JP3126859B2 - 基板の表面処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス製造
プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関
連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス
基板、電子部品等の各種基板を薬液及び純水で洗浄処理
し、その後に基板表面を乾燥処理するのに使用される基
板の表面処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板、例えばシリコンウエハを薬液及び
純水を用いて洗浄し、その後にウエハ表面を乾燥処理す
る装置として、従来、例えば図４に概略平面レイアウト
図を示すような構成のものが使用されている。この装置
は、所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸
漬させることにより基板に対し所要の洗浄処理を施す１
つ又は複数、図示例のものは３つの薬液洗浄槽１、２、
３、純水を収容し、その純水中に基板を浸漬させて基板
を純水で洗浄する１つ又は複数、図示例のものは３つの
純水洗浄槽１、２、３、純水を用いて最終的に基板をリ
ンス処理する最終リンス槽、及び、最終リンス処理され
た基板の表面を乾燥させる乾燥処理部を連設し、薬液洗
浄槽１に隣接して、洗浄前の基板を複数枚収容して搬入
されてきたカセットを載置しておくローダを設けるとと
もに、乾燥処理部に隣接して、洗浄及び乾燥処理を終え
た基板を収容したカセットを載置しそのカセットの搬出
が行なわれるアンローダを設け、ローダ、薬液洗浄槽、
純水洗浄槽、最終リンス槽、乾燥処理部及びアンローダ
の各間での基板の搬送を行なう基板搬送ロボット、及
び、空のカセットをローダからアンローダへ移送するた
めのカセットトラックなどを備えて構成されている。そ
れぞれの薬液洗浄槽には、例えば、薬液洗浄槽１にはア
ンモニア水及び過酸化水素水の混合溶液が、薬液洗浄槽
２にはフッ酸が、薬液洗浄槽３には塩酸及び過酸化水素
水の混合溶液が入っている。また、乾燥処理部に設置さ
れる基板の乾燥処理装置としては、遠心力によって基板
の表面から純水を振り切って乾燥させるスピンドライヤ
や、基板の表面に付着した純水をイソプロピルアルコー
ル等の有機溶剤の蒸気で置換することによって乾燥させ
る有機溶剤蒸気乾燥装置が使用される。

【０００３】図５は、最終リンス処理部に有機溶剤蒸気
乾燥処理部が隣接して配設された洗浄装置の一部を示す
概略断面図である。最終リンス処理部１には、リンス槽
３が設けられ、リンス槽３の底部に純水供給口が形設さ
れており、リンス槽３の上部外周に溢流水受け部４が設
けられている。そして、純水供給口を通し連続してリン
ス槽３内に純水５を供給し、リンス槽３上部の越流部か
ら純水５を溢れ出させることにより、リンス槽３の内部
において純水５の上昇水流が形成されるようになってお
り、その純水５の上昇水流中に基板Ｗを置くことにより
基板Ｗのリンス処理が行なわれる。最終的なリンス処理
が行なわれた基板Ｗは、乾燥処理部２へ搬送される。乾
燥処理部２には、乾燥処理槽６が設けられており、乾燥
処理槽６の内部に有機溶剤、例えばイソプロピルアルコ
ール７が入っている。そして、乾燥処理槽６内には、ア
ルコール蒸気が充満しており、そのアルコール蒸気中に
基板Ｗを置き図示しないリフタで基板Ｗを昇降させるこ
とにより、基板Ｗの表面に付着した純水がアルコールと
置換し、そのアルコールが速やかに基板Ｗの表面から蒸
発することによって基板Ｗの乾燥が行なわれるようにな
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の基板の
表面処理装置では、最終リンス処理部から乾燥処理部へ
の基板の搬送は、大気中を通って行なわれる。また、乾
燥処理部での基板の乾燥処理自体も、大気圧下において
行なわれている。このように、従来の洗浄装置では、最
終リンス処理が終わった基板を乾燥し終えるまでの間、
基板は大気に曝されることになる。

