JPH04354128A - 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置 - Google Patents
基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置Info
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- JPH04354128A JPH04354128A JP12933791A JP12933791A JPH04354128A JP H04354128 A JPH04354128 A JP H04354128A JP 12933791 A JP12933791 A JP 12933791A JP 12933791 A JP12933791 A JP 12933791A JP H04354128 A JPH04354128 A JP H04354128A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＩＣのウェハー
やマスク等の基板を薬液処理する方法及びその装置、並
びにその薬液処理、洗浄及び乾燥する方法及びその装置
の改良に関する。
やマスク等の基板を薬液処理する方法及びその装置、並
びにその薬液処理、洗浄及び乾燥する方法及びその装置
の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の基板を洗浄及び乾燥す
る場合、その洗浄の前段階として、基板を例えばＨ２
Ｏ２ やＨｃｌ等の混合液よりなる薬液を用いて各種の
薬液処理をすることが行われ、その後に、その薬液処理
された基板を収容する槽内に温水を注入して基板を該温
水に浸した後、該温水の水面を低下させながら該温水を
排水して基板を洗浄し、その後に上記温水の排水と共に
槽内を真空引きして、上記洗浄された基板を乾燥するこ
とが行われる。その場合、基板の薬液処理に際しては、
基板を薬液に浸すだけでなく、槽の内側に電気ヒータを
装備し作動させて、その熱エネルギーにより基板周囲の
薬液を攪拌して薬液処理を効果的に行っている。
る場合、その洗浄の前段階として、基板を例えばＨ２
Ｏ２ やＨｃｌ等の混合液よりなる薬液を用いて各種の
薬液処理をすることが行われ、その後に、その薬液処理
された基板を収容する槽内に温水を注入して基板を該温
水に浸した後、該温水の水面を低下させながら該温水を
排水して基板を洗浄し、その後に上記温水の排水と共に
槽内を真空引きして、上記洗浄された基板を乾燥するこ
とが行われる。その場合、基板の薬液処理に際しては、
基板を薬液に浸すだけでなく、槽の内側に電気ヒータを
装備し作動させて、その熱エネルギーにより基板周囲の
薬液を攪拌して薬液処理を効果的に行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薬液処理では、熱エネルギーにより基板が高温にな
るため、熱耐久性の強くない半導体ＩＣの基板の薬液処
理としては、改良が望まれる。
来の薬液処理では、熱エネルギーにより基板が高温にな
るため、熱耐久性の強くない半導体ＩＣの基板の薬液処
理としては、改良が望まれる。
【０００４】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、低温下での基板の薬液処理を可能に
することにより、半導体ＩＣの性能を良好に確保するこ
とにある。
あり、その目的は、低温下での基板の薬液処理を可能に
することにより、半導体ＩＣの性能を良好に確保するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明では、処理槽内を減圧状態とすることにより
、基板周囲の薬液に攪拌作用を与えることとする。
め、本発明では、処理槽内を減圧状態とすることにより
、基板周囲の薬液に攪拌作用を与えることとする。
【０００６】つまり、本出願の請求項１記載の発明の具
体的な解決手段は、基板の薬液処理方法として、チャン
バ−内に薬液を注入した後、上記チャンバ−内で基板を
薬液に浸した状態で該チャンバー内を減圧することで上
記基板周囲の薬液を攪拌する方法としている。
体的な解決手段は、基板の薬液処理方法として、チャン
バ−内に薬液を注入した後、上記チャンバ−内で基板を
薬液に浸した状態で該チャンバー内を減圧することで上
記基板周囲の薬液を攪拌する方法としている。
【０００７】また、請求項２記載の発明の具体的な解決
手段は、基板の薬液処理装置として、基板が収容される
チャンバーと、該チャンバー内に薬液を供給する薬液供
給手段と、上記チャンバー内を減圧する減圧手段とを備
える構成としている。
手段は、基板の薬液処理装置として、基板が収容される
チャンバーと、該チャンバー内に薬液を供給する薬液供
給手段と、上記チャンバー内を減圧する減圧手段とを備
える構成としている。
【０００８】さらに、請求項３記載の発明では、基板の
