JPH06224174A - ワークの処理方法及び装置 - Google Patents

ワークの処理方法及び装置

Info

Publication number
JPH06224174A
JPH06224174A JP2992193A JP2992193A JPH06224174A JP H06224174 A JPH06224174 A JP H06224174A JP 2992193 A JP2992193 A JP 2992193A JP 2992193 A JP2992193 A JP 2992193A JP H06224174 A JPH06224174 A JP H06224174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
cleaning liquid
tank
processing tank
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2992193A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Sekizuka
塚 博 関
Yoshizo Shibagaki
垣 喜 造 柴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sankyo Engineering Co Ltd
Original Assignee
Sankyo Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sankyo Engineering Co Ltd filed Critical Sankyo Engineering Co Ltd
Priority to JP2992193A priority Critical patent/JPH06224174A/ja
Publication of JPH06224174A publication Critical patent/JPH06224174A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワークの洗浄と乾燥とを単一の処理槽を使用
して行い得るようにすること。 【構成】 洗浄液を供給するための洗浄液供給系10と
減圧のための真空排気系11とを備えた処理槽2内にワ
ーク1を収容し、該処理槽内において、洗浄液供給系か
ら洗浄液を供給してワークを洗浄したあと、洗浄液を排
出して、真空排気系で処理槽内を減圧することによりワ
ークを真空乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハやLCD
用ガラス基板、金属部品等のワークのウエット洗浄と乾
燥とをクリーンな雰囲気で簡便に行うための方法及び装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば半導体ウエハの製造工程に
おいては、製造したウエハの洗浄と乾燥とを行う場合、
洗浄部と乾燥部とを別に設け、洗浄部においてウエハを
洗浄液に浸漬して洗浄したあと、該ウエハを洗浄液から
取り出し、乾燥部に搬送してスピンドライヤーやイソプ
ロピルアルコール(IPA)蒸気の利用、又は熱風乾燥
装置等の手段により乾燥するようにしていた。
【0003】しかしながら、このような従来の方法は、
洗浄部と乾燥部とを別に設けているため、装置の広い設
置スペースを必要とするばかりでなく、洗浄部と乾燥部
との間でワークを搬送するための搬送手段やそれに付随
する複雑な機構を必要とし、しかも、洗浄したワークを
乾燥部に搬送する間に、該ワークの再汚染や、トレーか
らの落下や振動、衝撃等による破損を生じ易いという欠
点があった。その他、スピンドライヤー法は回転部から
の発塵に対する対策を必要とし、IPA蒸気による方法
は安全対策上の問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ワー
クの洗浄部と乾燥部とを別に設けることなく、単一の処
理槽内で洗浄と乾燥とを行うことができるようにするこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の処理方法は、洗浄液を供給するための洗浄
液供給系と減圧のための真空排気系とを備えた処理槽内
にワークを収容し、該処理槽内において、洗浄液供給系
から洗浄液を供給してワークを洗浄したあと、洗浄液を
排出して、真空排気系で処理槽内を減圧することにより
ワークを真空乾燥することを特徴とするものである。
【0006】また、本発明の処理装置は、ワークの洗浄
槽と乾燥槽とを兼ねる処理槽に、洗浄液を供給するため
の洗浄液供給系と、真空乾燥するための真空排気系とを
接続してなることを特徴とするものである。上記処理槽
は窒素ガス源に接続し、洗浄液の排出時又は真空乾燥終
了後に処理槽内を大気圧に戻す時に、該処理槽内に窒素
ガスを供給することもできる。また、上記処理槽内に加
熱装置を設け、減圧によりワークが温度低下した場合
に、該ワークを加熱しながら真空乾燥するようにしても
良い。
【0007】
【実施例】図1において、1はワーク、2は該ワークの
洗浄槽と真空乾燥槽とを兼ねる処理槽であって、蓋体3
により開閉自在となっており、該蓋体3を閉めた時に