【０００５】ところが、最終リンス処理された基板の表
面が濡れた状態で大気に曝されると、基板表面にパーテ
ィクルが付着し易くなり、また炭酸ガス、酸素等のガス
が吸着し易くなる。また、乾燥処理中においても、従来
の洗浄装置では、完全に大気を遮断することができず基
板は大気に曝された状態になるので、同様のパーティク
ル付着やガス吸着が起こる。この結果、カーボンや重金
属等による膜汚染が起こり、半導体デバイス等の歩留り
が低下するといった問題点がある。

【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、最終リンス処理が終わってから乾燥
処理が終了するまでの間、基板が大気に触れないように
して、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着を無く
し、膜汚染による歩留りの低下を防ぐことができる基板
の表面処理装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬さ
せることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１
つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要
に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給
し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部
と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された
基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板
の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の
表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾
燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部
に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部
に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬
されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純
水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記
リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流
水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水
手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置と
の間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤
の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス
槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する
密閉チャンバと、この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通
して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段とを備え、
前記蒸気供給手段は基板昇降手段がリンス槽内の純水か
ら基板を引上げるとき、前記密閉チャンバ内に有機溶剤
の蒸気を存在させる、一体のリンス・乾燥処理装置によ
り構成したことを特徴とする基板の表面処理装置であ
る。請求項２に記載の発明は所要の洗浄用薬液を収容
し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗
浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この
薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理
された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリン
ス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部
で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾
燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロ
ボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前
記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給
するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越
流させるための越流部を上部に有 し、内部に純水を収容
してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽
と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供
給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より
溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受
け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上
方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させ
る基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸
気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の
上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、前記基板
昇降手段がリンス槽内の純水から基板を露出させ終るま
で、密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸
気を供給する蒸気供給手段とを備えた一体のリンス・乾
燥処理装置により構成したことを特徴とする基板の表面
処理装置である。請求項３に記載の発明は所要の洗浄用
薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることによ
り所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄
槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水
で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最
終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リ
ンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾
燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう
基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置に
おいて、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、
純水を供給するための純水供給口を底部に有するととも
に純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に
純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにす
るリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通し
て純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記
越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、こ
の溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リ
ンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇
降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給す
るための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流
水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバ
と、この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤
の蒸気を供給する蒸気供給手段とを備え、前記基板昇降
手段は密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が存在する状態
で、かつ、リンス槽内で上昇液流が形成されている状態
で前記基板をリンス槽内の純水から露出させる、一体の
リンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする
基板の表面処理装置である。 請求項４に記載の発明は請
求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、
密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段が設けられ
た基板の表面処理装置である。請求項５に記載の発明は
請求項４に記載の基板の表面処理装置において、前記排
気手段は基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板
が引上げられた後、密閉チャンバ内を排気して減圧する
基板の表面処理装置である。請求項６に記載の発明は請
求項５に記載の基板の表面処理装置において、窒素ガス
を密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けら
れ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内
を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供
給する基板の表面処理装置である。請求項７に記載の発
明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置にお
いて、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給
手段が設けられた基板の表面処理装置である。請求項８
に記載の発明は請求項８に記載の基板の表面処理装置に
おいて、蒸気供給手段は蒸気供給口に流路接続された蒸
気供給用管路を有するとともに、前記窒素ガス供給手段
は蒸気供給用管路を通して窒素ガスを密閉チャンバ内へ
送り込む基板の表面処理装置である。請求項９に記載の
発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置に
おいて、基板を収容したカセットから前記基板搬送ロボ
ットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置を更に設
け、前記基板昇降手段は基板搬送ロボットから基板を受
け渡される基板の表面処理装置である。

【０００８】

【作用】上記した構成の請求項１ないし９に係る各発明
の基板の表面処理装置では、薬液洗浄後(必要に応じて
さらに純水洗浄された後）に基板を最終的にリンス処理
し、基板をそのまま密閉チャンバ内において乾燥処理す
る。従って、最終リンス処理が終わってから乾燥処理が
終了するまでの間、基板は大気に全く触れることがな
く、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着は起こら
ない。

