JP2000223456A - 基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置 - Google Patents
基板洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して洗
浄処理を施す過程における被処理基板へのパーティクル
の再付着の防止等により製品歩留まりの向上を図れるよ
うにすること。 【解決手段】 半導体ウエハＷを垂直状態にして処理液
と洗浄液に浸漬して洗浄処理する基板洗浄処理方法にお
いて、処理液での処理が終わった半導体ウエハＷを、オ
ーバーフローする純水Ｌに浸漬する際、純水Ｌの液面と
半導体ウエハＷの下部とを接触させ一旦停止する。これ
により、半導体ウエハＷの下部に残留する処理液に含ま
れるパーティクルを、オーバーフローの流れに乗せて拡
散し、除去することができると共に、再び浸漬する際に
半導体ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止する
ことができる。
浄処理を施す過程における被処理基板へのパーティクル
の再付着の防止等により製品歩留まりの向上を図れるよ
うにすること。 【解決手段】 半導体ウエハＷを垂直状態にして処理液
と洗浄液に浸漬して洗浄処理する基板洗浄処理方法にお
いて、処理液での処理が終わった半導体ウエハＷを、オ
ーバーフローする純水Ｌに浸漬する際、純水Ｌの液面と
半導体ウエハＷの下部とを接触させ一旦停止する。これ
により、半導体ウエハＷの下部に残留する処理液に含ま
れるパーティクルを、オーバーフローの流れに乗せて拡
散し、除去することができると共に、再び浸漬する際に
半導体ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板洗浄処理方
法及び基板洗浄処理装置に関するもので、更に詳細に
は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板を
処理液及び洗浄液に浸漬して処理する基板洗浄処理方法
及び基板洗浄処理装置に関するものである。
法及び基板洗浄処理装置に関するもので、更に詳細に
は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板を
処理液及び洗浄液に浸漬して処理する基板洗浄処理方法
及び基板洗浄処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造装置の製造工程にお
いては、半導体ウエハ等の被処理基板（以下にウエハ等
という）を処理液（薬液）や洗浄液（リンス液）等が貯
留された処理槽や洗浄槽に順次搬送し、処理液や洗浄液
に浸漬して、ウエハ等に付着するパーティクル，有機
物，金属汚染物あるいは酸化膜を除去すると共に、乾燥
等の処理を行う基板洗浄処理装置が広く採用されてい
る。
いては、半導体ウエハ等の被処理基板（以下にウエハ等
という）を処理液（薬液）や洗浄液（リンス液）等が貯
留された処理槽や洗浄槽に順次搬送し、処理液や洗浄液
に浸漬して、ウエハ等に付着するパーティクル，有機
物，金属汚染物あるいは酸化膜を除去すると共に、乾燥
等の処理を行う基板洗浄処理装置が広く採用されてい
る。
【０００３】この種の基板洗浄処理装置は、処理液（薬
液）｛例えば、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ（フッ化水素）（以下にＨ
Ｆという），ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（アンモニア過
水），ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（塩酸過水）等｝を貯留
する処理槽や洗浄液（リンス液；例えば純水）等を貯留
する洗浄槽と、複数枚例えば５０枚のウエハ等を垂直状
態に保持する保持手段例えばウエハボートと、このウエ
ハボートを介してウエハ等を上記処理槽及び洗浄槽に対
して昇降する昇降手段が具備されている。
液）｛例えば、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ（フッ化水素）（以下にＨ
Ｆという），ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（アンモニア過
水），ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ（塩酸過水）等｝を貯留
する処理槽や洗浄液（リンス液；例えば純水）等を貯留
する洗浄槽と、複数枚例えば５０枚のウエハ等を垂直状
態に保持する保持手段例えばウエハボートと、このウエ
ハボートを介してウエハ等を上記処理槽及び洗浄槽に対
して昇降する昇降手段が具備されている。
【０００４】また、上記処理槽、洗浄槽やウエハボート
等は清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れるダ
ウンフローの雰囲気下におかれて、ウエハ等の洗浄処理
をクリーンな環境の下で行っている。
等は清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れるダ
ウンフローの雰囲気下におかれて、ウエハ等の洗浄処理
をクリーンな環境の下で行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ウエハ
等は、一般にシリコン製の素材基板の表面に絶縁膜とし
ての酸化膜が形成されると共に、エッチングにより所定
のパターン等が形成される。このようにシリコン製の素
材基板の表面に酸化膜が形成されたウエハ等において
は、シリコンは疎水性であるが、酸化膜は親水性である
ため、ウエハ表面に処理液が残る。この事実を確認する
ために、図１８（ａ）に示すように、複数枚の酸化膜ウ
エハＷａとベアシリコンのウエハＷｂとを同じスロット
に配列した状態でウエハボートａにて保持し、そして、
処理槽（図示せず）に貯留された処理液例えばＨＦに浸
漬したところ、図１８（ｂ）に示すように、酸化膜ウエ
ハＷａの表面に処理液（ＨＦ）が残る。この状態で、両
ウエハＷａ，Ｗｂを、次の処理槽や洗浄槽に投入する
と、酸化膜ウエハＷａの表面に残った処理液（ＨＦ）の
上にあるパーティクルＡが酸化膜ウエハＷａの表面に付
着し、更に、図１８（ｃ）に示すように、処理液（Ｈ
Ｆ）上に付着したパーティクルＡが隣接するベアシリコ
ンウエハＷｂに再付着することが判明した。この結果か
ら明らかなように、シリコン製の素材基板の表面に酸化
膜が形成されたウエハ等を処理液及び洗浄液に浸漬して
洗浄処理する過程において、ウエハ等の表面にパーティ
クルが付着するので、製品歩留まりの低下をきたすとい
う問題があった。
等は、一般にシリコン製の素材基板の表面に絶縁膜とし
ての酸化膜が形成されると共に、エッチングにより所定
のパターン等が形成される。このようにシリコン製の素
材基板の表面に酸化膜が形成されたウエハ等において
は、シリコンは疎水性であるが、酸化膜は親水性である
ため、ウエハ表面に処理液が残る。この事実を確認する
ために、図１８（ａ）に示すように、複数枚の酸化膜ウ
エハＷａとベアシリコンのウエハＷｂとを同じスロット
に配列した状態でウエハボートａにて保持し、そして、
処理槽（図示せず）に貯留された処理液例えばＨＦに浸
漬したところ、図１８（ｂ）に示すように、酸化膜ウエ
ハＷａの表面に処理液（ＨＦ）が残る。この状態で、両
ウエハＷａ，Ｗｂを、次の処理槽や洗浄槽に投入する
と、酸化膜ウエハＷａの表面に残った処理液（ＨＦ）の
上にあるパーティクルＡが酸化膜ウエハＷａの表面に付
着し、更に、図１８（ｃ）に示すように、処理液（Ｈ
Ｆ）上に付着したパーティクルＡが隣接するベアシリコ
ンウエハＷｂに再付着することが判明した。この結果か
ら明らかなように、シリコン製の素材基板の表面に酸化
膜が形成されたウエハ等を処理液及び洗浄液に浸漬して
洗浄処理する過程において、ウエハ等の表面にパーティ
クルが付着するので、製品歩留まりの低下をきたすとい
う問題があった。
【０００６】また、処理液例えばＨＦによってウエハ等
の表面に形成された酸化膜をエッチングする場合、ウエ
ハＷを処理槽に貯留された処理液（ＨＦ）に浸漬した
後、処理槽から引き上げ、洗浄槽に搬入する場合、図１
９（ａ），（ｂ）に示すように、ウエハＷ上に残ってい
る処理液（ＨＦ）が重力と共にダウンフローの清浄気体
の流れによってウエハＷの下部側に流れて行き、垂直状
態のウエハＷの上部の処理液が切れる状態、つまりウエ
ハＷ上部の処理液が下がって行き、酸化膜が露出する状
態が発生する。このようにウエハＷ上の酸化膜が露出す
ると、ウエハＷ上の露出部のエッチングが停止し、処理
液の残っている部分のエッチングは継続するので、エッ
チングの均一性が損なわれ、製品歩留まりが低下すると
いう問題があった。
の表面に形成された酸化膜をエッチングする場合、ウエ
ハＷを処理槽に貯留された処理液（ＨＦ）に浸漬した
後、処理槽から引き上げ、洗浄槽に搬入する場合、図１
９（ａ），（ｂ）に示すように、ウエハＷ上に残ってい
る処理液（ＨＦ）が重力と共にダウンフローの清浄気体
の流れによってウエハＷの下部側に流れて行き、垂直状
態のウエハＷの上部の処理液が切れる状態、つまりウエ
ハＷ上部の処理液が下がって行き、酸化膜が露出する状
態が発生する。このようにウエハＷ上の酸化膜が露出す
ると、ウエハＷ上の露出部のエッチングが停止し、処理
液の残っている部分のエッチングは継続するので、エッ
チングの均一性が損なわれ、製品歩留まりが低下すると
いう問題があった。
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して洗浄処理
を施す過程において、処理液による処理後に被処理基板
の表面に残存する処理液中のゴミを再洗浄によって除去
して、パーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩
留まりの向上を図ることを第１の目的とし、また、処理
液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れ
を防止して、エッチング均一性の向上を図ると共に、製
品歩留まりの向上を図ることを第２の目的とするもので
ある。
で、被処理基板を処理液及び洗浄液に浸漬して洗浄処理
を施す過程において、処理液による処理後に被処理基板
の表面に残存する処理液中のゴミを再洗浄によって除去
して、パーティクルの再付着を防止すると共に、製品歩
留まりの向上を図ることを第１の目的とし、また、処理
液による処理後に被処理基板上の処理液の下方への流れ
を防止して、エッチング均一性の向上を図ると共に、製
品歩留まりの向上を図ることを第２の目的とするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、被処理基板を垂直状態にし
て処理液と洗浄液に浸漬し、処理する基板洗浄処理方法
において、 上記被処理基板が上記処理液又は洗浄液に
浸漬される際、あるいは処理液又は洗浄液から露呈され
た際の少なくとも一方において、上記被処理基板の下部
を洗浄液で洗浄するようにした、ことを特徴とする。こ
こで、被処理基板が処理液又は洗浄液から露呈された際
とは、処理液又は洗浄液から被処理基板を引き上げる状
態と、被処理基板が浸漬する処理液又は洗浄液を下方へ
排出する状態のいずれをも含む意味である。
に、請求項１記載の発明は、被処理基板を垂直状態にし
て処理液と洗浄液に浸漬し、処理する基板洗浄処理方法
において、 上記被処理基板が上記処理液又は洗浄液に
浸漬される際、あるいは処理液又は洗浄液から露呈され
た際の少なくとも一方において、上記被処理基板の下部
を洗浄液で洗浄するようにした、ことを特徴とする。こ
こで、被処理基板が処理液又は洗浄液から露呈された際
とは、処理液又は洗浄液から被処理基板を引き上げる状
態と、被処理基板が浸漬する処理液又は洗浄液を下方へ
排出する状態のいずれをも含む意味である。
【０００９】上記請求項１記載の基板洗浄処理方法にお
いて、上記被処理基板の下部を洗浄する方法としては、
例えば、上記被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射し
て洗浄するか（請求項２）、あるいは、上記被処理基板
の下部を、洗浄液の液面中に所定時間浸漬して洗浄する
（請求項３）ことができる。ここで、被処理基板の下部
は、洗浄液の液面中に停止して浸漬される場合も含まれ
る（請求項４）。この場合、洗浄液は、この洗浄液を貯
留する洗浄槽からオーバーフローする方が好ましい（請
求項５）。また、上記被処理基板は、疎水性素材の表面
に親水性の膜が混在する基板であることが前提となる
（請求項６）。ここで、疎水性素材としては、例えばベ
アシリコンウエハやメタルウエハ等が該当し、親水性の
膜としては、例えば酸化膜あるいはその他の絶縁膜が該
当する。
いて、上記被処理基板の下部を洗浄する方法としては、
例えば、上記被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射し
て洗浄するか（請求項２）、あるいは、上記被処理基板
の下部を、洗浄液の液面中に所定時間浸漬して洗浄する
（請求項３）ことができる。ここで、被処理基板の下部
は、洗浄液の液面中に停止して浸漬される場合も含まれ
る（請求項４）。この場合、洗浄液は、この洗浄液を貯
留する洗浄槽からオーバーフローする方が好ましい（請
求項５）。また、上記被処理基板は、疎水性素材の表面
に親水性の膜が混在する基板であることが前提となる
（請求項６）。ここで、疎水性素材としては、例えばベ
アシリコンウエハやメタルウエハ等が該当し、親水性の
膜としては、例えば酸化膜あるいはその他の絶縁膜が該
当する。
【００１０】請求項７記載の発明は、被処理基板を垂直
状態にして処理液と洗浄液に接触させ、処理する基板洗
浄処理方法において、 上記被処理基板の処理を、清浄
気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、 上記処
理液での処理が終わった上記被処理基板を、別の処理液
又は上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記清浄空気の
流れを弱めるか、停止させるようにした、ことを特徴と
する。
状態にして処理液と洗浄液に接触させ、処理する基板洗
浄処理方法において、 上記被処理基板の処理を、清浄
気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、 上記処
理液での処理が終わった上記被処理基板を、別の処理液
又は上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記清浄空気の
流れを弱めるか、停止させるようにした、ことを特徴と
する。
【００１１】また、請求項８記載の発明は、被処理基板
を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触させ、処理する
基板洗浄処理方法において、 上記処理液での処理が終
わった上記被処理基板を、別の処理液又は上記洗浄液の
処理部に搬送する際、上記被処理基板の下部から上方に
向かって清浄気体を吹き付けるようにした、ことを特徴
とする。この場合、上記清浄気体としては、例えば清浄
空気あるいは窒素（Ｎ2）ガス等を使用することができ
る。
を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触させ、処理する