は、シール部材4によりそれらが密閉されるようになっ
ている。
【0008】上記処理槽2の内部には、ワーク1を直接
又はトレーに入れた状態で置くための載置台5が設けら
れると共に、真空乾燥時に該ワーク1を加熱するための
加熱装置6が設けられ、処理槽2の底部には、洗浄効果
を高めるための超音波振動子7が設けられている。
【0009】上記加熱装置6は、赤外線ヒータのように
輻射熱によりワーク1を加熱する方式のものや、熱源又
は熱媒体をワーク1に直接接触させて熱伝導により該ワ
ーク1を加熱する方式のものなど、任意の加熱方式のも
のを使用することができ、その取付場所は、図示した如
く処理槽2であっても、蓋体3であっても良い。
【0010】上記処理槽2には、洗浄液を供給するため
の洗浄液供給系10と、減圧のための真空排気系11と
が接続されている。
【0011】洗浄液供給系10は、純水とその他の洗剤
溶液とを供給するための複数の洗浄液源13a〜13c
を備え、これらの洗浄液源13a〜13cが、流量調節
器14a〜14cと供給弁15a〜15cとを介して供
給管16に接続され、該供給管16により供給弁17を
介して処理槽2に接続されている。そして、洗浄終了後
の洗浄液は、排液弁18を介して排液ポンプ19により
強制的に処理槽2から排出されるようになっている。
【0012】一方、真空排気系11は、処理槽2に通じ
る排気管22に、減圧弁23、トラップ24、排気速度
調整弁25、真空ポンプ26を設けることにより構成さ
れ、該排気管22にはまた、真空の度合いをチェックす
るための真空計27が設けられている。
【0013】上記処理槽2には、窒素ガスを供給できる
ように、供給弁31を介して窒素ガス源30が接続され
ている。なお、図中33は、処理槽2内が大気圧に復帰
したことの確認と過圧を防ぐための圧力スイッチ、34
は、処理槽2内の温度を監視及び制御するために設けた
温度計である。
【0014】次に、上記処理装置の作用について説明す
る。処理すべきワーク1は、機械により自動的に又は手
作業により処理槽2内の載置台5に上に置かれる。
【0015】続いて、第1の洗浄液源13aから、第1
の洗浄液即ち純水を、流量調節器14aにより流量を制
御した状態で供給弁15a及び17を通じて供給管16
により処理槽2内に導く。このとき、処理槽2内が純水
で満たされ、処理槽2の上部からオーバーフローするよ
うになっても純水の供給は続ける。そして、処理槽2内
が純水で満たされた頃から超音波振動子7を作動させ、
超音波洗浄を行う。この工程によってワーク1に付着し
たゴミが純水と共に洗い流される。
【0016】上記純水による洗浄を一定時間行ったあ
と、純水の供給を停止すると共に、超音波振動子7を停
止し、排液弁18を開いて排液ポンプ19を作動させる
ことにより、処理槽2内の純水を排出する。
【0017】次に、第2の洗浄液源13bから純水とは
異なる第2の洗浄液Bを、流量調節器14bにより流量
を制御した状態で供給弁15b及び17を通じて供給管
16により処理槽2内に供給する。この洗浄液Bは、処
理槽2内のワーク1が十分に浸った所で供給を停止し、
一定時間その状態に保持する。このとき、必要に応じて
超音波振動子7を動作させて超音波洗浄を行うこともで
きる。
【0018】上記第2の洗浄液Bによる洗浄が終了した
後の該洗浄液Bの排出に際しては、第1の洗浄液源13
aから純水を処理槽2内に供給し、洗浄液がオーバーフ
ローするようになっても引き続きその供給を続けること
により、該洗浄液Bの濃度を徐々に低下させて純水に近
づける。そして、一定時間純水を供給したあと、排液弁
18を開放すると共に排液ポンプ19を作動させて処理
槽2内から洗浄液を排出する。その排出時には、供給弁
31を開いて窒素ガスを供給することにより処理槽2内
をパージしておくこともでき、この方法は、ワークの再
汚染防止等に有効である。
【0019】ワーク1に付着している上記洗浄液Bの成
分を十分に洗い流すため、再び第1の洗浄液源13aか
ら純水を処理槽2内に供給し、処理槽2からオーバーフ
ローする状態のまま一定時間供給を続けた後、排出す
る。同様の操作を必要に応じて所望の回数繰り返す。
【0020】次に、第3の洗浄液源13cから第3の洗
浄液Cを供給し、第2の洗浄液Bの場合と同様にしてワ
ーク1の洗浄と洗浄液の洗い流しとを行う。場合によっ
ては、上記純水と洗浄液B,Cの一部又は全部を混合し
て使用することもできる。
【0021】ワーク1の洗浄が終了すると、処理槽2に
蓋体3を密に被着し、該処理槽2を大気と切り離す。そ
して、真空ポンプ26により減圧弁23と排気速度調節
弁25を介して該処理槽2内の空気を排出し、槽内を減
圧する。このとき、排気中の水分はトラップ24におい
て凝縮され、真空ポンプ26に吸い込まれるのが防止さ
れる。
【0022】減圧により処理槽2内の温度が所定の温度
範囲を下回った時には、ワーク1を所定の温度範囲に戻
すため、加熱装置6によって加熱する。
【0023】処理槽2が、排気速度調節弁25による制
御で所定の圧力(減圧下)になったら、加熱装置6によ
るワーク1の温度との兼ね合いで該ワークが完全に乾燥
するまでその状態を保持することにより、該ワークの真
空乾燥を続ける。
【0024】ワーク1の真空乾燥が終了すると、減圧弁
23を閉じ、処理槽2内に窒素ガス源30から窒素ガス
