JPH0652144U - 基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置 - Google Patents
基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置Info
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- JPH0652144U JPH0652144U JP9195292U JP9195292U JPH0652144U JP H0652144 U JPH0652144 U JP H0652144U JP 9195292 U JP9195292 U JP 9195292U JP 9195292 U JP9195292 U JP 9195292U JP H0652144 U JPH0652144 U JP H0652144U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄液の沸騰によるウェハの浮き上がりを防
止して、半導体装置構造の微細化、高集積化に応じた高
い清浄度を得る。 【構成】 洗浄槽1の硫酸洗浄液CにウェハW,W,…
を浸漬して硫酸処理するに際して、開閉蓋20を閉塞す
ると、開閉蓋20の内側に設けられた基板浮き上がり防
止部材21,21が、各ウェハWの上部縁に当接または
近接して位置する。よって、硫酸処理時の反応熱等によ
り洗浄液Cが温度上昇して沸騰しても、その沸騰圧力に
よりウェハW,W,…がウェハ保持部13,13から浮
き上がることはなく、この浮き上がりによるウェハW,
W,…のガタつきが有効に防止される。
止して、半導体装置構造の微細化、高集積化に応じた高
い清浄度を得る。 【構成】 洗浄槽1の硫酸洗浄液CにウェハW,W,…
を浸漬して硫酸処理するに際して、開閉蓋20を閉塞す
ると、開閉蓋20の内側に設けられた基板浮き上がり防
止部材21,21が、各ウェハWの上部縁に当接または
近接して位置する。よって、硫酸処理時の反応熱等によ
り洗浄液Cが温度上昇して沸騰しても、その沸騰圧力に
よりウェハW,W,…がウェハ保持部13,13から浮
き上がることはなく、この浮き上がりによるウェハW,
W,…のガタつきが有効に防止される。
Description
【0001】
この考案は基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置に関し、さらに詳細には、半 導体基板や液晶ガラス基板等の薄板状の基板を複数枚まとめて洗浄処理する際に 、洗浄液の沸騰による基板の浮き上がりを防止する技術に関する。
【0002】
半導体装置の性能や信頼性を高く保持するためには、半導体基板(以下、ウェ ハと称する)の表面の汚染物質を極力低減させて高い清浄度を保つことが必須で あり、この目的から、従来種々のウェハ洗浄処理技術が開発されており、その一 例として硫酸処理の場合を図4に示す。
【0003】 ここに示される硫酸処理装置は、複数枚のウェハW,W,…をまとめて処理( バッチ処理)するためのもので、硫酸(H2 SO4 ) と過酸化水素水(H2 O2 )との混合液が満たされている洗浄槽aと、この洗浄槽aからオーバフローする 洗浄液Cを集める外槽bとを備えている。
【0004】 上記洗浄槽aの底部には、2本の給液パイプd,dが設けられるとともに、こ れら給液パイプd,dの上側には、複数枚のウェハW,W,…を保持するウェハ 保持部eが設けられている。
【0005】 そして、洗浄槽a内に満たされた洗浄液C中に、複数枚のウェハW,W,…を ウェハ保持部eに載置保持して浸漬し、循環ポンプPにより、ヒータ(熱交換器 )Hと濾過フィルタFを介して洗浄液Cを循環させる。つまり、この洗浄液Cは 、上記給液パイプd,dから洗浄槽a内へ供給され、この供給量に対応した量の 洗浄液Cが洗浄槽aの上部開口を乗り越えオーバフローして、外槽bへ流れ込む 。
【0006】 この時、洗浄槽a内には洗浄液Cの上昇流(アップフロー)が生じて、この上 昇流は各ウェハW,W間を流れ、各ウェハWの表面に付着したダスト(塵埃)を 剥離して、オーバフローする洗浄液Cと共に洗浄槽aの外へ運び出し、このダス トが濾過フィルタFで除去された後、再び洗浄液Cのみが洗浄槽a内へ戻る。以 上のように洗浄液Cが所定時間循環されることにより、各ウェハWの表面が清浄 化されることとなる。
【0007】