基板洗浄処理方法において、 上記処理液での処理が終
わった上記被処理基板を、別の処理液又は上記洗浄液の
処理部に搬送する際、上記被処理基板の下部から上方に
向かって清浄気体を吹き付けるようにした、ことを特徴
とする。この場合、上記清浄気体としては、例えば清浄
空気あるいは窒素（Ｎ2）ガス等を使用することができ
る。
【００１２】また、請求項９記載の発明は、請求項１及
び２記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処
理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処
理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処
理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段
を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対し
て昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置にお
いて、 上記処理槽の上方に、上記被処理基板の下部に
向かって洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段を具備してな
ることを特徴とする。
び２記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処
理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被処
理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被処
理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手段
を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対し
て昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置にお
いて、 上記処理槽の上方に、上記被処理基板の下部に
向かって洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段を具備してな
ることを特徴とする。
【００１３】また、請求項１０記載の発明は、請求項１
及び３記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被
処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被
処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被
処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手
段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対
して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置に
おいて、 上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御
手段を具備し、この昇降制御手段によって上記保持手段
にて保持される上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗
浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を洗浄液の液面に
浸漬した状態で停止させるようにした、ことを特徴とす
る。
及び３記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被
処理基板を浸漬する処理液を貯留する処理槽と、上記被
処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する洗浄槽と、上記被
処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持手
段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に対
して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置に
おいて、 上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御
手段を具備し、この昇降制御手段によって上記保持手段
にて保持される上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗
浄液に浸漬する際、被処理基板の下部を洗浄液の液面に
浸漬した状態で停止させるようにした、ことを特徴とす
る。
【００１４】また、請求項１１記載の発明は、請求項７
記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基
板が処理液と接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄
液と接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保
持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基
板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段と
を具備する基板洗浄処理装置において、 上記処理槽
を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下に配設
し、 上記雰囲気を形成する清浄気体の流量を停止又は
調節可能に制御する制御手段を具備する、ことを特徴と
する。この場合、被処理基板を処理槽から別の処理槽又
は洗浄槽に搬送する際、清浄気体の流量を停止又は弱め
るように制御する制御手段を具備させる方が好ましい
（請求項１２）。
記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基
板が処理液と接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄
液と接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保
持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基
板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段と
を具備する基板洗浄処理装置において、 上記処理槽
を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下に配設
し、 上記雰囲気を形成する清浄気体の流量を停止又は
調節可能に制御する制御手段を具備する、ことを特徴と
する。この場合、被処理基板を処理槽から別の処理槽又
は洗浄槽に搬送する際、清浄気体の流量を停止又は弱め
るように制御する制御手段を具備させる方が好ましい
（請求項１２）。
【００１５】また、請求項１３記載の発明は、請求項８
記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基
板が処理液と接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄
液と接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保
持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基
板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段と
を具備する基板洗浄処理装置において、 上記処理液で
処理が終わった上記被処理基板を、別の処理槽又は上記
洗浄槽に搬送する際、上記被処理基板の下部から上方に
向かって清浄気体を吹き付ける清浄気体噴射手段を具備
してなる、ことを特徴とする。この場合、上記昇降手段
は、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送す
る搬送手段を具備してもよい（請求項１４）。また、上
記処理手段とは別に、処理槽及び洗浄槽間において、被
処理基板を搬送する搬送手段を更に具備してもよい（請
求項１５）。また、上記洗浄槽は、洗浄液を貯留するも
のであれば任意のものでよいが、好ましくは洗浄液をオ
ーバーフローするオーバーフロー槽である方がよい（請
求項１６）。
記載の基板洗浄処理方法を具現化するもので、被処理基
板が処理液と接触する処理槽と、上記被処理基板が洗浄
液と接触する洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保
持する保持手段と、上記保持手段を介して上記被処理基
板を上記処理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段と
を具備する基板洗浄処理装置において、 上記処理液で
処理が終わった上記被処理基板を、別の処理槽又は上記
洗浄槽に搬送する際、上記被処理基板の下部から上方に
向かって清浄気体を吹き付ける清浄気体噴射手段を具備
してなる、ことを特徴とする。この場合、上記昇降手段
は、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送す
る搬送手段を具備してもよい（請求項１４）。また、上
記処理手段とは別に、処理槽及び洗浄槽間において、被
処理基板を搬送する搬送手段を更に具備してもよい（請
求項１５）。また、上記洗浄槽は、洗浄液を貯留するも
のであれば任意のものでよいが、好ましくは洗浄液をオ
ーバーフローするオーバーフロー槽である方がよい（請
求項１６）。
【００１６】この発明において、上記被処理基板の下部
とは、被処理基板の下端部から被処理基板に形成される
例えば回路パターン等の製品領域近傍の範囲を意味す
る。
とは、被処理基板の下端部から被処理基板に形成される
例えば回路パターン等の製品領域近傍の範囲を意味す
る。
【００１７】請求項１〜６，９，１０記載の発明によれ
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬
して洗浄処理する過程において、被処理基板が処理液又
は洗浄液に浸漬される際、あるいは処理液又は洗浄液か
ら露呈された際の少なくとも一方において、被処理基板
の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の表面に
残存する処理液中のゴミを除去することができる。した
がって、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止す
ると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に浸漬
して洗浄処理する過程において、被処理基板が処理液又
は洗浄液に浸漬される際、あるいは処理液又は洗浄液か
ら露呈された際の少なくとも一方において、被処理基板
の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の表面に
残存する処理液中のゴミを除去することができる。した
がって、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止す
ると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１８】また、請求項７又は１１記載の発明によれ
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理
を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、
処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又
は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱め
るか、停止させることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができ
る。したがって、被処理基板の処理液によるエッチング
均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まり
の向上を図ることができる。
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理
を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、
処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又
は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱め
るか、停止させることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができ
る。したがって、被処理基板の処理液によるエッチング
均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まり
の向上を図ることができる。
【００１９】また、請求項８又は１３記載の発明によれ
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、処理液での処理が終
わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に
搬送する際、被処理基板の下部から上方に向かって清浄
気体を吹き付けることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができ
る。したがって、被処理基板の処理液によるエッチング
均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まり
の向上を図ることができる。
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、処理液での処理が終
わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に
搬送する際、被処理基板の下部から上方に向かって清浄
気体を吹き付けることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができ
る。したがって、被処理基板の処理液によるエッチング
均一性の向上を図ることができると共に、製品歩留まり
の向上を図ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る基板洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処
理システムに適用した場合について説明する。
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る基板洗浄処理装置を半導体ウエハの洗浄処
