JPH1022256A - 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体に振動等を与えることなく、洗浄液
をオーバーフローさせて洗浄した後、乾燥ガスを接触さ
せて乾燥すること。 【解決手段】 半導体ウエハＷが浸漬される純水１を貯
留する処理槽１０に、乾燥ガス供給ノズル１１を設け
る。処理槽１０内に、上方が開口する無端樋状のオーバ
ーフロー槽２０を配設し、このオーバーフロー槽２０の
底部に排液口２１を設けると共に、排液管２２を接続す
る。また、移動機構によってオーバーフロー槽２０を処
理槽１０に対して略鉛直方向に移動可能に形成する。こ
れにより、半導体ウエハＷを固定した状態で純水１をオ
ーバーフローさせつつ洗浄処理することができると共
に、純水１から露出された半導体ウエハＷにＩＰＡガス
４を接触させて、乾燥処理することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体を洗浄した後、
乾燥ガスに接触させて乾燥する洗浄・乾燥処理装置及び
洗浄・乾燥処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等（以下に
ウエハ等という）の被処理体を薬液やリンス液（洗浄
液）等の処理液が貯留された処理槽に順次浸漬して洗浄
を行う洗浄処理方法が広く採用されている。また、この
ような洗浄処理装置においては、洗浄液槽で洗浄した被
処理体を乾燥する乾燥処理装置を備えているものもあ
る。

【０００３】従来のこの種の洗浄・乾燥処理方法とし
て、特開平２−２９１１２８号公報又は特公平６−１０
３６８６号公報に記載の技術が知られている。このう
ち、特開平２−２９１１２８号公報に記載の技術は、図
１４に示すように、洗浄液例えば純水１をオーバーフロ
ーする処理槽２内に被処理体例えばウエハＷを浸漬して
洗浄した後、図示しない搬送手段例えばチャック等によ
ってウエハＷを処理槽２の上方の処理室３内に引き上げ
ると共に、処理室３内に例えばＩＰＡ（イソピルアルコ
ール）等の揮発性を有する溶剤の蒸気からなる乾燥ガス
４を供給し、この乾燥ガス４を洗浄されたウエハＷ及び
洗浄液表面に接触させることにより、ウエハＷの水分の
除去及び乾燥を行うようにしたものである。

【０００４】また、特公平６−１０３６８６号公報に記
載の技術は、図１５に示すように、処理室５内に洗浄液
例えば純水１を供給してウエハＷを洗浄処理した後、純
水１を排液しつつ処理室５内に乾燥ガス４を供給して処
理室５内を乾燥ガス４で置換し、この乾燥ガス４を洗浄
されたウエハＷ及び洗浄液表面に接触させることによ
り、ウエハＷの水分の除去及び乾燥を行うようにしたも
のである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわち特開平２−２９１１２８号公報に記載の引き上げ
方式においては、搬送手段によってウエハＷを保持して
引き上げるため、搬送手段の保持部とウエハ間とに寸法
誤差が生じることによってガタツキが生じる虞れがあ
る。また、ウエハＷを純水１中から引き上げる際、純水
１の波打ちによってウエハＷに微細な振動が伝わること
がある。このようなガタツキや微細振動によってウエハ
Ｗがダメージを受けるばかりか、ウエハ表面にパーティ
クル等が付着して歩留まりの低下をきたすという問題が
ある。

【０００６】これに対し、後者すなわち特公平６−１０
３６８６号公報に記載の排液方式においては、ウエハＷ
を移動しないため、上記のようなガタツキや振動による
支障はないが、純水１をオーバーフローさせることがで
きないため、純水１の液面に浮遊するパーティクルがウ
エハＷに付着し易いという問題がある。このようにウエ
ハＷの表面にパーティクルが付着すると、ウエハＷに接
触する乾燥ガスが液面（界面）から離れるため、乾燥効
率が低下し、結局は歩留まりの低下をきたすという問題
がある。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体に振動等を与えることなく、洗浄液をオー
バーフローさせて洗浄した後、乾燥ガスを接触させて乾
燥するようにした洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処
理方法を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理体が浸漬される洗浄
液を貯留すると共に、乾燥ガスの供給部が配設された処
理槽と、上記処理槽内に配設され、上方が開口する無端
樋状に形成されると共に、排液部を有するオーバーフロ
ー槽とを具備し、上記処理槽とオーバーフロー槽とを略
鉛直方向に相対的に移動可能に形成してなる、ことを特
徴とする。

