JPH01226157A - 半導体基板の乾燥方法 - Google Patents
半導体基板の乾燥方法Info
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- JPH01226157A JPH01226157A JP5279688A JP5279688A JPH01226157A JP H01226157 A JPH01226157 A JP H01226157A JP 5279688 A JP5279688 A JP 5279688A JP 5279688 A JP5279688 A JP 5279688A JP H01226157 A JPH01226157 A JP H01226157A
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- semiconductor substrate
- organic solvent
- drying
- container
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板を安全に乾燥させる半導体基板の
乾燥方法に関する。
乾燥方法に関する。
（従来の技術）
シリコン基板などの半導体基板は、スライス後に粉塵等
が付着しているので、洗浄し、その後乾燥する必要があ
る。
が付着しているので、洗浄し、その後乾燥する必要があ
る。
従来、半導体基板を乾燥させる際には、半導体基板を専
用のカセットにセットして密閉容器内に載置し、密閉容
器内でイソプロピルアルコール等の揮発性を有する有機
溶剤を加熱することにより蒸気を発生させ、この蒸気を
半導体基板の表面に接触させることにより半導体基板の
乾燥を行なっていた。
用のカセットにセットして密閉容器内に載置し、密閉容
器内でイソプロピルアルコール等の揮発性を有する有機
溶剤を加熱することにより蒸気を発生させ、この蒸気を
半導体基板の表面に接触させることにより半導体基板の
乾燥を行なっていた。
（発明が解決しようとする課８）
しかしながら、上記従来の乾燥方法においては、有機溶
剤をヒータ等により加熱するため、爆発や火災等か発生
するおそれがあった。また、従来の如き蒸気による場合
には、確実な乾燥が期待できず、半導体基板表面に部分
的に乾燥不十分な箇所が残り、水しみ等の乾燥むらか生
じる問題があった。
剤をヒータ等により加熱するため、爆発や火災等か発生
するおそれがあった。また、従来の如き蒸気による場合
には、確実な乾燥が期待できず、半導体基板表面に部分
的に乾燥不十分な箇所が残り、水しみ等の乾燥むらか生
じる問題があった。
そこで、本発明では、常温で減圧乾燥を行なうことによ
り、安全に乾燥させることを可能とするとともに、乾燥
むらを防止した乾燥方法を提供することを目的としてい
る。
り、安全に乾燥させることを可能とするとともに、乾燥
むらを防止した乾燥方法を提供することを目的としてい
る。
（課題の解決手段及び作用）
本発明は、密閉容器内に半導体基板をセットし、半導体
基板を水浸漬処理した後、有機溶剤浸漬処理を行なうこ
とにより、半導体基板表面に有機溶剤の薄膜を形成し、
更に前記密閉容器内を真空ポンプで減圧することにより
、前記半導体基板表面の有機溶剤を蒸発させる乾燥方法
を第１発明とし、更に、蓋を備えた密閉容器に、純水供
給源及び該供給源からのパイプと、有機溶剤供給源及び
該供給源からのパイプと、真空ポンプ及び該ポンプから
のパイプと、排液パイプと、をそれぞれ配設してなる乾
燥装置を第２発明としている。
基板を水浸漬処理した後、有機溶剤浸漬処理を行なうこ
とにより、半導体基板表面に有機溶剤の薄膜を形成し、
更に前記密閉容器内を真空ポンプで減圧することにより
、前記半導体基板表面の有機溶剤を蒸発させる乾燥方法
を第１発明とし、更に、蓋を備えた密閉容器に、純水供
給源及び該供給源からのパイプと、有機溶剤供給源及び
該供給源からのパイプと、真空ポンプ及び該ポンプから
のパイプと、排液パイプと、をそれぞれ配設してなる乾
燥装置を第２発明としている。
したかって、常温で有機溶剤が取扱われるので、爆発、
引火等の危険性も回避でき、減圧乾燥により乾燥むらか
防止される。
引火等の危険性も回避でき、減圧乾燥により乾燥むらか
防止される。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
図面は本発明の方法を実施する密閉容器を示す縦断面図
である。この密閉容器１は、容器本体２と、この容器本
体２の口部を閉塞する蓋３とからなる。
である。この密閉容器１は、容器本体２と、この容器本
体２の口部を閉塞する蓋３とからなる。
容器２の内部には、上部が開口した内容器４と、この内
容器４内で複数の半導体基板（シリコンウェー八等）５
を縦置きで支持するカセット６が配設されており、内容
器４の下部には、遮蔽すのこ７が設置されている。
容器４内で複数の半導体基板（シリコンウェー八等）５
を縦置きで支持するカセット６が配設されており、内容
器４の下部には、遮蔽すのこ７が設置されている。