理システムに適用した場合について説明する。
【００２１】図１はこの発明に係る基板洗浄処理装置を
適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図であ
る。
適用した洗浄処理システムの一例を示す概略平面図であ
る。
【００２２】上記洗浄処理システムは、被処理基板であ
る半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平状態
に収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するため
の搬入・搬出部２と、ウエハＷを処理液（薬液）、洗浄
液等で液処理すると共に乾燥処理する処理部３と、搬入
・搬出部２と処理部３との間に位置してウエハＷの受渡
し、位置調整、姿勢変換及び間隔調整等を行うウエハＷ
の受渡し部例えばインターフェース部４とで主に構成さ
れている。
る半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を水平状態
に収納する容器例えばキャリア１を搬入、搬出するため
の搬入・搬出部２と、ウエハＷを処理液（薬液）、洗浄
液等で液処理すると共に乾燥処理する処理部３と、搬入
・搬出部２と処理部３との間に位置してウエハＷの受渡
し、位置調整、姿勢変換及び間隔調整等を行うウエハＷ
の受渡し部例えばインターフェース部４とで主に構成さ
れている。
【００２３】上記搬入・搬出部２は、洗浄処理システム
の一側端部にはキャリア搬入部５ａとキャリア搬出部５
ｂが併設されると共に、ウエハ搬出入部６が設けられて
いる。この場合、キャリア搬入部５ａとウエハ搬出入部
６との間には図示しない搬送機構が配設されており、こ
の搬送機構によってキャリア１がキャリア搬入部５ａか
らウエハ搬出入部６へ搬送されるように構成されてい
る。
の一側端部にはキャリア搬入部５ａとキャリア搬出部５
ｂが併設されると共に、ウエハ搬出入部６が設けられて
いる。この場合、キャリア搬入部５ａとウエハ搬出入部
６との間には図示しない搬送機構が配設されており、こ
の搬送機構によってキャリア１がキャリア搬入部５ａか
らウエハ搬出入部６へ搬送されるように構成されてい
る。
【００２４】また、キャリア搬出部５ｂとウエハ搬出入
部６には、それぞれキャリアリフタ（図示せず）が配設
され、このキャリアリフタによって空のキャリア１を搬
入・搬出部２上方に設けられたキャリア待機部（図示せ
ず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている。この場合、キ
ャリア待機部には、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方
向（Ｚ方向）に移動可能なキャリア搬送ロボット（図示
せず）が配設されており、このキャリア搬送ロボットに
よってウエハ搬出入部６から搬送された空のキャリア１
を整列すると共に、キャリア搬出部５ｂへ搬出し得るよ
うになっている。また、キャリア待機部には、空キャリ
アだけでなく、ウエハＷが収納された状態のキャリア１
を待機させておくことも可能である。
部６には、それぞれキャリアリフタ（図示せず）が配設
され、このキャリアリフタによって空のキャリア１を搬
入・搬出部２上方に設けられたキャリア待機部（図示せ
ず）への受け渡し及びキャリア待機部からの受け取りを
行うことができるように構成されている。この場合、キ
ャリア待機部には、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方
向（Ｚ方向）に移動可能なキャリア搬送ロボット（図示
せず）が配設されており、このキャリア搬送ロボットに
よってウエハ搬出入部６から搬送された空のキャリア１
を整列すると共に、キャリア搬出部５ｂへ搬出し得るよ
うになっている。また、キャリア待機部には、空キャリ
アだけでなく、ウエハＷが収納された状態のキャリア１
を待機させておくことも可能である。
【００２５】上記キャリア１は、一側に開口部を有し内
壁に複数枚例えば２５枚のウエハＷを適宜間隔をおいて
水平状態に保持する保持溝（図示せず）を有する容器本
体１ａと、この容器本体１ａの開口部を開閉する蓋体１
ｂとで構成されており、蓋体１ｂ内に組み込まれた係脱
機構（図示せず）を後述する蓋開閉装置８によって操作
することにより、蓋体１ｂが開閉されるように構成され
ている。
壁に複数枚例えば２５枚のウエハＷを適宜間隔をおいて
水平状態に保持する保持溝（図示せず）を有する容器本
体１ａと、この容器本体１ａの開口部を開閉する蓋体１
ｂとで構成されており、蓋体１ｂ内に組み込まれた係脱
機構（図示せず）を後述する蓋開閉装置８によって操作
することにより、蓋体１ｂが開閉されるように構成され
ている。
【００２６】上記ウエハ搬出入部６は、上記インターフ
ェース部４に開口しており、その開口部には蓋開閉装置
８が配設されている。この蓋開閉装置８によってキャリ
ア１の蓋体１ｂが開放あるいは閉塞されるようになって
いる。したがって、ウエハ搬出入部６に搬送された未処
理のウエハＷを収納するキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉
装置８によって取り外してキャリア１内のウエハＷを搬
出可能にし、全てのウエハＷが搬出された後、再び蓋開
閉装置８によって蓋体１ｂを閉塞することができる。ま
た、キャリア待機部からウエハ搬出入部６に搬送された
空のキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉装置８によって取り
外してキャリア１内へのウエハＷを搬入可能にし、全て
のウエハＷが搬入された後、再び蓋開閉装置８によって
蓋体１ｂを閉塞することができる。なお、ウエハ搬出入
部６の開口部近傍には、キャリア１内に収納されたウエ
ハＷの枚数を検出するマッピングセンサ９が配設されて
いる。
ェース部４に開口しており、その開口部には蓋開閉装置
８が配設されている。この蓋開閉装置８によってキャリ
ア１の蓋体１ｂが開放あるいは閉塞されるようになって
いる。したがって、ウエハ搬出入部６に搬送された未処
理のウエハＷを収納するキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉
装置８によって取り外してキャリア１内のウエハＷを搬
出可能にし、全てのウエハＷが搬出された後、再び蓋開
閉装置８によって蓋体１ｂを閉塞することができる。ま
た、キャリア待機部からウエハ搬出入部６に搬送された
空のキャリア１の蓋体１ｂを蓋開閉装置８によって取り
外してキャリア１内へのウエハＷを搬入可能にし、全て
のウエハＷが搬入された後、再び蓋開閉装置８によって
蓋体１ｂを閉塞することができる。なお、ウエハ搬出入
部６の開口部近傍には、キャリア１内に収納されたウエ
ハＷの枚数を検出するマッピングセンサ９が配設されて
いる。
【００２７】上記インターフェース部４には、複数枚例
えば２５枚のウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウ
エハ搬出入部６のキャリア１との間で、水平状態でウエ
ハＷを受け渡すウエハ搬送アーム１０と、複数枚例えば
５２枚のウエハＷを所定間隔をおいて垂直状態に保持す
る間隔調整手段例えばピッチチェンジャ（図示せず）
と、ウエハ搬送アーム１０とピッチチェンジャとの間に
位置して、複数枚例えば２５枚のウエハＷを水平状態と
垂直状態とに変換する姿勢変換装置１２と、垂直状態に
姿勢変換されたウエハＷに設けられたノッチを検知して
ウエハＷの位置合わせを行うノッチアライナ１３が配設
されている。また、インターフェース部４には、処理部
３と連なる搬送路１４が設けられており、この搬送路１
４にウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャック１５が移
動自在に配設されている。
えば２５枚のウエハＷを水平状態に保持すると共に、ウ
エハ搬出入部６のキャリア１との間で、水平状態でウエ
ハＷを受け渡すウエハ搬送アーム１０と、複数枚例えば
５２枚のウエハＷを所定間隔をおいて垂直状態に保持す
る間隔調整手段例えばピッチチェンジャ（図示せず）
と、ウエハ搬送アーム１０とピッチチェンジャとの間に
位置して、複数枚例えば２５枚のウエハＷを水平状態と
垂直状態とに変換する姿勢変換装置１２と、垂直状態に
姿勢変換されたウエハＷに設けられたノッチを検知して
ウエハＷの位置合わせを行うノッチアライナ１３が配設
されている。また、インターフェース部４には、処理部
３と連なる搬送路１４が設けられており、この搬送路１
４にウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャック１５が移
動自在に配設されている。
【００２８】この場合、上記ウエハ搬送アーム１０は、
ウエハ搬出入部６のキャリア１から複数枚のウエハＷを
取り出して搬送すると共に、キャリア１内に複数枚のウ
エハＷを収納する２つの保持部例えばアーム体１０ａ，
１０ｂを併設してなる。これらアーム体１０ａ，１０ｂ
は、水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方向（Ｚ方向）及び
回転方向（θ方向）へ移動可能な駆動台１１の上部に搭
載されてそれぞれ独立してウエハＷを水平状態に保持す
ると共に、ウエハ搬出入部６に載置されたキャリア１と
姿勢変換装置１２との間でウエハＷの受渡しを行うよう
に構成されている。したがって、一方のアーム体１０ａ
によって未処理のウエハＷを保持し、他方のアーム体１
０ｂによって処理済みのウエハＷを保持することができ
る。
ウエハ搬出入部６のキャリア１から複数枚のウエハＷを
取り出して搬送すると共に、キャリア１内に複数枚のウ
エハＷを収納する２つの保持部例えばアーム体１０ａ，
１０ｂを併設してなる。これらアーム体１０ａ，１０ｂ
は、水平方向（Ｘ，Ｙ方向），垂直方向（Ｚ方向）及び
回転方向（θ方向）へ移動可能な駆動台１１の上部に搭
載されてそれぞれ独立してウエハＷを水平状態に保持す
ると共に、ウエハ搬出入部６に載置されたキャリア１と
姿勢変換装置１２との間でウエハＷの受渡しを行うよう
に構成されている。したがって、一方のアーム体１０ａ
によって未処理のウエハＷを保持し、他方のアーム体１
０ｂによって処理済みのウエハＷを保持することができ
る。
【００２９】一方、上記処理部３には、ウエハＷに付着
するパーティクル，有機物，金属あるいは酸化膜を除去
するこの発明に係る基板洗浄処理装置を具備する複数の
処理ユニット１６〜１９が直線状に配列されており、こ
れら各ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた
搬送路１４に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直
方向）及び回転方向（θ方向）へ移動可能なウエハ搬送
チャック１５（ウエハ搬送手段）が配設されている。こ
の場合、第１の処理ユニット１６中に、チャック洗浄部
１６ａが配設されている。なお、チャック洗浄部１６ａ
は、必ずしも第１の処理ユニット１６内に配設する必要
はなく、第１の処理ユニット１６あるいはその他の処理
ユニット１７，１８，１９とは別個に配設してもよく、
また、処理部３とインターフェース部４との間に配設し
てもよい。
するパーティクル，有機物，金属あるいは酸化膜を除去
するこの発明に係る基板洗浄処理装置を具備する複数の
処理ユニット１６〜１９が直線状に配列されており、こ
れら各ユニット１６〜１９と対向する位置に設けられた
搬送路１４に、Ｘ，Ｙ方向（水平方向）、Ｚ方向（垂直
方向）及び回転方向（θ方向）へ移動可能なウエハ搬送
チャック１５（ウエハ搬送手段）が配設されている。こ
の場合、第１の処理ユニット１６中に、チャック洗浄部
１６ａが配設されている。なお、チャック洗浄部１６ａ
は、必ずしも第１の処理ユニット１６内に配設する必要
はなく、第１の処理ユニット１６あるいはその他の処理
ユニット１７，１８，１９とは別個に配設してもよく、
また、処理部３とインターフェース部４との間に配設し
てもよい。
【００３０】次に、この発明に係る基板洗浄処理装置に
ついて図２ないし図８を参照して説明する。
ついて図２ないし図８を参照して説明する。
【００３１】◎第一実施形態 図２は上記第１の処理ユニット１６内に配設された基板
洗浄処理装置の第一実施形態を示す概略側面図、図３は
基板洗浄処理装置の概略背面図、図４は基板洗浄処理装
置の要部を示す断面図である。
洗浄処理装置の第一実施形態を示す概略側面図、図３は
基板洗浄処理装置の概略背面図、図４は基板洗浄処理装
置の要部を示す断面図である。
【００３２】基板洗浄処理装置２０は、図２に示すよう
に、ウエハＷを浸漬する処理液例えばＨＦ（薬液）を貯
留する処理槽２１を収容する例えば矩形筒状の第１の容
器２２ａと、薬液とは別の洗浄液例えばリンス液（純
水）を貯留する洗浄槽２１Ａを収容する例えば矩形筒状
の第２の容器２２ｂとを隣接してなり、また、第１の容
器２２ａにチャック洗浄部１６ａを収容する例えば矩形
筒状の第３の容器２２ｃを隣接してなる（図３参照）。
この場合、上記複数の容器２２ａ〜２２ｃ及び後述する
フィルタユニット７０との間の空気は、洗浄処理装置外
部の空気と接触しないように洗浄処理装置の外壁で隔離
されている。
に、ウエハＷを浸漬する処理液例えばＨＦ（薬液）を貯
留する処理槽２１を収容する例えば矩形筒状の第１の容
器２２ａと、薬液とは別の洗浄液例えばリンス液（純
水）を貯留する洗浄槽２１Ａを収容する例えば矩形筒状
の第２の容器２２ｂとを隣接してなり、また、第１の容
器２２ａにチャック洗浄部１６ａを収容する例えば矩形
筒状の第３の容器２２ｃを隣接してなる（図３参照）。
この場合、上記複数の容器２２ａ〜２２ｃ及び後述する
フィルタユニット７０との間の空気は、洗浄処理装置外
部の空気と接触しないように洗浄処理装置の外壁で隔離
されている。
【００３３】上記第１の容器２２ａ及び第２の容器２２
ｂ（以下に第１の容器２２ａを代表して説明する）は、
処理槽２１を収容する、底部２３ａが設けられた処理室
２３を有すると共に、互いに連通する側部排気通路２４
と底部排気通路２５を有している。また、容器２２ａに
おける処理室２３の上方には、清浄化した気体例えば清
浄空気を処理室２３内へ供給するためのフィルタユニッ
ト７０が配設されている（図３，図４参照）。なお、フ
ィルタユニット７０には、図示しないモータによって駆
動されるファン（図示せず）が具備されている。
ｂ（以下に第１の容器２２ａを代表して説明する）は、
処理槽２１を収容する、底部２３ａが設けられた処理室
２３を有すると共に、互いに連通する側部排気通路２４
と底部排気通路２５を有している。また、容器２２ａに
おける処理室２３の上方には、清浄化した気体例えば清
浄空気を処理室２３内へ供給するためのフィルタユニッ
ト７０が配設されている（図３，図４参照）。なお、フ
ィルタユニット７０には、図示しないモータによって駆
動されるファン（図示せず）が具備されている。
【００３４】この場合、側部排気通路２４は、容器２２
ａの装置手前側の側壁２６と、処理室２３の底部２３ａ
から起立する起立壁２７と起立壁２７を下方に延長した
壁とを有する第１の区画壁２８とで形成されている。ま
た、底部排気通路２５は、容器２２ａの底板３０と、第
１の区画壁２８の下部から略水平に折曲する第２の区画
壁２９とで形成されている。
ａの装置手前側の側壁２６と、処理室２３の底部２３ａ