を徐々に供給し、槽内が大気圧とほぼ同圧になった所で
窒素ガスの供給を停止して、蓋体3を開放する。そし
て、槽内のワーク1を機械により自動的に又は手作業に
より取り出して、洗浄及び乾燥が終了する。上記洗浄及
び乾燥に関する一連の動作は、基本的にはコンピュータ
等により自動的に行われるものである。
【0025】上記実施例では、洗浄液供給系10が、純
水と洗剤溶液とを供給する複数の洗浄液源を備えている
が、これらの洗浄液源は、洗剤溶液のみを供給するもの
であっても良く、あるいは単一の洗浄液源とすることも
できる。単一の洗浄液源とする場合は、洗浄液として、
ワークの種類に応じて純水又は洗剤溶液のいずれかが選
択される。
【0026】また、洗浄工程における洗浄液の排出時
や、真空乾燥終了後に処理槽内を大気圧に復帰させる時
等に、該処理槽内に窒素ガスを供給するようにしている
が、ワークの種類によっては必ずしもこのように窒素ガ
スを供給する必要はなく、単に処理槽内を減圧すること
により真空乾燥し、終了後に該処理槽内に乾燥空気を供
給して大気圧に復帰させるようにしても良い。
【0027】
【発明の効果】このように、本発明によれば、ワークの
洗浄部と乾燥部とを別に設けることなく、単一の処理槽
内で洗浄と乾燥とを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の装置の一実施例を示す構成図である。
【符号の説明】 1 ワーク 2 処理槽 6 加熱装置 10 洗浄液供給系 11 真空排気系

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄液を供給するための洗浄液供給系と
    減圧のための真空排気系とを備えた処理槽内にワークを
    収容し、該処理槽内において、洗浄液供給系から洗浄液
    を供給してワークを洗浄したあと、洗浄液を排出して、
    真空排気系で処理槽内を減圧することによりワークを真
    空乾燥することを特徴とするワークの処理方法。
  2. 【請求項2】 洗浄液の排出時に処理槽内に窒素ガスを
    供給することを特徴とする請求項1記載のワークの処理
    方法。
  3. 【請求項3】 ワークを加熱しながら真空乾燥すること
    を特徴とする請求項1記載のワークの処理方法。
  4. 【請求項4】 真空乾燥終了後に処理槽の内部に窒素ガ
    スを供給することにより、該処理槽内を大気圧に復帰さ
    せることを特徴とする請求項1記載のワークの処理方
    法。
  5. 【請求項5】 ワークの洗浄槽と乾燥槽とを兼ねる処理
    槽に、洗浄液を供給するための洗浄液供給系と、真空乾
    燥するための真空排気系とを接続してなることを特徴と
    するワークの処理装置。
  6. 【請求項6】 処理槽が窒素ガス源に接続されているこ
    とを特徴とする請求項4記載のワークの処理装置。
  7. 【請求項7】 処理槽内に、減圧により温度低下したワ
    ークを加熱するための加熱装置を設けてあることを特徴
    とする請求項4記載のワークの処理装置。
JP2992193A 1993-01-26 1993-01-26 ワークの処理方法及び装置 Pending JPH06224174A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2992193A JPH06224174A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 ワークの処理方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2992193A JPH06224174A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 ワークの処理方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06224174A true JPH06224174A (ja) 1994-08-12

Family

ID=12289463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2992193A Pending JPH06224174A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 ワークの処理方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06224174A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3836835A1 (de) * 1987-10-28 1989-06-08 Hitachi Ltd Strahlungsdetektor und herstellungsverfahren dafuer
DE3900245A1 (de) * 1988-01-06 1989-07-20 Hitachi Ltd Mehrelement-strahlungsdetektor