【０００９】上記請求項１記載の発明において、上記オ
ーバーフロー槽の内周側に透孔を有する筒状仕切り体を
配設することにより、洗浄に供された洗浄液が再度被処
理体に接触するのを阻止できる点で好ましい（請求項
２）。

【００１０】また、上記オーバーフロー槽に、乾燥ガス
供給用のノズルを設けることにより、常時乾燥ガスを洗
浄液の界面に向けて供給することができる点で好ましい
（請求項３）。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１記載の洗
浄・乾燥処理装置において、上記処理槽内に配設される
被処理体の保持手段に、水平方向に移動可能に形成し
て、洗浄液に浸漬される被処理体を傾斜配置させる傾斜
機構を設けた、ことを特徴とする。

【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１記載の洗
浄・乾燥処理装置において、上記処理槽内に配設される
被処理体の保持手段が、上記被処理体を洗浄液に浸漬す
る状態に保持する固定保持部材と、この固定保持部材に
対して移動して被処理体を保持する可動保持部材とを具
備する、ことを特徴とする。

【００１３】請求項６記載の発明は、被処理体を洗浄液
に浸漬して洗浄した後、上記被処理体に乾燥ガスを接触
させて乾燥する洗浄・乾燥処理方法において、上記被処
理体を固定した状態で上記洗浄液をオーバーフローしつ
つ被処理体を洗浄液から露出させる工程と、露出する上
記被処理体に上記乾燥ガスを接触させる工程と、を有す
ることを特徴とする。

【００１４】請求項７記載の発明は、請求項６記載の洗
浄・乾燥処理方法において、上記被処理体を上記洗浄液
に浸漬する状態で被処理体を傾斜させる工程と、上記被
処理体を傾斜固定した状態で上記洗浄液をオーバーフロ
ーしつつ被処理体を洗浄液から露出させる工程と、を有
することを特徴とする。

【００１５】請求項８記載の発明は、請求項６記載の洗
浄・乾燥処理方法において、上記保持手段が上記洗浄液
から露出する直前に、洗浄液から露出する別の保持手段
にて上記被処理体を保持する工程を有することを特徴と
する。

【００１６】請求項１及び６記載の発明によれば、被処
理体を固定した状態で洗浄液をオーバーフローさせて洗
浄処理することができると共に、被処理体を洗浄液から
露出させることができ、露出された被処理体に乾燥ガス
を接触させて乾燥処理することができる。

【００１７】請求項４及び７記載の発明によれば、被処
理体を傾斜固定した状態で洗浄液をオーバーフローさせ
て洗浄処理し、被処理体を洗浄液から露出させること
で、被処理体の裏面側下端部に洗浄液の水滴を移動して
被処理体の表面側への水滴の付着を除去することができ
る。

【００１８】請求項５及び８記載の発明によれば、被処
理体を保持手段で保持した状態で洗浄液をオーバーフロ
ーしつつ被処理体を洗浄液から露出させ、上記保持手段
が上記洗浄液から露出する直前に、洗浄液から露出する
別の保持手段にて被処理体を保持することで、洗浄液中
の保持手段と被処理体との間に付着する水滴を除去する
ことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導
体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について
説明する。

【００２０】◎第一実施形態 図１はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一実施形
態を示す概略断面図、図２は洗浄・乾燥処理装置の要部
を示す概略斜視図である。

【００２１】上記洗浄・乾燥処理装置は、被処理体であ
る半導体ウエハＷ（以下にウエハという）が浸漬される
洗浄液例えば純水１を貯留すると共に、乾燥ガス供給ノ
ズル１１（乾燥ガス供給部）を有する処理槽１０と、こ
の処理槽１０内の外周側に配設され、上方が開口する無
端樋状に形成されるオーバーフロー槽２０と、オーバー
フロー槽２０を垂直方向に移動する移動機構３０とで主
に構成されている。