ところで、近時は半導体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構造 の微細化、高集積化に伴って、ウェハWの表面にも非常に高い清浄度が要求され ているが、上記のような従来の洗浄槽においては次のような問題があって、さら なる改良が要望されていた。
【0008】 すなわち、硫酸処理においては、硫酸および過酸化水素水が混ざる時の反応熱 とヒータHによる加熱とにより、洗浄液Cが150℃〜160℃ぐらいまで温度 上昇して沸騰するところ、上記ウェハW,W,…は、ウェハ保持部eに単に載置 保持された状態で洗浄液C中に浸漬されていることから、これらウェハW,W, …が洗浄液Cの沸騰圧力により浮き上がって、上下左右にガタガタと微振動して しまう。
【0009】 これがため、洗浄液Cの上昇流はウェハW,W,…間に均等に流れることがで きず、よって均一な表面処理が行えないなど種々の不具合が発生して、ウェハW 表面に所期の清浄度が得られず、歩留りを大幅に低下させるという問題が生じて いた。 このような状況は、リン酸(H3 PO4 )と純水の混合液によるリン酸処理な どにおいても同様に生じていた。
【0010】 本考案は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とす るところは、洗浄液の沸騰によるウェハの浮き上がりを防止して、半導体装置構 造の微細化、高集積化に応じた高い清浄度を得ることができる基板洗浄槽の基板 浮き上がり防止装置を提供することにある。
【0011】
上記目的を達成するため、本考案の基板浮き上がり防止装置は、洗浄槽の上部 開口に開閉蓋が開閉可能に設けられるとともに、この開閉蓋の内側に基板浮き上 がり防止部材が設けられてなり、この基板浮き上がり防止部材は、上記開閉蓋の 閉塞時において、上記洗浄槽内に浸漬される基板の上部縁に当接または近接して 位置するように設定されていることを特徴とする。
【0012】
洗浄槽の硫酸洗浄液にウェハを浸漬して硫酸処理するに際して開閉蓋を閉塞す ると、開閉蓋の内側に設けられた基板浮き上がり防止部材は、各ウェハの上部縁 に当接または近接して位置する。
【0013】 したがって、硫酸処理時、硫酸と過酸化水素水の混合時の反応熱およびヒータ による加熱により、洗浄液が温度上昇して沸騰すると、その沸騰圧力によりウェ ハはウェハ保持部から浮き上がろうとするが、上記基板浮き上がり防止部材が各 ウェハの浮き上がりを上側から抑えて、そのガタつきを有効に防止する。
【0014】
以下、本考案の実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。
【0015】 本考案に係る基板浮き上がり防止装置を備えた洗浄槽装置を図1に示す。この 洗浄槽装置は、具体的には半導体基板(ウェハ)Wの表面に硫酸処理を施すもの であって、洗浄液Cが満たされる洗浄槽1と、この洗浄槽1からオーバーフロー する洗浄液Cを集める外槽2と、洗浄槽1に設けられた浮き上がり防止装置3と を主要部として備えてなる。
【0016】 洗浄槽1は石英ガラスやフッ素樹脂等の耐腐食性を有する材料からなり、洗浄 液Cとして、硫酸(H2 SO4 ) と過酸化水素水(H2 O2 )との混合液が満た されるとともに、この洗浄液C中に、ウェハW,W,…が複数枚(例えば25枚 )まとめて浸漬される構成とされている。
【0017】 洗浄槽1は、その上部開口5がオーバフロー部とされるとともに、その底部に 給液ボックス6が配置されている。この給液ボックス6の給液回路7は、その上 流端が外槽2の底部に連通されるとともに、洗浄液Cを循環させる循環ポンプ8 、洗浄液Cを加熱するヒータ(熱交換器)9および濾過フィルタ10を備えてい る。
【0018】 給液ボックス6は、その内部に給液回路7の洗浄液供給ノズル11が臨んで設 けられるとともに、その上面6aに洗浄液供給部12が複数列配設されている。
【0019】 各洗浄液供給部12は、図1の紙面に平行な直線上に配設された多数の流出孔 12a,12a,…からなり、これら洗浄液供給部12,12,…の配列ピッチ (図1の紙面に垂直方向)は、ウェハW,W,…の基板間ピッチに設定されてい る。流出孔12aの軸線は上下方向へ延びるように設定されている。
【0020】 また、給液ボックス6の上側には、左右一対のウェハ保持部13,13が設け られており、これらウェハ保持部13,13は、ウェハW,W,…の下部両側縁 部を支持する上下2列の保持溝群13a,13bを備える。これら保持溝群13 a,13bは、図示しないが、ウェハW,W,…の配列方向つまり図1の紙面に 対して垂直方向へ延びて設けられ、その溝ピッチは上記ウェハW,W,…の基板 間ピッチに設定されている。
