JP3364620B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
し、さらに詳細にいえば、基板搬送部材によって処理槽
内に搬入された基板を処理するための装置に関する。
8−141526号公報に示す構成のものが提案されて
いる。
を支持する第1支持部材を固定的に設けているととも
に、基板を支持して基板を処理槽に搬入、搬出する可動
式の第2支持部材を設けている。
は、先ず、第2支持部材によって基板を、第1支持部材
と係合しない位置まで搬入し、この状態において処理槽
内に処理用流体を供給して基板の処理を行い、次いで、
第2支持部材を処理槽内にさらに侵入させて基板を第1
支持部材によって支持させ、この状態において処理槽内
に処理用流体を供給して基板の処理を行うことができ
る。
1支持部材との係合部、基板と第2支持部材との係合部
をも良好に処理することができ、基板の全表面をむらな
く処理することができる。
6号公報に記載された構成の基板処理装置を採用した場
合には、第2支持部材の処理槽内への侵入距離の増加に
よって基板を自動的に第1支持部材へ受け渡しする必要
があるので、受け渡し時に基板が処理槽に対して相対的
に移動し、基板と処理用流体との相対速度が変化するこ
とになる。そして、基板と処理用流体との相対速度が変
化すれば、処理用流体による処理の程度にばらつきが生
じ、基板の処理品質が低下してしまうという不都合があ
る。この不都合は、例えば、基板の洗浄を行った後に洗
浄用流体を排出しながら基板の乾燥を行う場合に特に顕
著に現れる。
部材から第2支持部材に受け渡しする場合、基板と第1
支持部材とが接していた部分のそれぞれに洗浄用流体が
残る。そして、この洗浄用流体を蒸発させるために大量
の窒素ガスが必要となり、かつ時間もかかる。
たものであり、基板の全表面をむらなく処理することが
でき、しかも処理の途中における基板と処理槽との相対
位置の変化を防止することができる基板処理装置を提供
することを目的としている。
は、基板を処理槽内に収容し、この処理槽内に処理用流
体を供給して基板を処理するものであって、基板を自然
状態において安定に支持するとともに、処理槽に対する
基板の搬入、搬出を行う第1支持部材と、処理槽内にお
いて、第1支持部材に支持された基板を受け取って安定
に支持する移動可能な第2支持部材と、処理槽に対する
基板の相対的移動を防止すべく、基板の受け渡し時に第
1支持部材および第2支持部材を動作させる制御手段と
を有しているものである。
内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給して基板
を処理するものであって、基板を自然状態において安定
に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、搬出
を行う第1支持部材と、処理槽内において、第1支持部
材に支持された基板を受け取って安定に支持する移動可
能な第2支持部材とを有し、前記第2支持部材として、
処理槽の底部から基板収容部に向かって所定の流速分布
の処理用流体を供給するための、処理槽の全幅および全
長にわたる形状の整流板部材と一体的に設けられている
ものを採用するものである。
内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給して基板
を処理するものであって、基板を自然状態において安定
に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、搬出
を行う第1支持部材と、処理槽内において、第1支持部
材に支持された基板を受け取って安定に支持する移動可
能な第2支持部材と、処理槽に対する基板の相対的移動
を防止すべく、基板の受け渡し時に第1支持部材および
第2支持部材を動作させる制御手段とを有し、前記第2
支持部材は、処理槽内に下方から所定の流速分布の処理
用流体を供給するための整流板部材と一体的に設けられ
ているものである。
槽内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給して基
板を処理するに当たって、基板を自然状態において安定
に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、搬出