薬液処理、洗浄及び乾燥方法として、チャンバ−内に薬
液を注入した後、上記チャンバ−内で基板を薬液に浸し
た状態で該チャンバー内を減圧することで上記基板周囲
の薬液を攪拌し、その後、チャンバー内の薬液を排出し
た後、該チャンバー内に温水を注入して基板を該温水に
浸し、次いで該チャンバー内を温水の蒸気圧以下に減圧
することで該温水を沸騰させ、続いて上記チャンバー内
の温水を排水した後、チャンバー内を真空引きして乾燥
する方法としている。
薬液処理、洗浄及び乾燥方法として、チャンバ−内に薬
液を注入した後、上記チャンバ−内で基板を薬液に浸し
た状態で該チャンバー内を減圧することで上記基板周囲
の薬液を攪拌し、その後、チャンバー内の薬液を排出し
た後、該チャンバー内に温水を注入して基板を該温水に
浸し、次いで該チャンバー内を温水の蒸気圧以下に減圧
することで該温水を沸騰させ、続いて上記チャンバー内
の温水を排水した後、チャンバー内を真空引きして乾燥
する方法としている。
【０００９】加えて、請求項４記載の発明では、基板の
薬液処理、洗浄及び乾燥装置として、基板が収容される
チャンバーと、該チャンバー内に薬液を供給する薬液供
給手段と、上記チャンバー内に温水及び純水を供給する
給水手段と、上記チャンバー内を減圧及び真空引きする
減圧手段と、上記チャンバー内の薬液、温水及び純水を
排出する排出手段とを備える構成としている。
薬液処理、洗浄及び乾燥装置として、基板が収容される
チャンバーと、該チャンバー内に薬液を供給する薬液供
給手段と、上記チャンバー内に温水及び純水を供給する
給水手段と、上記チャンバー内を減圧及び真空引きする
減圧手段と、上記チャンバー内の薬液、温水及び純水を
排出する排出手段とを備える構成としている。
【００１０】
【作用】以上の構成により、本発明では、基板の薬液処
理に際しては、チャンバー内で基板が薬液に浸されると
、この状態でチャンバー内が減圧手段により減圧される
。このことにより、チャンバー内の減圧状態が基板周囲
に位置する薬液を攪拌するので、その基板の薬液処理が
低温下で効果的に行われることになる。
理に際しては、チャンバー内で基板が薬液に浸されると
、この状態でチャンバー内が減圧手段により減圧される
。このことにより、チャンバー内の減圧状態が基板周囲
に位置する薬液を攪拌するので、その基板の薬液処理が
低温下で効果的に行われることになる。
【００１１】その後、チャンバー内の薬液が排出された
後、該チャンバー内に温水が注入され、基板が該温水に
浸された状態で該チャンバー内が減圧手段によって温水
の蒸気圧以下に減圧される。このことにより、チャンバ
ー内の温水が減圧沸騰し、この温水の沸騰により基板が
効果的に洗浄される。
後、該チャンバー内に温水が注入され、基板が該温水に
浸された状態で該チャンバー内が減圧手段によって温水
の蒸気圧以下に減圧される。このことにより、チャンバ
ー内の温水が減圧沸騰し、この温水の沸騰により基板が
効果的に洗浄される。
【００１２】そして、その後は、チャンバー内に溜った
水が排水された後、該チャンバー内が減圧手段により真
空引きされて、上記洗浄された基板が乾燥される。
水が排水された後、該チャンバー内が減圧手段により真
空引きされて、上記洗浄された基板が乾燥される。
【００１３】
【発明の効果】したがって、本発明の基板の薬液処理方
法及びその装置によれば、チャンバー内を減圧状態にす
ることにより基板の周囲の薬液を攪拌するので、低温下
での薬液処理が可能であり、半導体ＩＣの性能を所期通
り良好に確保できる。
法及びその装置によれば、チャンバー内を減圧状態にす
ることにより基板の周囲の薬液を攪拌するので、低温下
での薬液処理が可能であり、半導体ＩＣの性能を所期通
り良好に確保できる。
【００１４】また、本発明の基板の薬液処理、洗浄及び
乾燥方法及びその装置によれば、薬液処理がチャンバー
内の減圧により行われ、洗浄がチャンバー内に注入した
温水の減圧沸騰によって行われ、更に乾燥がチャンバー
内の真空引きにより行われるので、薬液処理、洗浄及び
乾燥の各処理を行うための駆動部を必要としない。従っ
て、上記各処理中は基板を完全静止状態に保持できるの
で、基板周囲の微細なゴミに対する影響から解放される
。
乾燥方法及びその装置によれば、薬液処理がチャンバー
内の減圧により行われ、洗浄がチャンバー内に注入した
温水の減圧沸騰によって行われ、更に乾燥がチャンバー
内の真空引きにより行われるので、薬液処理、洗浄及び
乾燥の各処理を行うための駆動部を必要としない。従っ
て、上記各処理中は基板を完全静止状態に保持できるの
で、基板周囲の微細なゴミに対する影響から解放される
。
【００１５】さらに、チャンバーは全密閉型であるので
、各処理での外気からの汚染を良好に防止できると共に
、チャンバー内を不活性雰囲気にすることが可能である
。
、各処理での外気からの汚染を良好に防止できると共に
、チャンバー内を不活性雰囲気にすることが可能である
。
【００１６】加えて、薬液処理、洗浄及び乾燥の３処理