【０００９】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００１０】図１は、この発明の１実施例に係る基板の
洗浄装置の概略構成を示す正面断面図であり、図２は、
この洗浄装置の構成の概略平面レイアウト図である。こ
の洗浄装置は、ローダ10、洗浄・乾燥処理部12、アンロ
ーダ14、基板搬送ロボット16及びカセットトラック（図
１には図示せず）を備えて構成されている。洗浄・乾燥
処理部12は、３つの薬液洗浄槽18、20、22、３つの純水
洗浄槽24、26、28及びリンス・乾燥処理装置30を、各薬
液洗浄槽18、20、22の後方に隣接して各純水洗浄槽24、
26、28がそれぞれ配置され第３番目の純水洗浄槽28に隣
接してリンス・乾燥処理装置30が配置されるように、一
列に連設して構成されている。そして、例えば、第１番
目の薬液洗浄槽18にはアンモニア水及び過酸化水素水の
混合溶液が収容され、第２番目の薬液洗浄槽20にはフッ
酸が収容され、第３番目の薬液洗浄槽22には塩酸及び過
酸化水素水の混合溶液が収容されており、また、各純水
洗浄槽24、26、28には純水がそれぞれ収容されている。
また、ローダ10には、カセットＣに収容されて搬入され
てきた洗浄前の複数枚の基板Ｗを、ローダ10に載置され
たカセットＣから基板搬送ロボット16へ受け渡す基板受
渡し装置32が設けられており、アンローダ14には、洗浄
・乾燥処理部12での処理を終えた複数枚の基板Ｗを基板
搬送ロボット16から空のカセットＣへ受け渡す基板受渡
し装置34が設けられている。

【００１１】リンス・乾燥処理装置30は、リンス槽36及
びこのリンス槽36の上部外周に設けられた溢流水受け部
38を有しており、それらの上方空間を閉鎖的に包囲する
ように、密閉可能な開閉蓋42を有する密閉チャンバ40を
備えている。リンス槽36には、その底部に純水供給口が
形設されており、純水供給源からその純水供給口を通し
て常時リンス槽36内へ純水44が供給され、一方、リンス
槽36の上部は越流部となっており、その越流部より溢れ
出た純水が溢流水受け部38に常時流れ込むようになって
いて、リンス槽36の内部において純水44の上昇水流が形
成される。溢流水受け部38に流れ込んだ純水は、溢流水
受け部38に形設された純水排出口を通して排水される。
また、密閉チャンバ40には、有機溶剤の蒸気、例えばイ
ソプロピルアルコールの蒸気を密閉チャンバ40内へ供給
するための蒸気供給口が形設されており、蒸気供給口は
蒸気供給用管路を介してアルコール蒸気供給源に流路接
続されている。尚、図示していないが、蒸気供給用管路
は窒素供給源に流路接続されており、窒素ガスをキャリ
ヤガスとしてアルコール蒸気が密閉チャンバ40内へ送給
されるとともに、流路の切換えにより蒸気供給用管路を
通して窒素ガスだけを密閉チャンバ40内へ送り込んで密
閉チャンバ40の内部をパージすることができる構成とな
っている。さらに、密閉チャンバ40には、排気口が形設
されており、排気口は排気手段、例えば水封式真空ポン
プに流路接続されていて、その排気口を通して密閉チャ
ンバ40内を真空ポンプで排気することにより、密閉チャ
ンバ40内を減圧することができる。また、図示を省略し
ているが、密閉チャンバ40の内部には、基板Ｗを昇降さ
せる基板昇降機構が設けられており、この基板昇降機構
により、基板をリンス槽36の上方位置とリンス槽36内部
位置との間で昇降移動させることができるようになって
いる。