【００２２】上記処理槽１０は耐食性及び耐薬品性に富
む材質例えば石英にて形成されている。この処理槽１０
の底部には純水供給ノズル１２が配設されており、この
純水供給ノズル１２に純水供給管１３を介して純水供給
源１４が接続されている。なお、純水供給管１３には、
開閉弁１５及びポンプ１６が介設されている。また、処
理槽１０の底部中央には、排液口１７が設けられてお
り、この排液口１７にドレン弁１８を介してドレン管１
９が接続されている。

【００２３】上記オーバーフロー槽２０も上記処理槽１
０と同様に耐食性及び耐薬品性に富む材質例えば石英に
て形成されている。このオーバーフロー槽２０の底部に
は、複数例えば２個の排液口２１が設けられており、こ
れら排液口２１にそれぞれ排液管２２が接続されてい
る。この排液管２２は、処理槽１０の底部に設けられた
貫通孔１０ａにシール部材２３を介して気水密かつ摺動
可能に貫通されている。また、オーバーフロー槽２０の
外側起立壁２０ａの上部には乾燥ガス供給ノズル１１が
取り付けられており、この乾燥ガス供給ノズル１１がオ
ーバーフロー槽２０のと共に上下移動し得るように構成
されている。この場合、乾燥ガス供給ノズル１１の噴口
１１ａは、乾燥ガス例えばＩＰＡガス４を常時オーバー
フローする純水の液面（界面）に向けて噴射し得るよう
に設けられている。なお、図面では、オーバーフロー槽
２０の外側起立壁２０ａの高さは、内側起立壁２０ｂよ
り高く形成されているが、勿論同じ高さであってもよ
い。

【００２４】また、図２示すように、オーバーフロー槽
２０の外側に取付部２４が突設されており、この取付部
２４に連結するパイプ状の垂直棒２５に取付部材２６を
介して例えばボールねじ機構等にて形成される移動機構
３０が連結されている。したがって、移動機構３０の駆
動によって垂直棒２５が垂直方向に移動することによっ
てオーバーフロー槽２０が上下移動する。このオーバー
フロー槽２０の上下移動は可変できるように構成されて
いる。なお、垂直棒２５内には図示しない乾燥ガス生成
手段に接続する乾燥ガス供給チューブ１１ｂが挿入され
て、乾燥ガス生成手段と乾燥ガス供給ノズル１１とが接
続されている。

【００２５】なお、処理槽１０の上部開口１０ｂには、
蓋体１０ｃが開閉可能に装着されており、この蓋体１０
ｃが開放して、後述する搬送手段例えばウエハチャック
によって搬送された複数枚例えば５０枚のウエハＷが処
理槽１０内に配設された保持手段例えばウエハボート４
０に受け渡されるようになっている。この場合、ウエハ
ボート４０は、水平に配設される１本の中央保持棒４１
と、中央保持棒４１の左右上方側に互いに平行に配設さ
れる２本の側部保持棒４２とで構成されている。なおこ
の場合、中央保持棒４１及び側部保持棒４２にはそれぞ
れ長手方向に適宜間隔をおいて複数個例えば５０個の保
持溝が設けられている。これら保持棒４１，４２は、耐
食性、耐熱性及び耐強度性に優れた材質、例えばポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）製あるいは石英製部
材にて形成されている。また、処理槽１０の下端部に
は、図１に想像線で示すように、オーバーフロー槽２０
から零れた純水等を外部に排出するための補助の排液管
１０ｈが接続されている。

【００２６】次に、上記第一実施形態の洗浄・乾燥処理
装置によるウエハＷの洗浄及び乾燥処理の手順につい
て、図３を参照して説明する。まず、図示しないウエハ
チャックによって搬送される複数枚例えば５０枚のウエ
ハＷを処理槽１０内に配設されたウエハボート４０に受
け渡した後、純水供給源１４から供給される純水１を純
水供給ノズル１２からウエハＷに向けて噴射すると共
に、純水１をオーバーフロー槽２０にオーバーフローさ
せて洗浄処理を行なう（図３（ａ）参照）。