を行う第1支持部材と、処理槽内において、第1支持部
材に支持された基板を受け取って安定に支持する移動可
能な第2支持部材と、処理槽に対する基板の相対的移動
を防止すべく、基板の受け渡し時に第1支持部材および
第2支持部材を動作させる制御手段とを有しているので
あるから、制御手段によって両支持部材を動作させるこ
とにより、処理槽に対する基板の搬入、搬出を行う第1
支持部材によって基板を自然状態において安定に支持
し、第1支持部材を処理槽内に侵入させることによって
基板を処理槽内に搬入する。この状態において処理槽に
処理用流体を供給することによって基板の処理を行う。
ただし、この場合には、基板と第1支持部材との係合部
は処理されない。次いで、第2支持部材を処理槽内にお
いて移動させることにより基板と係合させ、第1支持部
材をさらに侵入させれば、基板が第1支持部材から第2
支持部材に受け渡される。そして、この受け渡しの間に
おいて、基板と処理槽との相対位置は一定に保持され
る。基板が第2支持部材により支持された状態において
処理槽内に処理用流体を供給して基板の処理を行えば、
基板と第1支持部とが係合していた部分が処理され、こ
の結果、基板の全表面をむらなく処理することができ
る。また、以上の説明から明らかなように、処理の全期
間において、基板と処理槽との相対位置が一定に保持さ
れ、基板と処理用流体との相対速度が一定に保持される
のであるから、処理のばらつきは発生せず、高品質な処
理を達成することができる。
処理槽内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給し
て基板を処理するに当たって、基板を自然状態において
安定に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、
搬出を行う第1支持部材と、処理槽内において、第1支
持部材に支持された基板を受け取って安定に支持する移
動可能な第2支持部材とを有し、前記第2支持部材とし
て、処理槽の底部から基板収容部に向かって所定の流速
分布の処理用流体を供給するための、処理槽の全幅およ
び全長にわたる形状の整流板部材と一体的に設けられて
いるものを採用するのであるから、処理槽に対する基板
の搬入、搬出を行う第1支持部材によって基板を自然状
態において安定に支持し、第1支持部材を処理槽内に侵
入させることによって基板を処理槽内に搬入する。この
状態において処理槽に処理用流体を供給することによっ
て基板の処理を行う。ただし、この場合には、基板と第
1支持部材との係合部は処理されない。次いで、第2支
持部材を処理槽内において移動させることにより基板と
係合させ、第1支持部材をさらに侵入させれば、基板が
第1支持部材から第2支持部材に受け渡される。そし
て、この受け渡しの間において、基板と処理槽との相対
位置は一定に保持される。基板が第2支持部材により支
持された状態において処理槽内に処理用流体を供給して
基板の処理を行えば、基板と第1支持部とが係合してい
た部分が処理され、この結果、基板の全表面をむらなく
処理することができる。また、以上の説明から明らかな
ように、処理の全期間において、基板と処理槽との相対
位置が一定に保持され、基板と処理用流体との相対速度
が一定に保持されるのであるから、処理のばらつきは発
生せず、高品質な処理を達成することができる。さら
に、第2支持部材の移動機構と整流板部材の着脱機構と
を兼用させることができる。さらにまた、処理槽が必要
以上に大型化することを防止し、処理用流体の必要量を
少なくすることができる。
処理槽内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給し
て基板を処理するに当たって、基板を自然状態において
安定に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、
搬出を行う第1支持部材と、処理槽内において、第1支
持部材に支持された基板を受け取って安定に支持する移
動可能な第2支持部材と、処理槽に対する基板の相対的
移動を防止すべく、基板の受け渡し時に第1支持部材お
よび第2支持部材を動作させる制御手段とを有し、前記
第2支持部材は、処理槽内に下方から所定の流速分布の
処理用流体を供給するための整流板部材と一体的に設け
られているのであるから、制御手段によって両支持部材