を１個のチャンバーで兼用して行うので、装置の小形化
を図ることができる。また、基板は上記の通り完全静止
状態で処理されるので、ロボットによる自動化が容易に
且つ信頼性高く行い得るとともに、この自動化の下では
基板のみを基板ホルダーからピックアップすることを容
易に行い得るので、基板ホルダーからの汚染を確実に防
止できる。
を１個のチャンバーで兼用して行うので、装置の小形化
を図ることができる。また、基板は上記の通り完全静止
状態で処理されるので、ロボットによる自動化が容易に
且つ信頼性高く行い得るとともに、この自動化の下では
基板のみを基板ホルダーからピックアップすることを容
易に行い得るので、基板ホルダーからの汚染を確実に防
止できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基いて説明す
る。
る。
【００１８】図１は本発明に係る基板の薬液処理、洗浄
及び乾燥装置の全体概略構成を示し、１はウェハーやマ
スク等の基板を洗浄するための全密閉型のプロセスチャ
ンバーであって、該プロセスチャンバー１は、インナー
チャンバー１ａ及びその外周を覆うアウターチャンバー
１ｂよりなる二重構造である。プロセスチャンバー１の
上部はチャンバー１内部を全密閉可能にできる蓋部１ｃ
で構成されていて、該蓋部１ｃからウェハー等の基板Ｗ
を支持台２に載せた状態でインナーチャンバー１ａ内に
収容する。
及び乾燥装置の全体概略構成を示し、１はウェハーやマ
スク等の基板を洗浄するための全密閉型のプロセスチャ
ンバーであって、該プロセスチャンバー１は、インナー
チャンバー１ａ及びその外周を覆うアウターチャンバー
１ｂよりなる二重構造である。プロセスチャンバー１の
上部はチャンバー１内部を全密閉可能にできる蓋部１ｃ
で構成されていて、該蓋部１ｃからウェハー等の基板Ｗ
を支持台２に載せた状態でインナーチャンバー１ａ内に
収容する。
【００１９】上記インナーチャンバー１ａの支持台２の
側方には給水管５ａが、支持台２の上方には水平配置さ
れた他の給水管５ｂが配置され、該各給水管５ａ，５ｂ
には各々これ等を開閉する給水用開閉弁６ａ，６ｂが介
設されていて、各開閉弁６ａ又は６ｂの開時に支持台２
の側方又は上方から給水するように構成している。また
、上記両給水管５ａ，５ｂの端部は１本に集合された後
、再び温水供給管７と冷水供給管８とに分岐し、温水供
給管７には冷水を加熱して温水を得るヒータ９を介して
純水としての冷水を供給する給水源１０に接続され、冷
水供給管８は直接給水源１０に接続されている。そして
、温水供給管７にはこれを開閉する温水用開閉弁１１が
、冷水供給管８にはこれを開閉する冷水用開閉弁１２が
各々介設されていて、温水用開閉弁１１の開動作時には
温水を給水管５からインナーチャンバー１ａ内に供給す
る一方、冷水用開閉弁１２の開動作時には冷水を給水管
５からインナーチャンバー１ａ内に供給するようにした
給水手段１３を構成している。
側方には給水管５ａが、支持台２の上方には水平配置さ
れた他の給水管５ｂが配置され、該各給水管５ａ，５ｂ
には各々これ等を開閉する給水用開閉弁６ａ，６ｂが介
設されていて、各開閉弁６ａ又は６ｂの開時に支持台２
の側方又は上方から給水するように構成している。また
、上記両給水管５ａ，５ｂの端部は１本に集合された後
、再び温水供給管７と冷水供給管８とに分岐し、温水供
給管７には冷水を加熱して温水を得るヒータ９を介して
純水としての冷水を供給する給水源１０に接続され、冷
水供給管８は直接給水源１０に接続されている。そして
、温水供給管７にはこれを開閉する温水用開閉弁１１が
、冷水供給管８にはこれを開閉する冷水用開閉弁１２が
各々介設されていて、温水用開閉弁１１の開動作時には
温水を給水管５からインナーチャンバー１ａ内に供給す
る一方、冷水用開閉弁１２の開動作時には冷水を給水管
５からインナーチャンバー１ａ内に供給するようにした
給水手段１３を構成している。
【００２０】また、１５は薬液キャナスターであって、
その内部には薬液として、例えば基板Ｗの処理目的に応
じたＮＨ４ ＯＨ、Ｈ２ Ｏ２ 及び純水を１：１：１
００の割合で混合したものが貯溜されていると共に、該
薬液の温度は温度コントローラ１６により予め設定した
所定温度に保持制御される。
その内部には薬液として、例えば基板Ｗの処理目的に応
じたＮＨ４ ＯＨ、Ｈ２ Ｏ２ 及び純水を１：１：１
００の割合で混合したものが貯溜されていると共に、該
薬液の温度は温度コントローラ１６により予め設定した
所定温度に保持制御される。
【００２１】上記薬液キャナスター１５には薬液供給管
１７が配置されている。該薬液供給管１７は途中で二分
岐すると共に、その各分岐管１７ａ，１７ｂの途中には
各々薬液用開閉弁１８ａ，１８ｂが介設され、一方の薬
液供給管１７ａの下流端部はインナーチャンバー１ａの
支持台２の側方に配置され、他方の薬液供給管１７ｂの
下流端部は、インナーチャンバー１ａの支持台２の上方