【００２７】その後、移動機構３０を駆動して純水１を
オーバーフロー槽２０にオーバーフローさせながらオー
バーフロー槽２０を次第に下降させて行く。その際、乾
燥ガス生成手段にて生成された乾燥ガス例えばＩＰＡガ
ス４（具体的にはＩＰＡ蒸気とＮ2ガスの混合ガス）を
純水１の界面に向けて噴射する共に、処理槽１０の上部
にＩＰＡガス４を供給してＩＰＡガス４を露出してくる
ウエハＷに接触させる（図３（ｂ）参照）。ウエハＷ及
び水面とＩＰＡガス４とが接触することにより、ＩＰＡ
ガス４の蒸気が凝縮あるいは吸着し、これに伴ないマラ
ンゴニー効果すなわち純水液面のＩＰＡ液あるいはＩＰ
Ａガス４が純水１を移動（排除）する効果によってウエ
ハＷ表面の水分が除去されると共に、乾燥が促される。

【００２８】このようにして、ウエハＷの乾燥処理が行
なわれている間、処理槽１０内の純水１を排出し、処理
槽１０内の純水１が全て排出されて所定時間経過して乾
燥が終了した後、Ｎ2ガス等で槽内雰囲気を排除した
後、蓋体１０ｃを開放し、ウエハチャックによってウエ
ハＷを搬出して洗浄・乾燥処理を完了する。

【００２９】◎第二実施形態 図４はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実施形
態を示す概略断面図である。

【００３０】第二実施形態は、洗浄に供された純水が再
度ウエハＷに接触するのを防止して洗浄効率の向上を図
れるようにした場合である。すなわち、図４及び図５
（ａ）に示すように、オーバーフロー槽２０の内周側に
多数の透孔５１を有する筒状例えば矩形筒状の仕切り体
５０を配設することにより、オーバーフロー槽２０の下
降に伴うオーバーフローと共に透孔５１から外側に流れ
る洗浄に供された純水１が再び内側に逆流するのを阻止
して、絶えずウエハＷに清浄な純水１を接触させるよう
にした場合である。この場合、透孔５１は図５（ａ）に
示すような円形の他、図５（ｂ）に示すようなスリット
状の透孔５２としてもよい。

【００３１】なお、第二実施形態においては、乾燥ガス
供給ノズル１１が処理槽１０の上部に配設されている以
外は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には
同一符号を付して、その説明は省略する。

【００３２】◎第三実施形態 図６はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第三実施形
態の洗浄処理時の動作態様を示す概略断面図、図７はそ
の要部を示す概略斜視図である。

【００３３】第三実施形態は、洗浄処理後に被処理体に
付着する液滴（水滴）を除去して、乾燥効率の向上を図
れるようにした場合である。すなわち、純水１に浸漬さ
れるウエハＷの姿勢を垂直線に対して傾斜させ、この傾
斜状態で純水１に浸漬させると共にオーバーフローさせ
て洗浄処理を行なった後、オーバーフロー槽２０を下降
させてウエハＷを露出させると共に、純水１から露出し
たウエハＷにＩＰＡガス４を接触させて乾燥するように
した場合である。

【００３４】この場合、ウエハＷを垂直線に対して傾斜
させる傾斜機構６０は、図６及び図７に示すように、上
記ウエハボート４０の中央保持棒４１の下面の長手方向
に取り付けられる略コ字状の案内軸４３をシリンダ状の
軸受４４によって摺動可能に支承し、案内軸４３の一端
に連結する操作軸４５をシール部材４６を介して処理槽
１０の外方に突出させ、この操作軸４５を操作手段例え
ばエアーシリンダ６１のピストン６２に連結して構成す
ることができる。

【００３５】上記のように構成される傾斜機構６０のエ
アーシリンダ６１を駆動して図６（ａ）の状態から操作
軸４５を図面右方向に移動させることにより中央保持棒
４１が固定された側部保持棒４２に対して右方向に移動
することにより、ウエハボート４０に保持されたウエハ
Ｗは下端部のみが右方向に移動して傾斜姿勢となる（図
６（ｂ）参照）。なお、この傾斜姿勢によりウエハＷの
表面Ｗａが上側に向くようにする。このときの中央保持
棒４１の移動量は例えば１〜３ｍｍ程度の僅かな距離で
あり、また側部保持棒４２に設けられた保持溝がＶ字状
溝であるため、ウエハＷは保持溝に接触して擦れるよう
なことはない。

