JP3982573B2 - 基板の洗浄・乾燥処理装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板を純水で洗浄した後その基板表面を乾燥させる基板の洗浄・乾燥処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンウエハ等の各種基板を、温水を使用して洗浄し、その洗浄後に基板表面を乾燥させる方法としては、従来、例えば特開平3−30330号公報に開示されているような方法が知られている。同号公報には、基板をチャンバ内に収容し、そのチャンバ内に温水を注入して基板を温水に浸した後、チャンバ内を温水の蒸気圧以下に減圧して温水を沸騰させ、この温水の減圧沸騰により基板を洗浄し、その洗浄後にチャンバ内に純水を注入し、純水によって基板をすすいで清浄にした後、チャンバ内の水を排出させるとともに、チャンバ内を真空引きして、洗浄された基板を乾燥させるようにする基板の洗浄・乾燥処理方法が開示されている。また、同号公報には、チャンバ内の水を排出させる際に、その排水と同時に窒素ガスをチャンバ内に供給することにより、基板に塵埃が付着するのを窒素ガスによって有効に防止するようにする技術が開示されている。
【0003】
また、特開平3−169013号公報には、密閉された容器内に温水を入れ、半導体ウエハを容器に懸架して支持し温水中に浸漬させて洗浄した後、容器内にウエハを移動させないよう保持した状態で、容器内へ水と相溶性のあるイソプロピルアルコール(IPA)等の乾燥蒸気を供給するとともに、容器下部から水を排出させ、ウエハの表面に水滴が残らないように水の流出速度及び乾燥蒸気の流入速度を制御しながら、水をウエハ表面から乾燥蒸気で置換し、その後に乾燥した窒素等の不活性で非凝縮性ガスを容器内に導入してウエハ表面から乾燥蒸気をパージすることにより、ウエハを乾燥させるようにする方法が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記した特開平3−30330号公報に開示された方法では、温水により基板を洗浄し純水で基板をすすいだ後、基板を静止させたままチャンバ内から排水するようにしている。このように、基板を静止させた状態で排水し、チャンバ内の液面を下げていって基板の周囲から水を排除するようにしているが、チャンバからの排水過程では、洗浄によって基板表面から除去されて液中に拡散したパーティクルが液面付近に集中する。このため、静止した基板の表面上を液面が下降していく際に、基板の表面にパーティクルが再付着し易い、といった問題点がある。
【0005】
また、特開平3−169013号公報に開示された方法では、密閉容器内において温水により基板を洗浄した後、基板を静止させたまま容器から排水するとともに、容器内へIPA蒸気等の乾燥蒸気を供給し、水をIPA蒸気等で置換して基板を乾燥させるようにしている。このように、密閉容器内で基板を静止させたまま水をIPA蒸気等で置換することだけで、基板の乾燥処理を行なうようにしているため、IPA等の有機溶剤を多量に必要とするばかりでなく、使用される有機溶剤の沸点、例えばIPAでは80℃の温度付近まで基板の温度を上昇させておかないと、基板表面上に蒸気凝縮したIPAが速やかに蒸発しないことにより、乾燥時間が長くなってしまう、といった問題点がある。
【0006】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、シリコンウエハ等の基板を純水で洗浄した後その基板表面を乾燥させる場合に、基板表面へのパーティクルの付着を少なく抑えることができるとともに、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なくて済み、また、基板を特に加熱したりしなくても乾燥が速やかに行なわれるような基板の洗浄・乾燥処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、基板の洗浄・乾燥処理装置において、純水を収容し、収容された純水中に基板が浸漬させられる洗浄槽と、前記洗浄槽の上部に設けられ、洗浄槽の上部開口面を閉鎖的に包囲するように洗浄槽の上部空間を閉塞し、その密閉された上部空間に基板の収容が可能である密閉チャンバと、前記洗浄槽と前記密閉チャンバとの間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって前記洗浄槽から前記密閉された空間へ移動させられた基板の乾燥が行われる前記密閉チャンバの壁面を加熱する第1のヒータと、前記溶剤蒸気供給手段によって前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気が供給される前に前記密閉チャンバ内へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、前記窒素ガス供給手段によって前記密閉チャンバ内へ供給される窒素ガスを加熱する第2のヒータと、を備えたことを特徴とする。