【0021】 これに関連して、給液ボックス6の上面6aは、上記ウェハ保持部13,13 に保持されたウェハW,W,…の底部円弧部に沿った円弧面に形成されるととも に、上記洗浄液供給部12,12,…は、それぞれウェハW,W間に配置されて いる。これにより、各洗浄液供給部12の流出孔12a,12a,…は、各ウェ ハW,W間において、ウェハWの底部に近接してこのウェハWとほぼ同心状に位 置されている。また、ウェハ保持部13の上下保持溝群13a,13b間には、 洗浄液Cの通過穴15,15,…が設けられており、洗浄液Cの上昇流を阻害し ない構造とされている。
【0022】 また、ウェハ保持部13,13の左右外側には、2本の補助給液パイプ16, 16が配設されている。この補助給液パイプ16は、洗浄槽1の左右両側部分に おける洗浄液Cの澱みを防止するためのものである。補助給液パイプ16は、上 記給液回路7に連通されるとともに(図示省略)、その上面部に多数の流出穴1 6a,16a,…が上向きに設けられて、この部位に洗浄液Cの上方への流れを 形成するようにされている。
【0023】 外槽2は洗浄槽1と一体的に設けられた同一材料からなるもので、洗浄槽1の オーバフロー部5を全周にわたって取り囲むように設けられている。この外槽2 の底部は給液回路7に連通されており、給液回路7の中途箇所が切換弁17を介 して前述の排液回路に連通されており、洗浄液Cが汚れてきたら、この排液回路 を介して、上記両槽1,2内の洗浄液Cが全て排液される。
【0024】 浮き上がり防止装置3は、開閉蓋20、基板浮き上がり防止部材21および駆 動部22(図2参照)を主要部として備える。
【0025】 開閉蓋20は、図1に示すように、上方へ両開きする一対の蓋部材25、25 を備えてなり、これら蓋部材25,25が、図2に示す駆動部22により開閉動 作される。
【0026】 両蓋部材25,25は平板状のものであって、その閉塞時(図1および図2の 実線参照)において、洗浄槽1および外槽2の上部開口全体を覆うとともに、先 端縁25a,25a同士が互いに重なり合うような形状寸法とされている。蓋部 材25の基端部25bは、開閉アーム26の先端部26aに取付け固定され、こ の開閉アーム26の基端部26bが、回動軸27を介して、装置本体28に回動 可能に枢支されている。
【0027】 駆動部22は、図2に示すように、駆動源としてのエアシリンダ30および駆 動アーム31を主要部として備える。エアシリンダ30は装置本体28に上向き に設けられており、そのシリンダ本体32の基端部32aが、支軸33を介して 装置本体28に枢着されるとともに、そのピストンロッド34の先端ブラケット 34aが、連結ピン35を介して上記駆動アーム31の先端部31aに枢支連結 されている。
【0028】 駆動アーム31は、その基端部31bが上記回動軸27に連結固定されており 、上記開閉アーム26と共に回動軸27を中心として回動可能とされている。3 0a〜30dはエアシリンダ30を駆動制御する圧力エアーの配管であって、図 示しない切換弁を介してエアー供給源に連通されている。
【0029】 そして、エアシリンダ30のピストンロッド34の突出退入動作により、開閉 蓋20が開閉動作される。つまり、ピストンロッド34の退入時において、上記 蓋部材25,25が開放位置にあり(図1および図2の2点鎖線参照)、一方、 ピストンロッド34突出時において、上記蓋部材25,25が閉塞位置にある( 図1および図2の実線参照)。
【0030】 基板浮き上がり防止部材21は、上記両蓋部材25,25の先端部内側にそれ ぞれ設けられている。この基板浮き上がり防止部材21は、図3に示すように線 材が折曲形成されてなり、浮き上がり防止バー21aと支持部21b,21bと からなる。
【0031】 浮き上がり防止バー21aは、上記洗浄槽1内に浸漬されるウェハW,W,… の配列方向へ平行かつ水平に延びて設けられており、その両端が、上記支持部2 1b,21bを介して蓋部材25の先端部内側に取付固定されている。
【0032】 そして、これら両浮き上がり防止バー21a,21aは、上記開閉蓋20の閉 塞時において、上記各ウェハWの上部縁に当接または近接して水平状態で位置す るように設定されている。