【００１２】次に、上記した構成の基板の洗浄装置を使
用して基板の洗浄及び乾燥処理を行なう一連の工程につ
いて説明する。

【００１３】洗浄前の複数枚の基板Ｗを収容したカセッ
トＣがローダ10に搬入されて載置されると、基板受渡し
装置32によりカセットＣから基板搬送ロボット16へ複数
枚の基板Ｗが一括して受け渡され、次いで、基板搬送ロ
ボット16により複数枚の基板Ｗが一括して第１番目の薬
液洗浄槽18内へ送入されて、薬液洗浄槽18内部の基板保
持具に保持される。薬液洗浄槽18内には所要の薬液が連
続して供給されるとともに、薬液洗浄槽18からオーバー
フローした薬液は循環使用されるようになっており、薬
液洗浄槽18内の薬液中に基板Ｗが浸漬されることによ
り、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれる。薬液洗
浄槽18で洗浄処理された複数枚の基板Ｗは、再び基板搬
送ロボット16へ受け渡され、基板搬送ロボット16により
複数枚の基板Ｗが一括して第１番目の純水洗浄槽24内へ
送入されて、純水洗浄槽24内部の基板保持具に保持され
る。純水洗浄槽24内には純水が連続して供給されるとと
もに、純水洗浄槽24の上部から純水がオーバーフローし
ており、純水洗浄槽24内の純水の上昇水流中に基板Ｗが
置かれることにより、基板Ｗの表面が水洗される。同様
にして、基板搬送ロボット16により複数枚の基板Ｗを一
括して第２番目の薬液洗浄槽20、第２番目の純水洗浄槽
26、第３番目の薬液洗浄槽22、第３番目の純水洗浄槽28
へと順次搬送しながら、薬液による洗浄及び純水による
水洗を繰り返す。そして、第３番目の純水洗浄槽28での
水洗が終わった複数枚の基板Ｗは、基板搬送ロボット16
により一括してリンス・乾燥処理装置30へ搬送される。

【００１４】リンス・乾燥処理装置30の密閉チャンバ40
内に複数枚の基板Ｗが一括して搬入され、基板昇降機構
によって昇降自在に支持された基板保持具へ複数枚の基
板Ｗが一括して受け渡されると、開閉蓋42が閉塞されて
密閉チャンバ40内が密閉される。このとき、リンス槽36
内には、その底部の純水供給口を通して純水供給源から
純水44が連続して供給され、リンス槽36内部を満たした
純水44は、その上部の越流部から溢れ出て溢流水受け部
38内へ流入し、溢流水受け部38から純水排出口を通して
排水されており、リンス槽36の内部に純水44の上昇水流
が形成されている。複数枚の基板Ｗが一括して基板保持
具に保持されると、基板昇降機構を作動させて、基板Ｗ
を下降させ、リンス槽36内の純水44中に基板Ｗを浸漬さ
せ、純水44の上昇水流中に基板Ｗを所定時間置くことに
より基板Ｗを最終的にリンス処理する。これにより、基
板Ｗの表面が完全に清浄化される。基板Ｗの最終リンス
処理が終了すると、基板昇降機構を作動させて、基板保
持具に保持された基板Ｗを上昇させ、基板Ｗをリンス槽
36内の純水44中から引き上げる。そして、純水44中から
基板Ｗを引き上げ始めるのと同時に、蒸気供給用管路を
通して密閉チャンバ40内へ蒸気供給口からアルコール蒸
気を送り込んで、純水44中から引き上げられている途中
の基板Ｗの周囲へアルコール蒸気を供給する。このアル
コール蒸気の供給は、少なくとも純水44中からの基板Ｗ
の引上げが完全に終了するまで行なう。純水44中からの
基板Ｗの引上げが終了すると、リンス槽36への純水の供
給を停止させ、同時に、リンス槽36内の純水を排出す
る。また、リンス槽36から純水を排出し始めるのと同時
に、水封式真空ポンプを作動させて密閉チャンバ40内を
真空排気し、密閉チャンバ40内を減圧状態にすることに
より、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコー
ルを蒸発させて基板Ｗを乾燥させる。

【００１５】基板Ｗの乾燥処理が終了すると、密閉チャ
ンバ40内が窒素ガスによってパージされ、真空ポンプを
停止させて密閉チャンバ40内が減圧下から大気圧下へ戻
された後、開閉蓋42が開放され、最終リンス処理及び乾
燥処理が終了した基板Ｗは、一括して基板保持具から再
び基板搬送ロボット16へ受け渡され、基板搬送ロボット
16により密閉チャンバ40外へ取り出される。そして、洗
浄・乾燥処理を終えた複数枚の基板Ｗは、基板受渡し装
置34により基板搬送ロボット16から空のカセットＣへ受
け渡され、カセットＣに収容されてアンローダ14から搬
出される。