に水平配置されている。また、薬液キャナスター１５に
は圧送管５８が連通接続され、該圧送管５８は後述の窒
素ガスタンク３７に接続されると共に、途中に開閉弁５
６，５７介設されている。そして、該開閉弁５６，５７
の開作動及び上記薬液用開閉弁１８ａ，１８ｂの開作動
により、タンク３７の窒素ガスを薬液キャナスター１５
に供給して、その内部の薬液を薬液供給管１７を経て支
持台２の側方又は上方からインナーチャンバー１ａ内に
供給するようにした薬液供給手段１９を構成している。
１７が配置されている。該薬液供給管１７は途中で二分
岐すると共に、その各分岐管１７ａ，１７ｂの途中には
各々薬液用開閉弁１８ａ，１８ｂが介設され、一方の薬
液供給管１７ａの下流端部はインナーチャンバー１ａの
支持台２の側方に配置され、他方の薬液供給管１７ｂの
下流端部は、インナーチャンバー１ａの支持台２の上方
に水平配置されている。また、薬液キャナスター１５に
は圧送管５８が連通接続され、該圧送管５８は後述の窒
素ガスタンク３７に接続されると共に、途中に開閉弁５
６，５７介設されている。そして、該開閉弁５６，５７
の開作動及び上記薬液用開閉弁１８ａ，１８ｂの開作動
により、タンク３７の窒素ガスを薬液キャナスター１５
に供給して、その内部の薬液を薬液供給管１７を経て支
持台２の側方又は上方からインナーチャンバー１ａ内に
供給するようにした薬液供給手段１９を構成している。
【００２２】更に、上記インナーチャンバー１ａ底部に
は排水口２０が設けられ、該排水口２０には排水管２１
が接続され、該排水管２１の途中には排水用切換弁２２
が介設されている。加えて、アウターチャンバー１ｂの
下部には排気口２７が設けられ、該排気口２７には、排
気用切換弁２８を有する排気管２９が接続されている。 そして上記の構成により、インナーチャンバー１ａ及び
アウターチャンバー１ｂ内に供給された薬液や純水を排
水口２０又は排気口２７から排出するようにした排出手
段３０を構成している。
は排水口２０が設けられ、該排水口２０には排水管２１
が接続され、該排水管２１の途中には排水用切換弁２２
が介設されている。加えて、アウターチャンバー１ｂの
下部には排気口２７が設けられ、該排気口２７には、排
気用切換弁２８を有する排気管２９が接続されている。 そして上記の構成により、インナーチャンバー１ａ及び
アウターチャンバー１ｂ内に供給された薬液や純水を排
水口２０又は排気口２７から排出するようにした排出手
段３０を構成している。
【００２３】加えて、アウターチャンバー１ｂの中央部
には吸気口３５が設けられ、該吸気口３５には吸気管３
６を介して高純度の窒素ガスを貯溜するタンク３７が接
続されている。また、吸気管３６の途中には該吸気管３
６を開閉する第１開閉弁３８が介設されていると共に、
該第１開閉弁３８とは並列に、ニードル弁３９及び第２
開閉弁４０とを直列に接続した配管４１が接続されてい
る。
には吸気口３５が設けられ、該吸気口３５には吸気管３
６を介して高純度の窒素ガスを貯溜するタンク３７が接
続されている。また、吸気管３６の途中には該吸気管３
６を開閉する第１開閉弁３８が介設されていると共に、
該第１開閉弁３８とは並列に、ニードル弁３９及び第２
開閉弁４０とを直列に接続した配管４１が接続されてい
る。
【００２４】また、上記排気管２９及び排水管２１の各
切換弁２２，２８の上流側には、減圧管４３，４４を介
して真空ポンプ５０が接続され、該各減圧管４３，４４
の途中には各々減圧用の開閉弁４５，４６が介設されて
いて、上記排水用及び排気用の各切換弁２２，２８の閉
時で且つ減圧用の開閉弁４５，４６の開時に真空ポンプ
５０を作動させてインナーチャンバー１ａ内及びアウタ
ーチャンバー１ｂ内を減圧及び真空引きするようにした
減圧手段４７を構成している。
切換弁２２，２８の上流側には、減圧管４３，４４を介
して真空ポンプ５０が接続され、該各減圧管４３，４４
の途中には各々減圧用の開閉弁４５，４６が介設されて
いて、上記排水用及び排気用の各切換弁２２，２８の閉
時で且つ減圧用の開閉弁４５，４６の開時に真空ポンプ
５０を作動させてインナーチャンバー１ａ内及びアウタ
ーチャンバー１ｂ内を減圧及び真空引きするようにした
減圧手段４７を構成している。
【００２５】尚、図中、５１はタンク３７から吸気管３
６に供給する窒素ガスを減圧する減圧弁、５２は吸気管
３６を流れる窒素ガス中の塵埃を捕集するフィルタ、５
３は給水源１０から供給される水を濾過するフィルタ、
５４は給水源１０からヒータ９に供給する冷水量を調整
する開閉弁、５５はヒータ９からの温水のオーバーフロ
ーを許容する逆止弁、５６及び５７は窒素ガスを貯溜す
るタンク３７の窒素ガスを薬液キャナスター１５するた
めの開閉弁である。また、図示していないがプロセスチ
ャンバー１の周囲には、インナーチャンバー１ａ及びそ
の内部に収容した基板Ｗを加熱する輻射加熱器が配置さ
れている。
６に供給する窒素ガスを減圧する減圧弁、５２は吸気管
