JPS62173720A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
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- JPS62173720A JPS62173720A JP1630586A JP1630586A JPS62173720A JP S62173720 A JPS62173720 A JP S62173720A JP 1630586 A JP1630586 A JP 1630586A JP 1630586 A JP1630586 A JP 1630586A JP S62173720 A JPS62173720 A JP S62173720A
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- wafer
- container
- cleaning
- oxide film
- vapor
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- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 29
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェハの洗浄装置で、ウェハを洗浄用薬液の蒸気で洗浄
した後、容器からウェハを取出すことなく水蒸気で薬液
を洗い落とし２次いで乾燥するようにしたものである。
した後、容器からウェハを取出すことなく水蒸気で薬液
を洗い落とし２次いで乾燥するようにしたものである。
本発明はウェハの洗浄装置に関する。
蒸気を用いた洗浄法は少ない洗浄液で効率良く洗浄でき
るという利点のために様々な分野で使われている。半導
体製造分野においてもそれは例外でなく、デバイスプロ
セス中で行なわれる様々な洗浄工程に導入されている。
るという利点のために様々な分野で使われている。半導
体製造分野においてもそれは例外でなく、デバイスプロ
セス中で行なわれる様々な洗浄工程に導入されている。
半導体プロセスで用いられる洗浄は一般に高い清浄度が
要求されるが、このうち熱処理前に行なわれる洗浄は特
に高い清浄度が要求され、その清浄度の度合いが製品の
歩留りに大きな影響を与えている。シリコンウェーハな
どの熱処理前洗浄には、シリコンウェーハ表面に形成さ
れている自然酸化膜を除去する工程が含まれる。
要求されるが、このうち熱処理前に行なわれる洗浄は特
に高い清浄度が要求され、その清浄度の度合いが製品の
歩留りに大きな影響を与えている。シリコンウェーハな
どの熱処理前洗浄には、シリコンウェーハ表面に形成さ
れている自然酸化膜を除去する工程が含まれる。
自然酸化膜は大気中の酸素によってシリコンウェーハ表
面が酸化されることにより形成されるが。
面が酸化されることにより形成されるが。
一般にこの自然酸化膜は清浄な雰囲気で形成されないの
で、膜中に不純物を取り込んでおり、好ましくない。そ
こで熱処理前洗浄ではこの自然酸化膜を除去し清浄なシ
リコン表面を露出する工程がはいる。自然酸化膜を除去
する方法としては通常フッ１１．（ＨＦ）溶液が用いら
れているが、従来の方法は第２図に示すように、希釈Ｈ
Ｆ溶液１中にウェーハ２を浸し、酸化膜溶解後、純水３
でＨＦを洗い流し乾燥するというものである。
で、膜中に不純物を取り込んでおり、好ましくない。そ
こで熱処理前洗浄ではこの自然酸化膜を除去し清浄なシ
リコン表面を露出する工程がはいる。自然酸化膜を除去
する方法としては通常フッ１１．（ＨＦ）溶液が用いら
れているが、従来の方法は第２図に示すように、希釈Ｈ
Ｆ溶液１中にウェーハ２を浸し、酸化膜溶解後、純水３
でＨＦを洗い流し乾燥するというものである。
しかし従来法では、酸化膜溶解後活性化したシリコン表
面に一旦溶けた不純物が再付着し、シリコンウェーハ表
面の清浄度が上がらないという欠点があった。
面に一旦溶けた不純物が再付着し、シリコンウェーハ表
面の清浄度が上がらないという欠点があった。
また、この問題を避けるためにＨＦの蒸気で洗浄しても
、純水で洗い流すために容器外ヘウエハを取出すと、ウ
ェハが汚染することが考えられる。
、純水で洗い流すために容器外ヘウエハを取出すと、ウ
ェハが汚染することが考えられる。
ｃ問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために本発明によるウェハ洗浄装
置は、ウェハを収容する容器と。
置は、ウェハを収容する容器と。
該容器４ご接続され、該容器−２該ウエハの洗浄薬液の
蒸気を供給する手段と。
蒸気を供給する手段と。
該容器に接続され該容器へ水蒸気を供給する手段と。
該容器に接続され該容器へ該ウェハの乾燥用気体を供給
する手段とを備えたことを特徴とする。
する手段とを備えたことを特徴とする。
ウェハの洗浄薬液を蒸気にして供給した後。
同じ容器内で水蒸気で薬液を洗い落とし、乾燥させるこ
とができるので、ウェハに二次汚染をもたらす可能性を
低減させることかできる。
とができるので、ウェハに二次汚染をもたらす可能性を
低減させることかできる。
以下５本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
本考案の一実施例を第１図に示す。これはシリコンウェ
ーハをＨＦで除去する場合である。洗浄容器２１はすべ
てテフロンを加工して用いており。
ーハをＨＦで除去する場合である。洗浄容器２１はすべ
てテフロンを加工して用いており。
耐薬品性及び容器からの汚染防止効果は良い。つ工−ハ
２２を容器２１に入れたら、バルブＢ、 Ｄをあけ、
ＨＦ蒸気２３でウェーハ２２表面に形成された酸化膜（
図示せず）を溶解する。溶解された酸化膜はＨＦ溶液に
含まれて、ウェーハ表面を伝わってウェーハから落下し
除去される。
２２を容器２１に入れたら、バルブＢ、 Ｄをあけ、
ＨＦ蒸気２３でウェーハ２２表面に形成された酸化膜（
図示せず）を溶解する。溶解された酸化膜はＨＦ溶液に
含まれて、ウェーハ表面を伝わってウェーハから落下し
除去される。
酸化膜が除去され５ウ工−ハ表面が破水性になったらパ
ルプＢを閉め、Ｃを開け、高純度の水蒸気２４により５
ウ工−ハ表面及び容器内側に付着したＨＦを洗い流す。
ルプＢを閉め、Ｃを開け、高純度の水蒸気２４により５