【００３６】このような傾斜状態で、上述したようにオ
ーバーフローにより洗浄処理が行なわれると共に、純水
１から露出したウエハＷにＩＰＡガス４が接触されて、
乾燥処理が行なわれるのであるが、この際、図８（ａ）
に示すように、ウエハＷの表面Ｗａと裏面Ｗｂとでは、
表面張力の違いにより、ウエハＷへの純水１の付着量が
異なり、裏面に対して表面側への純水の付着量が少なく
なる。したがって、ウエハＷの表面側の乾燥を促進する
ことができる。また、図８（ｂ）に示すように、ウエハ
Ｗの全てが純水１から露出した状態において、水滴１ａ
が裏面下端側に移動するので、表面側には水滴が付着す
ることがなく、表面側の乾燥が促進される。

【００３７】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略す
る。

【００３８】◎第四実施形態 図９はこの発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第四実施形
態を示す概略断面図である。

【００３９】第四実施形態は、上記第三実施形態とは別
の手段を用いて洗浄処理後に被処理体に付着する液滴
（水滴）を除去することにより、乾燥効率の向上を図れ
るようにした場合である。

【００４０】すなわち、図９に示すように、保持手段例
えばウエハボート４０を、中央保持棒４１と２本の側部
保持棒４２とからなる固定保持部材４７と、側部保持棒
４２の外側の上方位置に配設される２本の可動保持部材
４８とで構成し、可動保持部材４８を、処理槽１０の下
方に配設される昇降手段例えば昇降用エアーシリンダ６
３によって昇降可能に形成した場合である。なおこの場
合、可動保持部材４８には保持棒４１，４２と同様に適
宜間隔をおいて複数例えば５０個の保持溝が設けられて
いる。また、この可動保持部材４８は、それぞれ処理槽
１０の底部を気水密にかつ摺動可能に貫通する昇降棒６
４に連結されており、処理槽１０から突出する昇降棒６
４を、昇降用エアーシリンダ６３のピストンロッド６５
に連結する昇降板６６に固定することにより、昇降用エ
アーシリンダ６３の駆動によって可動保持部材４８が昇
降し得るように構成されている。

【００４１】上記のようにウエハＷの保持手段を、固定
保持部材４７と可動保持部材４８とで構成することによ
り、図１０（ａ）に示すように、ウエハＷを純水１に浸
漬して洗浄する場合には固定保持部材４７にてウエハＷ
を固定保持し、図１０（ｂ）に示すように、ウエハＷの
全てが純水１から露出する直前において、昇降用エアー
シリンダ６３を駆動して可動保持部材４８を上昇させ
て、この可動保持部材４８にてウエハＷを保持つまりウ
エハＷを固定保持部材４７から可動保持部材４８に持ち
換えることができる。したがって、ウエハＷは純水１に
漬かっている固定保持部材４７から純水１に漬かってい
ない乾燥状態の可動保持部材４８にて保持されるので、
ウエハＷへの水滴の付着が除去され、乾燥の促進が図れ
る。

【００４２】なお、第四実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態と同じであるので、同一部分に
は、同一符号を付して、その説明は省略する。なお、図
９では第四実施形態を上記第一実施形態に適用した場合
について説明したが、勿論、上記第二実施形態に第四実
施形態を適用することも可能である。

【００４３】◎その他の実施形態 上記実施形態では、処理槽１０に対してオーバーフロー
槽２０を下降させて純水１をオーバーフローさせる場合
について説明したが、必しもオーバーフロー槽２０を設
けて純水をオーバーフローさせる必要はなく、例えば図
１１に示すように、処理槽１０内に、ウエハＷを囲繞す
る筒状の可動仕切り体５３を配設すると共に、この可動
仕切り体５３を処理槽１０の底部に設けられた環状溝１
０ｄに環状シール５４を介して下方に移動可能に形成
し、この可動仕切り体５３を図示しない昇降手段によっ
て下降させることによって可動仕切り体５３内に貯留さ
れた純水１を処理槽１０側へオーバーフローさせて洗浄
処理を行なうことができる。なおこの場合、処理槽１０
の外側底部に排気口１０ｅを設け、この排気口１０ｅに
ドレン弁１０ｆを有するドレン管１０ｇを接続すること
により、オーバーフローされた純水１を外部に排出する
ことができる。