３６を流れる窒素ガス中の塵埃を捕集するフィルタ、５
３は給水源１０から供給される水を濾過するフィルタ、
５４は給水源１０からヒータ９に供給する冷水量を調整
する開閉弁、５５はヒータ９からの温水のオーバーフロ
ーを許容する逆止弁、５６及び５７は窒素ガスを貯溜す
るタンク３７の窒素ガスを薬液キャナスター１５するた
めの開閉弁である。また、図示していないがプロセスチ
ャンバー１の周囲には、インナーチャンバー１ａ及びそ
の内部に収容した基板Ｗを加熱する輻射加熱器が配置さ
れている。
【００２６】尚、基板Ｗのチャンバー１への投入及び取
出しについては、図２に示すように、チャンバー１の図
中左方に位置するローダー部６０にて基板Ｗがホルダー
にセットされていて、この基板Ｗのみをロボットが取り
上げ、この基板Ｗをインナーチャンバー１ａ内に投入す
る。そして、基板Ｗに対する所定の処理が終了すると、
再びロボットによりチャンバー１内の基板Ｗをアンロー
ダー部６１に移載し、そのホルダーにセットするように
構成されている。
出しについては、図２に示すように、チャンバー１の図
中左方に位置するローダー部６０にて基板Ｗがホルダー
にセットされていて、この基板Ｗのみをロボットが取り
上げ、この基板Ｗをインナーチャンバー１ａ内に投入す
る。そして、基板Ｗに対する所定の処理が終了すると、
再びロボットによりチャンバー１内の基板Ｗをアンロー
ダー部６１に移載し、そのホルダーにセットするように
構成されている。
【００２７】次に、上記図１の装置を使用して基板Ｗを
薬液処理、洗浄及び乾燥する方法を図３ないし図９を用
いて説明する（ 尚、説明の便宜上、図中開閉弁の記号
の一部を黒く塗ってその開状態を示す） 。
薬液処理、洗浄及び乾燥する方法を図３ないし図９を用
いて説明する（ 尚、説明の便宜上、図中開閉弁の記号
の一部を黒く塗ってその開状態を示す） 。
【００２８】先ず、プロセスチャンバー１の蓋部１ｃを
開いた後、第１開閉弁３８を開動作させてタンク３７内
の窒素ガスをアウターチャンバー１ｂ内にパージする。
開いた後、第１開閉弁３８を開動作させてタンク３７内
の窒素ガスをアウターチャンバー１ｂ内にパージする。
【００２９】その後、図３に示すように、開閉弁５７及
び一方の薬液用開閉弁（例えば１８ｂ）を開動作させて
、薬液キャナスター１５内の薬液をインナーチャンバー
１ａ内に注入する。そして、この状態で基板Ｗを支持台
２で支持したものをインナーチャンバー１ａ内に収容し
、プロセスチャンバー１の蓋部１ｃを閉じる。
び一方の薬液用開閉弁（例えば１８ｂ）を開動作させて
、薬液キャナスター１５内の薬液をインナーチャンバー
１ａ内に注入する。そして、この状態で基板Ｗを支持台
２で支持したものをインナーチャンバー１ａ内に収容し
、プロセスチャンバー１の蓋部１ｃを閉じる。
【００３０】そして、その後は、図４に示すように、排
水用及び排気用の各切換弁２２，２８の閉状態の下で、
減圧用の開閉弁４５，４６を開動作させた状態で真空ポ
ンプ５０を作動させて、インナ及びアウターチャンバー
１ａ，１ｂ内を減圧することで基板Ｗ周囲の薬液を攪拌
することにより、基板Ｗの薬液処理を行う。
水用及び排気用の各切換弁２２，２８の閉状態の下で、
減圧用の開閉弁４５，４６を開動作させた状態で真空ポ
ンプ５０を作動させて、インナ及びアウターチャンバー
１ａ，１ｂ内を減圧することで基板Ｗ周囲の薬液を攪拌
することにより、基板Ｗの薬液処理を行う。
【００３１】続いて、図５に示すように、基板Ｗの薬液
処理の完了後は、排水用及び排気用の各切換弁２２，２
８を開動作させて、インナー及びアウターチャンバー１
ａ，１ｂ内の薬液を排出しながら、第１開閉弁３８を開
動作させてタンク３７内の窒素ガスをアウターチャンバ
ー１ｂ内にパージして、インナ及びアウターチャンバー
１ａ，１ｂ内を不活性ガス雰囲気とする。
処理の完了後は、排水用及び排気用の各切換弁２２，２
８を開動作させて、インナー及びアウターチャンバー１
ａ，１ｂ内の薬液を排出しながら、第１開閉弁３８を開
動作させてタンク３７内の窒素ガスをアウターチャンバ
ー１ｂ内にパージして、インナ及びアウターチャンバー
１ａ，１ｂ内を不活性ガス雰囲気とする。
【００３２】そして、図６に示すように、一方の給水用
開閉弁（例えば６ｂ）及び温水用開閉弁１１を開いてヒ
ータ９の温水を基板Ｗの上方からインナーチャンバー１
ａ内に注水して、基板Ｗを該温水で浸す。この際、排気
用の開閉弁２８を開状態にして、インナーチャンバー１
ａからオーバーフローする温水を外部に排水可能とする
。
開閉弁（例えば６ｂ）及び温水用開閉弁１１を開いてヒ
ータ９の温水を基板Ｗの上方からインナーチャンバー１
ａ内に注水して、基板Ｗを該温水で浸す。この際、排気
用の開閉弁２８を開状態にして、インナーチャンバー１
ａからオーバーフローする温水を外部に排水可能とする
。
【００３３】その後は、図７に示すように、給水用開閉
弁６ｂから少量の純水をインナーチャンバー１ａ内に注
入しながら、減圧用の開閉弁４５，４６を開動作させた
