CN108242392B - 基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

Description

基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法、基板处理装置、基板处理系统、基板处理系统的控制装置、半导体基板的制造方法以及半导体基板。
背景技术
以往，作为半导体基板的蚀刻处理中所使用的硬掩模，使用碳膜等(参照专利文献1)。
近年，作为新的硬掩模材料，逐渐关注硼系膜。
专利文献1：日本特开2000-133710号公报
发明内容
发明要解决的问题
在硼系膜之中，特别是硼单膜具有比以往的硬掩模更高的选择比。然而，还未获得关于将形成的硼单膜从基板去除的技术的有用的见解。
实施方式的一个方式的目的在于，提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板处理方法、基板处理装置、基板处理系统、基板处理系统的控制装置、半导体基板的制造方法以及半导体基板。
用于解决问题的方案
在实施方式的一个方式所涉及的基板处理方法中，通过使硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，能够将硼单膜从基板适当地去除。
附图说明
图1A是示出第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例的图。
图1B是示出第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例的图。
图1C是示出第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例的图。
图1D是示出第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例的图。
图2是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的一例的框图。
图3是示出成膜处理单元的结构的一例的图。
图4是示出蚀刻处理单元的结构的一例的图。
图5是示出第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构的图。
图6是示出第一实施方式所涉及的处理单元的概要结构的图。
图7是示出第一实施方式所涉及的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。
图8是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统所执行的基板处理的过程的一例的流程图。
图9是示出第二实施方式所涉及的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。
图10是示出第三实施方式所涉及的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。
图11A是示出第四实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图11B是示出第四实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图12是示出第五实施方式所涉及的基板处理系统的结构的一例的图。
图13是示出斜面处理单元的结构的一例的图。
图14是示出背面处理单元的结构的一例的图。
图15A是示出第六实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图15B是示出第六实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图16A是示出第七实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图16B是示出第七实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图17A是示出第八实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图17B是示出第八实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
图18是示出去除液的稀释倍率与硼单膜的蚀刻速率之间的关系的图表。
图19是示出第九实施方式所涉及的基板处理装置的结构的一例的图。
图20是示出进行去除处理的处理槽及其周边的结构例的图。
图21是示出循环流路的结构例的图。
图22是示出进行微粒去除处理的处理槽及其周边的结构例的图。
图23是示出第九实施方式所涉及的基板处理装置所执行的基板处理的过程的一例的流程图。
图24是示出第九实施方式中的变形例所涉及的基板处理装置的结构的一例的图。
图25是示出在变形例所涉及的处理单元中进行微粒去除处理的处理槽及其周边的结构例的图。
图26是示出批量处理部的排气路径的结构例的图。
图27是示出批量处理部的排气路径的结构例的图。
图28是示出洗气装置的结构例的图。
图29是示出基板处理装置的外观结构例的图。
图30是示出异常应对处理的处理过程的一例的流程图。
附图标记说明
W：晶圆；1：基板处理装置；30：基板保持机构；40：处理流体供给部；41：去除液供给喷嘴；42：DIW供给喷嘴；43：硫酸供给喷嘴；44：硝酸供给喷嘴；70：处理流体供给源；100：基板处理系统；111：氧化硅膜；112：硼单膜；113：凹部；201：成膜处理单元；301：蚀刻处理单元；711：去除液供给源；712：DIW供给源；713：硫酸供给源；714：硝酸供给源；721：去除液供给路；722：DIW供给路；723：硫酸供给路；724：硝酸供给路；731：温度调整部；741～744：阀；750：混合部；760：去除液供给路。
具体实施方式
下面，参照附图来对本申请所公开的基板处理方法、基板处理装置、基板处理系统、基板处理系统的控制装置、半导体基板的制造方法以及半导体基板的实施方式详细地进行说明。此外，本发明并不限定于以下所示的实施方式。
(第一实施方式)
<基板处理方法>
首先，参照图1A～图1D来对第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例进行说明。图1A～图1D是示出第一实施方式所涉及的基板处理方法的一例的图。
本实施方式所涉及的基板处理方法将具有包含硅系膜的膜的硅晶圆等半导体基板(以下简称为“晶圆”)设为对象。
在此，为了易于理解，将只具有氧化硅膜作为硅系膜的晶圆设为对象，对该情况进行说明，但是晶圆也可以具有除了氧化硅膜以外的膜。另外，硅系膜也可以是SiN膜、多晶硅膜等。
如图1A所示，在第一实施方式所涉及的基板处理方法中，首先，在晶圆W的氧化硅膜111上形成硼单膜112(成膜工序)。
硼单膜112是由硼(B)单质构成的膜。其中，硼单膜112也可以在不可避免地混入的限度内包含在成膜工序中不可避免地混入的不可避免的杂质。作为不可避免的杂质，例如包含氢(H)、氧(O)、碳(C)等。
接着，如图1B所示，在第一实施方式所涉及的基板处理方法中，对成膜工序后的晶圆W进行蚀刻(蚀刻工序)。
具体地说，在蚀刻工序中，将成膜工序中形成的硼单膜112设为硬掩模，在氧化硅膜111的深度方向上形成例如500nm以上的凹部(槽(trench))113。
硼单膜112在氧化硅膜111的蚀刻条件下难以被蚀刻，能够以相对于硼单膜112高的选择比对氧化硅膜111进行蚀刻。因而，即使凹部113的深度为500nm以上，也能够抑制凹部113的开口宽度b相对于硼单膜112的开口宽度a过量地扩展。
接着，如图1C所示，在第一实施方式所涉及的基板处理方法中，将硼单膜112从蚀刻工序后的晶圆W去除。
具体地说，在保持有蚀刻工序后的晶圆W之后(保持工序)，通过使去除液与所保持的晶圆W接触，来将硼单膜112从晶圆W去除(去除工序)。
在此，去除液是硝酸(HNO3)、比硝酸强的强酸以及水(H2O)的混合液。在本实施方式中，对使用硫酸(H2SO4)来作为强酸的例子进行说明。作为强酸，除了硫酸以外还能够使用例如碳硼烷酸(carborane acid)、三氟甲磺酸等。即，在布朗斯特定义中，只要是能够对硝酸提供质子(H+)的酸即可。水例如是DIW(纯水)。此外，还能够代替水或者与水混合地使用有机酸(属于羧酸的甲酸(HCOOH)、草酸((COOH)2)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(CH3CH2COOH)、丁酸(CH3(CH2)2COOH)、戊酸(CH3(CH2)3COOH)等)。