から起立する起立壁２７と起立壁２７を下方に延長した
壁とを有する第１の区画壁２８とで形成されている。ま
た、底部排気通路２５は、容器２２ａの底板３０と、第
１の区画壁２８の下部から略水平に折曲する第２の区画
壁２９とで形成されている。
【００３５】また、第１の容器２２ａの底板３０には、
排気手段例えば真空ポンプ３１を介設する排気管３２を
接続する排気口３３と、排液口例えばドレン口３４が開
設されている。この場合、排気口３３の開口部近傍に、
開口部を包囲すると共に、底板３０（容器底面）より上
方に起立する気液分離用の突壁３５が形成されており、
この突壁３５によって側部排気通路２４及び底部排気通
路２５を通って排気口３３から排気される空気中に混入
された薬液例えばＨＦ等を含む水分が排気管３２内に流
れ込むのを防止し得るようになっている。なお、排気口
３３は、底板３０の任意の位置に形成することができ
る。また、ドレン口３４にはドレン弁３６を介設したド
レン管３７が接続されており、容器２２ａの底板３０上
に溜まった排液を外部に排出し得るように構成されてい
る。
排気手段例えば真空ポンプ３１を介設する排気管３２を
接続する排気口３３と、排液口例えばドレン口３４が開
設されている。この場合、排気口３３の開口部近傍に、
開口部を包囲すると共に、底板３０（容器底面）より上
方に起立する気液分離用の突壁３５が形成されており、
この突壁３５によって側部排気通路２４及び底部排気通
路２５を通って排気口３３から排気される空気中に混入
された薬液例えばＨＦ等を含む水分が排気管３２内に流
れ込むのを防止し得るようになっている。なお、排気口
３３は、底板３０の任意の位置に形成することができ
る。また、ドレン口３４にはドレン弁３６を介設したド
レン管３７が接続されており、容器２２ａの底板３０上
に溜まった排液を外部に排出し得るように構成されてい
る。
【００３６】また、上記側部排気通路２４の開口部上方
には、この側部排気通路２４及び起立壁２７の上端部近
傍を覆うと共に、起立壁２７との隙間を調整する気流調
整手段例えば気流調整板３８が調整可能に配設されてい
る。この場合、気流調整板３８は、図４に示すように、
側部排気通路２４の開口部を覆う水平片３８ａと、この
水平片３８ａの処理槽側先端から起立壁２７の上端より
下方に垂下する垂下片３８ｂとで主に構成されており、
水平片３８ａに穿設された長孔（図示せず）を貫通する
取付ボルト３９を、容器２２ａの側壁２６から内方に突
出する取付部４０にねじ止めすることにより、移動調整
すなわち側壁２６と処理槽２１との隙間を調整可能に形
成されている。
には、この側部排気通路２４及び起立壁２７の上端部近
傍を覆うと共に、起立壁２７との隙間を調整する気流調
整手段例えば気流調整板３８が調整可能に配設されてい
る。この場合、気流調整板３８は、図４に示すように、
側部排気通路２４の開口部を覆う水平片３８ａと、この
水平片３８ａの処理槽側先端から起立壁２７の上端より
下方に垂下する垂下片３８ｂとで主に構成されており、
水平片３８ａに穿設された長孔（図示せず）を貫通する
取付ボルト３９を、容器２２ａの側壁２６から内方に突
出する取付部４０にねじ止めすることにより、移動調整
すなわち側壁２６と処理槽２１との隙間を調整可能に形
成されている。
【００３７】上記のように形成される気流調整板３８に
おける水平片３８ａの取付位置を変えることにより、側
壁２６と処理槽２１の隙間を調整することができ、処理
部すなわち処理槽２１及び処理室２３内を流れる空気の
排気量を任意に調整することができる。したがって、容
器２２ａにおいて、フィルタユニット７０を通過して処
理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、側部
排気通路２４を流れる空気の量を等しくなるように調整
することができる。また、各容器２２ａ〜２２ｃにおけ
る処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、
各容器２２ａ〜２２ｃの各側部排気通路２４を流れる空
気の量の総和とを等しくするように調整することも可能
となる。
おける水平片３８ａの取付位置を変えることにより、側
壁２６と処理槽２１の隙間を調整することができ、処理
部すなわち処理槽２１及び処理室２３内を流れる空気の
排気量を任意に調整することができる。したがって、容
器２２ａにおいて、フィルタユニット７０を通過して処
理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、側部
排気通路２４を流れる空気の量を等しくなるように調整
することができる。また、各容器２２ａ〜２２ｃにおけ
る処理室２３内に供給される清浄化された空気の量と、
各容器２２ａ〜２２ｃの各側部排気通路２４を流れる空
気の量の総和とを等しくするように調整することも可能
となる。
【００３８】このように、処理室２３内に供給される清
浄化された空気の量と、装置外部へ排気される空気の量
とを同等にすることにより、処理室２３内の雰囲気が排
気系統以外から流出するのを防止することができる。
浄化された空気の量と、装置外部へ排気される空気の量
とを同等にすることにより、処理室２３内の雰囲気が排
気系統以外から流出するのを防止することができる。
【００３９】なお、この場合、薬液例えばＨＦを使用す
る処理槽２１を収容する処理室２３の排気圧を、薬液を
使用しない処理槽２１を収容する他の容器の処理室２３
の排気圧よりも低く調整することもできる。したがっ
て、薬液雰囲気が薬液を使用しない他の容器内に流入す
るのを防止することができる。
る処理槽２１を収容する処理室２３の排気圧を、薬液を
使用しない処理槽２１を収容する他の容器の処理室２３
の排気圧よりも低く調整することもできる。したがっ
て、薬液雰囲気が薬液を使用しない他の容器内に流入す
るのを防止することができる。
【００４０】上記説明では、気流調整板３８を手動で調
整する場合について説明したが、例えばシリンダやモー
タ等の駆動手段によって気流調整板３８を操作すること
も可能である。
整する場合について説明したが、例えばシリンダやモー
タ等の駆動手段によって気流調整板３８を操作すること
も可能である。
【００４１】一方、起立壁２７と気流調整板３８との間
には、排気圧検出手段４１が配設されており、この排気
圧検出手段４１により、排気される空気圧を外部より検
知できるようになっている。なおこの場合、排気圧検出
手段４１は、図４に示すように、側壁２６及び起立壁２
７の対向位置に穿設された取付孔（図示せず）にそれぞ
れ気水密に貫挿される継手４３によって支持されて起立
壁２７と垂下片３８ｂとの間に露呈するパイプ部材４４
ａと、容器外部にてパイプ部材４４ａと接続する圧力検
出計４４ｂとで構成されている。
には、排気圧検出手段４１が配設されており、この排気
圧検出手段４１により、排気される空気圧を外部より検
知できるようになっている。なおこの場合、排気圧検出
手段４１は、図４に示すように、側壁２６及び起立壁２
７の対向位置に穿設された取付孔（図示せず）にそれぞ
れ気水密に貫挿される継手４３によって支持されて起立
壁２７と垂下片３８ｂとの間に露呈するパイプ部材４４
ａと、容器外部にてパイプ部材４４ａと接続する圧力検
出計４４ｂとで構成されている。
【００４２】一方、上記処理室２３の下部には、この処
理室２３の底部２３ａと、装置手前側の側壁２６と隣接
する側壁２６ａ、装置背部側の側壁２６ｂ及び起立壁２
７とで構成される下部室４５が形成されており、この下
部室４５の容積は、少なくとも処理槽２１内に貯留され
る処理液例えばＨＦあるいは純水の容積より大きくなる
ように形成されている。このように、下部室４５の容積
を処理槽２１内に貯留される処理液の容積より大きくし
た理由は、万一、処理槽２１が破損して処理槽２１内の
処理液が下方に流出しても、下部室４５内で受け止める
ことで、安全の確保を図れるようにしたためである。ま
た、処理室２３の底部２３ａは、装置手前側から装置背
部側に向かって下り勾配状に形成されており、傾斜下部
側の装置背部側の側壁２６ｂに排液口例えばドレン口４
６が開設されている。なお、ドレン口４６には、図示し
ないドレン弁を介設したドレン管４７が接続されてい
る。
理室２３の底部２３ａと、装置手前側の側壁２６と隣接
する側壁２６ａ、装置背部側の側壁２６ｂ及び起立壁２
７とで構成される下部室４５が形成されており、この下
部室４５の容積は、少なくとも処理槽２１内に貯留され
る処理液例えばＨＦあるいは純水の容積より大きくなる
ように形成されている。このように、下部室４５の容積
を処理槽２１内に貯留される処理液の容積より大きくし
た理由は、万一、処理槽２１が破損して処理槽２１内の
処理液が下方に流出しても、下部室４５内で受け止める
ことで、安全の確保を図れるようにしたためである。ま
た、処理室２３の底部２３ａは、装置手前側から装置背
部側に向かって下り勾配状に形成されており、傾斜下部
側の装置背部側の側壁２６ｂに排液口例えばドレン口４
６が開設されている。なお、ドレン口４６には、図示し
ないドレン弁を介設したドレン管４７が接続されてい
る。
【００４３】また、上記処理室２３の底部２３ａと、第
１の区画壁２８及び第２の区画壁２９とで、側方すなわ
ち装置背部側に開口する収納空間４８が形成されてお
り、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，ダ
ンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２等
からなる処理液の供給・排出用設備機器類が収納されて
いる。このように処理室２３の下方に収納空間４８を形
成し、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，
ダンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２
等からなる処理液の供給・排出用設備機器類を収納する
ことにより、装置背部側の空間５３をスッキリさせるこ
とができ、この背部空間５３内に、供給及び排出用配管
５２のみを系統化して配管することができ、スペースの
有効利用を図ることができる。
１の区画壁２８及び第２の区画壁２９とで、側方すなわ
ち装置背部側に開口する収納空間４８が形成されてお
り、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，ダ
ンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２等
からなる処理液の供給・排出用設備機器類が収納されて
いる。このように処理室２３の下方に収納空間４８を形
成し、この収納空間４８内に、例えば循環ポンプ４９，
ダンパ５０，ヒータ５１及びこれらを接続する配管５２
等からなる処理液の供給・排出用設備機器類を収納する
ことにより、装置背部側の空間５３をスッキリさせるこ
とができ、この背部空間５３内に、供給及び排出用配管
５２のみを系統化して配管することができ、スペースの
有効利用を図ることができる。
【００４４】なお、容器２２の装置手前側の側壁２６の
上部側には、図示しない計器類や操作機器類を収容する
空間部５４が設けられており、この空間部５４の開口部
５４ａに、カバー５５が着脱可能に装着されるようにな
っている。また、容器２２ａの装置背部側の側壁２６ｂ
には容器内部を目視するための覗き窓５６が設けられて
いる。
上部側には、図示しない計器類や操作機器類を収容する
空間部５４が設けられており、この空間部５４の開口部
５４ａに、カバー５５が着脱可能に装着されるようにな
っている。また、容器２２ａの装置背部側の側壁２６ｂ
には容器内部を目視するための覗き窓５６が設けられて
いる。
【００４５】また、上記第１の容器２２ａと第２の容器
２２ｂ及び第３の容器２２ｃを、互いに連接すると共
に、側部排気通路２４又は底部排気通路２５の少なくと
も一方を介して連通し、かつ第１の容器２２ａの底板３
０に排気口３３を設けることにより、各容器２２ａ，２
２ｂ，２２ｃ内を流れる空気を第１の容器２２に設けら
れた排気口３３を介して外部に排出することができる。
したがって、ウエハＷの洗浄処理時に、フィルタユニッ
ト７０からダウンフローして洗浄処理装置２０の処理部
すなわち処理槽２１及び処理室２３内に流れる清浄空気
中に、処理時に処理槽２１の外に飛散する薬液や純水等
が混入して汚染された雰囲気を側部排気通路２４及び底
部排気通路２５を介して外部に排出することができるの
で、洗浄処理の精度の向上を図ることができる。
２２ｂ及び第３の容器２２ｃを、互いに連接すると共
に、側部排気通路２４又は底部排気通路２５の少なくと
も一方を介して連通し、かつ第１の容器２２ａの底板３
０に排気口３３を設けることにより、各容器２２ａ，２
２ｂ，２２ｃ内を流れる空気を第１の容器２２に設けら
れた排気口３３を介して外部に排出することができる。
したがって、ウエハＷの洗浄処理時に、フィルタユニッ
ト７０からダウンフローして洗浄処理装置２０の処理部
すなわち処理槽２１及び処理室２３内に流れる清浄空気
中に、処理時に処理槽２１の外に飛散する薬液や純水等
が混入して汚染された雰囲気を側部排気通路２４及び底
部排気通路２５を介して外部に排出することができるの
で、洗浄処理の精度の向上を図ることができる。
【００４６】一方、上記処理槽２１は、ウエハＷを収容
する内槽２１ａと、この内槽２１ａの開口部外方を包囲
すると共に、内槽２１ａからオーバーフローした処理液
を受け止める外槽２１ｂとで構成されており、内槽２１
ａ内には、ウエハ搬送チャック１５との間で複数枚例え
ば５０枚のウエハＷの受け渡しを行うと共に、これらウ
エハＷを垂直状態に保持する昇降可能な保持手段例えば
ウエハボート５７が配設されている。
する内槽２１ａと、この内槽２１ａの開口部外方を包囲
すると共に、内槽２１ａからオーバーフローした処理液
を受け止める外槽２１ｂとで構成されており、内槽２１
ａ内には、ウエハ搬送チャック１５との間で複数枚例え
ば５０枚のウエハＷの受け渡しを行うと共に、これらウ
エハＷを垂直状態に保持する昇降可能な保持手段例えば
ウエハボート５７が配設されている。
【００４７】上記ウエハボート５７は、ウエハＷの下端
側を保持する一対の下部保持棒５７ａと、これら下部保
持棒５７ａの上方の両側を保持する一対の側部保持棒５
７ｂとを具備している。このウエハボート５７は、例え
ばボールねじ機構、あるいはシリンダ等にて形成される
昇降手段８０に連結されて昇降可能に構成されており、
ウエハボート５７及びウエハＷを下降して処理槽２１内
に貯留されている処理液に浸漬し、また上昇して処理槽
２１から引き上げるようになっている。このウエハボー
ト５７の昇降動作は、昇降制御手段である昇降制御部８
１から昇降手段８０に伝達される制御信号によって制御
される。
側を保持する一対の下部保持棒５７ａと、これら下部保
持棒５７ａの上方の両側を保持する一対の側部保持棒５
７ｂとを具備している。このウエハボート５７は、例え
ばボールねじ機構、あるいはシリンダ等にて形成される
昇降手段８０に連結されて昇降可能に構成されており、
ウエハボート５７及びウエハＷを下降して処理槽２１内
に貯留されている処理液に浸漬し、また上昇して処理槽
２１から引き上げるようになっている。このウエハボー
ト５７の昇降動作は、昇降制御手段である昇降制御部８
１から昇降手段８０に伝達される制御信号によって制御
される。
【００４８】また、内槽２１ａ内の下部には、この内槽
２１ａ内に処理液を供給する供給ノズル５８が配設され