ウ工−ハ表面及び容器内側に付着したＨＦを洗い流す。
十分に水で置換したあとバルブＣを閉めパルプＡをあけ
、ヒーター２５により熱した高純度Ｎ２ガス２６を吹き
つけてウェーハ２２を乾燥させる。
、ヒーター２５により熱した高純度Ｎ２ガス２６を吹き
つけてウェーハ２２を乾燥させる。
尚、ＨＦ蒸気はＨＦ溶液２８を■ヒーター２６により加
熱する。■Ｎ２ガス２９によりバブリングする。■超音
波発振子を用いる。のいずれかの方法又はこれらの組合
せによって得ることができる。
熱する。■Ｎ２ガス２９によりバブリングする。■超音
波発振子を用いる。のいずれかの方法又はこれらの組合
せによって得ることができる。
また水蒸気についても同様に純水３１をヒータ２７、、
Ｎ、ガス３２によるバブリング、超音波発振子３３を用
いて得ることができる。
Ｎ、ガス３２によるバブリング、超音波発振子３３を用
いて得ることができる。
以上説明した通り２本発明によればウェハの汚染を招く
ことなく洗浄をすることができるので。
ことなく洗浄をすることができるので。
これを用いた半導体デバイスの歩留りを向上させること
ができる。
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示す図。
第２図は従来例を説明するための図である。
２１ ・ 容器、２２ ・・・・ウェーハ、２３−・・
−・・ＨＦ蒸気、２４ ・−水蒸気、 ２６−ＮＺガ
ス。
−・・ＨＦ蒸気、２４ ・−水蒸気、 ２６−ＮＺガ
ス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハを収容する容器と、 該容器に接続され、該容器へ該ウェハの洗浄薬液の蒸気
を供給する手段と、 該容器に接続され該容器へ水蒸気を供給する手段と、 該容器に接続され、該容器へ該ウェハの乾燥用気体を供
給する手段とを備えたことを特徴とするウェハ洗浄装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1630586A JPS62173720A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1630586A JPS62173720A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | ウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173720A true JPS62173720A (ja) | 1987-07-30 |
Family
ID=11912823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1630586A Pending JPS62173720A (ja) | 1986-01-28 | 1986-01-28 | ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62173720A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| EP0344764A2 (de) * | 1988-06-01 | 1989-12-06 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH | Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung von Halbleiterscheiben |
| US5022961A (en) * | 1989-07-26 | 1991-06-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method for removing a film on a silicon layer surface |
| JPH06104223B1 (ja) * | 1989-11-21 | 1994-12-21 | ||
| JPH08252546A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Chugai Ro Co Ltd | 有機溶剤を使用する洗浄装置 |
| KR20010094349A (ko) * | 2000-03-30 | 2001-11-01 | 박종섭 | 웨이퍼 세정장비 및 그 세정방법 |
| KR100668182B1 (ko) | 2005-04-25 | 2007-01-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 식각챔버의 수증기 공급 시스템 및 식각가스제거 방법 |
| JP2008311568A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルシリコンウェハの製造方法及び基板洗浄装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168238A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Toshiba Corp | 半導体基板用洗浄装置 |
-
1986
- 1986-01-28 JP JP1630586A patent/JPS62173720A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TWI383076B (zh) * | 2007-06-18 | 2013-01-21 | Sumco Techxiv Corp | Production method of epitaxial silicon wafer and substrate cleaning device |
| US8696809B2 (en) | 2007-06-18 | 2014-04-15 | Sumco Techxiv Corporation | Manufacturing method of epitaxial silicon wafer and substrate cleaning apparatus |
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