状態で真空ポンプ５０を作動させてインナーチャンバー
１ａ内を温水の蒸気圧以下に減圧し、この減圧によりイ
ンナーチャンバー１ａ内の温水を沸騰（バブリング）さ
せて、この温水の沸騰により基板Ｗを洗浄する。
弁６ｂから少量の純水をインナーチャンバー１ａ内に注
入しながら、減圧用の開閉弁４５，４６を開動作させた
状態で真空ポンプ５０を作動させてインナーチャンバー
１ａ内を温水の蒸気圧以下に減圧し、この減圧によりイ
ンナーチャンバー１ａ内の温水を沸騰（バブリング）さ
せて、この温水の沸騰により基板Ｗを洗浄する。
【００３４】そして、以上のように基板Ｗの洗浄を行っ
た後は、続いて、図８に示すように、給水用開閉弁６ｂ
及び温水用開閉弁１１を閉じた後、排水用開閉弁２２を
開いて、インナーチャンバー１ａ内の水を排水管２１を
経て外部に排水する。この際、窒素ガス用の第１開閉弁
３８を開いて、窒素ガスを吸気口２０からアウター及び
インナーチャンバー１ａ，１ｂ内に供給すると共に、排
気用切換弁２８を開いて、該チャンバー１ａ，１ｂ内の
水蒸気及び供給した窒素ガスを排気管２９を経て外部に
排出する。また、この時にアウターチャンバー１ｂの温
度を冷水等により冷却してインナーチャンバー１ａの温
度よりも所定温度（ 例えば２０〜３０℃） 低くすれ
ば、水蒸気をアウターチャンバー１ｂでトラップする作
用を発揮させることができる。
た後は、続いて、図８に示すように、給水用開閉弁６ｂ
及び温水用開閉弁１１を閉じた後、排水用開閉弁２２を
開いて、インナーチャンバー１ａ内の水を排水管２１を
経て外部に排水する。この際、窒素ガス用の第１開閉弁
３８を開いて、窒素ガスを吸気口２０からアウター及び
インナーチャンバー１ａ，１ｂ内に供給すると共に、排
気用切換弁２８を開いて、該チャンバー１ａ，１ｂ内の
水蒸気及び供給した窒素ガスを排気管２９を経て外部に
排出する。また、この時にアウターチャンバー１ｂの温
度を冷水等により冷却してインナーチャンバー１ａの温
度よりも所定温度（ 例えば２０〜３０℃） 低くすれ
ば、水蒸気をアウターチャンバー１ｂでトラップする作
用を発揮させることができる。
【００３５】その後は、図９に示すように、窒素ガス用
の第１開閉弁３８を閉じた後、減圧用の開閉弁４５，４
６を開動作させた状態で真空ポンプ５０を作動させて、
インナーチャンバー１ａ及びアウターチャンバー１ｂ内
を真空引きし、この減圧作用により基板Ｗ及びインナー
チャンバー１ａの乾燥を行って、基板Ｗの洗浄及び乾燥
の動作を終了する。
の第１開閉弁３８を閉じた後、減圧用の開閉弁４５，４
６を開動作させた状態で真空ポンプ５０を作動させて、
インナーチャンバー１ａ及びアウターチャンバー１ｂ内
を真空引きし、この減圧作用により基板Ｗ及びインナー
チャンバー１ａの乾燥を行って、基板Ｗの洗浄及び乾燥
の動作を終了する。
【００３６】そして、その後は、窒素ガス用の第２開閉
弁３９を開いて、窒素ガスをアウターチャンバー１ｂの
吸気口から該アウター及びインナーチャンバー１ａ，１
ｂ内にゆっくり供給して、該チャンバー１ａ，１ｂ内を
大気圧に戻した後、蓋部１ｃを開き、基板Ｗを取出す。
弁３９を開いて、窒素ガスをアウターチャンバー１ｂの
吸気口から該アウター及びインナーチャンバー１ａ，１
ｂ内にゆっくり供給して、該チャンバー１ａ，１ｂ内を
大気圧に戻した後、蓋部１ｃを開き、基板Ｗを取出す。
【００３７】尚、上記実施例では、基板Ｗの洗浄後はそ
の洗浄に供したインナーチャンバー１ａ内の温水を排水
したが、これと共に純水の温水をインナーチャンバー１
ａ内に供給して、基板Ｗのすすぎを行ってもよい。この
場合、すすぎ動作を冷水で行う場合にはインナーチャン
バー１ａ及びその内部の基板Ｗを輻射加熱器を用いて給
水管５からの温水の温度にまで補助加熱する。
の洗浄に供したインナーチャンバー１ａ内の温水を排水
したが、これと共に純水の温水をインナーチャンバー１
ａ内に供給して、基板Ｗのすすぎを行ってもよい。この
場合、すすぎ動作を冷水で行う場合にはインナーチャン
バー１ａ及びその内部の基板Ｗを輻射加熱器を用いて給
水管５からの温水の温度にまで補助加熱する。
【００３８】したがって、上記実施例においては、薬液
キャナスター１５の薬液をチャンバー１に供給した後は
、真空ポンプ５０の作動によるチャンバー１内の減圧作
用により、基板Ｗ周囲の薬液を攪拌して基板Ｗの薬液処
理を行うので、従来のような付設ヒータの熱エネルギー
による薬液の攪拌時のように高温にならず、低温下での
薬液処理が可能となり、半導体ＩＣの性能が所期通り良
好に確保される。
キャナスター１５の薬液をチャンバー１に供給した後は
、真空ポンプ５０の作動によるチャンバー１内の減圧作
用により、基板Ｗ周囲の薬液を攪拌して基板Ｗの薬液処
理を行うので、従来のような付設ヒータの熱エネルギー
による薬液の攪拌時のように高温にならず、低温下での
薬液処理が可能となり、半導体ＩＣの性能が所期通り良
好に確保される。