ている。この場合、内槽２１ａの底部には排液口２１ｃ
が開設され、この排液口２１ｃに図示しないドレン弁を
介設したドレン管５９が接続されている。また、外槽２
１ｂの底部にも排液口２１ｄが開設されており、この排
液口２１ｄに、図示しないドレン弁を介設したドレン管
６０が接続されると共に、図示しない切換弁を介して上
記供給・排出用設備機器類の配管５２に接続されてい
る。このように外槽２１ｂの排液口２１ｄに設備機器類
の配管５２を接続することにより、内槽２１ａからオー
バーフローした処理液例えばＨＦを循環供給して、ウエ
ハＷの洗浄処理に供することができる。
２１ａ内に処理液を供給する供給ノズル５８が配設され
ている。この場合、内槽２１ａの底部には排液口２１ｃ
が開設され、この排液口２１ｃに図示しないドレン弁を
介設したドレン管５９が接続されている。また、外槽２
１ｂの底部にも排液口２１ｄが開設されており、この排
液口２１ｄに、図示しないドレン弁を介設したドレン管
６０が接続されると共に、図示しない切換弁を介して上
記供給・排出用設備機器類の配管５２に接続されてい
る。このように外槽２１ｂの排液口２１ｄに設備機器類
の配管５２を接続することにより、内槽２１ａからオー
バーフローした処理液例えばＨＦを循環供給して、ウエ
ハＷの洗浄処理に供することができる。
【００４９】一方、第２の容器２２ｂ内に配設される洗
浄槽２１Ａは、図２及び図５に示すように、洗浄槽２１
Ａ内の下部に洗浄液例えば純水を供給する純水供給ノズ
ル５８Ａが配設されており、この純水供給ノズル５８Ａ
は、第１の純水供給管６２を介して純水供給源６３に接
続されている。また、洗浄槽２１Ａの上方の両側には、
洗浄槽２１Ａ内に投入されるウエハＷの下部及び下部保
持棒５７ａに向かって洗浄液例えば純水を例えば液幕状
に噴射する一対の洗浄液噴射手段例えば純水噴射ノズル
６４が配設されている。ここで、ウエハＷの下部とは、
図６に示すように、ウエハＷの下端部ＷｅからウエハＷ
に形成される例えば回路パターン等の製品領域Ｗｐの近
傍までの領域（図６でハッチングで示す。）をいう。上
記純水噴射ノズル６４は、第２の純水供給管６５を介し
て上記純水供給源６３に接続されている。この場合、第
１の純水供給管６２と第２の純水供給管６５は、切換手
段例えば切換弁６６を介して純水供給源６３に接続され
て、純水の供給が、純水供給ノズル５８Ａと純水噴射ノ
ズル６４とに切り換え可能、あるいは同時供給可能にな
っている。
浄槽２１Ａは、図２及び図５に示すように、洗浄槽２１
Ａ内の下部に洗浄液例えば純水を供給する純水供給ノズ
ル５８Ａが配設されており、この純水供給ノズル５８Ａ
は、第１の純水供給管６２を介して純水供給源６３に接
続されている。また、洗浄槽２１Ａの上方の両側には、
洗浄槽２１Ａ内に投入されるウエハＷの下部及び下部保
持棒５７ａに向かって洗浄液例えば純水を例えば液幕状
に噴射する一対の洗浄液噴射手段例えば純水噴射ノズル
６４が配設されている。ここで、ウエハＷの下部とは、
図６に示すように、ウエハＷの下端部ＷｅからウエハＷ
に形成される例えば回路パターン等の製品領域Ｗｐの近
傍までの領域（図６でハッチングで示す。）をいう。上
記純水噴射ノズル６４は、第２の純水供給管６５を介し
て上記純水供給源６３に接続されている。この場合、第
１の純水供給管６２と第２の純水供給管６５は、切換手
段例えば切換弁６６を介して純水供給源６３に接続され
て、純水の供給が、純水供給ノズル５８Ａと純水噴射ノ
ズル６４とに切り換え可能、あるいは同時供給可能にな
っている。
【００５０】なお、切換弁６６と純水供給源６３との間
には開閉弁６７が介設され、第２の純水供給管６５の純
水噴射ノズル６４側にはそれぞれ開閉弁６８と絞り６９
が介設されている。また、洗浄槽２１Ａの底部には排液
口２１ｅが設けられており、この排液口２１ｅにドレン
弁６０ａを介設したドレン管６０ｂが接続されている。
また、洗浄槽２１Ａにおいても、処理槽２１と同様のウ
エハボート５７が昇降手段昇降制御手段（共に図示せ
ず）によって昇降可能に配設されている。
には開閉弁６７が介設され、第２の純水供給管６５の純
水噴射ノズル６４側にはそれぞれ開閉弁６８と絞り６９
が介設されている。また、洗浄槽２１Ａの底部には排液
口２１ｅが設けられており、この排液口２１ｅにドレン
弁６０ａを介設したドレン管６０ｂが接続されている。
また、洗浄槽２１Ａにおいても、処理槽２１と同様のウ
エハボート５７が昇降手段昇降制御手段（共に図示せ
ず）によって昇降可能に配設されている。
【００５１】上記のように、洗浄槽２１Ａに純水噴射ノ
ズル６４を配設することにより、処理槽２１内に貯留さ
れた処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエ
ハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された洗浄液例えば純水Ｌ
に浸漬する前に、ウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａ
付近に、純水噴射ノズル６４から純水Ｌを液幕状に噴射
することで、ウエハＷの下部表面に残留する処理液に付
着するパーティクルを洗浄除去することができる。した
がって、薬液処理されたウエハＷは、薬液処理後にウエ
ハＷの下部表面に残留する薬液（処理液）に付着するパ
ーティクルを除去した状態で洗浄槽２１Ａ内に貯留され
た洗浄液例えば純水Ｌに浸漬されて洗浄処理が施され
る。
ズル６４を配設することにより、処理槽２１内に貯留さ
れた処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエ
ハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された洗浄液例えば純水Ｌ
に浸漬する前に、ウエハＷの下部及び下部保持棒５７ａ
付近に、純水噴射ノズル６４から純水Ｌを液幕状に噴射
することで、ウエハＷの下部表面に残留する処理液に付
着するパーティクルを洗浄除去することができる。した
がって、薬液処理されたウエハＷは、薬液処理後にウエ
ハＷの下部表面に残留する薬液（処理液）に付着するパ
ーティクルを除去した状態で洗浄槽２１Ａ内に貯留され
た洗浄液例えば純水Ｌに浸漬されて洗浄処理が施され
る。
【００５２】なお、上記実施形態では、洗浄槽２１Ａの
上部に純水噴射ノズル６４を配設して、洗浄槽２１Ａ内
に投入される前のウエハＷの下部を洗浄する場合につい
て説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はな
く、上記処理槽２１の上部に純水噴射ノズル６４を配設
して、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部及
び下部保持棒５７ａに同様に純水を液幕状に噴射して洗
浄するようにしてもよい。また、洗浄槽２１Ａと処理槽
２１の双方に純水噴射ノズル６４を配設して、処理槽２
１から引き上げられたウエハＷの下部及び下部保持棒５
７ａと、洗浄槽２１Ａ内に投入される前のウエハＷの下
部及び下部保持棒５７ａに向けて純水を液幕状に噴射し
てウエハＷの下部に付着するパーティクルを除去するよ
うにしてもよい。このように薬液処理直後、及び洗浄処
理直前の双方にてウエハＷの下部を洗浄することによ
り、ウエハＷに付着するパーティクルを更に確実に除去
することができる。
上部に純水噴射ノズル６４を配設して、洗浄槽２１Ａ内
に投入される前のウエハＷの下部を洗浄する場合につい
て説明したが、必ずしもこのような構造とする必要はな
く、上記処理槽２１の上部に純水噴射ノズル６４を配設
して、処理槽２１から引き上げられたウエハＷの下部及
び下部保持棒５７ａに同様に純水を液幕状に噴射して洗
浄するようにしてもよい。また、洗浄槽２１Ａと処理槽
２１の双方に純水噴射ノズル６４を配設して、処理槽２
１から引き上げられたウエハＷの下部及び下部保持棒５
７ａと、洗浄槽２１Ａ内に投入される前のウエハＷの下
部及び下部保持棒５７ａに向けて純水を液幕状に噴射し
てウエハＷの下部に付着するパーティクルを除去するよ
うにしてもよい。このように薬液処理直後、及び洗浄処
理直前の双方にてウエハＷの下部を洗浄することによ
り、ウエハＷに付着するパーティクルを更に確実に除去
することができる。
【００５３】◎第二実施形態 図７はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第二実施形態
の要部を示す概略断面図である。
の要部を示す概略断面図である。
【００５４】第二実施形態は、薬液処理されたウエハＷ
の下部に付着するパーティクルを上記第一実施形態とは
別の手段で除去するようにした場合である。この場合、
基板洗浄処理装置２０Ａは、上記第一実施形態における
純水噴射ノズル６４を除去した構造で、洗浄槽２１Ａ内
の底部に配設される純水供給ノズル５８Ａを純水供給管
６２Ａを介して純水供給源６３に接続してなり、また、
一対の下部保持棒５７ａと側部保持棒５７ｂとを具備す
るウエハボート５７は、図示しない昇降手段によって昇
降可能に構成されている。なお、その他の部分は上記第
一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。
の下部に付着するパーティクルを上記第一実施形態とは
別の手段で除去するようにした場合である。この場合、
基板洗浄処理装置２０Ａは、上記第一実施形態における
純水噴射ノズル６４を除去した構造で、洗浄槽２１Ａ内
の底部に配設される純水供給ノズル５８Ａを純水供給管
６２Ａを介して純水供給源６３に接続してなり、また、
一対の下部保持棒５７ａと側部保持棒５７ｂとを具備す
るウエハボート５７は、図示しない昇降手段によって昇
降可能に構成されている。なお、その他の部分は上記第
一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。
【００５５】上記のように構成される基板洗浄処理装置
２０Ａにおいて、処理槽２１内に貯留された処理液例え
ばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを、洗浄槽
２１Ａ内に貯留され、洗浄槽２１Ａからオーバーフロー
する洗浄液例えば純水Ｌ中に浸漬する際、図７に示すよ
うに、昇降手段（図４参照）を制御して、ウエハＷの下
部あるいはウエハボート５７の下部保持棒５７ａが純水
Ｌの液面に浸かった状態で所定時間例えば０．５秒間停
止してウエハＷの下部に付着したパーティクルを純水Ｌ
中にすばやく拡散させ洗浄することができる。つまり、
ウエハＷの下部に付着したパーティクルは、オーバーフ
ローの流れに乗って拡散される。このようにして、薬液
処理されたウエハＷの下部に付着したパーティクルを除
去した後、ウエハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された純水
Ｌ中に浸漬して洗浄処理を施すことができる。したがっ
て、ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止するこ
とができる。
２０Ａにおいて、処理槽２１内に貯留された処理液例え
ばＨＦに浸漬されて薬液処理されたウエハＷを、洗浄槽
２１Ａ内に貯留され、洗浄槽２１Ａからオーバーフロー
する洗浄液例えば純水Ｌ中に浸漬する際、図７に示すよ
うに、昇降手段（図４参照）を制御して、ウエハＷの下
部あるいはウエハボート５７の下部保持棒５７ａが純水
Ｌの液面に浸かった状態で所定時間例えば０．５秒間停
止してウエハＷの下部に付着したパーティクルを純水Ｌ
中にすばやく拡散させ洗浄することができる。つまり、
ウエハＷの下部に付着したパーティクルは、オーバーフ
ローの流れに乗って拡散される。このようにして、薬液
処理されたウエハＷの下部に付着したパーティクルを除
去した後、ウエハＷを洗浄槽２１Ａ内に貯留された純水
Ｌ中に浸漬して洗浄処理を施すことができる。したがっ
て、ウエハＷ上へのパーティクルの再付着を防止するこ
とができる。
【００５６】◎第三実施形態 図８はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第三実施形態
の一例を示す概略断面図である。
の一例を示す概略断面図である。
【００５７】第三実施形態は、ウエハＷの薬液及び洗浄
処理を、清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れ
るダウンフローの雰囲気下で行う場合のエッチング不均
一を解消するようにした場合である。すなわち、薬液処
理されたウエハＷを、処理槽２１から引き上げ、別の処
理槽２１あるいは洗浄槽２１Ａに搬送する間に、ウエハ
Ｗに残留する処理液例えばＨＦが、重力及びダウンフロ
ーの清浄気体例えば清浄空気の流れによってウエハＷの
下部側に流れて、ウエハＷの上部のＨＦが切れることに
よるエッチングの不均一を防止するようにした場合であ
る。
処理を、清浄気体例えば清浄空気が上方から下方へ流れ
るダウンフローの雰囲気下で行う場合のエッチング不均
一を解消するようにした場合である。すなわち、薬液処
理されたウエハＷを、処理槽２１から引き上げ、別の処
理槽２１あるいは洗浄槽２１Ａに搬送する間に、ウエハ
Ｗに残留する処理液例えばＨＦが、重力及びダウンフロ
ーの清浄気体例えば清浄空気の流れによってウエハＷの
下部側に流れて、ウエハＷの上部のＨＦが切れることに
よるエッチングの不均一を防止するようにした場合であ
る。
【００５８】この場合、第三実施形態の基板線上処理装
置２０Ｂは、処理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、
処理槽２１の場合を示す。）の上方に配設されるフィル
タユニット７０のファン７１の回転駆動手段例えばファ
ンモータ７２の駆動を制御部７３からの信号によって制
御可能に構成されている。
置２０Ｂは、処理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、
処理槽２１の場合を示す。）の上方に配設されるフィル
タユニット７０のファン７１の回転駆動手段例えばファ
ンモータ７２の駆動を制御部７３からの信号によって制
御可能に構成されている。
【００５９】なお、第三実施形態において、その他の部
分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
分は上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるの
で、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００６０】上記のように構成することにより、処理槽
２１内の処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理された
ウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の処理槽２１
又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合、上記制御部７３から
の制御信号によってファンモータ７２の回転を低速にし
て清浄空気の量すなわちダウンフローの量を、図８に一
点鎖線で示す通常の状態から実線で示す減少状態、すな
わちウエハＷの処理中や洗浄中のダウンフロー量と比較
して弱くして、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの
下部側への流れを抑制することができる。したがって、