关于该去除液，硝酸作为碱发挥作用，被强酸脱水而生成硝酰阳离子，通过与硼单膜112反应而使硼单膜112从晶圆W剥离。由此，如图1D所示，能够将硼单膜112从晶圆W去除。
这样，根据第一实施方式所涉及的基板处理方法，能够将在氧化硅膜111上形成的硼单膜112从晶圆W适当地去除。
此外，如果去除液中的硫酸的浓度为64wt％以下、硝酸的浓度为3wt％以上且69wt％以下，则能够发挥上述效果。更优选的是，硫酸的浓度为50wt％以下、硝酸的浓度为3wt％以上且69wt％以下。
为了提高对硼单膜112的去除性能，重要的是更多地产生蚀刻剂，因此，期望适当地调整在成为硼的蚀刻剂的物质(离子)的产生中不可缺少的水的比例。
在此，参照图18来对去除液中的水的有用性进行说明。图18是示出去除液的稀释倍率与硼单膜112的蚀刻速率之间的关系的图表。此外，在图18所示的图表中，将用水将硫酸为46wt％且硝酸为3wt％的去除液稀释时的稀释倍率取为横轴。因而，例如在图18的横轴上，“1倍”表示硫酸为46wt％且硝酸为3wt％的去除液本身，“5倍”表示用水将硫酸为46wt％且硝酸为3wt％的去除液稀释为5倍后的去除液。另外，“0倍”表示是硫酸和硝酸的混合液且不含水的去除液。另外，在图18的纵轴上，示出将测定出的蚀刻速率中的最大的值设为1的情况下的蚀刻速率的相对值。
本发明的发明人们发现了：通过以特定的稀释倍率将去除液稀释，换言之，通过将硫酸和硝酸的混合液稀释为特定浓度，相比于例如使用了将稀释倍率设为0倍时的(不含水的硫酸和硝酸的混合液)的情况、以除了上述特定的稀释倍率以外的倍率稀释的情况(将硫酸和硝酸的混合液稀释为除了特定浓度以外的浓度的情况)，能够以非常高的蚀刻速率将硼单膜112去除。具体地说，如图18所示，可知：通过用水将含有46wt％的硫酸、3wt％的硝酸的硫酸和硝酸的混合液稀释为0.45以上且1.8倍以下，与以其它倍率稀释的情况或者将稀释倍率设为0倍的情况相比较，能够获得非常大的蚀刻速率。更具体地说，用水将上述混合液稀释为0.9倍时的硼单膜112的蚀刻速率最高。
<基板处理系统的结构>
接着，参照图2来对本实施方式所涉及的基板处理系统的结构的一例进行说明。图2是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统的结构的一例的框图。
如图2所示，基板处理系统100具备成膜装置200、蚀刻装置300以及基板处理装置1。
成膜装置200是进行上述的成膜工序的装置。成膜装置200具备成膜处理单元201。使用图3来在后面记述成膜处理单元201的结构。
此外，在此省略图示，但成膜装置200除了具备成膜处理单元201以外，例如还具备载置晶圆W的载置部、将载置于载置部的晶圆W向成膜处理单元201搬送的搬送装置等。
蚀刻装置300是进行上述的蚀刻工序的装置。蚀刻装置300具备蚀刻处理单元301。使用图4来在后面记述蚀刻处理单元301的结构。
此外，在此省略图示，蚀刻装置300除了具备蚀刻处理单元301以外，例如还具备载置晶圆W的载置部、将载置于载置部的晶圆W向蚀刻处理单元301搬送的搬送装置等。
基板处理装置1是进行上述的保持工序和去除工序的装置。使用图5和图6等来在后面记述基板处理装置1的结构。
控制装置4与基板处理装置1连接，控制装置400与成膜装置200连接，控制装置500与蚀刻装置300连接。控制装置4具备控制部18和存储部19，控制装置400具备控制部401和存储部402，控制装置500具备控制部501和存储部502。
控制部18、401、501例如包含具有CPU(Central Processing Unit：中央控制单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机、各种电路。控制部18、401、501通过由CPU将RAM作为作业区域使用来执行在ROM存储的程序，由此控制基板处理装置1、成膜装置200以及蚀刻装置300的动作。
此外，上述程序既可以被记录于可由计算机读取的记录介质，也可以从该记录介质安装到控制装置的存储部。作为可由计算机读取的记录介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
存储部19、402、502例如由RAM、快闪存储器(Flash Memory)等半导体存储元件或硬盘、光盘等存储装置实现。
<成膜处理单元的结构>
接着，参照图3来对成膜装置200所具备的成膜处理单元201的结构的一例进行说明。图3是示出成膜处理单元201的结构的一例的图。
如图3所示，成膜处理单元201构成为能够一次对多张、例如50张～150张的晶圆W进行处理的成批式的处理装置，该成膜处理单元201具备具有筒状的隔热体211和加热器212的加热炉210，其中，该隔热体211具备顶部，该加热器212设置于隔热体211的内周面。
在加热炉210内插入有例如由石英构成的处理容器220。而且，上述加热器212设置为围绕处理容器220的外侧。
在处理容器220的内部配置晶圆舟230。晶圆舟230由石英形成。例如将50张～150张的晶圆W以隔开规定间隔的间距堆积的方式收纳。晶圆舟230通过未图示的升降机构进行升降，由此能够被搬入处理容器220或从处理容器220被搬出。
另外，成膜处理单元201具有：含硼气体供给机构240，其向处理容器220内导入作为成膜原料气体的含硼气体、例如B2H6气体；以及非活性气体供给机构250，其向处理容器220内导入作为吹扫气体等使用的非活性气体。
含硼气体供给机构240具备：含硼气体供给源241，其供给作为成膜原料气体的含硼气体、例如B2H6气体；以及成膜气体配管242，其将成膜气体从含硼气体供给源241导向处理容器220内。在成膜气体配管242设置流量控制器243和开闭阀244。
非活性气体供给机构250具备非活性气体供给源251和将非活性气体从非活性气体供给源251导向处理容器220的非活性气体配管252。在非活性气体配管252设置有如质量流量控制器这样的流量控制器253和开闭阀254。作为非活性气体，能够使用N2气体、如Ar气体这样的稀有气体。
另外，排气管261与处理容器220连接，真空泵263经由包含压力调整阀等的压力调整机构262而与排气管261连接。由此，能够利用真空泵263对处理容器220内排气且利用压力调整机构262将处理容器220内调整为规定压力。
<蚀刻处理单元的结构>
接着，参照图4来对蚀刻装置300所具备的蚀刻处理单元301的结构进行说明。图4是示出蚀刻处理单元301的结构的一例的图。
如图4所示，蚀刻处理单元301具备收纳晶圆W的密闭构造的腔室310，在腔室310内设置将晶圆W以水平状态载置的载置台320。载置台320具备将晶圆W冷却或加热来将其调节为规定温度的调温机构330。在腔室310的侧壁设置用于将晶圆W搬入搬出的未图示的搬入搬出口。
在腔室310的顶部设置喷头340。气体供给管350与喷头340连接。蚀刻气体供给源370经由阀360而与该气体供给管350连接，从蚀刻气体供给源370向喷头340供给规定蚀刻气体。喷头340向腔室310内供给从蚀刻气体供给源370供给的蚀刻气体。
此外，从蚀刻气体供给源370供给的蚀刻气体是例如CH3F气体、CH2F2气体、CF4气体、O2气体、Ar气体源等。
排气装置390经由排气线380而与腔室310的底部连接。腔室310的内部的压力通过该排气装置390而维持为减压状态。
<基板处理装置的结构>
接着，参照图5来对基板处理装置1的结构的一例进行说明。图5是示出第一实施方式所涉及的基板处理装置1的概要结构的图。下面，为了使位置关系明确，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
如图5所示，基板处理装置1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，各承载件C以水平状态收纳多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称为晶圆W)。
搬送部12与承载件载置部11邻接地设置，在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的转动，使用晶圆保持机构来在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在搬送部15的两侧排列设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的转动，使用晶圆保持机构来在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的搬送。