【0033】 これに関連して、各蓋部材25の基部内側に位置決めロッド36が下向きに設 けられており、この位置決めロッド36の先端36aが、開閉蓋20の閉塞時に 装置本体28の位置決め面28aに当接して、上記浮き上がり防止バー21aの 高さ位置が規定される(図2参照)。
【0034】 しかして、以上のように構成された洗浄槽装置において、図示しない搬送処理 装置により、カセットレスでチャッキング搬送されるウェハW,W,…が洗浄槽 1内のウェハ保持部13,13上に載置されると、浮き上がり防止装置3の開閉 蓋20が洗浄槽1と外槽2の開口全体を閉塞し、これと同時に、浮き上がり防止 バー21a,21aが各ウェハWの上部縁に当接または近接して位置することと なる。
【0035】 この時、洗浄槽1内には洗浄液Cが満たされているとともに、循環ポンプ8に より、給液ボックス6と補助給液パイプ16,16を介して、ヒータ9および濾 過フィルタ10により加熱、濾過された洗浄液Cが給液回路7から供給される。 これにより、洗浄液Cは、給液ボックス6からの流出量に対応した量が洗浄槽1 のオーバフロー部5から外槽2へオーバフローして、再び給液回路7へ流れる。
【0036】 以上のようにして、洗浄液Cが給液回路7と洗浄槽1の閉回路内で循環される ことにより、洗浄槽1内には洗浄液Cの上昇流が生じる(図1の矢符参照)。こ の上昇流は各ウェハW,W間を流れて、各ウェハWの表面がHF処理され、これ ら表面に付着したダスト(塵埃)は剥離されて、オーバフローする洗浄液Cと共 に洗浄槽1外へ運び出され、さらに給液回路7の濾過フィルタ10で除去された 後、再び洗浄液Cのみが洗浄槽1内へ還流される。
【0037】 また、このHF処理時において、硫酸と過酸化水素水の混合時の反応熱および ヒータ9による加熱により、洗浄液Cが150℃〜160°ぐらいまで温度上昇 して沸騰するため、その沸騰圧力によりウェハW,W,…はウェハ保持部13, 13から浮き上がろうとするが、上記浮き上がり防止バー21a、21aがこれ を上側から抑えて、そのガタつきを有効に防止する。
【0038】 なお、上述した実施例はあくまでも本考案の好適な実施態様を示すものであっ て、本考案はこれに限定して解釈されるべきでなく、本考案の範囲内で種々設計 変更可能である。
【0039】 例えば、図示例においては、開閉蓋20の駆動源としてエアシリンダ30が用 いられているが、サーボモータが使用されて、その駆動軸が回動軸27に直接ま たは間接的に連結される構造としてもよい。
【0040】 また、対象となる洗浄槽1の構造も図示例に限定されず、他の構造の洗浄槽に も適用可能で、洗浄液についても、その処理反応時の挙動が硫酸処理の場合と同 様な他の洗浄液処理、例えば、リン酸(H3 PO4 )と純水の混合液によるリン 酸処理などにも適用可能である。
【0041】
以上詳述したように、本考案によれば、洗浄槽の上部開口を閉塞する開閉蓋の 内側に、洗浄槽内に浸漬される基板の上部縁に当接または近接して位置する基板 浮き上がり防止部材が設けられているから、洗浄処理時の反応熱やヒータ加熱に より洗浄液が温度上昇して沸騰しても、この沸騰圧力によるウェハの浮き上がり が有効に防止されて、その保持位置に安定して保持される。
【0042】 したがって、洗浄液は各ウェハ表面に均一にかつ安定して接触することとなり 、均一な表面処理がウェハ全体にわたって行える結果、半導体装置構造の微細化 、高集積化に応じた高い清浄度がウェハ表面に得られる。
【図1】本考案に係る一実施例である基板浮き上がり防
止装置を備えた基板洗浄槽装置の構成を示す正面断面図
である。
止装置を備えた基板洗浄槽装置の構成を示す正面断面図
である。
【図2】同基板浮き上がり防止装置の駆動部を拡大して
示す正面図である。
示す正面図である。
【図3】同基板浮き上がり防止装置の基板浮き上がり防
止部材と、洗浄処理される基板との関係を一部省略して
示す斜視図である。
止部材と、洗浄処理される基板との関係を一部省略して
示す斜視図である。
【図4】従来の洗浄槽装置の構成を示す正面断面図であ
る。
る。
1 洗浄槽 2 外槽 3 浮き上がり防止装置 5 洗浄槽の上部開口(オーバーフロー
部) 6 給液ボックス 7 給液回路 8 循環ポンプ 9 ヒータ(熱交換器) 10 濾過フィルタ 11 洗浄液供給ノズル 13 ウェハ保持部 16 補助給液パイプ 20 開閉蓋 21 基板浮き上がり防止部材 21a 浮き上がり防止バー 22 開閉蓋の駆動部 25 蓋部材 26 開閉アーム 27 回動軸 30 エアシリンダ 31 駆動アーム 36 位置決めロッド W 半導体基板(ウェハ) C 洗浄液