また、上記内容器４の底面には、純水供給用のパイプ８
、有機溶剤供給用のパイプ９、及び排液用のパイプｌＯ
が接続されている。
、有機溶剤供給用のパイプ９、及び排液用のパイプｌＯ
が接続されている。
上記パイプ８は純水供給源に接続され、フィルタ１１及
びパイプ通路を開閉する純水供給用バルブ１２が介設さ
れている。上記パイプ９は有機溶剤のタンク１３に接続
され、有機溶剤用ポンプ１４及びフィルタ１５が介設さ
れている。上記パイプｌＯには排液用バルブ１６が介設
され、純水溶剤の双方が排出される。
びパイプ通路を開閉する純水供給用バルブ１２が介設さ
れている。上記パイプ９は有機溶剤のタンク１３に接続
され、有機溶剤用ポンプ１４及びフィルタ１５が介設さ
れている。上記パイプｌＯには排液用バルブ１６が介設
され、純水溶剤の双方が排出される。
更に、上記容器本体２には、その底部に排液用のバルブ
１７を有する排液用のパイプ１８が接続され、その上部
には真空吸引用のパイプ２０が接続されている。パイプ
２０には真空ポンプ２１が介設され、この上流側からは
Ｎ２ガス供給用のパイプ２２が分岐し、このパイプ２２
にはフィルタ２３及びガス供給用のバルブ２４が介設さ
れている。そして、上記排液用のパイプ１８からは、内
容器４からオーバーフローした純水が排出される構成と
なっている。
１７を有する排液用のパイプ１８が接続され、その上部
には真空吸引用のパイプ２０が接続されている。パイプ
２０には真空ポンプ２１が介設され、この上流側からは
Ｎ２ガス供給用のパイプ２２が分岐し、このパイプ２２
にはフィルタ２３及びガス供給用のバルブ２４が介設さ
れている。そして、上記排液用のパイプ１８からは、内
容器４からオーバーフローした純水が排出される構成と
なっている。
このような装置を用いて、半導体基板５を乾燥させるに
は、まず半導体基板５をカセット６にセットし、密閉可
能な容器１中に置く。この時バルブ１２．１６，１７．
２４は全部閉じておく。
は、まず半導体基板５をカセット６にセットし、密閉可
能な容器１中に置く。この時バルブ１２．１６，１７．
２４は全部閉じておく。
次に、純水供給用バルブ１２を開き、純水により半導体
基板５を水洗する。洗浄後は、純水供給バルブ１２を閉
じ、排液用バルブ１７及び１６を開いて排水を行ない、
洗浄を終了する。
基板５を水洗する。洗浄後は、純水供給バルブ１２を閉
じ、排液用バルブ１７及び１６を開いて排水を行ない、
洗浄を終了する。
その後、排液用バルブ１６．１７を閉じ、有機溶剤用ポ
ンプ１４を作動させ、半導体基板５を有機溶剤で洗浄し
、再度、排液用バルブ１６．１７を開いて排液する。
ンプ１４を作動させ、半導体基板５を有機溶剤で洗浄し
、再度、排液用バルブ１６．１７を開いて排液する。
完全に排液を行なった後、排液用バルブ１６゜１７を閉
じ真空ポンプ２１を作動させて容器ｌ内を減圧し、半導
体基板５表面に残った有機溶剤を蒸発させる。
じ真空ポンプ２１を作動させて容器ｌ内を減圧し、半導
体基板５表面に残った有機溶剤を蒸発させる。
半導体基板５を乾燥させた後、窒素供給バルブ２４を開
いて窒素ガスＮ２を供給することにより容器ｌ内を常圧
に戻して乾燥処理を終了する。
いて窒素ガスＮ２を供給することにより容器ｌ内を常圧
に戻して乾燥処理を終了する。
このように、従来の如く加熱することなく、常温て有機
溶剤が取扱われるので、有機溶剤による爆発や引火の危
険性がなくなり、安全性が高まる。また、減圧により乾
燥されるので、乾燥むらを生ずることがない。
溶剤が取扱われるので、有機溶剤による爆発や引火の危
険性がなくなり、安全性が高まる。また、減圧により乾
燥されるので、乾燥むらを生ずることがない。
なお、有機溶剤処理においては、一種類に限らず、二種
類以上の有機溶剤を用いて、各々の溶剤により順次処理
を行なうようにしてもよい。
類以上の有機溶剤を用いて、各々の溶剤により順次処理
を行なうようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、常温て有機溶剤
が取扱われるので、爆発、引火の危険性かなくなり、安
全性を高めることができ、また、減圧乾燥によるので、
半導体基板表面に乾燥むらなどが生ずることか防止され
る等の利点を有する。
が取扱われるので、爆発、引火の危険性かなくなり、安
全性を高めることができ、また、減圧乾燥によるので、
半導体基板表面に乾燥むらなどが生ずることか防止され
る等の利点を有する。
図面は密閉容器及び各種接続パイプを示す概略断面図で
ある。 １・・・密閉容器 ５・・・半導体基板 ２１・・・真空ポンプ 特許出願人 九州電子金屈株式会社
ある。 １・・・密閉容器 ５・・・半導体基板 ２１・・・真空ポンプ 特許出願人 九州電子金屈株式会社
Claims (3)
- （１）半導体基板を乾燥する方法において、密閉容器内
に半導体基板をセットし、半導体基板を水浸漬処理した
後、有機溶剤浸漬処理を行なうことにより、半導体基板
表面に有機溶剤の薄膜を形成し、更に前記密閉容器内を
真空ポンプで減圧することにより、前記半導体基板表面
