JPH01189127A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents

ウエハの洗浄方法

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JPH01189127A
JPH01189127A JP1379988A JP1379988A JPH01189127A JP H01189127 A JPH01189127 A JP H01189127A JP 1379988 A JP1379988 A JP 1379988A JP 1379988 A JP1379988 A JP 1379988A JP H01189127 A JPH01189127 A JP H01189127A
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JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
wafer
water
pure steam
washing
Prior art date
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Pending
Application number
JP1379988A
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English (en)
Inventor
Masabumi Imaizumi
今泉 正文
Taiichi Otani
泰一 大谷
Noriyoshi Mashita
真下 紀義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Kurita Water Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01189127A publication Critical patent/JPH01189127A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はウェハの洗浄方法に係り、特にウェハを効率的
にかつ高清浄に洗浄することができるウェハの洗浄方法
に関する。
[従来の技術] 従来、半導体ウニへの洗浄には水洗方式が採用されてい
る。水洗にあたっては、ウェハは極めて高清浄であるこ
とが要求されることから、洗浄水として超純水が用いら
れている。また、洗浄効果を上げるために、薬品や超音
波による洗浄が採用されている。
[発明が解決しようとする課題] 従来のウェハの洗浄方法では、十分に満足し得る洗浄効
果が得られていない。
今後、ウェハの微細化が進めば、より効率の良い洗浄方
法が必要とされることから、より洗浄効果の高い洗浄方
法が求められている。
一方、アスペクト比の高いトレンチ構造内を洗浄する場
合、トレンチ内は表面張力が高くなるため、従来の水洗
方法ではトレンチ内を十分に水洗することはできなかっ
た。このため、トレンチのような表面張力が高い構造の
ウェハをも、効率的に洗浄する方法が強く望まれている
[課題を解決するための手段] 本発明はウェハを、超純水を加熱して発生させた水蒸気
の中にさらした後、超純水で洗浄することを特徴とする
ものである。
洗浄に使用する超純水は特に45〜95℃の温水である
ことが好ましい。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のウェハの洗浄方法では、ウェハをまず超純水を
原水としてこれを加熱して発生させた水蒸気(以下、こ
の水蒸気を「ピュアスチーム」ということがある。)中
にさらした後(以下、この処理を「ピュアスチーム洗浄
」ということがある。)、超純水で水洗する。
ここで、ピュアスチームの原水となる超純水及び水洗に
用いる超純水は、通常、ウェハの洗浄水として提供され
ている超純水を用いることができるが、好ましくは比抵
抗17MΩ・Cm以上、微粒子20個/mj! (o、
2μ)以下、TOC20PPb以下、5i025ppb
以下、バクテリア0.1個/ m 11以下の超純水を
用いるのが好適である。
ピュアスチーム洗浄後の水洗は、常法に従って行なうこ
とができるが、この場合、超音波を併用するのが効果的
である。超音波の周波数は、洗浄効果の点から200K
Hz〜IMHzとするのが好ましい。
なお、水洗に用いる超純水は、45〜95℃程度の温水
とすることにより、すすぎ効果が高められ、より高い洗
浄効果を得ることができる。
本発明の方法において、ピュアスチーム洗浄及び水洗を
行なったウェハは、水洗後の滅菌のために、ドレン排出
後再度ピュアスチーム洗浄するのが好ましい。
[作用] 超純水を原水にしたピュアスチームは、超純水よりも更
に純度も高く、殺菌、溶解、洗浄力も高い。しかも、気
体状態にあるので水に比べて極めて微細な部分まで浸透
する。このため、特にアスペクト比の高いトレンチ構造
のウェハであっても、ピュアスチームによる浸透が予め
なされるため、その後の水洗に際し、超純水による表面
濡れ性を高め、トレンチ内の洗浄効果を向上させること
ができる。
特に、洗浄に用いる超純水として45〜95℃の温水を
用いることにより、極めて優れた洗浄効果が得られる。
[実施例] 以下に図面を参照して本発明の一実施例について具体的
に説明する。
実施例1 第1図に示す洗浄装置を用いて汚染ウェハの洗浄を行な
った。
図示の装置は、電気ヒータ1を備えるピュアスチーム発