を動作させることにより、処理槽に対する基板の搬入、
搬出を行う第1支持部材によって基板を自然状態におい
て安定に支持し、第1支持部材を処理槽内に侵入させる
ことによって基板を処理槽内に搬入する。この状態にお
いて処理槽に処理用流体を供給することによって基板の
処理を行う。ただし、この場合には、基板と第1支持部
材との係合部は処理されない。次いで、第2支持部材を
処理槽内において移動させることにより基板と係合さ
せ、第1支持部材をさらに侵入させれば、基板が第1支
持部材から第2支持部材に受け渡される。そして、この
受け渡しの間において、基板と処理槽との相対位置は一
定に保持される。基板が第2支持部材により支持された
状態において処理槽内に処理用流体を供給して基板の処
理を行えば、基板と第1支持部とが係合していた部分が
処理され、この結果、基板の全表面をむらなく処理する
ことができる。また、以上の説明から明らかなように、
処理の全期間において、基板と処理槽との相対位置が一
定に保持され、基板と処理用流体との相対速度が一定に
保持されるのであるから、処理のばらつきは発生せず、
高品質な処理を達成することができる。さらに、第2支
持部材の移動機構と整流板部材の着脱機構とを兼用させ
ることができる。
発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。
様を示す概略縦断面図である。
1を包囲する密閉可能な外槽2と、基板(例えば、半導
体ウエハ)3を立設状態で支持するとともに、処理槽1
に対して基板を搬入、搬出する第1支持部材4と、処理
槽1の内部において昇降可能であるとともに、第1支持
部材4との間で基板3の受け渡しを行う第2支持部材5
とを有している。なお、1aは処理槽1から洗浄液(例
えば、純水)を排出するための洗浄液排出管である。
おりである。
1に示すように、処理槽1に洗浄液(例えば、純水)が
充満しているとともに、基板3が第1支持部材4に自然
な状態で支持され、かつ洗浄液に浸漬されている。な
お、この状態においては、基板3は第2支持部材5から
離れている。そして、洗浄された基板4を乾燥するため
に、密閉された外槽2の蓋体を通して乾燥用流体(例え
ば、イソプロピルアルコール蒸気、ミストなど)を外槽
2内に供給するとともに、洗浄液排出管1aを通して洗
浄液を処理槽1から排出する。
から露出した部分において、洗浄液を乾燥用流体膜で置
換することにより、迅速な乾燥を達成する。
液の液面が徐々に下降し、図2に示すように、液面が第
2支持部材5と第1支持部材4との間に位置すれば、第
2支持部材5が乾燥するとともに、第2支持部材5に支
持されることになる基板3の部分も乾燥する。
3と係合させ(図3参照)、次いで、第1支持部材4を
下降させることにより、基板3を第1支持部材4から第
2支持部材5に受け渡すことができる(図4参照)。こ
のようにして基板3の受け渡しを行う間において、基板
3と処理槽1との相対位置が一定に保持されているの
で、基板3と洗浄液の液面との相対速度が一定に保持さ
れ、ばらつきのない乾燥を達成することができる。
の排出が行われるのであるから、基板3の残りの部分の
全表面および第1支持部材4が乾燥される。
体を通して窒素ガスを供給することにより、第1支持部
材4、第2支持部材5と基板3との接している部分に洗
浄液の残留がないため、処理槽1および外槽2の内部か
ら乾燥用流体を排出して、基板3の乾燥処理を完了す
る。したがって、窒素ガスの使用量を少なくすることが
できる。また、全体としての所要時間を短縮することが
できる。
には、外槽2を開蓋し、第1支持部材4を上昇させるこ
とにより、乾燥した基板3の取り出しを行うことができ
る。
たが、基板3を洗浄する場合においても、処理槽1内に
おける第1支持部材4と第2支持部材5との位置を変化
させて、基板3が第1支持部材4に支持される状態と、
基板3が第2支持部材5に支持される状態とを順次選択
することにより、基板3の全表面をむらなく、かつばら
つきなく洗浄することができる。
態様を示す縦断正面図、図6は縦断側面図、図7は平面
図である。
も異なる点は、処理槽1の底部から基板収容部に向かっ
て所望の流速分布の洗浄液を供給するための整流板部材
6と第2支持部材5とを一体化した点のみである。
るようにオーバーフロー槽1bを有しているとともに、