【００３９】また、基板Ｗに対する薬液処理、洗浄及び
乾燥が何れも真空ポンプ５０の作動によるチャンバー１
内の減圧作用により行われて、その各処理を行うための
駆動部が不要となり、上記各処理中は基板Ｗを完全静止
状態に保持できるので、基板Ｗに対する上記各処理につ
いて基板Ｗ周囲の微細なゴミの影響を解放することがで
きる。
乾燥が何れも真空ポンプ５０の作動によるチャンバー１
内の減圧作用により行われて、その各処理を行うための
駆動部が不要となり、上記各処理中は基板Ｗを完全静止
状態に保持できるので、基板Ｗに対する上記各処理につ
いて基板Ｗ周囲の微細なゴミの影響を解放することがで
きる。
【図１】基板の薬液処理、洗浄及び乾燥のための配管系
統図である。
統図である。
【図２】全体の概略構成図である。
【図３】薬液の投入を示す作動説明図である。
【図４】薬液処理を示す作動説明図である。
【図５】薬液の排出及び窒素ガスのパージを示す作動説
明図である。
明図である。
【図６】温水の注入を示す作動説明図である。
【図７】温水の減圧沸騰による基板の洗浄を示す作動説
明図である。
明図である。
【図８】温水の排出を示す作動説明図である。
【図９】基板の乾燥を示す作動説明図である。
１ 全密閉式プロセスチャ
ンバー１ａ インナーチャンバ
ー１ｂ アウターチャンバー５
ａ，５ｂ 給水管 ６ａ，６ｂ 給水用開閉弁 １３ 給水手段１５
薬液キャナスター１７
薬液供給管１８ａ，１８ｂ 薬液用開閉弁 １９ 薬液供給手段２１
排水管 ２２ 排水用切換弁２９
排気管 ３０ 排出手段４５，４６
減圧用開閉弁
ンバー１ａ インナーチャンバ
ー１ｂ アウターチャンバー５
ａ，５ｂ 給水管 ６ａ，６ｂ 給水用開閉弁 １３ 給水手段１５
薬液キャナスター１７
薬液供給管１８ａ，１８ｂ 薬液用開閉弁 １９ 薬液供給手段２１
排水管 ２２ 排水用切換弁２９
排気管 ３０ 排出手段４５，４６
減圧用開閉弁
Claims (4)
- 【請求項１】全密閉式のチャンバ−内に薬液を注入した
後、上記チャンバ−内で基板を薬液に浸した状態で該チ
ャンバー内を減圧することで上記基板周囲の薬液を攪拌
することを特徴とする基板の薬液処理方法。 - 【請求項２】基板が収容される全密閉式のチャンバーと
、該チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段と、上
記チャンバー内を減圧する減圧手段とを備えたことを特
徴とする基板の薬液処理装置。 - 【請求項３】全密閉式のチャンバ−内に薬液を注入した
後、上記チャンバ−内で基板を薬液に浸した状態で該チ
ャンバー内を減圧することで上記基板周囲の薬液を攪拌
し、その後、チャンバー内の薬液を排出した後、該チャ
ンバー内に温水を注入して基板を該温水に浸し、次いで
該チャンバー内を温水の蒸気圧以下に減圧することで該
温水を沸騰させ、続いて上記チャンバー内の温水を排水
した後、チャンバー内を真空引きして乾燥することを特
徴とする基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法。 - 【請求項４】基板が収容される全密閉式のチャンバーと
、該チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段と、上
記チャンバー内に温水及び純水を供給する給水手段と、
上記チャンバー内を減圧及び真空引きする減圧手段と、
上記チャンバー内の薬液、温水及び純水を排出する排出
手段とを備えたことを特徴とする基板の薬液処理、洗浄
及び乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12933791A JPH04354128A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12933791A JPH04354128A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354128A true JPH04354128A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=15007114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12933791A Pending JPH04354128A (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04354128A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652144U (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-15 | 株式会社スガイ | 基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置 |