处理单元16对通过基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。
在如上述那样构成的基板处理装置1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从载置于承载件载置部11的承载件C取出，将取出的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W被处理站3的基板搬送装置17从交接部14取出后搬入处理单元16。
搬入到处理单元16的晶圆W在被处理单元16进行了处理之后，被基板搬送装置17从处理单元16搬出，载置于交接部14。然后，载置于交接部14的处理完的晶圆W通过基板搬送装置13返回到承载件载置部11的承载件C。
<处理单元的结构>
接着，参照图6来对处理单元16的结构进行说明。图6是示出第一实施方式所涉及的处理单元16的概要结构的图。
如图6所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。
腔室20用于收纳基板保持机构30、处理流体供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21用于在腔室20内形成下降流。
基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W水平地保持。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33以能够旋转的方式支承，该支柱部32在前端部将保持部31水平地支承。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴旋转。所述基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使由支柱部32支承的保持部31旋转，由此使由保持部31保持的晶圆W旋转。
处理流体供给部40对晶圆W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于收集因保持部31的旋转而自晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液自所述排液口51排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将自FFU 21供给的气体排出到处理单元16的外部。
接着，参照图7来对处理单元16中的处理液供给系统的结构的一例进行说明。图7是示出第一实施方式所涉及的处理单元16中的处理液供给系统的结构的一例的图。
例如，如图7所示，在处理单元16中，作为处理流体供给部40而具备去除液供给喷嘴41和DIW供给喷嘴42。去除液供给喷嘴41是对晶圆W供给去除液的喷嘴，DIW供给喷嘴42是对晶圆W供给作为冲洗液的DIW的喷嘴。
在处理流体供给源70中，作为去除液的供给系统，具备去除液供给源711、去除液供给路721、温度调整部731以及阀741。
去除液供给源711是贮存去除液、即硫酸、硝酸以及水的混合液的容器。去除液供给路721是将去除液供给源711和去除液供给喷嘴41连接的配管。温度调整部731设置于去除液供给路721，来对在去除液供给路721中流通的去除液进行加热。温度调整部731例如是加热器。阀741设置于去除液供给路721，来对去除液供给路721进行开闭。
通过阀741从关闭状态驱动为打开状态，预先贮存于去除液供给源711的去除液在去除液供给路721中流通，被温度调整部731加热后从去除液供给喷嘴41向晶圆W供给。
另外，在处理流体供给源70中，作为DIW的供给系统，具备DIW供给源712、DIW供给路722以及阀742。而且，通过阀742从关闭状态驱动为打开状态，从DIW供给源712经由DIW供给路722向DIW供给喷嘴42供给DIW，从DIW供给喷嘴42向晶圆W供给DIW。
<基板处理系统的具体的动作>
接着，参照图8来对基板处理系统100的具体的动作的一例进行说明。图8是示出第一实施方式所涉及的基板处理系统100所执行的基板处理的过程的一例的流程图。图8所示的各处理过程是按照控制部18、401、501的控制被执行的。
如图8所示，在基板处理系统100中，首先，将具有氧化硅膜111的晶圆W搬入成膜装置200的成膜处理单元201。然后，在成膜处理单元201中，进行在氧化硅膜111上形成硼单膜112的成膜处理(步骤S101)。
具体地说，首先，将处理容器220内控制为规定温度、例如200℃～500℃，在大气压的状态下将搭载有多个晶圆W的晶圆舟230插入处理容器220内。从该状态进行抽真空来将处理容器220内设为真空状态。接着，将处理容器220内调整为规定的低压状态、例如133.3Pa(1.0Torr)，并使晶圆W的温度稳定化。在该状态下，利用含硼气体供给机构240将B2H6气体等含硼气体导入处理容器220内，通过在晶圆W表面使含硼气体热分解的CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相淀积)来在晶圆W表面形成硼单膜112。之后，从非活性气体供给机构250向处理容器220内供给非活性气体，对处理容器220内进行吹扫，紧接着利用真空泵263来将处理容器220内抽真空，之后使处理容器220内返回到大气压，结束处理。由此，在晶圆W的氧化硅膜111上形成硼单膜112(参照图1A)。
成膜处理后的晶圆W在被从成膜装置200搬出之后被搬入蚀刻装置300的蚀刻处理单元301。然后，在蚀刻处理单元301中，进行将硼单膜112作为硬掩模来对晶圆W的氧化硅膜111进行蚀刻的蚀刻处理(步骤S102)。
具体地说，在使用排气装置390来将腔室310的内部减压之后，通过从喷头340向腔室310内供给蚀刻气体来对载置于载置台320的晶圆W进行干蚀刻。由此，在晶圆W形成凹部113(参照图1B)。
蚀刻处理后的晶圆W在被从蚀刻装置300搬出之后，被向基板处理装置1的处理单元16搬入。被搬入到处理单元16的晶圆W以在氧化硅膜111上形成有硼单膜112的一面朝向上方的状态被保持部31水平地保持。之后，在处理单元16中，进行将硼单膜112从晶圆W去除的去除处理(步骤S103)。
具体地说，在去除处理中，处理流体供给部40的去除液供给喷嘴41位于晶圆W的中央上方的位置处。之后，阀741开放规定时间，由此从去除液供给喷嘴41对晶圆W供给去除液(参照图1C)。供给到晶圆W的去除液由于随着通过驱动部33(参照图6)进行的晶圆W的旋转所产生的离心力而在晶圆W的表面扩展。由此，硼单膜112被从晶圆W去除(参照图1D)。
接着，在处理单元16中，进行用DIW将晶圆W的表面漂洗的冲洗处理(步骤S104)。在该冲洗处理中，DIW供给喷嘴42位于晶圆W的中央上方的位置处。之后，阀742开放规定时间，由此从DIW供给喷嘴42向旋转的晶圆W的表面供给DIW，用DIW冲掉从晶圆W去除(剥离)的硼单膜112和残存在晶圆W上的去除液。
接着，在处理单元16中，进行干燥处理，在该干燥处理中通过使晶圆W的转速増加并持续规定时间，来将残存于晶圆W的表面的DIW甩净，从而使晶圆W干燥(步骤S105)。之后，晶圆W的旋转停止。
干燥处理后的晶圆W被基板搬送装置17从处理单元16取出，经由交接部14和基板搬送装置13来收纳于在承载件载置部11载置的承载件C。由此，针对一张晶圆W的一系列的基板处理完成。
如上所述，第一实施方式所涉及的基板处理系统100具备成膜装置200、蚀刻装置300以及基板处理装置1。成膜装置200在具有包含氧化硅膜111的膜的晶圆W(基板的一例)形成硼单膜112。蚀刻装置300对通过成膜装置200形成有硼单膜112的晶圆W进行蚀刻。基板处理装置1从被蚀刻装置300蚀刻后的晶圆W去除硼单膜112。另外，基板处理装置1具备保持部31、处理流体供给部40以及处理流体供给源70。保持部31保持晶圆W。处理流体供给部40和处理流体供给源70通过使硫酸、硝酸以及水的去除液与被保持部31保持的晶圆W接触，来从晶圆W去除硼单膜112。
因而，根据第一实施方式所涉及的基板处理系统100，能够从晶圆W适当地去除硼单膜112。
(第二实施方式)