部) 6 給液ボックス 7 給液回路 8 循環ポンプ 9 ヒータ(熱交換器) 10 濾過フィルタ 11 洗浄液供給ノズル 13 ウェハ保持部 16 補助給液パイプ 20 開閉蓋 21 基板浮き上がり防止部材 21a 浮き上がり防止バー 22 開閉蓋の駆動部 25 蓋部材 26 開閉アーム 27 回動軸 30 エアシリンダ 31 駆動アーム 36 位置決めロッド W 半導体基板(ウェハ) C 洗浄液
Claims (3)
- 【請求項1】 洗浄槽の上部開口に開閉蓋が開閉可能に
設けられるとともに、この開閉蓋の内側に基板浮き上が
り防止部材が設けられてなり、 この基板浮き上がり防止部材は、上記開閉蓋の閉塞時に
おいて、上記洗浄槽内に浸漬される基板の上部縁に当接
または近接して位置するように設定されていることを特
徴とする基板浮き上がり防止装置。 - 【請求項2】 上記開閉蓋は上方へ両開きする一対の蓋
部材を備え、これら蓋部材の先端部内側に上記基板浮き
上がり防止部材がそれぞれ設けられている請求項1に記
載の基板浮き上がり防止装置。 - 【請求項3】 上記基板浮き上がり防止部材は、上記洗
浄槽内に浸漬される基板の配列方向へ平行に延びる浮き
上がり防止バーを備え、この浮き上がり防止バーは、上
記開閉蓋の閉塞時において、上記各基板の上部縁に当接
または近接して水平状態で位置するように設定されてい
る請求項1または2に記載の基板浮き上がり防止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992091952U JP2541238Y2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1992091952U JP2541238Y2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0652144U true JPH0652144U (ja) | 1994-07-15 |
JP2541238Y2 JP2541238Y2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=14040920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992091952U Expired - Lifetime JP2541238Y2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2541238Y2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017069383A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
CN114011828A (zh) * | 2021-09-23 | 2022-02-08 | 董亮 | 一种镜片加工的超声波清洗装置 |
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JPS6295788U (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-18 | ||
JPH03246939A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄乾燥装置 |
JPH04338276A (ja) * | 1991-05-13 | 1992-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
JPH04354128A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Maatec:Kk | 基板の薬液処理方法及びその装置並びに基板の薬液処理、洗浄及び乾燥方法及びその装置 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP1992091952U patent/JP2541238Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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