【００４４】また、図１２に示すように、処理槽１０の
開口側内周部にオーバーフロー槽２０Ａを設けると共
に、オーバーフロー槽２０Ａの内周側に、ウエハＷを囲
繞する多数の透孔５５を有する筒状仕切り体５６を配設
し、そして、処理槽１０を図示しない昇降手段によって
下降させることにより、筒状仕切り体５６の透孔５５か
ら純水１をオーバーフローさせて洗浄処理させるように
してもよい。なお、オーバーフロー槽２０Ａの底部には
排液口２０ｂが設けられており、この排液口２０ｂに開
閉弁２０ｃを介して排液管２０ｄが接続されている。

【００４５】上記のように構成される乾燥処理装置は単
独の乾燥処理装置として使用できる他、ウエハの洗浄・
乾燥処理システムに組み込んで使用することができる。
上記ウエハの洗浄・乾燥処理システムは、例えば図１３
に示すように、未処理のウエハＷを収容する搬入部７０
ａと、ウエハＷの洗浄処理及び乾燥処理を行なう洗浄・
乾燥処理部７１と、乾燥処理後のウエハＷを収容する搬
出部７０ｂと、洗浄・乾燥処理部７１の側方に配設され
て所定枚数例えば５０枚のウエハＷの搬送を行なう複数
例えば３基のウエハチャック８０とで主要部が構成され
ている。

【００４６】上記洗浄・乾燥処理部７１には、搬入部７
０ａから搬出部７０ｂに向かって直線状に順に、第１の
チャック洗浄・乾燥ユニット７２、第１の薬液処理ユニ
ット７３、第１の水洗処理ユニット７４、第２の薬液例
えばアンモニア液処理ユニット７５、第２の水洗処理ユ
ニット７６、第３の薬液例えばフッ化水素酸（ＨＦ水溶
液）処理ユニット７７、第２のチャック洗浄・乾燥ユニ
ット７８及び上記乾燥処理装置を具備する乾燥処理ユニ
ット７９が配設されている。

【００４７】なお、上記実施形態では、この発明に係る
洗浄・乾燥処理装置を半導体ウエハの乾燥処理装置に適
用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬ
ＣＤ用ガラス基板等の被処理体の乾燥処理にも適用でき
ることは勿論である。

【００４８】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、以下のような効果が得られる。

【００４９】１）請求項１及び６記載の発明によれば、
被処理体を固定した状態で洗浄液をオーバーフローさせ
て洗浄処理することができると共に、被処理体を洗浄液
から露出させることができ、露出された被処理体に乾燥
ガスを接触させて乾燥処理することができる。したがっ
て、被処理体に振動を与えることなくオーバーフローさ
せて洗浄処理を行なうことができると共に、乾燥処理す
ることができるので、被処理体へのパーティクルの付着
を少なくして歩留まりの向上を図ることができると共
に、洗浄及び乾燥処理の効率の向上を図ることができ
る。

【００５０】２）請求項４及び７記載の発明によれば、
被処理体を傾斜固定した状態で洗浄液をオーバーフロー
させて洗浄処理し、被処理体を洗浄液から露出させるこ
とで、被処理体の裏面側下端部に洗浄液の水滴を移動し
て被処理体の表面側への水滴の付着を除去することがで
きるので、上記１）に加えて更に乾燥効率の向上を図る
ことができる。

【００５１】３）請求項５及び８記載の発明によれば、
被処理体を保持手段で保持した状態で洗浄液をオーバー
フローしつつ被処理体を洗浄液から露出させ、上記保持
手段が上記洗浄液から露出する直前に、洗浄液から露出
する別の保持手段にて被処理体を保持することで、洗浄
液中の保持手段と被処理体との間に付着する水滴を除去
することができる。したがって、上記１）に加えて更に
乾燥効率の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第一実施
形態を示す概略断面図である。

【図２】第一実施形態の要部を示す概略斜視図である。

【図３】第一実施形態の洗浄処理状態の概略断面図
（ａ）及び乾燥処理状態の概略断面図（ｂ）である。

【図４】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第二実施
形態を示す概略断面図である。

【図５】第二実施形態における仕切り体を示す概略斜視
図（ａ）及び別の仕切り体を示す概略斜視図（ｂ）であ
る。

【図６】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第三実施
形態の被処理体の傾斜前の状態を示す概略断面図（ａ）
及び被処理体の傾斜状態を示す概略断面図（ｂ）であ
る。