【0008】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記第1のヒータを制御する制御器をさらに備えたことを特徴とする。
【0009】
請求項3に係る発明は、請求項2に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記密閉チャンバの温度を検出する温度計をさらに備え、前記制御器は、前記温度計の検出結果に基づいて前記第1のヒータを制御することを特徴とする。
【0012】
請求項4に係る発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載に基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記洗浄槽での洗浄処理が終了し前記基板昇降手段によって前記洗浄槽から前記密閉チャンバへ移動させられた基板が、前記溶剤蒸気供給手段によって前記密閉チャンバ内へ供給される有機溶剤の蒸気により乾燥させられることを特徴とする。
【0013】
請求項5に係る発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記密閉チャンバ内での基板の乾燥処理の際に前記密閉チャンバ内を減圧状態にする減圧手段をさらに備えたことを特徴とする。
【0014】
請求項6に係る発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記第1のヒータは、前記密閉チャンバ内での基板の乾燥処理の際に前記密閉チャンバの壁面を加熱することを特徴とする。
【0015】
請求項7に係る発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記第1のヒータは、前記溶剤蒸気供給手段によって前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気が供給される前に前記密閉チャンバの壁面を加熱することを特徴とする。
【0016】
請求項8に係る発明は、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、前記基板昇降手段によって前記洗浄槽から前記密閉チャンバへ基板が移動させられた後に、前記洗浄槽に収容された純水を排出する排水手段をさらに備えたことを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0018】
図1及び図2は、この発明の実施形態の1例を示し、図1は、基板の洗浄・乾燥処理装置の全体構成を示す概略図であり、図2は、その装置の洗浄・乾燥処理部の構成を示す側面断面図である。
【0019】
まず、洗浄・乾燥処理部10の構成について説明する。洗浄・乾燥処理部10は、洗浄槽12、溢流水受け部14及び密閉チャンバ16から構成されている。洗浄槽12には、その底部に純水供給口18が形成され、一方、その上部に越流部20が形成されていて、越流部20を越えて洗浄槽12から溢れ出た純水が溢流水受け部14内へ流れ込むように、洗浄槽12と溢流水受け部14とで二重槽構造となっている。また、洗浄槽12は、その内部に収容された純水中に基板、例えばシリコンウエハを複数枚収容したカセットCが完全に浸漬され得るような内容積を有している。そして、洗浄槽12及び溢流水受け部14の上方空間は、密閉チャンバ16によって閉鎖的に包囲されている。密閉チャンバ16の前面側には、複数枚のウエハを収容したカセットCを出し入れするための開口22が形成されており、その開口22を開閉自在に気密に閉塞することができる密閉蓋24が設けられている。また、密閉チャンバ16の側壁面には、蒸気供給口26が形成されている。さらに、密閉チャンバ16の外壁面には、それを被覆するようにラバーヒータ25が配設されており、また、密閉蓋24には、密閉チャンバ16の内壁面の温度を検出するための温度計27が、密閉蓋24の壁面を貫通して取り付けられている。