【００１６】以上のように、図１に示した基板の洗浄装
置では、薬液洗浄及び水洗された基板Ｗを最終的にリン
ス処理してから乾燥処理が終了するまでの間、基板Ｗ
は、密閉された密閉チャンバ40内において処理され、大
気に全く触れることがないので、その間に基板Ｗの表面
にパーティクルが付着したり炭酸ガス、酸素等のガスが
吸着したりすることがない。

【００１７】図１に示したような構成のリンス・乾燥処
理装置30に代えて、図３に示すような構成のリンス・乾
燥処理装置を設置して基板の洗浄装置を構成してもよ
い。図３に示したリンス・乾燥処理装置46は、図１に示
したリンス・乾燥処理装置30と同様に、リンス槽48、溢
流水受け部50、密閉可能な開閉蓋54を有する密閉チャン
バ52、及び、基板Ｗを昇降させる基板昇降機構（図示せ
ず）を備えている。そして、このリンス・乾燥処理装置
46では、密閉チャンバ52の一側面に、過熱蒸気60を均一
に分散させてリンス槽48の上方空間へ水平方向に吹き出
す過熱蒸気吹出し部56が配設されているとともに、密閉
チャンバ52の、過熱蒸気吹出し部56と対向する側面に、
過熱蒸気吹出し部56から吹き出された過熱蒸気60を吸引
する過熱蒸気吸引部58が配設されている。過熱蒸気吹出
し部56は、過熱蒸気供給源に流路接続されており、過熱
蒸気供給源から過熱蒸気吹出し部56へ過熱蒸気が送給さ
れ、過熱蒸気吹出し部56から、例えば１３５〜１５０℃
程度の温度の過熱蒸気60が吹き出すようになっている。
尚、過熱蒸気吸引部58の排気口に真空ポンプを流路接続
し、過熱蒸気吸引部58を通して密閉チャンバ52内を真空
排気して減圧することができるようにしてもよい。

【００１８】図３に示したようなリンス・乾燥処理装置
46では、リンス槽48内の純水44中から引き上げられた基
板Ｗに対して過熱蒸気60が供給されると、基板Ｗの表面
温度が次第に上昇するとともに、基板Ｗの表面で過熱蒸
気60が冷却されて結露し、基板Ｗの表面全体が水で覆わ
れた状態になる。そして、基板Ｗの表面温度が、過熱蒸
気60の温度付近まで上昇し基板Ｗ表面上での水分凝縮が
少なくなる程度にまで昇温した時に、基板Ｗ表面への過
熱蒸気60の供給を停止すると、基板Ｗの表面は加熱され
て高い温度になっているため、基板Ｗの表面全体から付
着水分が速やかに蒸発してしまう。このように、基板Ｗ
の表面全体が濡れたままの状態で基板Ｗの温度を高く
し、基板Ｗの表面温度が高くなった時点で、一気に付着
水分を蒸発させることにより、基板Ｗの表面が乾燥させ
られることになる。そして、図３に示したリンス・乾燥
処理装置46を備えた基板の洗浄装置においても、薬液洗
浄及び水洗された基板Ｗは、最終的にリンス処理されて
から乾燥が完了するまでの間、密閉された密閉チャンバ
52内において処理され、大気に全く触れることがないの
で、その間に基板Ｗの表面へのパーティクル付着やガス
吸着が起こったりすることがない。

【００１９】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、請求項１ないし請求項９に係る各発
明の基板処理装置を使用したときは、最終リンス処理が
終わってから乾燥処理が終了するまでの間、基板は大気
に触れることがなく、基板表面へのパーティクル付着や
ガス吸着が起こらないため、膜汚染による歩留りの低下
を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の１実施例に係る基板の洗浄装置の概
略構成を示す正面断面図である。

【図２】図１に示した基板の洗浄装置の構成の概略平面
レイアウト図である。

【図３】この発明に係る基板の洗浄装置に設置されるリ
ンス・乾燥処理装置の別の構成例を示す正面断面図であ
る。

【図４】従来の基板の洗浄装置の構成の１例を示す概略
平面レイアウト図である。

【図５】最終リンス処理部に有機溶剤蒸気乾燥処理部が
隣接して配設された従来の洗浄装置の一部を示す概略断
面図である。

【符号の説明】

10 ローダ 12 洗浄・乾燥処理部 14 アンローダ 16 基板搬送ロボット 18、20、22 薬液洗浄槽 24、26、28 純水洗浄槽 30、46 リンス・乾燥処理装置 36、48 リンス槽 38、50 溢流水受け部 40、52 密閉チャンバ 42、54 開閉蓋 44 純水