薬液処理されたウエハＷに残留する処理液例えばＨＦが
ウエハＷの上部から流れ落ちる量を少なくすることがで
きるので、ウエハＷ表面に形成された酸化膜のエッチン
グの均一性の向上を図ることができる。なお、ウエハＷ
の処理中や洗浄中で、ウエハＷを搬送していないとき
は、通常のダウンフロー量で処理部雰囲気中のパーティ
クルの発生を抑えるようにしておく。
２１内の処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液処理された
ウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の処理槽２１
又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合、上記制御部７３から
の制御信号によってファンモータ７２の回転を低速にし
て清浄空気の量すなわちダウンフローの量を、図８に一
点鎖線で示す通常の状態から実線で示す減少状態、すな
わちウエハＷの処理中や洗浄中のダウンフロー量と比較
して弱くして、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの
下部側への流れを抑制することができる。したがって、
薬液処理されたウエハＷに残留する処理液例えばＨＦが
ウエハＷの上部から流れ落ちる量を少なくすることがで
きるので、ウエハＷ表面に形成された酸化膜のエッチン
グの均一性の向上を図ることができる。なお、ウエハＷ
の処理中や洗浄中で、ウエハＷを搬送していないとき
は、通常のダウンフロー量で処理部雰囲気中のパーティ
クルの発生を抑えるようにしておく。
【００６１】なお、上記説明では、フィルタユニット７
０のファンモータ７２を低速にして清浄空気の量を減少
させてウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの下方へ流
れ落ちる量をすくなくしているが、ファンモータ７２の
回転を停止して、清浄空気のダウンフロー量を零にし
て、同様にウエハＷの上部から流れ落ちる量を減少させ
るようにしてもよい。
０のファンモータ７２を低速にして清浄空気の量を減少
させてウエハＷに残留する処理液例えばＨＦの下方へ流
れ落ちる量をすくなくしているが、ファンモータ７２の
回転を停止して、清浄空気のダウンフロー量を零にし
て、同様にウエハＷの上部から流れ落ちる量を減少させ
るようにしてもよい。
【００６２】◎第四実施形態 図９はこの発明に係る基板洗浄処理装置の第四実施形態
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【００６３】第四実施形態は、薬液処理されたウエハＷ
を、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合
に、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦがウエハＷの
下部側に流れ落ちるのを積極的に防止して、ウエハＷの
表面に形成される酸化膜のエッチングの均一性の向上を
図れるようにした場合である。
を、別の処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合
に、ウエハＷに残留する処理液例えばＨＦがウエハＷの
下部側に流れ落ちるのを積極的に防止して、ウエハＷの
表面に形成される酸化膜のエッチングの均一性の向上を
図れるようにした場合である。
【００６４】この場合、基板洗浄処理装置２０Ｃは、処
理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、処理槽２１の場
合を示す。）の上部の両側に、処理槽２１から引き上げ
られたウエハＷの下部から上方に向かって清浄気体例え
ば清浄空気あるいは窒素（Ｎ2）ガスを吹き付ける清浄
気体噴射手段例えばＮ2ガス噴射ノズル７４を具備して
なる。これらＮ2ガス噴射ノズル７４は、開閉弁７７を
介設するＮ2ガス供給管７５を介してＮ2ガス供給源７６
に接続されている。
理槽２１及び洗浄槽２１Ａ（図面では、処理槽２１の場
合を示す。）の上部の両側に、処理槽２１から引き上げ
られたウエハＷの下部から上方に向かって清浄気体例え
ば清浄空気あるいは窒素（Ｎ2）ガスを吹き付ける清浄
気体噴射手段例えばＮ2ガス噴射ノズル７４を具備して
なる。これらＮ2ガス噴射ノズル７４は、開閉弁７７を
介設するＮ2ガス供給管７５を介してＮ2ガス供給源７６
に接続されている。
【００６５】なお、第四実施形態において、その他の部
分は、上記第一実施形態及び第二実施形態と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略す
る。
分は、上記第一実施形態及び第二実施形態と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略す
る。
【００６６】上記のように構成することにより、処理槽
２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液
処理されたウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の
処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合に、上記Ｎ
2ガス噴射ノズル７４からウエハＷの下部から上方に向
かってＮ2ガスを吹き付けることにより、ウエハＷに残
存する処理液例えばＨＦがウエハＷの上部から流れ落ち
る量を少なくすることができる。したがって、ウエハＷ
表面に形成された酸化膜のエッチングの均一性の向上を
図ることができる。
２１内に貯留された処理液例えばＨＦに浸漬されて薬液
処理されたウエハＷを処理槽２１から引き上げて、別の
処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに搬送する場合に、上記Ｎ
2ガス噴射ノズル７４からウエハＷの下部から上方に向
かってＮ2ガスを吹き付けることにより、ウエハＷに残
存する処理液例えばＨＦがウエハＷの上部から流れ落ち
る量を少なくすることができる。したがって、ウエハＷ
表面に形成された酸化膜のエッチングの均一性の向上を
図ることができる。
【００６７】なお、上記説明では、Ｎ2ガス噴射ノズル
７４が処理槽２１の上方に配設されて、処理槽２１から
引き上げられたウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガ
スを吹き付けるようにした場合について説明したが、必
ずしもこのような構造とする必要はない。例えば、Ｎ2
ガス噴射ノズル７４を洗浄槽２１Ａの上方に配設して、
洗浄槽２１Ａに投入されるウエハＷの下部から上方に向
けてＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよい。また、薬
液処理されたウエハＷを別の処理槽２１又は洗浄槽２１
Ａに搬送する途中にＮ2ガス噴射ノズル７４を配設し
て、上記と同様にＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよ
い。更には、図１０に示すように、ウエハ搬送チャック
１５の例えば下部側にＮ2ガス噴射ノズル７４Ａを設け
るようにしてもよい。
７４が処理槽２１の上方に配設されて、処理槽２１から
引き上げられたウエハＷの下部から上方に向けてＮ2ガ
スを吹き付けるようにした場合について説明したが、必
ずしもこのような構造とする必要はない。例えば、Ｎ2
ガス噴射ノズル７４を洗浄槽２１Ａの上方に配設して、
洗浄槽２１Ａに投入されるウエハＷの下部から上方に向
けてＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよい。また、薬
液処理されたウエハＷを別の処理槽２１又は洗浄槽２１
Ａに搬送する途中にＮ2ガス噴射ノズル７４を配設し
て、上記と同様にＮ2ガスを吹き付けるようにしてもよ
い。更には、図１０に示すように、ウエハ搬送チャック
１５の例えば下部側にＮ2ガス噴射ノズル７４Ａを設け
るようにしてもよい。
【００６８】なお、上記実施形態では、ウエハＷの搬送
をウエハ搬送チャック１５にて行い、ウエハＷの処理槽
２１又は洗浄槽２１Ａへの投入（下降）、引き上げ（上
昇）をウエハボート５７にて行う場合について説明した
が、この発明に係る基板洗浄処理装置は、必ずしもこの
ような構造に限定されるものではない。例えば、図１１
に示すように、被処理基板搬送手段例えばウエハ搬送チ
ャック１５Ａを水平のＸ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に
移動可能に形成して、ウエハＷの処理槽２１及び洗浄槽
２１Ａへの搬送と、処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに対す
るウエハＷの投入（下降）及び引き上げ（上昇）を行え
るように形成してもよい。なお、この場合、ウエハ搬送
チャック１５Ａは、一対の回転可能な水平支持軸１５ａ
にそれぞれ装着される略逆Ｕ字状の保持フレーム１５ｂ
を具備してなり、各保持フレーム１５ｂの下端部及びそ
の上方にそれぞれ下部保持棒１５ｃ及び側部保持棒１５
ｄを横架した構造となっている。そして、図示しない駆
動手段によって水平支持軸１５Ａが回転して複数枚例え
ば５０枚のウエハＷを保持して、水平のＸ方向及び垂直
方向（Ｚ方向）に移動し得るように構成されている。
をウエハ搬送チャック１５にて行い、ウエハＷの処理槽
２１又は洗浄槽２１Ａへの投入（下降）、引き上げ（上
昇）をウエハボート５７にて行う場合について説明した
が、この発明に係る基板洗浄処理装置は、必ずしもこの
ような構造に限定されるものではない。例えば、図１１
に示すように、被処理基板搬送手段例えばウエハ搬送チ
ャック１５Ａを水平のＸ方向及び垂直方向（Ｚ方向）に
移動可能に形成して、ウエハＷの処理槽２１及び洗浄槽
２１Ａへの搬送と、処理槽２１又は洗浄槽２１Ａに対す
るウエハＷの投入（下降）及び引き上げ（上昇）を行え
るように形成してもよい。なお、この場合、ウエハ搬送
チャック１５Ａは、一対の回転可能な水平支持軸１５ａ
にそれぞれ装着される略逆Ｕ字状の保持フレーム１５ｂ
を具備してなり、各保持フレーム１５ｂの下端部及びそ
の上方にそれぞれ下部保持棒１５ｃ及び側部保持棒１５
ｄを横架した構造となっている。そして、図示しない駆
動手段によって水平支持軸１５Ａが回転して複数枚例え
ば５０枚のウエハＷを保持して、水平のＸ方向及び垂直
方向（Ｚ方向）に移動し得るように構成されている。
【００６９】また、上記実施形態では、この発明の洗浄
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した
場合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばＬ
ＣＤ基板の洗浄処理装置にも適用できることは勿論であ
る。
処理装置を半導体ウエハの洗浄処理システムに適用した
場合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばＬ
ＣＤ基板の洗浄処理装置にも適用できることは勿論であ
る。
【００７０】
【実施例】☆実施例−１ 上記第二実施形態の基板洗浄処理装置を用いた場合のウ
エハＷに再付着するパーティクル量（実施例）と、上記
基板洗浄処理装置を用いない場合のウエハＷに再付着す
るパーティクル量（比較例）とを、比較するための実験
結果について説明する。
エハＷに再付着するパーティクル量（実施例）と、上記
基板洗浄処理装置を用いない場合のウエハＷに再付着す
るパーティクル量（比較例）とを、比較するための実験
結果について説明する。
【００７１】比較例のウエハＷを、処理液例えば２５℃
の希フッ化水素（ＤＨＦ；１：５０）に浸漬した後、洗
浄液例えば純水中に３分間浸漬した場合、処理前すなわ
ちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーティク
ルの状態は、表１及び図１３に示す通りであったが、処
理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付着した
パーティクルＡの状態は、表１及び図１４に示す通りで
あった。なお、図１３，図１４において、符号Ｎはウエ
ハＷの外周縁に設けられたノッチである。
の希フッ化水素（ＤＨＦ；１：５０）に浸漬した後、洗
浄液例えば純水中に３分間浸漬した場合、処理前すなわ
ちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーティク
ルの状態は、表１及び図１３に示す通りであったが、処
理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付着した
パーティクルＡの状態は、表１及び図１４に示す通りで
あった。なお、図１３，図１４において、符号Ｎはウエ
ハＷの外周縁に設けられたノッチである。
【００７２】
【表１】
【００７３】これに対し、実施例のウエハＷを、比較例
とは別に処理液例えば２５℃の希フッ化水素（ＤＨＦ；
１：５０）に浸漬した後、図１２に示すように、位置Ｐ
1からＰ5まで５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動した後、
位置Ｐ5から純水の液面位置Ｐ6まで２５０ｍｍ／ｓｅｃ
の速度で移動して、ウエハＷの下部を純水の液面に０．
５ｓｅｃ間浸けてウエハＷの下部に付着するパーティク
ルを除去した後、Ｐ6からＰ8の位置まで５００ｍｍ／ｓ
ｅｃの速度で移動して浸漬処理を施した場合、処理前す
なわちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーテ
ィクルの状態は、表２及び図１５に示す通りであった
が、処理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付
着したパーティクルＡの状態は、表２及び図１６に示す
通りであった。
とは別に処理液例えば２５℃の希フッ化水素（ＤＨＦ；
１：５０）に浸漬した後、図１２に示すように、位置Ｐ
1からＰ5まで５００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動した後、
位置Ｐ5から純水の液面位置Ｐ6まで２５０ｍｍ／ｓｅｃ
の速度で移動して、ウエハＷの下部を純水の液面に０．
５ｓｅｃ間浸けてウエハＷの下部に付着するパーティク
ルを除去した後、Ｐ6からＰ8の位置まで５００ｍｍ／ｓ
ｅｃの速度で移動して浸漬処理を施した場合、処理前す
なわちＤＨＦに浸漬した後のウエハＷに付着したパーテ
ィクルの状態は、表２及び図１５に示す通りであった
が、処理後すなわち純水に浸漬した後のウエハＷに再付
着したパーティクルＡの状態は、表２及び図１６に示す
通りであった。
【００７４】
【表２】
【００７５】上記実験の結果、比較例においては、処理
前のパーティクルの総数が４６個であったのが、処理後
においては、パーティクル総数が７３７個と６９１個
（約１５倍増加）も増加していることが判った。これに
対し、実施例においては、処理前のパーティクルの総数
が２０３個であったのが、処理後においては、パーティ
クル総数が３００個であり、僅か９７個（約０．４８倍
減少）の増加であった。したがって、薬液処理した後
の、ウエハＷの下部を洗浄液例えば純水に所定時間例え
ば０．５ｓｅｃ浸けてウエハＷの下部に付着したパーテ