接着，对第二实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，针对与已经说明的部分同样的部分，标注与已经说明的部分相同的标记，省略重复的说明。
图9是示出第二实施方式所涉及的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。如图9所示，在第二实施方式所涉及的处理流体供给源70A中，作为硫酸的供给系统，具备硫酸供给源713、硫酸供给路723、温度调整部733以及阀743。
硫酸供给源713是用于贮存被水(纯水)稀释为规定浓度的硫酸的容器。例如，在硫酸供给源713中贮存被稀释为50％的浓度的硫酸。
硫酸供给路723是将硫酸供给源713和后述的混合部750连接的配管。温度调整部733设置于硫酸供给路723，对在硫酸供给路723中流通的硫酸进行加热。温度调整部733例如为加热器。阀743设置于硫酸供给路723，对硫酸供给路723进行开闭。
另外，在处理流体供给源70A中，作为硝酸的供给系统，具备硝酸供给源714、硝酸供给路724以及阀744。
硝酸供给源714是用于贮存被水(纯水)稀释为规定浓度的硝酸的容器。例如，在硝酸供给源714中贮存被稀释为69％的浓度的硝酸。
硝酸供给路724是将硝酸供给源714和后述的混合部750连接的配管。阀744对硝酸供给路724进行开闭。
另外，在处理流体供给源70A中，作为DIW的供给系统，具备DIW供给源712、DIW供给路722以及阀742。
处理单元16A具备混合部750和去除液供给路760。混合部750将从硫酸供给路723以规定流速供给的硫酸和从硝酸供给路724以规定流速供给的硝酸在具有流速的状态下以预先设定的混合比混合，来生成作为混合液的去除液。例如，混合部750以50％浓度的硫酸：69％浓度的硝酸＝10：1的比例进行混合。
混合部750配置在处理单元16A的腔室20(参照图6)内。例如，混合部750能够设置于保持去除液供给喷嘴41的臂。
去除液供给路760将混合部750和去除液供给喷嘴41连接，将在混合部750中生成的去除液向去除液供给喷嘴41供给。
接着，对第二实施方式所涉及的去除处理进行说明。在第二实施方式所涉及的去除处理中，在利用保持部31保持有蚀刻处理后的晶圆W之后，使处理流体供给部40的去除液供给喷嘴41位于晶圆W的中央上方的位置处。
之后，阀743和阀744开放规定时间，由此被水稀释且被温度调整部733加热后的硫酸和被水稀释的硝酸流入混合部750，从而生成去除液。
之后，在混合部750中生成的去除液从去除液供给喷嘴41向晶圆W供给。供给到晶圆W的去除液由于随着通过驱动部33进行的晶圆W的旋转所产生的离心力而在晶圆W的表面扩展。由此，硼单膜112被从晶圆W去除。
这样，第二实施方式所涉及的处理单元16A具备处理流体供给部40和处理流体供给源70A。具体地说，处理单元16A具备硫酸供给路723、硝酸供给路724、混合部750以及去除液供给喷嘴41。在硫酸供给路723中从用于供给被水稀释的硫酸的硫酸供给源713供给的被水稀释的硫酸流通。在硝酸供给路724中从用于供给被水稀释的硝酸的硝酸供给源714供给的被水稀释的硝酸流通。在向晶圆W供给去除液之前，混合部750将在硫酸供给路723中流通的被水稀释的硫酸和在硝酸供给路724中流通的被水稀释的硝酸以具有流速的状态混合。去除液供给喷嘴41向晶圆W供给由混合部750生成的去除液。
根据该处理单元16A，由于生成的去除液也具有流速而很快地到达晶圆W，因此例如与预先生成去除液并事先贮存于容器的情况比较，能够向晶圆W供给更新鲜的、换言之硼单膜112的去除性能降低之前的去除液。因而，根据第二实施方式所涉及的处理单元16A，能够将硼单膜112更适当地去除。
此外，处理单元16A未必需要具备温度调整部733，也可以设为向晶圆W供给被硫酸与硝酸的反应热加热后的去除液。在该情况下，优选的是，例如，通过实验等预先测量出随着将硫酸和硝酸混合之后的反应热而产生的去除液的温度变化，将去除液供给路760的长度设为最优化以在去除液的温度为包含最大值的规定范围内时使去除液与晶圆W接触。
另外，也可以是，处理单元16A在混合部750中生成浓度比期望浓度高的去除液并从去除液供给喷嘴41向晶圆W供给，同时从DIW供给喷嘴42向晶圆W供给DIW，在晶圆W上用DIW来稀释高浓度的去除液，由此生成期望浓度的去除液。
(第三实施方式)
图10是示出第三实施方式所涉及的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。如图10所示，在第三实施方式所涉及的处理单元16B中，作为处理流体供给部40B而具备DIW供给喷嘴42、硫酸供给喷嘴43(强酸供给喷嘴的一例)以及硝酸供给喷嘴44。
硫酸供给喷嘴43是对晶圆W供给硫酸的喷嘴，硝酸供给喷嘴44是对晶圆W供给硝酸的喷嘴。
在处理流体供给源70B中，作为硫酸的供给系统，具备硫酸供给源713、硫酸供给路723、温度调整部733以及阀743，硫酸供给路723与硫酸供给喷嘴43连接。
另外，在处理流体供给源70B中，作为硝酸的供给系统，具备硝酸供给源714、硝酸供给路724以及阀744，硝酸供给路724与硝酸供给喷嘴44连接。
另外，在处理流体供给源70B中，作为DIW的供给系统，具备DIW供给源712、DIW供给路722以及阀742，DIW供给路722与DIW供给喷嘴42连接。
接着，对第三实施方式所涉及的去除处理进行说明。在第三实施方式所涉及的去除处理中，在蚀刻处理后的晶圆W被保持部31保持之后，处理流体供给部40B的硫酸供给喷嘴43和硝酸供给喷嘴44位于晶圆W的上方的位置处。之后，阀743和阀744开放规定时间，由此分别从硫酸供给喷嘴43和硝酸供给喷嘴44向晶圆W供给被水稀释且被温度调整部733加热后的硫酸和被水稀释的硝酸。利用阀743和阀744调整硫酸的流量和硝酸的流量以使其成为规定流量比。例如，硫酸和硝酸的流量比被调整为10：1。
通过将供给到晶圆W的硫酸和硝酸在晶圆W上混合，来在晶圆W上生成去除液。生成的去除液由于随着通过驱动部33进行的晶圆W的旋转所产生的离心力而在晶圆W的表面扩展。由此，硼单膜112被从晶圆W去除。
这样，第三实施方式所涉及的处理单元16B具备处理流体供给部40B和处理流体供给源70B。具体地说，处理单元16B具备硫酸供给路723、硝酸供给路724、硫酸供给喷嘴43以及硝酸供给喷嘴44。在硫酸供给路723中从用于供给被水稀释的硫酸的硫酸供给源713供给的被水稀释的硫酸流通。在硝酸供给路724中从用于供给被水稀释的硝酸的硝酸供给源714供给的被水稀释的硝酸流通。硫酸供给喷嘴43向晶圆W供给在硫酸供给路723中流通的被水稀释的硫酸。硝酸供给喷嘴44向晶圆W供给在硝酸供给路724中流通的被水稀释的硝酸。而且，在第三实施方式所涉及的去除处理中，通过对被保持部31保持的晶圆W供给被水稀释的硫酸和被水稀释的硝酸来在晶圆W上生成去除液，由此去除硼单膜112。
根据该处理单元16B，与具备混合部750的结构比较，能够以更简单的结构向晶圆W供给刚刚生成的比较新鲜的去除液。
(第四实施方式)
接着，对第四实施方式进行说明。图11A和图11B是示出第四实施方式所涉及的处理单元16C的结构的一例的图。
如图11A所示，第四实施方式所涉及的处理单元16C具备加热部60。加热部60例如是电阻加热加热器、灯式加热器等，在保持部31的上方，与保持部31分开配置。此外，加热部60也可以与保持部31一体地设置。例如，加热部60也可以内置于保持部31。
接着，对第四实施方式所涉及的去除处理进行说明。在第四实施方式所涉及的去除处理中，在被保持部31保持的蚀刻处理后的晶圆W的上表面形成去除液的液膜(液膜形成处理)。
例如，如图11A所示，从去除液供给喷嘴41向晶圆W供给去除液，利用驱动部33(参照图6)使晶圆W旋转，由此在晶圆W上形成去除液的液膜。
此外，不限于上述的例子，也可以是，从硫酸供给喷嘴43和硝酸供给喷嘴44向旋转的晶圆W供给硫酸和硝酸，在晶圆W上生成去除液，由此在晶圆W上形成去除液的液膜。
接着，如图11B所示，在液膜形成处理后，将在晶圆W上形成有去除液的液膜的状态维持规定时间(维持处理)。具体地说，通过使晶圆W的旋转停止并使从去除液供给喷嘴41向晶圆W的去除液的供给停止，来使同一去除液在晶圆W上停留规定时间。
由此，例如与持续进行晶圆W的旋转和从去除液供给喷嘴41向晶圆W的去除液的供给的情况(即，持续置换去除液的情况)比较，能够提高硼单膜112的去除效率。认为其原因在于，硼与去除液的反应物成为蚀刻剂来促进硼单膜112的去除。