オーバーフロー槽1bから洗浄用流体を排出する洗浄用
流体排出管1cを有している。そして、処理槽1は、中
央部から上方が一定の幅を有しているとともに、中央部
から下方が漸縮する幅を有している。また、処理槽1の
うち、整流板部材6よりも下方の空間の所定位置に洗浄
用流体供給管1dを有している。さらに、外槽2は、そ
の上部を前後方向に大きくして段部2aを形成し、この
段部2aに対してオーバーフロー槽1bを係合させて処
理槽1を吊り下げ支持している。そして、外槽2の蓋体
の下面中央部には、乾燥用流体を供給する乾燥用球体供
給口部材2bが設けられている。また、第1支持部材4
は、上下方向に延びる1対の板材4aの下端部の両端部
どうしを棒状体4bで連結しているとともに、両棒状体
4bの上面に、所定間隔ごとに基板3の周縁部と係合す
る係合部材4cを設けてなり、さらに、板材4aの上端
部から外方に延びる水平部材4dを有しているととも
に、この水平部材4dの所定位置と図示しない昇降機構
とを昇降用支柱4eで連結している。さらに、第2支持
部材5は、整流板部材6の左右の側辺に近接する位置
に、所定間隔ごとに基板の周縁部と係合する係合部材5
aを設けてなるものである。そして、整流板部材6の4
隅角部に上方に延びる板材6aを設け、前側の1対の板
材6aの上端部どうしを外方に延びる門形の水平部材6
bで連結し、後側の1対の板材6aの上端部どうしを外
方に延びる門形の水平部材6bで連結し、これらの水平
部材6bの所定位置と図示しない昇降機構とを昇降用支
柱6cで連結している。
おりである。
内に搬入し、この状態において洗浄用流体供給管1dか
ら吐出される洗浄用流体を整流板部材6を通して上方に
向かって所定の流速分布で供給し、基板3の洗浄を行う
ことができる。なお、処理槽1からオーバーフローする
洗浄用流体は、オーバーフロー槽1bおよび洗浄用流体
排出管1cを通して排出される。
基板3を洗浄する場合には、基板3のうち第1支持部材
4と係合する部分は洗浄されない。しかし、第2支持部
材5を少しだけ上昇させて基板3の周縁部と係合させ、
第1支持部材4をさらに下降させて基板3から離せば、
上記部分を洗浄することができる。したがって、基板3
の全表面をばらつきなく洗浄することができる。
は、外槽2に蓋体を装着して密閉し、洗浄用流体排出管
1a、1cを通して洗浄用流体を排出しつつ乾燥用流体
供給口部材2bから外槽2内に乾燥用流体(例えば、イ
ソプロピルアルコール蒸気、もしくはミストなど)を供
給することによって基板3の乾燥を行う。なお、この乾
燥は、洗浄用流体の液面よりも上方に位置する部分に残
留する洗浄用流体を乾燥用流体で置換して乾燥用流体膜
を形成する、いわゆるマランゴニ乾燥によって行われ
る。
3は第1支持部材4により支持されているとともに、第
2支持部材5が基板3から離れているのであるから、第
2支持部材5と係合することになる基板3の部分は、洗
浄用流体の液面よりも上方に位置した後に迅速に乾燥さ
れる。
4と第2支持部材5との中間まで下降した場合には、第
2支持部材5を上昇させて基板3の周縁部と係合させ、
次いで第1支持部材4を下降させて基板3から離すこと
により、基板3を第1支持部材4から第2支持部材5に
受け渡す。したがって、受け渡し時においても、基板3
と処理槽1との相対位置が一定に保持され、基板3と洗
浄用流体の液面との相対速度が一定に保持されるのであ
るから、ばらつきのない乾燥を継続することができる。
換言すれば、乾燥むら、しみなどの発生を防止すること
ができる。
れた後も基板3の乾燥が行われ、第1支持部材4と係合
していた部分も迅速に乾燥される。
球体供給口部材2bから窒素ガスを供給して乾燥用流体
を排出し、その後に、外槽2の蓋体を外して、第1支持
部材4によって乾燥された基板3を取り出すことができ
る。
部材5と整流板部材6とを一体化しているのであるか
ら、特別の機構を設けることなく、整流板部材6を処理
槽1から取り外すことができる。さらに、処理槽1の幅
を整流板部材6の幅とほぼ等しくすることができ、処理
槽1が必要以上に大型化することを防止し、洗浄用流体
の必要量を少なくすることができる。
施態様に限定されるものではなく、例えば、第1支持部
材4、第2支持部材5として、撥水性が良好な材質から
なるものを採用することが可能であるほか、1対の第1
支持部材4を一体化することが可能であり、その他、こ