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 森川 元嗣 (56)参考文献 特開 平５−15858（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−80924（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−226157（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−251930（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275412（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−30330（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190526（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196470（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−26123（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−128733（ＪＰ，Ｕ) 特表 平５−508737（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 651 H01L 21/304 642

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中
   に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行な
   う、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、 この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄
   処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的に
   リンス処理する最終リンス処理部と、 この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板
   の表面を乾燥させる乾燥処理部と、 装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備
   えてなる基板の表面処理装置において、 前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供
   給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を
   越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収
   容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス
   槽と、 このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給す
   る純水供給手段と、 前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む
   溢流水受け部と、 この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、 前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基
   板を昇降移動させる基板昇降手段と、 有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前
   記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に
   包囲する密閉チャンバと、 この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸
   気を供給する蒸気供給手段とを備え、前記蒸気供給手段は基板昇降手段がリンス槽内の純水か
   ら基板を引上げるとき、前記密閉チャンバ内に有機溶剤
   の蒸気を存在させる、 一体のリンス・乾燥処理装置によ
   り構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
2. 【請求項２】 所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中
   に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行な
   う、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、 この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄
   処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的に
   リンス処理する最終リンス処理部と、 この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板
   の表面を乾燥させる乾 燥処理部と、 装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備
   えてなる基板の表面処理装置において、 前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供
   給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を
   越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収
   容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス
   槽と、 このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給す
   る純水供給手段と、 前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む
   溢流水受け部と、 この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、 前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基
   板を昇降移動させる基板昇降手段と、 有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前
   記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に
   包囲する密閉チャンバと、 前記基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を露出さ
   せ終るまで、密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機
   溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段とを備えた一体のリ
   ンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする基
   板の表面処理装置。
3. 【請求項３】 所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液
   中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行な
   う、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、 この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄
   処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的に
   リンス処理する最終リンス処理部と、 この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板
   の表面を乾燥させる乾燥処理部と、 装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備
   えてなる基板の表面処理装置において、 前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供
   給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を
   越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収
   容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス
   槽と、 このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給す
   る純水供給手段と、 前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む
   溢流水受け部と、 この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、 前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基
   板を昇降移動させる基板昇降手段と、 有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前
   記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に
   包囲する密閉チャンバと、 この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸
   気を供給する蒸気供給手段とを備え、 前記基板昇降手段は密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が
   存在する状態で、かつ、リンス槽内で上昇液流が形成さ
   れている状態で前記基板をリンス槽内の純水から露出さ
   せる、一体のリンス・乾燥処理装置により構成したこと
   を特徴とする基板の表面処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３に記載の基板の表面処
   理装置において、密閉チャンバ内を排気して減圧する排
   気手段が設けられた基板の表面処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板の表面処理装置に
   おいて、前記排気手段は基板昇降手段によって洗浄槽内
   の液中から基板が引上げられた後、密閉チャンバ内を排
   気して減圧する基板の表面処理装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の基板の表面処理装置に
   おいて、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供
   給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が
   密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内
   に窒素ガスを供給する基板の表面処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし３に記載の基板の表面処
   理装置において、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒
   素ガス供給手段が設けられた基板の表面処理装置。
8. 【請求項８】 請求項８に記載の基板の表面処理装置に
   おいて、蒸気供給手段は蒸気供給口に流路接続された蒸
   気供給用管路を有するとともに、前記窒素ガス供給手段
   は蒸気供給用管路を通して窒素ガスを密閉チャンバ内へ
   送り込む基板の表面処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし３に記載の基板の表面処
   理装置において、基板を 収容したカセットから前記基板
   搬送ロボットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置
   を更に設け、前記基板昇降手段は基板搬送ロボットから
   基板を受け渡される基板の表面処理装置。