| US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| KR100464853B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 순간감압가열 건조방법 및 장치 |
| JP2008545272A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウエハからの物質除去方法並びに除去装置 |
| CN102804332A (zh) * | 2009-06-17 | 2012-11-28 | 动力微系统公司 | 集成式清洁器和干燥器系统 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP12933791A patent/JPH04354128A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652144U (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-15 | 株式会社スガイ | 基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置 |
| US6896740B2 (en) | 1997-03-21 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7422639B2 (en) | 1997-03-21 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6607001B1 (en) * | 1997-03-21 | 2003-08-19 | Micron Technology, Inc. | System of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6641677B1 (en) | 1997-03-21 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7163019B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-01-16 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6656289B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-12-02 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6601595B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6350322B1 (en) | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US6645311B2 (en) | 1997-03-21 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| US7204889B2 (en) | 1997-03-21 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
| KR100464853B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 순간감압가열 건조방법 및 장치 |
| JP2008545272A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウエハからの物質除去方法並びに除去装置 |
| US8691027B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-04-08 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
| CN102804332A (zh) * | 2009-06-17 | 2012-11-28 | 动力微系统公司 | 集成式清洁器和干燥器系统 |
| JP2012531035A (ja) * | 2009-06-17 | 2012-12-06 | ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー | 統合されたクリーナ及びドライヤシステム |
| US11443962B2 (en) | 2009-06-17 | 2022-09-13 | Brooks Automation Us, Llc | Integrated handling system for semiconductor articles |
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