の発明の要旨を変更しない範囲内において種々の設計変
更を施すことが可能である。
支持部材を動作させることにより、基板の全表面をむら
なく処理することができ、また、処理の全期間におい
て、基板と処理槽との相対位置を一定に保持し、基板と
処理用流体との相対速度を一定に保持して、処理のばら
つきの発生を防止し、高品質な処理を達成することがで
きるという特有の効果を奏する。
持部材を動作させることにより、基板の全表面をむらな
く処理することができ、また、処理の全期間において、
基板と処理槽との相対位置を一定に保持し、基板と処理
用流体との相対速度を一定に保持して、処理のばらつき
の発生を防止し、高品質な処理を達成することができ、
さらに、第2支持部材の移動機構と整流板部材の着脱機
構とを兼用させることができ、さらにまた、処理槽が必
要以上に大型化することを防止し、処理用流体の必要量
を少なくすることができるという特有の効果を奏する。
持部材を動作させることにより、基板の全表面をむらな
く処理することができ、また、処理の全期間において、
基板と処理槽との相対位置を一定に保持し、基板と処理
用流体との相対速度を一定に保持して、処理のばらつき
の発生を防止し、高品質な処理を達成することができ、
しかも第2支持部材の移動機構と整流板部材の着脱機構
とを兼用させることができるという特有の効果を奏す
る。
略縦断面図である。
る。
る。
縦断正面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板(3)を処理槽(1)内に収容し、
この処理槽(1)内に処理用流体を供給して基板(3)
を処理する装置であって、 基板(3)を自然状態において安定に支持するととも
に、処理槽(1)に対する基板(3)の搬入、搬出を行
う第1支持部材(4)と、処理槽(1)内において、第
1支持部材(4)に支持された基板(3)を受け取って
安定に支持する移動可能な第2支持部材(5)と、処理
槽(1)に対する基板(3)の相対的移動を防止すべ
く、基板(3)の受け渡し時に第1支持部材(4)およ
び第2支持部材(5)を動作させる制御手段とを有して
いることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 基板(3)を処理槽(1)内に収容し、
この処理槽(1)内に処理用流体を供給して基板(3)
を処理する装置であって、 基板(3)を自然状態において安定に支持するととも
に、処理槽(1)に対する基板(3)の搬入、搬出を行
う第1支持部材(4)と、処理槽(1)内において、第
1支持部材(4)に支持された基板(3)を受け取って
安定に支持する移動可能な第2支持部材(5)とを有
し、前記第2支持部材(5)は、処理槽(1)の底部か
ら基板収容部に向かって所定の流速分布の処理用流体を
供給するための、処理槽(1)の全幅および全長にわた
る形状の整流板部材(6)と一体的に設けられているこ
とを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項3】 基板(3)を処理槽(1)内に収容し、
この処理槽(1)内に処理用流体を供給して基板(3)
を処理する装置であって、 基板(3)を自然状態において安定に支持するととも
に、処理槽(1)に対する基板(3)の搬入、搬出を行
う第1支持部材(4)と、処理槽(1)内において、第
1支持部材(4)に支持された基板(3)を受け取って
安定に支持する移動可能な第2支持部材(5)と、処理
槽(1)に対する基板(3)の相対的移動を防止すべ
く、基板(3)の受け渡し時に第1支持部材(4)およ
び第2支持部材(5)を動作させる制御手段とを有し、
前記第2支持部材(5)は、処理槽(1)内に下方から
所定の流速分布の処理用流体を供給するための整流板部
材(6)と一体的に設けられていることを特徴とする基
板処理装置。
Priority Applications (8)
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JP35259398A JP3364620B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 基板処理装置 |
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