生器2と耐熱材(PEEK;ポリエーテルエーテルケト
ン)で構成される超音波洗浄槽3とで主に構成されるも
のである。超音波洗浄槽3は底部に超音波発振子4を備
え、また、内部にはウェハキャリア5を有し、ピュアス
チームの漏出を少なくするために、上蓋6にて密閉する
密閉型の構造とされている。上蓋は排気量が十分確保で
きれば削除できる。
このような装置では、超純水は配管11.12を経てタ
ンク7に貯められ、ここからポンプPでピュアスチーム
発生器2に送られる。そして、電気ヒータ1で加熱され
て発生したピュアスチームはバルブ■1を開とすること
により、配管13.14を経て超音波洗浄槽3に供給さ
れ噴出管15から噴出される。このピュアスチームはウ
ェハキャリア5に載置されたウェハにあたり、ピュアス
チーム洗浄を行なう。洗浄後のピュアスチームは配管1
6より排出され、凝縮槽8で凝縮液化した後、配管17
.18を経て排水系へ送られる。
ピュアスチーム洗浄後の超純水による水洗を行なう際に
は、バルブVlを閉とし、バルブ■2を開として、超純
水を配管11.19.14、噴出管15を経て超音波洗
浄槽3に導入し、洗浄槽3内を超純水で満たす(W:水
位)。そして、超音波発振子4より超音波を発振して超
音波洗浄を行なう。水洗後は、バルブ■2を閉、バルブ
v3、v4を開として、ドレン水を配管20,18を経
て排水系へ送る。
本実施例においては、このようにしてピュアスチーム洗
浄及び水洗を行なった後、再びバルブv2、■3、v4
を閉、バルブvIを開として、ピュアスチームを超音波
洗浄槽3内に送給し、洗浄されたウェハの滅菌を行ない
、クリーンベンチ内で自然乾燥した。
なお、用いた洗浄装置の各機器の仕様及び洗浄手順、洗
浄条件、洗浄に供した汚染ウェハは下記に示す通りであ
る。
ピュアスチーム発生器: ヒータ 10 KW、材質 SL]S316ドラム材質
 5US316 スチーム発生量 10 K g / h r超音波洗浄
槽: 寸法幅270X長さ250×高さ300 (mm)(有
効容積18. 5fl) 材質 PEEK 超音波 300Wx400KHz 洗浄手順: ■ ピュアスチーム洗浄 1分 ■ 超純水水洗    10分 (超音波洗浄) ■ ドレン ■ ピュアスチーム洗浄 1分 洗浄条件: ピュアスチーム温度 125℃(飽和)洗浄水量   
   917m1n 洗浄水温      80℃ 汚染ウェハ:希フッ酸洗浄後に純水浸漬した鏡面ウェハ 洗浄前のウェハ及び洗浄後のウェハについて、それぞれ
、レーザ敗乱光によるウェハゴミ検査計(ドブコンWM
−3)を用いて汚染粒子数を調べ、汚染除去率を求めた
結果を第1表に示す。
比較例1 ピュアスチーム洗浄を行なわなかったこと以外は実施例
1と同様にして超純水による超音波洗浄を行ない、汚染
除去率を求めた。結果を第1表に示す。
第1表より、本発明の方法に従って、水洗に先立ちピュ
アスチーム洗浄を行なった場合には、ピュアスチームに
よる溶解力及び濡れ性増進の効果により、極めて優れた
洗浄効果が得られることが明らかである。
第1表 ※0.3μ粒子/4 ウェハ [発明の効果] 以上詳述した通り、本発明のウェハの洗浄方法は、ウェ
ハをピュアスチーム洗浄した後超純水で洗浄するもので
あって、 ■ 超純水から発生させたピュアスチームは更に高純度
であるため、洗浄による再汚染が防止される。
■ ピュアスチームの高い溶解力により極めて高い洗浄
効果が得られる。
■ ピュアスチームの高い濡れ性増進効果により、高ア
スペクト比のトレンチ構造のウェハも有効に洗浄するこ
とが可能とされる。
■ 高温のピュアスチームによりウェハ上のバクテリア
による汚染が防止される。
等の優れた効果を奏する。このため、洗浄に要する超純
水量を低減して、効率的にウェハの洗浄を行なうことに
よって、清浄度の著しく高いウェハを提供することが可
能とされる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1で用いた洗浄装置を示す系統図である
。 1・・・電気ヒータ、 2・・・ピュアスチーム発生器、 3・・・超音波洗浄槽、 4・・・超音波発振子、  5・・・ウェハキャリア。 代 理 人  弁理士 重 野  剛

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハを、超純水を加熱して発生させた水蒸気の
    中にさらした後、超純水で洗浄することを特徴とするウ
    ェハの洗浄方法。
  2. (2)洗浄に使用する超純水は45〜95℃の温水であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の洗浄
    方法。
JP1379988A 1988-01-25 1988-01-25 ウエハの洗浄方法 Pending JPH01189127A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0276228A (ja) * 1988-09-12 1990-03-15 Nec Corp 半導体基板の洗浄装置
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JP2008085150A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Kurita Water Ind Ltd 洗浄方法

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