【0020】
また、密閉チャンバ16内には、ウエハを収容したカセットCを保持する保持部材28が配設されており、この保持部材28を上下方向に往復移動させて、保持部材28に保持されたカセットCを、二点鎖線で示した洗浄槽上方位置と実線で示した洗浄槽内部位置との間で昇降移動させる昇降駆動機構が密閉チャンバ16に併設されている。昇降駆動機構は、上端部が保持部材28に連接された駆動ロッド30、この駆動ロッド30を摺動自在に支持する軸受装置32、駆動プーリ34及び従動プーリ36、両プーリ34、36間に掛け渡され、駆動ロッド30の下端部が固着されたベルト38、並びに、駆動プーリ34を回転駆動する駆動用モータ40から構成されている。尚、上記保持部材28により複数のウエハを直接保持させることにより、カセットCを省略する構成とすることも可能である。
【0021】
洗浄槽12の純水供給口18には、純水供給源に連通接続された純水供給管路42が管路44、46を介して連通接続されており、純水供給管路42には、エアー開閉弁48、フィルター装置50及びボール弁52が介設されている。また、純水供給管路42の途中に純水リターン管路54が分岐接続されており、純水リターン管路54にはエアー開閉弁56が介設されている。洗浄槽12の純水供給口18は、純水供給管路42とは別に、管路44から分岐した純水排出管路58に連通接続されており、純水排出管路58は、管路60を介してドレンに接続している。一方、溢流水受け部14には排水口62が形成され、その排水口62に管路64を介して排水管路66が連通接続されており、排水管路66は、純水排出管路58と合流して管路60を介しドレンに接続している。純水排出管路58及び排水管路66には、それぞれエアー開閉弁68、70が介設されている。
【0022】
さらに、洗浄槽12の純水供給口18は、管路46から分岐した真空排気管路72に連通接続されており、一方、溢流水受け部14の排水口62は、管路64から分岐した真空排気管路74に連通接続されている。各真空排気管路72、74には、エアー開閉弁76、78がそれぞれ介設されており、両真空排気管路72、74は合流し、真空排気管路80を介して水封式真空ポンプ82に連通接続している。図中の84は、真空排気管路80に介設されたボール弁である。
【0023】
また、密閉チャンバ16の蒸気供給口26には、不活性ガス、例えば窒素(N)ガスの供給源に連通接続された蒸気供給用管路86が連通接続されており、蒸気供給用管路86には、エアー開閉弁88、ヒータ90、アルコール蒸気発生ユニット92及びフィルター94が介設されている。アルコール蒸気発生ユニット92では、メチルアルコール、エチルアルコール、IPA等のアルコール類の蒸気が生成される。尚、アルコール類以外に、アルコール類と同様に水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下させる作用を有する有機溶剤として、アセトン、ジエチルケトン等のケトン類、メチルエーテル、エチルエーテル等のエーテル類、エチレングリコール等の多価アルコールなどを使用することもできるが、金属等の不純物の含有量が少ないものが市場に多く提供されている点などからすると、IPAを使用するのが最も好ましい。このアルコール蒸気発生ユニット92におけるアルコール蒸気の発生方法としては、アルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、バブリングする方法、超音波を利用する方法など、適宜の方法を使用するようにすればよい。また、アルコール蒸気発生ユニット92には、温調機能が備わっており、所定温度に調節されたアルコール蒸気が生成されるようになっている。さらに、この蒸気供給用管路86の途中には、エアー開閉弁88とヒータ90との間の区間で分岐しアルコール蒸気発生ユニット92とフィルター94との間の区間で合流する分岐管路95が設けられており、その分岐管路95にイオナイザー96及びエアー開閉弁98が介設されている。そして、エアー開閉弁88が開いた状態で、窒素ガス供給源から送られる窒素ガスがヒータ90によって加熱され、その加熱された窒素ガスにより、アルコール蒸気発生ユニット92で発生したアルコール蒸気が蒸気供給用管路86を通して送られ、アルコール蒸気が窒素ガスと共にフィルター94によって清浄化された後、蒸気供給口26を通して密閉チャンバ16内へ供給される構成となっている。また、エアー開閉弁98を開くことにより、窒素ガス供給源から送られヒータ90によって加熱された窒素ガスをイオナイザー96によってイオン化させ、その加熱されかつイオン化されフィルター94によって清浄化された窒素ガスを蒸気供給口26を通して密閉チャンバ16内へ供給することができるようにもなっている。