另外，在维持处理中，处理单元16C通过使用加热部60对晶圆W上的去除液进行加热，来将晶圆W上的去除液保持为固定的温度。由此，能够抑制由温度的降低导致的去除性能的降低。
这样，第四实施方式所涉及的处理单元16C在去除处理中进行液膜形成处理和维持处理，其中，该液膜形成处理是在被保持部31保持的晶圆W上形成去除液的液膜的处理，该维持处理是在液膜形成处理后将在晶圆W上形成有去除液的液膜的状态维持规定时间的处理。具体地说，处理单元16C在维持处理中使同一去除液在晶圆W上停留规定时间。
由此，与持续置换晶圆W上的去除液的情况比较，能够提高硼单膜112的去除效率。另外，能够削减去除液的使用量。
(第五实施方式)
接着，对第五实施方式进行说明。图12是示出第五实施方式所涉及的基板处理系统的结构的一例的图。
如图12所示，第五实施方式所涉及的基板处理系统100D具备成膜装置200、蚀刻装置300以及基板处理装置1D。
在基板处理系统100D中，在成膜处理后且蚀刻处理前，通过使去除液与晶圆W的背面和斜面部接触，来进行从晶圆W的背面和斜面部去除硼单膜112的事前去除处理。
基板处理装置1D具备斜面处理单元16D1、背面处理单元16D2以及表面处理单元16D3。另外，基板处理装置1D与控制装置4D连接，斜面处理单元16D1、背面处理单元16D2以及表面处理单元16D3被控制装置4D控制动作。
斜面处理单元16D1通过去除液来将在晶圆W的斜面部形成的硼单膜112去除。在此，参照图13来对斜面处理单元16D1的结构的一例进行说明。图13是示出斜面处理单元16D1的结构的一例的图。
如图13所示，斜面处理单元16D1具备基板保持机构30D1和斜面供给部80。
基板保持机构30D1具备用于吸附保持晶圆W的保持部31D1、用于支承保持部31D1的支柱构件32D1、以及用于使支柱构件32D1旋转的驱动部33D1。保持部31D1与真空泵等吸气装置连接，利用由于该吸气装置的吸气而产生的负压来吸附晶圆W的背面，由此将晶圆W水平地保持。作为保持部31D1，例如能够使用多孔吸盘。
斜面供给部80例如设置于未图示的回收杯的底部，对晶圆W的背面侧的周缘部供给去除液。作为去除液的供给系统的结构，例如能够采用图7所示的处理流体供给源70或图9所示的处理流体供给源70A。
斜面处理单元16D1如上述那样构成，使用保持部31D1来保持晶圆W，在使用驱动部33D1来使晶圆W旋转之后，从斜面供给部80对晶圆W的背面侧的周缘部供给去除液。供给到晶圆W的背面侧的周缘部的去除液从背后绕到晶圆W的斜面部，来去除在斜面部形成的硼单膜112。之后，晶圆W的旋转停止。
此外，斜面供给部80与未图示的DIW供给源连接，在从晶圆W的斜面部去除硼单膜112之后，还进行冲洗处理，该冲洗处理是对晶圆W的背面侧的周缘部供给DIW来冲掉在斜面部残存的硼单膜112和去除液的处理。
背面处理单元16D2利用去除液来去除在晶圆W的背面形成的硼单膜112。在此，参照图14来对背面处理单元16D2的结构的一例进行说明。图14是示出背面处理单元16D2的结构的一例的图。
如图14所示，背面处理单元16D2具备：基板保持机构30D2，其将晶圆W以能够旋转的方式保持；以及背面供给部90，其贯通于基板保持机构30D2的中空部，向晶圆W的背面供给去除液。
在基板保持机构30D2的上表面设置有用于把持晶圆W的周缘部的多个把持部311，晶圆W被所述多个把持部311以与基板保持机构30D2的上表面稍微分离的状态保持为水平。
另外，基板保持机构30D2具备驱动部33D2，通过该驱动部33D2而绕铅垂轴旋转。而且，通过基板保持机构30D2旋转，被基板保持机构30D2保持的晶圆W与基板保持机构30D2一体地旋转。
背面供给部90贯通于基板保持机构30D2的中空部，对晶圆W的背面中央部供给去除液。作为去除液的供给系统的结构，例如能够采用图7所示的处理流体供给源70或图9所示的处理流体供给源70A。
背面处理单元16D2如上述那样构成，使用基板保持机构30D2的多个把持部311来保持晶圆W，在使用驱动部33D2来使晶圆W旋转之后，从背面供给部90对晶圆W的背面中央部供给去除液。供给到晶圆W的背面中央部的去除液由于随着晶圆W的旋转产生的离心力而在晶圆W的背面扩宽，从而去除在背面形成的硼单膜112。之后，晶圆W的旋转停止。
此外，背面供给部90与未图示的DIW供给源连接，在从晶圆W的背面去除硼单膜112之后，还进行冲洗处理，该冲洗处理是对晶圆W的背面中央部供给DIW来冲掉在背面残存的硼单膜112和去除液的处理。
表面处理单元16D3去除在晶圆W的表面形成的硼单膜112。作为表面处理单元16D3，能够应用处理单元16、16A～16C中的任一个。
接着，对第五实施方式所涉及的基板处理的过程进行说明。在第五实施方式所涉及的基板处理系统100D中，在结束成膜装置200的成膜处理之后，将成膜处理后的晶圆W搬入基板处理装置1D的斜面处理单元16D1。然后，在斜面处理单元16D1中，进行去除在晶圆W的斜面部形成的硼单膜112的斜面去除处理。
接着，斜面去除处理后的晶圆W在斜面处理单元16D1中进行冲洗处理和干燥处理之后，被搬入背面处理单元16D2，在背面处理单元16D2中，进行去除在晶圆W的背面形成的硼单膜112的背面去除处理。
接着，背面去除处理后的晶圆W在背面处理单元16D2进行冲洗处理和干燥处理之后，被从基板处理装置1D搬出，被搬入蚀刻装置300。然后，在蚀刻装置300中进行蚀刻处理。
接着，蚀刻处理后的晶圆W被搬入基板处理装置1D的表面处理单元16D3，来在表面处理单元16D3中进行上述的去除处理、冲洗处理以及干燥处理。
如上所述，在第五实施方式所涉及的基板处理系统100D中，设为在成膜处理后且蚀刻处理前，通过使去除液与晶圆W的背面和斜面部接触，来进行从晶圆W的背面和斜面部去除硼单膜112的事前去除处理。由此，能够在蚀刻处理前去除蚀刻处理所不需要的背面和斜面部的硼单膜112。
此外，在此，设为在斜面去除处理之后进行背面去除处理，但也可以在背面去除处理之后进行斜面去除处理。另外，也可以是，在一个处理单元设置斜面供给部80和背面供给部90，来同时进行斜面去除处理和背面去除处理。
另外，在此，示出了一个基板处理装置1D具备斜面供给部80、背面供给部90以及处理流体供给部40的全部的情况的例子，但是基板处理系统100D也可以构成为具备具有斜面供给部80和背面供给部90的第一基板处理装置和具有处理流体供给部40的第二基板处理装置。
(第六实施方式)
接着，对第六实施方式进行说明。图15A和图15B是示出第六实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
如图15A所示，第六实施方式所涉及的处理单元16E具备盖体1010。盖体1010配置于保持部31的上方。盖体1010与被保持部31保持的晶圆W相向，与该晶圆W相向的表面为直径与晶圆W的直径相同或者直径比晶圆W的直径大的平面。
在盖体1010内置有加热器等加热部1011。此外，加热部1011也可以内置于保持部31，还可以内置于盖体1010和保持部31这两方。另外，处理单元16E具备使盖体1010升降的升降部1012。
接着，对第六实施方式所涉及的去除处理进行说明。在第六实施方式所涉及的去除处理中，在被保持部31保持的蚀刻处理后的晶圆W的上表面形成去除液的液膜(液膜形成处理)。
例如，从去除液供给喷嘴41(参照图7等)向晶圆W供给去除液，利用驱动部33(参照图6)使晶圆W旋转，由此在晶圆W上形成去除液的液膜。或者，也可以是，从硫酸供给喷嘴43和硝酸供给喷嘴44(参照图10)向旋转的晶圆W供给硫酸和硝酸，在晶圆W上生成去除液，由此在晶圆W上形成去除液的液膜。
接着，在液膜形成处理后，在使晶圆W的旋转停止并使从去除液供给喷嘴41向晶圆W的去除液或硫酸和硝酸的供给停止之后，如图15B所示那样通过使用升降部1012使盖体1010降下，来使盖体1010与去除液的液膜接触。然后，在盖体1010与去除液的液膜接触的状态下，使用加热部1011来对去除液进行加热并且使同一去除液在晶圆W上停留规定时间(维持处理)。
本发明的发明人们查明了由于对去除液进行加热而从去除液产生气体。另外，本发明的发明人们查明了由于气体从去除液离开而去除液的与硼单膜112反应的反应性降低。因此，在第六实施方式中，设为通过使盖体1010与去除液的液膜接触以使液膜的露出面积减小，来尽量避免气体从去除液离开。由此，能够抑制由于气体的产生而去除液的反应性降低。
之后，在使加热部1011的加热停止并使用升降部1012来使盖体1010上升之后，使用驱动部33(参照图6)来使保持部31旋转，从晶圆W去除去除液。接着，通过从DIW供给喷嘴42(参照图7等)对晶圆W供给作为冲洗液的DIW，来去除在晶圆W上残存的去除液(冲洗处理)。