JP2002350049A (ja) * 2001-05-21 2002-12-04 Rohm Co Ltd 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP2004207484A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 乾燥処理装置および基板処理装置
KR100446334B1 (ko) * 2002-08-16 2004-09-01 주식회사 로템 압력계 세척장치 및 방법
JP2006208005A (ja) * 2001-12-03 2006-08-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 乾燥装置
JP2009507678A (ja) * 2005-09-12 2009-02-26 ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド レンズ型部分をガス抜きするための装置および方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3836835A1 (de) * 1987-10-28 1989-06-08 Hitachi Ltd Strahlungsdetektor und herstellungsverfahren dafuer
DE3900245A1 (de) * 1988-01-06 1989-07-20 Hitachi Ltd Mehrelement-strahlungsdetektor
JP2002350049A (ja) * 2001-05-21 2002-12-04 Rohm Co Ltd 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP2006208005A (ja) * 2001-12-03 2006-08-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 乾燥装置
KR100446334B1 (ko) * 2002-08-16 2004-09-01 주식회사 로템 압력계 세척장치 및 방법
JP2004207484A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 乾燥処理装置および基板処理装置
JP2009507678A (ja) * 2005-09-12 2009-02-26 ジョンソン・アンド・ジョンソン・ビジョン・ケア・インコーポレイテッド レンズ型部分をガス抜きするための装置および方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4816081A (en) Apparatus and process for static drying of substrates
US6374837B2 (en) Single semiconductor wafer processor
JP2639771B2 (ja) 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
JP2001176833A (ja) 基板処理装置
JPH07273080A (ja) 半導体基板洗浄処理装置
JPH05326483A (ja) ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置
JPH06224174A (ja) ワークの処理方法及び装置
JP3494293B2 (ja) 密閉型容器の洗浄方法及び洗浄装置
KR100248568B1 (ko) 반도체웨이퍼의 증기건조장치
US6427705B1 (en) Simplified method for cleaning silicon wafers after application of laser marks
JP2000308857A (ja) 液処理方法及び液処理装置
JPH0745574A (ja) ワークの洗浄及び乾燥方法とその装置
JPS62173720A (ja) ウエハ洗浄装置
JP2977922B2 (ja) 圧力スイング洗浄方法および装置
JP2006212563A (ja) 被洗浄物の洗浄方法、洗浄システム、及び乾燥装置
JPH07185484A (ja) 減圧洗浄方法及び装置
JPH05121388A (ja) 半導体装置の洗浄方法と洗浄装置
JPH04354128A (ja) 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置
JP2554017B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JPH06252115A (ja) 被洗浄物の洗浄方法
JP2003266033A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JPH0513400A (ja) 治具洗浄乾燥方法および装置
JPH07273078A (ja) ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
JP4053976B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JPH0821564B2 (ja) 洗浄装置