【0024】
さらに、この装置には、温度計27の検出信号に基づいてラバーヒータ25を制御することにより、密閉チャンバ16の内壁面の温度を所定温度、例えば温純水の温度以上に所望期間保持させるための制御器100が設けられている。
【0025】
次に、上記した構成の基板の洗浄・乾燥処理装置を使用し、基板、例えばシリコンウエハの洗浄及び乾燥処理を行なう方法の1例について説明する。
【0026】
まず、エアー開閉弁48、70を開き、それ以外のエアー開閉弁56、68、76、78、88、98を閉じた状態で、純水供給源から純水供給管路42及び管路46、44を通して純水、例えば温純水を送り、洗浄槽12内へその底部の純水供給口18から温純水を連続して供給することにより、洗浄槽12の内部に温純水の上昇水流を形成する。このとき、洗浄槽12内部を満たした温純水は、その上部の越流部20から溢れ出て、溢流水受け部14内へ流入し、溢流水受け部14から排水口62を通り、排水管路66及び管路60を通ってドレンに排出される。また、同時に、ラバーヒータ25により密閉チャンバ16の壁面を加熱する。この加熱は、密閉蓋24の壁面に取り付けられた温度計27の検出信号に基づき、制御器100によってラバーヒータ25を制御し、密閉チャンバ16の内壁面の温度が所定温度、例えば温純水の温度(1例として60°)以上に保持されるように行なわれる。このように密閉チャンバ16の内壁面を加熱しておくことにより、後述するウエハの洗浄中や温純水中からのウエハの引上げ過程において、密閉チャンバ16の内壁面などへの水蒸気の結露が起こらず、アルコール蒸気がウエハの周囲へ供給された際に、その蒸気の熱エネルギーが結露した水滴で奪われる、といったことが防止されて、ウエハの乾燥効率が向上することになる。そして、カセットCに収容された複数枚のウエハが開口22を通して密閉チャンバ16内へ搬入され、密閉蓋24が気密に閉塞される。
【0027】
次に、昇降駆動機構を作動させ、保持部材28に保持されたカセットCを図2の実線位置まで下降させて、洗浄槽12内の温純水中にウエハを浸漬させ、温純水の上昇水流中にウエハを所定時間置くことによりウエハを洗浄する。これにより、ウエハの表面からパーティクルが除去される。そして、ウエハ表面から除去されて温純水中へ拡散していったパーティクルは、洗浄槽12の上部の越流部20から溢れ出る温純水と共に洗浄槽12から排出される。
【0028】
ウエハの洗浄が終了すると、昇降駆動機構を作動させて、保持部材28に保持されたカセットCを図2の二点鎖線で示した位置まで上昇させ、ウエハを洗浄槽12内の温純水中から引き上げる。このようにウエハを上昇させて温純水中から引き上げるようにしているので、温純水中に拡散していったパーティクルがウエハの表面に再付着するといったことは起こらない。そして、温純水中からウエハを引上げ始めるのと同時に、エアー開閉弁88を開いて、窒素供給源から蒸気供給用管路86を通して窒素ガスを送り、密閉チャンバ16内へ蒸気供給口26からアルコール蒸気を送り込んで、温純水中から引き上げられている途中のウエハの周囲へアルコール蒸気を供給する。このアルコール蒸気の供給は、温純水中からのウエハの引上げが完全に終了するまで行なう。尚、温純水中からのウエハの引上げ開始以前にエアー開閉弁88を開き、密閉チャンバ16内へアルコール蒸気を供給するようにし、温純水中からのウエハの引上げ開始時点で純水界面がアルコール蒸気で満たされた状態になっているようにしておいてもよい。また、ウエハの周囲へのアルコール蒸気の供給開始時点で、ラバーヒータ25による密閉チャンバ16の壁面の加熱操作を終了する。勿論、引き続き、ウエハの乾燥が終了するまで密閉チャンバ16の壁面を加熱するようにしても差し支えない。
【0029】