接着，通过使晶圆W的转速増加，来从晶圆W去除DIW，从而使晶圆W干燥(干燥处理)。之后，使晶圆W的旋转停止，将晶圆W从处理单元16E搬出，由此基板处理完成。
此外，在上述的各实施方式中，举出从下方吸附保持晶圆W的保持部31的例子来进行了说明，但是例如也可以如图14所示的基板保持机构30D2那样，使用如下类型的保持部来进行去除处理，该保持部使用多个把持部311来把持晶圆W的周缘部。
在上述的各实施方式中，设为在对晶圆W供给去除液之后，进行冲洗处理和干燥处理。但是，并不限于此，也可以在对晶圆W供给去除液之后且进行冲洗处理之前，进行对晶圆W供给硝酸的处理。例如，在图9所示的处理单元16A或图10所示的处理单元16B中，在将阀743和阀744开放规定时间之后，通过只将阀743关闭并只将阀744进一步开放规定时间，能够在冲洗处理之前向晶圆W供给硝酸。
另外，在上述的各实施方式中，设为通过从去除液供给喷嘴41对晶圆W供给去除液或者从硫酸供给喷嘴43和硝酸供给喷嘴44独立地供给硫酸和硝酸，来使去除液与晶圆W接触。但是，使去除液与晶圆W接触的方法并不限定于此。
例如，在使能够保持多张晶圆W的成批保持部(保持部的一例)保持晶圆W之后(保持工序)，通过使成批保持部浸渍于在处理槽贮存的去除液，来使去除液与晶圆W接触，从而从晶圆W去除硼单膜112(去除工序)。由此，能够一次性地处理被成批保持部保持的多张晶圆W。
(第七实施方式)
接着，对第七实施方式进行说明。图16A和图16B是示出第七实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
如图16A所示，第七实施方式所涉及的处理单元16F具备盘状的载置部1020。载置部1020例如具备与支柱部32连接的圆板状的底部1021以及设置于底部1021的上表面的圆环状的周壁部1022。周壁部1022具有朝向下方逐渐缩径的内周面1023，该周壁部1022在内周面1023与晶圆W的斜面部接触。晶圆W的斜面部与内周面1023接触，由此以与底部1021隔离的状态载置于载置部1020。此外，在此，设为底部1021与周壁部1022是单独的部分，但是底部1021与周壁部1022也可以一体地形成。
另外，处理单元16F具备保持部1024和升降部1025。保持部1024在将硼单膜112的形成膜的一面朝向下方的状态下从上方保持晶圆W。作为保持部1024，例如能够使用吸附保持晶圆W的真空吸盘、伯努利吸盘等。升降部1025使保持部1024升降。
在载置部1020的底部1021内置有加热器等加热部1026。此外，加热部1026只要内置于底部1021、周壁部1022以及保持部1024中的至少一个即可。
接着，对第七实施方式所涉及的去除处理进行说明。在第七实施方式所涉及的去除处理中，首先，使用去除液供给喷嘴41(参照图7等)或硫酸供给喷嘴43和硝酸供给喷嘴44(参照图10)来将去除液储存于盘状的载置部1020。
接着，通过使用升降部1025使保持部1024降下，来使被保持部1024保持的晶圆W与在载置部1020储存的去除液接触(参照图16B)。然后，在晶圆W与去除液接触的状态下，使用加热部1026来对去除液进行加热。由此，晶圆W上的硼单膜112被去除液去除。此外，优选的是，对去除液的加热在晶圆W与去除液接触之后开始进行，以抑制气体的产生。
之后，使加热部1026对去除液的加热停止，使用升降部1025来使保持部1024上升。
去除处理后的晶圆W例如在被搬送到具有图6所示的结构的其它处理单元(未图示)之后，以被旋转的保持部31保持的状态被从处理流体供给部40(DIW供给喷嘴42)供给作为冲洗液的DIW，由此从晶圆W去除去除液。之后，在使晶圆W的转速増加来使晶圆W干燥之后，使晶圆W的旋转停止，将晶圆W从处理单元16F搬出，由此基板处理完成。
此外，在处理单元16F中，设为通过使用驱动部33使载置部1020旋转，来进行将在载置部1020储存的去除液从载置部1020内去除的处理，但是从载置部1020去除去除液的方法并不限定于此。例如，也可以设为在载置部1020设置用于使周壁部1022升降的升降部，通过利用该升降部使周壁部1022上升来从载置部1020去除去除液。另外，也可以设为在底部1021设置排出口，从该排出口排出去除液。
根据第七实施方式所涉及的处理单元16F，如图16B所示那样晶圆W的斜面部与载置部1020中的周壁部1022的内周面1023接触，产生去除液被密闭的状态。因此，与第六实施方式所涉及的处理单元16E相比较，能够更可靠地抑制由于加热而产生的气体从去除液离开的情形。因而，更可靠地抑制由于气体的产生而去除液的反应性降低。
(第八实施方式)
接着，对第八实施方式进行说明。图17A和图17B是示出第八实施方式所涉及的处理单元的结构的一例的图。
如图17A所示，第八实施方式所涉及的处理单元16G具备喷嘴1030。喷嘴1030例如具有二重管构造，去除液供给源1032经由阀1031而与外侧的管连接，泵1033与内侧的管连接。利用该喷嘴1030，通过获得从去除液供给源1032经由阀1031供给的去除液的流量与被泵1033吸引的去除液的流量之间的平衡，能够维持在喷嘴1030与晶圆W之间形成有去除液的液滴的状态。另外，喷嘴1030内置有加热器等加热部(未图示)，能够对从去除液供给源1032供给的去除液进行加热。
另外，处理单元16G具备使喷嘴1030移动的移动部1034。移动部1034使喷嘴1030沿铅垂方向和水平方向移动。
接着，对第八实施方式所涉及的去除处理进行说明。在第八实施方式所涉及的去除处理中，在使用保持部31来保持蚀刻处理后的晶圆W之后，使用移动部1034使喷嘴1030降下来设为与晶圆W近接的状态。之后，通过将阀1031开放并使泵1033工作，来设为在喷嘴1030与晶圆W之间形成有去除液的液滴的状态。
接着，如图17B所示，使用驱动部33来使晶圆W旋转。之后，保持喷嘴1030的高度位置不变，使用移动部1034来使喷嘴1030从晶圆W的一端侧的外周部朝向另一端侧的外周部水平移动，由此向晶圆W的整个表面供给去除液。由此，晶圆W上的硼单膜112被去除。
之后，将阀1031关闭，使泵1033停止，使喷嘴1030上升。接着，通过从DIW供给喷嘴42对晶圆W供给DIW来去除在晶圆W上残存的去除液，通过使晶圆W的转速増加来使晶圆W干燥。之后，使晶圆W的旋转停止，将晶圆W从处理单元16G搬出，由此基板处理完成。
这样，设为使用能够维持与晶圆W之间形成有去除液的液滴的状态的喷嘴1030来进行硼单膜112的去除处理，由此能够削减去除液的使用量。
(第九实施方式)
接着，对第九实施方式进行说明。图19是示出第九实施方式所涉及的基板处理装置的结构的一例的图。
如图19所示，基板处理装置1H具备承载件搬入搬出部2002、批量形成部2003、批量载置部2004、批量搬送部2005、批量处理部2006以及控制部2007。
承载件搬入搬出部2002进行承载件2009的搬入和搬出，在该承载件2009中将多张(例如，25张)晶圆W以水平姿势上下排列的方式收纳。
在承载件搬入搬出部2002设置有载置多个承载件2009的承载件台2010、进行承载件2009的搬送的承载件搬送机构2011、暂时地保管承载件2009的承载件存放处2012、2013以及载置承载件2009的承载件载置台2014。在此，在利用批量处理部2006对成为产品的晶圆W进行处理之前，承载件存放处2012暂时地保管该晶圆W。另外，在利用批量处理部2006对成为产品的晶圆W进行了处理之后，承载件存放处2013暂时地保管该晶圆W。
而且，承载件搬入搬出部2002使用承载件搬送机构2011来向承载件存放处2012、承载件载置台2014搬送从外部被搬入到承载件台2010的承载件2009。另外，承载件搬入搬出部2002使用承载件搬送机构2011来向承载件存放处2013、承载件台2010搬送在承载件载置台2014载置的承载件2009。搬送到承载件台2010的承载件2009被搬出到外部。
批量形成部2003将在一个或多个承载件2009收纳的晶圆W组合来形成同时被处理的由多张(例如，50张)晶圆W构成的批量件。此外，在形成批量时，既可以是以使晶圆W的在表面形成有图案的面彼此相向的方式形成批量件，另外也可以是以使晶圆W的在表面形成有图案的面全部朝向一方的方式形成批量件。
在该批量形成部2003中，设置有搬送多张晶圆W的基板搬送机构2015。此外，基板搬送机构2015能够在晶圆W的搬送途中将晶圆W的姿势从水平姿势变更为垂直姿势或者从垂直姿势变更为水平姿势。