ィクルを除去した後、洗浄液例えば純水に浸漬する方が
パーティクルによる汚れが著しく少ないことが判った。
前のパーティクルの総数が４６個であったのが、処理後
においては、パーティクル総数が７３７個と６９１個
（約１５倍増加）も増加していることが判った。これに
対し、実施例においては、処理前のパーティクルの総数
が２０３個であったのが、処理後においては、パーティ
クル総数が３００個であり、僅か９７個（約０．４８倍
減少）の増加であった。したがって、薬液処理した後
の、ウエハＷの下部を洗浄液例えば純水に所定時間例え
ば０．５ｓｅｃ浸けてウエハＷの下部に付着したパーテ
ィクルを除去した後、洗浄液例えば純水に浸漬する方が
パーティクルによる汚れが著しく少ないことが判った。
【００７６】☆実施例−２ 上記第四実施形態の基板洗浄処理装置を用いて、薬液処
理後のウエハＷに向かって清浄気体例えばＮ2ガスを吹
き付けた場合（強制風有りの場合）のウエハＷに残留す
る処理液例えばＨＦによるエッチング量（実施例）と、
清浄気体例えばＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無
しの場合）のウエハＷに残留する処理液例えばＨＦによ
るエッチング量（比較例）とを、比較するための実験結
果について説明する。
理後のウエハＷに向かって清浄気体例えばＮ2ガスを吹
き付けた場合（強制風有りの場合）のウエハＷに残留す
る処理液例えばＨＦによるエッチング量（実施例）と、
清浄気体例えばＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無
しの場合）のウエハＷに残留する処理液例えばＨＦによ
るエッチング量（比較例）とを、比較するための実験結
果について説明する。
【００７７】比較例の複数枚例えば５０枚のウエハＷ
を、希フッ化水素（ＤＨＦ；５：１）による処理（１ｍ
ｉｎ）−超純水によるリンス処理（５．５ｍｉｎ）−乾
燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄処理する過程におい
て、薬液処理後、別の処理槽又は洗浄槽に搬送する際、
ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無しの
場合）の処理前と処理後の２６枚目のウエハＷの各測定
点のエッチング量を調べたところ、表３及び図１７に示
すような結果が得られた。
を、希フッ化水素（ＤＨＦ；５：１）による処理（１ｍ
ｉｎ）−超純水によるリンス処理（５．５ｍｉｎ）−乾
燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄処理する過程におい
て、薬液処理後、別の処理槽又は洗浄槽に搬送する際、
ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けない場合（強制風無しの
場合）の処理前と処理後の２６枚目のウエハＷの各測定
点のエッチング量を調べたところ、表３及び図１７に示
すような結果が得られた。
【００７８】
【表３】
【００７９】これに対し、実施例の複数枚例えば５０枚
のウエハＷを、希フッ化水素（ＤＨＦ；５０：１）によ
る処理（５ｍｉｎ）又は希フッ化水素（ＤＨＦ；５：
１）による処理（１ｍｉｎ）−超純水によるリンス処理
（５．５ｍｉｎ）−乾燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄
処理する過程において、薬液処理後、別の処理槽又は洗
浄槽に搬送する際、ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けた場
合（強制風有りの場合）の２６枚目のウエハＷの各測定
点の処理前と処理後のエッチング量を調べたところ、表
４及び図１７に示すような結果が得られた。
のウエハＷを、希フッ化水素（ＤＨＦ；５０：１）によ
る処理（５ｍｉｎ）又は希フッ化水素（ＤＨＦ；５：
１）による処理（１ｍｉｎ）−超純水によるリンス処理
（５．５ｍｉｎ）−乾燥処理（９ｍｉｎ）の工程で洗浄
処理する過程において、薬液処理後、別の処理槽又は洗
浄槽に搬送する際、ウエハＷにＮ2ガスを吹き付けた場
合（強制風有りの場合）の２６枚目のウエハＷの各測定
点の処理前と処理後のエッチング量を調べたところ、表
４及び図１７に示すような結果が得られた。
【００８０】
【表４】
【００８１】上記実験の結果、薬液処理後にウエハＷの
下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けることによ
り、エッチング量の均一性が図れることが判った。
下部から上方に向けてＮ2ガスを吹き付けることによ
り、エッチング量の均一性が図れることが判った。
【００８２】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の基板
洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置によれば、以下のよ
うな効果が得られる。
洗浄処理方法及び基板洗浄処理装置によれば、以下のよ
うな効果が得られる。
【００８３】（１）請求項１〜６，９，１０記載の発明
によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液
に浸漬して洗浄処理する過程において、被処理基板が処
理液又は洗浄液に浸漬される際、あるいは処理液又は洗
浄液から露呈された際の少なくとも一方において、被処
理基板の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の
表面に残存する処理液中のゴミを除去することができる
ので、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止する
と共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
によれば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液
に浸漬して洗浄処理する過程において、被処理基板が処
理液又は洗浄液に浸漬される際、あるいは処理液又は洗
浄液から露呈された際の少なくとも一方において、被処
理基板の下部を洗浄液で洗浄することで、被処理基板の
表面に残存する処理液中のゴミを除去することができる
ので、被処理基板へのパーティクルの再付着を防止する
と共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００８４】（２）請求項７又は１１記載の発明によれ
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理
を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、
処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又
は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱め
るか、停止させることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができる
ので、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向
上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図
ることができる。
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、被処理基板の処理
を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気下で行い、
処理液での処理が終わった被処理基板を、別の処理液又
は洗浄液の処理部に搬送する際、清浄気体の流れを弱め
るか、停止させることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができる
ので、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向
上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図
ることができる。
【００８５】（３）請求項８又は１３記載の発明によれ
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、処理液での処理が終
わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に
搬送する際、被処理基板の下部から上方に向かって清浄
気体を吹き付けることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができる
ので、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向
上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図
ることができる。
ば、被処理基板を垂直状態にして処理液と洗浄液に接触
させて洗浄処理する過程において、処理液での処理が終
わった被処理基板を、別の処理液又は洗浄液の処理部に
搬送する際、被処理基板の下部から上方に向かって清浄
気体を吹き付けることで、処理液による処理後に被処理
基板上の処理液の下方への流れを防止することができる
ので、被処理基板の処理液によるエッチング均一性の向
上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図
ることができる。
【図１】この発明に係る基板洗浄処理装置を適用した基
板洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
板洗浄処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】この発明に係る基板洗浄処理装置の第一実施形
態を示す概略側面図である。
態を示す概略側面図である。
【図３】上記基板洗浄処理装置の背面図である。
【図４】上記基板洗浄処理装置を示す断面図である。
【図５】上記基板洗浄処理装置の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図６】被処理基板であるウエハの下部の洗浄領域と製
品領域を示す概略正面図である。
品領域を示す概略正面図である。
【図７】この発明に係る基板洗浄処理装置の第二実施形
態を示す概略断面図である。
態を示す概略断面図である。
【図８】この発明に係る基板洗浄処理装置の第三実施形
態を示す概略断面図である。
態を示す概略断面図である。
【図９】この発明に係る基板洗浄処理装置の第四実施形
態を示す概略断面図である。
態を示す概略断面図である。
【図１０】この発明における清浄気体噴射手段の別の取
付状態を示す概略側面図（ａ)及びその正面図（ｂ）で
ある。
付状態を示す概略側面図（ａ)及びその正面図（ｂ）で
ある。
【図１１】この発明における被処理基板搬送手段の別の
形態を示す概略斜視図である。
形態を示す概略斜視図である。
【図１２】上記第二実施形態の基板洗浄処理装置を用い
てウエハに付着するパーティクル量を調べる実験の手順
を示す概略図である。
てウエハに付着するパーティクル量を調べる実験の手順
を示す概略図である。
【図１３】比較例のウエハの洗浄処理前のパーティクル
付着状態を示す説明図である。
付着状態を示す説明図である。
【図１４】比較例のウエハの洗浄処理後のパーティクル
付着状態を示す説明図である。
付着状態を示す説明図である。
【図１５】実施例のウエハの洗浄処理前のパーティクル
付着状態を示す説明図である。
付着状態を示す説明図である。
【図１６】実施例のウエハの洗浄処理後のパーティクル
付着状態を示す説明図である。
付着状態を示す説明図である。
【図１７】薬液処理後のウエハの下部から上方に向けて
Ｎ2ガスを吹き付ける場合（実施例）と、吹き付けない
場合（比較例）におけるエッチング均一性を示すグラフ
である。
Ｎ2ガスを吹き付ける場合（実施例）と、吹き付けない
場合（比較例）におけるエッチング均一性を示すグラフ
である。
【図１８】酸化膜を形成するウエハとシリコン製ウエハ
への処理液及びパーティクル付着量を調べるためのウエ
ハの配列状態を示す概略側面図（ａ）、処理液及びパー
ティクルの付着状態を示す概略断面図（ｂ）及びパーテ
ィクルの再付着状態を示す概略断面図（ｃ）である。
への処理液及びパーティクル付着量を調べるためのウエ
ハの配列状態を示す概略側面図（ａ）、処理液及びパー
ティクルの付着状態を示す概略断面図（ｂ）及びパーテ
ィクルの再付着状態を示す概略断面図（ｃ）である。
【図１９】薬液処理後のウエハに薬液が付着した状態を
示す概略断面図（ａ）及びウエハに付着する薬液が下方
に流れる状態を示す概略正面図（ｂ）である。
示す概略断面図（ａ）及びウエハに付着する薬液が下方
に流れる状態を示す概略正面図（ｂ）である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） Ｌ 純水（洗浄液） １５，１５Ａ ウエハ搬送チャック（被処理基板搬送手
段） ２１ 処理槽 ２１Ａ 洗浄槽 ３８ 気流調整板 ５７ ウエハボート（保持手段） ６３ 純水供給源 ６４ 純水噴射ノズル（洗浄液噴射手段） ７０ フィルタユニット ７１ ファン ７２ ファンモータ ７３ 制御部 ７４，７４Ａ Ｎ2ガス噴射ノズル（清浄気体噴射手
段） ７６ Ｎ2ガス供給源 ８０ 昇降手段 ８１ 昇降制御手段
段） ２１ 処理槽 ２１Ａ 洗浄槽 ３８ 気流調整板 ５７ ウエハボート（保持手段） ６３ 純水供給源 ６４ 純水噴射ノズル（洗浄液噴射手段） ７０ フィルタユニット ７１ ファン ７２ ファンモータ ７３ 制御部 ７４，７４Ａ Ｎ2ガス噴射ノズル（清浄気体噴射手
段） ７６ Ｎ2ガス供給源 ８０ 昇降手段 ８１ 昇降制御手段
Claims (16)
- 【請求項１】 被処理基板を垂直状態にして処理液と洗
浄液に浸漬し、処理する基板洗浄処理方法において、 上記被処理基板が上記処理液又は洗浄液に浸漬される
際、あるいは処理液又は洗浄液から露呈された際の少な
くとも一方において、上記被処理基板の下部を洗浄液で
洗浄するようにした、ことを特徴とする基板洗浄処理方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板洗浄処理方法におい
て、 上記被処理基板の下部に対して洗浄液を噴射して洗浄す
ることを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の基板洗浄処理方法におい
て、 上記被処理基板の下部を、洗浄液の液面中に所定時間浸
漬して洗浄することを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の基板洗浄処理方法におい
て、 上記被処理基板の下部は、洗浄液の液面中に停止してい
ることを含む基板洗浄処理方法。 - 【請求項５】 請求項３又は４記載の基板洗浄処理方法
において、 上記洗浄液は、この洗浄液を貯留する洗浄槽からオーバ
ーフローすることを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の基
板洗浄処理方法において、 上記被処理基板は、疎水性素材の表面に親水性の膜が混
