じる種々の処理（例えば酸化膜（Ｓｉｏｚ
）、窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）等の形成）で形成でれた膜に
できる異常成長等の欠陥を少なくすることができ、最終
的に得られる半導体装置の歩留向上や信頼性向上の効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例による洗浄装置の模式断面
図、第２図はこの発明の他の実施例を示す洗浄装置の模
式断面図、第３図は従来の洗浄装置を示す模式断面図、
第４図は第３図に示す基板の正面図である。 図において、（１）は処理槽、（２）は処理液、（８）
は基板、（４ａ）はバスケラｌ−，（４ｂ）はバスケッ
ト下部、（５１は超音波振動子、（６）は超音波電源＆
（８ａ）、（８ｂ）は受は板、（９）はリンク機構
、α３ 、 （１３はシリンダーである。 なお、 図中、 同一符号は同− 又は相当部分を 示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図
図、第２図はこの発明の他の実施例を示す洗浄装置の模
式断面図、第３図は従来の洗浄装置を示す模式断面図、
第４図は第３図に示す基板の正面図である。 図において、（１）は処理槽、（２）は処理液、（８）
は基板、（４ａ）はバスケラｌ−，（４ｂ）はバスケッ
ト下部、（５１は超音波振動子、（６）は超音波電源＆
（８ａ）、（８ｂ）は受は板、（９）はリンク機構
、α３ 、 （１３はシリンダーである。 なお、 図中、 同一符号は同− 又は相当部分を 示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図
Claims (1)
- 洗浄液中に基板を浸漬し、超音波振動を加えて洗浄す
る洗浄装置において、超音波振動源が、処理すべき基板
の上方に設置されたことを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19826490A JPH0482219A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19826490A JPH0482219A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482219A true JPH0482219A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16388246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19826490A Pending JPH0482219A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493016B1 (ko) * | 2002-03-23 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19826490A patent/JPH0482219A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493016B1 (ko) * | 2002-03-23 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치 |
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