尚、エアー開閉弁88を開いて密閉チャンバ16内へアルコール蒸気を供給する前に、エアー開閉弁98を開いて、窒素供給源から分岐管路95を通して加熱された窒素ガス(イオン化されていることは不要)を密閉チャンバ16内へ送り込むようにし、フィルター94を加温しておく。また、エアー開閉弁88を開いて密閉チャンバ16内へアルコール蒸気を供給するのと併行し、エアー開閉弁98も開いて、加熱されイオン化された窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込むようにしてもよい。このように加熱されイオン化された窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込むことにより、密閉チャンバ16が耐食性材料で形成されて絶縁体構造となっていることにより密閉チャンバ16内に静電気が多量に発生(2〜10kV)しても、その静電気は、イオン化された窒素ガスによって電気的に中和されて消失する。このため、静電気が原因となってウエハの表面にパーティクルが付着するといったことが有効に防止される。
【0030】
温純水中からのウエハの引上げが終了すると、エアー開閉弁48を閉じるとともにエアー開閉弁56を開いて、洗浄槽12への温純水の供給を停止させ、同時に、エアー開閉弁68を開いて、洗浄槽12内の温純水を純水排出管路58及び管路60を通してドレンへ排出し、洗浄槽12からの温純水の排出が終わると、エアー開閉弁68、70を閉じる。また、洗浄槽12から温純水を排出し始めるのと同時に、エアー開閉弁76、78を開いて、水封式真空ポンプ82を作動させ、各真空排気管路72、74及び真空排気管路80を通して密閉チャンバ16内を真空排気し、密閉チャンバ16内を減圧状態にすることにより、ウエハの表面に凝縮して純水と置換したアルコールを蒸発させてウエハを乾燥させる。尚、温純水中からのウエハの引上げが終了して密閉チャンバ16内の減圧操作を開始した時点で、エアー開閉弁88を閉じて密閉チャンバ16内へのアルコール蒸気の供給を停止するようにするが、密閉チャンバ16内の減圧操作時にもアルコール蒸気を少量だけ密閉チャンバ16内へ供給し続けてもよい。また、密閉チャンバ16内の減圧操作と密閉チャンバ16内へのアルコール蒸気の供給操作とを交互に繰り返すようにしてもよい。
【0031】
ウエハの乾燥が終了すると、真空ポンプ82を停止させて、密閉チャンバ16内を減圧下から大気圧下へ戻すようにする。尚、上記したように、密閉チャンバ16内へアルコール蒸気を供給するのと併行して加熱されイオン化された窒素ガスを密閉チャンバ16内へ送り込むようにしたときは、減圧状態下でのウエハの乾燥が終了するまで加熱されイオン化された窒素ガスを少量だけ密閉チャンバ16内へ供給し続け、ウエハの乾燥が終了した後密閉チャンバ16内を大気圧下へ戻すまでの間も、密閉チャンバ16内へ加熱された窒素ガス(イオン化されていることは不要)を供給するようにしてもよい。そして、最後に、エアー開閉弁98を閉じて、密閉チャンバ16への窒素ガスの供給を停止した後、密閉蓋24を開放し、洗浄・乾燥処理が終了したウエハを収容したカセットCが開口22を通して密閉チャンバ16外へ取り出される。
【0032】
以上の一連のウエハ洗浄・乾燥処理工程におけるタイムチャートを図3に示す。
【0033】
尚、洗浄槽内において基板を洗浄するのに温純水ではなく純水を使用するようにしてもよい
【0034】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように構成されかつ作用するので、本発明に係る基板の洗浄・乾燥処理装置を使用すると、洗浄によって基板の表面から一旦除去されたパーティクルが基板表面に再付着するといったことを殆んど無くすことができるとともに、基板を特に加熱したりしなくても基板表面の乾燥が速やかに行なわれ、一連の洗浄・乾燥処理における作業効率を向上させることができ、また、乾燥処理のために使用される有機溶剤の量も少なくて済むようにできる。そして、密閉チャンバが加熱されることにより、基板の洗浄中や純水中からの基板の引上げ過程において、密閉チャンバの内壁面などへの水蒸気の結露が起こらないので、有機溶剤の蒸気が基板の周囲へ供給された際に、その蒸気の熱エネルギーが結露した水滴で奪われる、といったことを防止して、基板の乾燥効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施形態の1例を示し、基板の洗浄・乾燥処理装置の全体構成を示す概略図である。
【図2】 図1に示した装置の洗浄・乾燥処理部の構成を示す側面断面図である。
【図3】 この発明に係る装置を使用した一連のウエハ洗浄・乾燥処理工程におけるタイムチャートの1例を示す図である。
【符号の説明】
10 洗浄・乾燥処理部
12 洗浄槽
14 溢流水受け部
16 密閉チャンバ
18 純水供給口