而且，批量形成部2003使用基板搬送机构2015来从在承载件载置台2014载置的承载件2009向批量载置部2004搬送晶圆W，将形成批量件的晶圆W载置于批量载置部2004。另外，批量形成部2003通过基板搬送机构2015将载置于批量载置部2004的批量件向承载件载置台2014载置的承载件2009搬送。此外，基板搬送机构2015作为用于支承多张晶圆W的基板支承部而具有用于支承处理前(被批量搬送部2005搬送之前)的晶圆W的处理前基板支承部、以及用于支承处理后(被批量搬送部2005搬送之后)的晶圆W的处理后基板支承部这两个种类。由此，防止附着于处理前的晶圆W等的微粒等转移到处理后的晶圆W等。
批量载置部2004利用批量载置台2016暂时地载置(待机)被批量搬送部2005在批量形成部2003与批量处理部2006之间搬送的批量件。
在该批量载置部2004设置有用于载置处理前(被批量搬送部2005搬送之前)的批量件的搬入侧批量载置台2017、以及用于载置处理后(被批量搬送部2005搬送之后)的批量件的搬出侧批量载置台2018。在搬入侧批量载置台2017和搬出侧批量载置台2018，一个批量的多张晶圆W以垂直姿势前后排列的方式载置。
而且，通过批量载置部2004，由批量形成部2003形成的批量件载置于搬入侧批量载置台2017，该批量件经由批量搬送部2005被搬入批量处理部2006。另外，通过批量载置部2004，从批量处理部2006经由批量搬送部2005搬出的批量件载置于搬出侧批量载置台2018，该批量件被搬送到批量形成部2003。
批量搬送部2005在批量载置部2004与批量处理部2006之间、批量处理部2006的内部间进行批量件的搬送。
该批量搬送部2005设置有进行批量件的搬送的批量搬送机构2019。批量搬送机构2019包括横跨批量载置部2004、批量处理部2006地沿着X轴方向配置的导轨2020、以及保持多张晶圆W的同时沿着导轨2020移动的移动体2021。在移动体2021进退自如地设置有保持以垂直姿势前后排列的多张晶圆W的基板保持体2022。
而且，批量搬送部2005通过批量搬送机构2019的基板保持体2022来接受在搬入侧批量载置台2017载置的批量件，并将该批量件交给批量处理部2006。另外，批量搬送部2005通过批量搬送机构2019的基板保持体2022来接受由批量处理部2006处理后的批量件，并将该批量件交给搬出侧批量载置台2018。并且，批量搬送部2005使用批量搬送机构2019来在批量处理部2006的内部进行批量件的搬送。
批量处理部2006将以垂直姿势前后排列的多张晶圆W作为一个批量来进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该批量处理部2006配置有进行晶圆W的干燥处理的处理单元2023和进行基板保持体2022的清洗处理的基板保持体清洗单元2024。另外，在批量处理部2006配置有两个处理单元2025，该处理单元2025进行从晶圆W去除硼单膜112(参照图1A)的去除处理和用于去除附着于去除处理后的晶圆W的微粒的微粒去除处理。处理单元2023、基板保持体清洗单元2024以及两个处理单元2025沿着批量搬送部2005的导轨2020排列配置。
处理单元2023在处理槽2027升降自如地设置有基板升降机构2028。例如作为干燥用的处理液，向处理槽2027供给例如IPA(异丙醇)。在基板升降机构2028，一个批量的多张晶圆W以垂直姿势前后排列的方式被保持。处理单元2023通过基板升降机构2028从批量搬送机构2019的基板保持体2022接受批量件，通过利用基板升降机构2028使该批量件升降，来利用供给到处理槽2027的IPA进行晶圆W的干燥处理。另外，处理单元2023从基板升降机构2028向批量搬送机构2019的基板保持体2022交接批量件。
基板保持体清洗单元2024能够向处理槽2029供给清洗用的处理液和干燥气体，通过在将清洗用的处理液供给到批量搬送机构2019的基板保持体2022之后供给干燥气体来进行基板保持体2022的清洗处理。
处理单元2025具有进行去除处理的处理槽2030和进行微粒去除处理的处理槽2031。在处理槽2030贮存去除液。另外，在处理槽2031例如除了SC1或稀释为规定浓度的氢氧化铵(以下记载为“稀氨水”)之外，还按顺序贮存DIW等冲洗液。在各处理槽2030、2031升降自如地设置有基板升降机构2032、2033。
在基板升降机构2032、2033，一个批量的多张晶圆W以垂直姿势前后排列的方式被保持。处理单元2025首先通过基板升降机构2032从批量搬送机构2019的基板保持体2022接受批量件，通过利用基板升降机构2032使该批量件降下来使批量件浸渍于在处理槽2030贮存的去除液。由此，从晶圆W去除硼单膜112。
之后，处理单元2025从基板升降机构2032向批量搬送机构2019的基板保持体2022交接批量件。另外，处理单元2025通过基板升降机构2033从批量搬送机构2019的基板保持体2022接受批量件，通过利用基板升降机构2033使该批量件降下来使批量件浸渍于在处理槽2031贮存的DIW，从而进行晶圆W的冲洗处理。接着，处理单元2025从处理槽2031排出DIW，使处理槽2031贮存SC1或稀氨水，由此使批量件浸渍于SC1或稀氨水。接着，处理单元2025从处理槽2031排出SC1或稀氨水，通过再次在处理槽2031贮存DIW，来使批量件浸渍于DIW，从而进行晶圆W的冲洗处理。之后，处理单元2025从基板升降机构2033向批量搬送机构2019的基板保持体2022交接批量件。
控制部2007对基板处理装置1H的各部(承载件搬入搬出部2002、批量形成部2003、批量载置部2004、批量搬送部2005、批量处理部2006等)的动作进行控制。
该控制部2007例如为计算机，且具备可由计算机读取的存储介质2038。在存储介质2038保存有对在基板处理装置1H中被执行的各种处理进行控制的程序。控制部2007通过将在存储介质2038存储的程序读出并执行来对基板处理装置1H的动作进行控制。此外，程序是可由计算机读取的存储于存储介质2038的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部2007的存储介质2038的程序。作为可由计算机读取的存储介质2038，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
接着，对处理单元2025的结构例进行说明。首先，参照图20来对进行去除处理的处理槽2030及其周边的结构例进行说明。图20是示出进行去除处理的处理槽2030及其周边的结构例的图。
如图20所示，处理单元2025所具备的处理槽2030具备内槽2034和外槽2035，该外槽2035在内槽2034的上部周围与内槽2034邻接地设置。内槽2034和外槽2035均构成为上部开放且去除液从内槽2034的上部溢出到外槽2035。
处理单元2025具备用于向处理槽2030供给DIW的DIW供给部2040、用于向处理槽2030供给硝酸的硝酸供给部2041、以及用于向处理槽2030供给硫酸的硫酸供给部2042。
DIW供给部2040具备DIW供给源2043、DIW供给路2044以及阀2045。而且，通过阀2045从关闭状态驱动为打开状态，来从DIW供给源2043经由DIW供给路2044向处理槽2030的外槽2035供给DIW。此外，由DIW供给部2040供给的DIW在检测到NOx的泄漏的情况下所执行的后述的异常应对处理中使用。关于该点，在后面记述。
硝酸供给部2041具备硝酸供给源2046、硝酸供给路2047以及阀2048。硝酸供给源2046是贮存用水(纯水)稀释为规定浓度的硝酸的容器。例如，在硝酸供给源2046贮存稀释为69％的浓度的硝酸。而且，通过阀2048从关闭状态驱动为打开状态，来从硝酸供给源2046经由硝酸供给路2047向处理槽2030的外槽2035供给稀释后的硝酸。
硫酸供给部2042具备硫酸供给源2049、硫酸供给路2050以及阀2051。硫酸供给源2049是贮存用水(纯水)稀释为规定浓度的硫酸的容器。例如，在硫酸供给源2049贮存稀释为96％～98％的浓度的硫酸。而且，通过阀2051从关闭状态驱动为打开状态，来从硫酸供给源2049经由硫酸供给路2050向处理槽2030的外槽2035供给稀释后的硫酸。
通过向外槽2035供给被稀释为规定浓度的硝酸和硫酸，这些硝酸和硫酸在外槽2035内混合来生成期望浓度的去除液。这样，外槽2035相当于将在硫酸供给路2050(强酸供给路的一例)中流通的被水稀释的硫酸和在硝酸供给路2047中流通的被水稀释的硝酸混合的混合部的一例。