在する基板であることを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 【請求項７】 被処理基板を垂直状態にして処理液と洗
浄液に接触させ、処理する基板洗浄処理方法において、 上記被処理基板の処理を、清浄気体が上方から下方へ流
れる雰囲気下で行い、 上記処理液での処理が終わった上記被処理基板を、別の
処理液又は上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記清浄
気体の流れを弱めるか、停止させるようにした、ことを
特徴とする基板洗浄処理方法。 - 【請求項８】 被処理基板を垂直状態にして処理液と洗
浄液に接触させ、処理する基板洗浄処理方法において、 上記処理液での処理が終わった上記被処理基板を、別の
処理液又は上記洗浄液の処理部に搬送する際、上記被処
理基板の下部から上方に向かって清浄気体を吹き付ける
ようにした、ことを特徴とする基板洗浄処理方法。 - 【請求項９】 被処理基板を浸漬する処理液を貯留する
処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留する
洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持手
段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処理
槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する基
板洗浄処理装置において、 上記処理槽の上方に、上記被処理基板の下部に向かって
洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段を具備してなることを
特徴とする基板洗浄処理装置。 - 【請求項１０】 被処理基板を浸漬する処理液を貯留す
る処理槽と、上記被処理基板を浸漬する洗浄液を貯留す
る洗浄槽と、上記被処理基板を垂直状態に保持する保持
手段と、上記保持手段を介して上記被処理基板を上記処
理槽及び洗浄槽に対して昇降する昇降手段とを具備する
基板洗浄処理装置において、 上記昇降手段の昇降動作を制御する昇降制御手段を具備
し、この昇降制御手段によって上記保持手段にて保持さ
れる上記被処理基板を上記洗浄槽内の上記洗浄液に浸漬
する際、被処理基板の下部を洗浄液の液面に浸漬した状
態で停止させるようにした、ことを特徴とする浸漬洗浄
処理装置。 - 【請求項１１】 被処理基板が処理液に接触する処理槽
と、上記被処理基板が洗浄液に接触する洗浄槽と、上記
被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持
手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に
対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置
において、 上記処理槽を、清浄気体が上方から下方へ流れる雰囲気
下に配設し、 上記雰囲気を形成する清浄気体の流量を停止又は調節可
能に制御する制御手段を具備する、ことを特徴とする基
板洗浄処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の基板洗浄処理装置に
おいて、 上記被処理基板を処理槽から別の処理槽又は洗浄槽に搬
送する際、清浄気体の流量を停止又は弱めるように制御
する制御手段を具備することを特徴とする基板洗浄処理
装置。 - 【請求項１３】 被処理基板が処理液に接触する処理槽
と、上記被処理基板が洗浄液に接触する洗浄槽と、上記
被処理基板を垂直状態に保持する保持手段と、上記保持
手段を介して上記被処理基板を上記処理槽及び洗浄槽に
対して昇降する昇降手段とを具備する基板洗浄処理装置
において、 上記処理槽で処理が終わった上記被処理基板を、別の処
理槽又は上記洗浄槽に搬送する際、上記被処理基板の下
部から上方に向かって清浄気体を吹き付ける清浄気体噴
射手段を具備してなる、ことを特徴とする基板洗浄処理
装置。 - 【請求項１４】 請求項９ないし１１又は１３のいずれ
かに記載の基板洗浄処理装置において、上記昇降手段
は、処理槽及び洗浄槽間において、被処理基板を搬送す
る搬送手段に具備されていることを特徴とする基板洗浄
処理装置。 - 【請求項１５】 請求項９ないし１１又は１３のいずれ
かに記載の基板洗浄処理装置において、 上記昇降手段とは別に、処理槽及び洗浄槽間において、
被処理基板を搬送する搬送手段を更に具備することを特
徴とする基板洗浄処理装置。 - 【請求項１６】 請求項９ないし１１又は１３のいずれ
かに記載の基板洗浄処理装置において、 上記洗浄槽は、洗浄液をオーバーフローするオーバーフ
ロー槽であることを特徴とする基板洗浄処理装置。
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| US09/185413 | 1998-11-03 | ||
| US09/185,413 US6199564B1 (en) | 1998-11-03 | 1998-11-03 | Substrate processing method and apparatus |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901685B2 (en) | 2002-03-05 | 2005-06-07 | Kaijo Corporation | Method for drying washed objects |
| JP2016167553A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及びそのチャック洗浄方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2775675B1 (fr) * | 1998-03-09 | 2000-06-09 | Soitec Silicon On Insulator | Support de plaquettes pour la micro-electronique et procede d'utilisation de ce support |
| US6328814B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
| ATE452419T1 (de) * | 2000-06-27 | 2010-01-15 | Imec | Verfahren und vorrichtung zum reinigen und trocknen eines substrats |
| TW490072U (en) * | 2000-10-12 | 2002-06-01 | Ritdisplay Corp | Apparatus for stripping photoresist |
| US6732749B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-05-11 | Akrion, Llc | Particle barrier drain |
| US6551412B1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Non-tubular type recycle system of wet bench tank |
| JP4296090B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2009-07-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 枚葉式のウエハ乾燥装置及び乾燥方法 |
| US7513062B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
| DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
| KR20050020328A (ko) * | 2003-08-22 | 2005-03-04 | 삼성전자주식회사 | 습식 세정설비의 웨이퍼 이송시스템 |
| TWI282586B (en) * | 2004-02-24 | 2007-06-11 | Innolux Display Corp | Etching system and de-ion water adding set |
| US20090214999A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic Paddle |
| DE102009035341A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung zur Reinigung von Substraten an einem Träger |
| JP6762214B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2020-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、および基板液処理方法 |
| JP6686955B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2020-04-22 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの洗浄方法 |
| JP6971137B2 (ja) * | 2017-12-04 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US11342204B2 (en) * | 2018-12-14 | 2022-05-24 | Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4520834A (en) * | 1983-11-08 | 1985-06-04 | Dicicco Paolo S | Apparatus for processing articles in a series of process solution containers |
| JPS62252147A (ja) | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ移し替え装置 |
| KR970003907B1 (ko) | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
| US4995411A (en) * | 1988-10-07 | 1991-02-26 | Hollis Automation, Inc. | Mass soldering system providing an improved fluid blast |
| US5061144A (en) | 1988-11-30 | 1991-10-29 | Tokyo Electron Limited | Resist process apparatus |
| US5156813A (en) * | 1990-07-13 | 1992-10-20 | Medical Laboratory Automation, Inc. | Cup for use with a pipette probe |
| US5297910A (en) | 1991-02-15 | 1994-03-29 | Tokyo Electron Limited | Transportation-transfer device for an object of treatment |
| US5201955A (en) * | 1991-03-11 | 1993-04-13 | Chika Hani E | Annular gradient optical lens tint system |
| JPH0536814A (ja) | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Sony Corp | ウエハ移載装置 |
| JPH05126836A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-21 | Toshiba Corp | プローブ洗浄槽 |
| JPH05291228A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法 |
| JP2902222B2 (ja) * | 1992-08-24 | 1999-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置 |
| JP3327981B2 (ja) * | 1993-04-05 | 2002-09-24 | 富士通株式会社 | 洗浄液槽及び洗浄装置 |
| JP3347814B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2002-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
| US5626675A (en) | 1993-11-18 | 1997-05-06 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus, substrate processing apparatus and method of transferring a processed article |
| TW301761B (ja) * | 1994-11-29 | 1997-04-01 | Sharp Kk | |
| US5593505A (en) * | 1995-04-19 | 1997-01-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface |
| JP3127357B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2001-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置及び乾燥処理方法 |
-
1998
- 1998-11-03 US US09/185,413 patent/US6199564B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
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-
2001
- 2001-02-05 US US09/777,106 patent/US6558476B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6901685B2 (en) | 2002-03-05 | 2005-06-07 | Kaijo Corporation | Method for drying washed objects |
| JP2016167553A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置及びそのチャック洗浄方法 |
Also Published As
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