【図７】第三実施形態の要部を示す概略斜視図である。

【図８】第三実施形態における被処理体と洗浄液との接
触状態を示す概略断面図（ａ）及び被処理体が洗浄液か
ら露出された状態を示す拡大断面図（ｂ）である。

【図９】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第四実施
形態を示す概略断面図である。

【図１０】第四実施形態における被処理体の洗浄処理状
態を示す説明図（ａ）及び被処理体が洗浄液から露出さ
れる状態を示す説明図（ｂ）である。

【図１１】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第五実
施形態を示す概略断面図である。

【図１２】この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の第六実
施形態を示す概略断面図である。

【図１３】この発明に係る乾燥処理装置を組み込んだ洗
浄・乾燥処理システムの一例を示す概略平面図である。

【図１４】従来の洗浄・乾燥処理装置の洗浄・乾燥工程
を示す概略断面図である。

【図１５】従来の別の洗浄・乾燥処理装置の洗浄・乾燥
工程を示す概略断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 純水 ４ ＩＰＡガス（乾燥ガス） １０ 処理槽 １１ 乾燥ガス供給ノズル（乾燥ガス供給部） １２ 純水供給ノズル ２０，２０Ａ オーバーフロー槽 ２１ 排液口（排液部） ２２ 排液管 ３０ 移動機構 ４０ ウエハボート（保持手段） ４１ 中央保持棒 ４２ 側部保持棒 ４７ 固定保持部材（保持手段） ４８ 可動保持部材（保持手段） ５０ 筒状仕切り体 ５１，５２，５５ 透孔 ５３ 可動仕切り体 ５６ 筒状仕切り体 ６０ 傾斜機構 ６３ 昇降用エアーシリンダ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体が浸漬される洗浄液を貯留する
   と共に、乾燥ガスの供給部が配設された処理槽と、 上記処理槽内に配設され、上方が開口する無端樋状に形
   成されると共に、排液部を有するオーバーフロー槽とを
   具備し、 上記処理槽とオーバーフロー槽とを略鉛直方向に相対的
   に移動可能に形成してなる、ことを特徴とする洗浄・乾
   燥処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置にお
   いて、 上記オーバーフロー槽の内周側に透孔を有する筒状仕切
   り体を配設してなる、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理
   装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置にお
   いて、 上記オーバーフロー槽に、乾燥ガス供給用のノズルを設
   けた、ことを特徴とする洗浄・乾燥処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置にお
   いて、 上記処理槽内に配設される被処理体の保持手段に、水平
   方向に移動可能に形成して、洗浄液に浸漬される被処理
   体を傾斜配置させる傾斜機構を設けた、ことを特徴とす
   る洗浄・乾燥処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の洗浄・乾燥処理装置にお
   いて、 上記処理槽内に配設される被処理体の保持手段が、上記
   被処理体を洗浄液に浸漬する状態に保持する固定保持部
   材と、この固定保持部材に対して移動して被処理体を保
   持する可動保持部材とを具備する、ことを特徴とする洗
   浄・乾燥処理装置。
6. 【請求項６】 被処理体を洗浄液に浸漬して洗浄した
   後、上記被処理体に乾燥ガスを接触させて乾燥する洗浄
   ・乾燥処理方法において、 上記被処理体を固定した状態で上記洗浄液をオーバーフ
   ローしつつ被処理体を洗浄液から露出させる工程と、 露出する上記被処理体に上記乾燥ガスを接触させる工程
   と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法にお
   いて、 上記被処理体を上記洗浄液に浸漬する状態で被処理体を
   傾斜させる工程と、 上記被処理体を傾斜固定した状態で上記洗浄液をオーバ
   ーフローしつつ被処理体を洗浄液から露出させる工程
   と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
8. 【請求項８】 請求項６記載の洗浄・乾燥処理方法にお
   いて、 上記保持手段が上記洗浄液から露出する直前に、洗浄液
   から露出する別の保持手段にて上記被処理体を保持する
   工程を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。