20 越流部
24 密閉蓋
25 ラバーヒータ
26 蒸気供給口
27 温度計
28 保持部材
30 駆動ロッド
38 ベルト
40 駆動用モータ
42 純水供給管路
48、56、68、70、76、78、88 エアー開閉弁
58 純水排出管路
62 排水口
66 排水管路
72、74、80 真空排気管路
82 水封式真空ポンプ
86 蒸気供給用管路
90 ヒータ
92 アルコール蒸気発生ユニット
100 制御器

Claims (8)

  1. 純水を収容し、収容された純水中に基板が浸漬させられる洗浄槽と、
    前記洗浄槽の上部に設けられ、洗浄槽の上部開口面を閉鎖的に包囲するように洗浄槽の上部空間を閉塞し、その密閉された上部空間に基板の収容が可能である密閉チャンバと、
    前記洗浄槽と前記密閉チャンバとの間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、
    前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気を供給する溶剤蒸気供給手段と、
    前記基板昇降手段によって前記洗浄槽から前記密閉された空間へ移動させられた基板の乾燥が行われる前記密閉チャンバの壁面を加熱する第1のヒータと、
    前記溶剤蒸気供給手段によって前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気が供給される前に前記密閉チャンバ内へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給手段と、
    前記窒素ガス供給手段によって前記密閉チャンバ内へ供給される窒素ガスを加熱する第2のヒータと、
    を備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記第1のヒータを制御する制御器をさらに備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  3. 請求項2に記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記密閉チャンバの温度を検出する温度計をさらに備え、前記制御器は、前記温度計の検出結果に基づいて前記第1のヒータを制御することを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載に基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記洗浄槽での洗浄処理が終了し前記基板昇降手段によって前記洗浄槽から前記密閉チャンバへ移動させられた基板が、前記溶剤蒸気供給手段によって前記密閉チャンバ内へ供給される有機溶剤の蒸気により乾燥させられることを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記密閉チャンバ内での基板の乾燥処理の際に前記密閉チャンバ内を減圧状態にする減圧手段をさらに備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  6. 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記第1のヒータは、前記密閉チャンバ内での基板の乾燥処理の際に前記密閉チャンバの壁面を加熱することを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  7. 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記第1のヒータは、前記溶剤蒸気供給手段によって前記密閉チャンバ内へ有機溶剤の蒸気が供給される前に前記密閉チャンバの壁面を加熱することを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
  8. 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の基板の洗浄・乾燥処理装置において、
    前記基板昇降手段によって前記洗浄槽から前記密閉チャンバへ基板が移動させられた後に、前記洗浄槽に収容された純水を排出する排水手段をさらに備えたことを特徴とする基板の洗浄・乾燥処理装置。
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