の有機溶剤を蒸発させることを特徴とする半導体基板の
乾燥方法。 - （２）前記有機溶剤浸漬処理が二種類以上の有機溶剤を
用いて各有機溶剤ごとに、順次、連続的な処理である特
許請求の範囲第１項記載の半導体基板の乾燥方法。 - （３）蓋を備えた密閉容器に、純水供給源及び該供給源
からのパイプと、有機溶剤供給源及び該供給源からのパ
イプと、真空ポンプ及び該ポンプからのパイプと、排液
パイプと、をそれぞれ配設してなることを特徴とする半
導体基板の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5279688A JPH01226157A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体基板の乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5279688A JPH01226157A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体基板の乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226157A true JPH01226157A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12924799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5279688A Pending JPH01226157A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 半導体基板の乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01226157A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492633U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| WO1992020984A1 (en) * | 1991-05-24 | 1992-11-26 | Nikku Industry Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus |
| US5368649A (en) * | 1992-06-19 | 1994-11-29 | T.H.I. System Corporation | Washing and drying method |
| KR100783761B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2007-12-07 | 주식회사 디엠에스 | 진공건조장치 |
| US8709163B2 (en) | 2004-11-18 | 2014-04-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of descaling a mask |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP5279688A patent/JPH01226157A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492633U (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-12 | ||
| WO1992020984A1 (en) * | 1991-05-24 | 1992-11-26 | Nikku Industry Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus |
| US5377425A (en) * | 1991-05-24 | 1995-01-03 | Nikku Industry Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus |
| US5368649A (en) * | 1992-06-19 | 1994-11-29 | T.H.I. System Corporation | Washing and drying method |
| US8709163B2 (en) | 2004-11-18 | 2014-04-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of descaling a mask |
| KR100783761B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2007-12-07 | 주식회사 디엠에스 | 진공건조장치 |
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