另外，处理单元2025具备循环部2052，该循环部2052将在处理槽2030贮存的去除液从处理槽2030取出后使其返回处理槽2030。
具体地说，循环部2052具备喷嘴2054、循环流路2055、泵2056、加热部2057、过滤器2058以及硝酸浓度检测部2059。
喷嘴2054在内槽2034的内部配置于比由基板升降机构2032(参照图19)保持的晶圆W靠下方的位置处。喷嘴2054具有在多张晶圆W的排列方向上延伸的筒形状。而且，构成为从在其周面穿过设置的多个喷出口朝向被基板升降机构2032保持的晶圆W喷出去除液。这样，喷嘴2054相当于向晶圆W供给利用外槽2035(混合部的一例)生成的去除液的去除液供给喷嘴的一例。
循环流路2055的两端部分别与外槽2035的底部和喷嘴2054连接。对循环流路2055按泵2056、加热部2057和过滤器2058的顺序设置它们。循环部2052通过使泵2056进行驱动来使去除液从外槽2035向内槽2034循环。此时，去除液被加热部2057加热到规定温度，被过滤器2058去除杂质。
在外槽2035中生成的去除液在循环流路2055中流通，被从喷嘴2054向内槽2034喷出。由此，在内槽2034贮存去除液。另外，喷出到内槽2034的去除液从内槽2034向外槽2035溢出，从外槽2035再次流向循环流路2055。由此，形成去除液的循环流。
硝酸浓度检测部2059设置于循环流路2055，检测在循环流路2055中流动的去除液的硝酸浓度，向控制部2007输出检测结果。
另外，处理单元2025具备浓度调整液供给部2060。浓度调整液供给部2060供给作为对去除液的浓度进行调整的浓度调整液的硝酸。该浓度调整液供给部2060具备硝酸供给源2061、硝酸供给路2062以及阀2063。而且，通过阀2063从关闭状态驱动为打开状态，来从硝酸供给源2061经由硝酸供给路2062向循环流路2055供给硝酸。这样，能够通过对循环流路2055供给浓度调整液来使去除液的浓度更早地稳定化。
另外，处理单元2025具备从内槽2034排出去除液的第一处理液排出部2064和从外槽2035排出去除液的第二处理液排出部2065。
第一处理液排出部2064具备将内槽2034的底部和外部的排液管连接的排液流路2066和对排液流路2066进行开闭的阀2067。第二处理液排出部2065具备将外槽2035的底部和外部的排液管连接的排液流路2068和对排液流路2068进行开闭的阀2069。
处理单元2025所具备的阀2045、2048、2051、2063、2067、2069、泵2056、加热部2057被控制部2007控制。
这样，第九实施方式所涉及的基板处理装置1H通过使晶圆W浸渍于在处理槽2030贮存的去除液来从晶圆W去除硼单膜112。
如第四实施方式中所说明那样，与对晶圆W持续进行去除液的供给的情况(即，持续置换去除液的情况)比较，使晶圆W与同一去除液持续接触能够提高硼单膜112的去除效率。因而，如第九实施方式所涉及的基板处理装置1H那样，通过使用循环部2052使去除液循环且使晶圆W浸渍于在处理槽2030贮存的去除液，与持续置换晶圆W上的去除液的情况相比较，能够提高硼单膜112的去除效率。另外，能够削减去除液的使用量。
另外，通过使用加热部2057对在循环流路2055中流动的去除液进行加热，能够将向晶圆W供给的去除液保持为固定温度。由此，能够抑制随着去除液的温度降低而去除性能降低。
另外，在由硝酸浓度检测部2059检测出的去除液的浓度小于阈值的情况下，基板处理装置1H的控制部2007将浓度调整液供给部2060的阀2063打开来向循环流路2055供给硝酸。由此，能够抑制由于硝酸从去除液挥发而引起的硝酸浓度的降低。
另外，循环流路2055例如由氟树脂等耐腐蚀性高的配管形成，但是从去除液产生的硝酸气体有可能透过该配管而使设置在外部的构件腐蚀。
因此，在基板处理装置1H中，将循环流路2055设为二重配管构造，通过对配管内进行吹扫，来抑制硝酸气体向循环流路2055的外部泄漏。
关于这点，参照图21来进行说明。图21是示出循环流路2055的结构例的图。
如图21所示，循环流路2055具有具备配置于内侧的内侧配管2070和配置于内侧配管2070的外侧的外侧配管2071的二重配管构造。内侧配管2070和外侧配管2071例如由氟树脂等耐腐蚀性高的构件形成。
内侧配管2070在两端部分别与外槽2035的底部和喷嘴2054连接来使去除液流通。
吹扫部2072与外侧配管2071连接。吹扫部2072具备与外侧配管2071的上游侧连接的上游侧配管2073以及与外侧配管2071的下游侧连接的下游侧配管2074，在上游侧配管2073设置对上游侧配管2073供给吹扫用流体的流体供给源2075和对上游侧配管2073进行开闭的阀2076，在下游侧配管2074设置泵2077。吹扫用流体既可以是空气等气体，也可以是水等液体。
该吹扫部2072经由上游侧配管2073向外侧配管2071供给从流体供给源2075供给的吹扫用流体。另外，吹扫部2072利用泵2077经由下游侧配管2074向外部的配管排出被供给到外侧配管2071的吹扫用流体。由此，透过了内侧配管2070的硝酸气体与吹扫用流体一同排出到外部的配管。因而，能够抑制从去除液产生的硝酸气体向循环流路2055外泄漏。
接着，参照图22来对进行微粒去除处理的处理槽2031及其周边的结构例进行说明。图22是示出进行微粒去除处理的处理槽2031及其周边的结构例的图。
如图22所示，处理单元2025所具备的处理槽2031与处理槽2030同样地具备内槽2034和外槽2035，在内槽2034的内部设置喷嘴2054。另外，与处理槽2030同样地，在处理槽2031设置第一处理液排出部2064和第二处理液排出部2065。
在处理槽2031设置DIW供给部2200、NH4OH供给部2210以及H2O2供给部2220。DIW供给部2200具备DIW供给源2201、使从DIW供给源2201供给的DIW流通的DIW供给路2202以及对DIW供给路2202进行开闭的阀2203，该DIW供给部2200经由DIW供给路2202向喷嘴2054供给从DIW供给源2201供给的DIW。
NH4OH供给部2210具备NH4OH供给源2211、使从NH4OH供给源2211供给的NH4OH流通的NH4OH供给路2212以及对NH4OH供给路2212进行开闭的阀2213，该NH4OH供给部2210经由NH4OH供给路2212向喷嘴2054供给从NH4OH供给源2211供给的NH4OH。
H2O2供给部2220具备H2O2供给源2221、使从H2O2供给源2221供给的H2O2流通的H2O2供给路2222以及对H2O2供给路2222进行开闭的阀2223，该H2O2供给部2220经由H2O2供给路2222向喷嘴2054供给从H2O2供给源2221供给的H2O2。
在供给作为冲洗液的DIW的情况下，在将阀2213、2223关闭的状态下将阀2203打开。由此，从喷嘴2054向内槽2034供给DIW。
另一方面，在供给作为微粒去除液的稀氨水的情况下，在将阀2223关闭的状态下将阀2203、2213打开。由此，将从DIW供给源2201供给的DIW和从NH4OH供给源2211供给的NH4OH混合，从喷嘴2054向内槽2034供给稀氨水。在DIW供给路2202和NH4OH供给路2212设置有未图示的流量调整机构，通过利用该流量调整机构对DIW和NH4OH的流量进行调整来将DIW与NH4OH以期望比例混合。
另外，在供给作为微粒去除液的SC1的情况下，将阀2203、2213、2223打开。由此，将从DIW供给源2201供给的DIW、从NH4OH供给源2211供给的NH4OH以及从H2O2供给源2221供给的H2O2混合，从喷嘴2054向内槽2034供给SC1。在DIW供给路2202、NH4OH供给路2212以及H2O2供给路2222设置有未图示的流量调整机构，通过该流量调整机构对DIW、NH4OH以及H2O2的流量进行调整来将DIW、NH4OH以及H2O2以期望比例混合。
阀2067、2069、2203、2213、2223以及未图示的流量调整机构被控制部2007进行开闭控制。
在该处理槽2031中，按顺序进行作为冲洗液的DIW和作为微粒去除液的稀氨水或SC1的的供给、排液，利用单个槽进行针对晶圆W的多个处理、所谓的POU(Point-Of-Use：使用点)方式的处理。关于该点，在后面记述。
接着，参照图23来对基板处理装置1H的具体动作的一例进行说明。图23是示出第九实施方式所涉及的基板处理装置1H所执行的基板处理的过程的一例的流程图。图23所示的各处理过程是按照控制部2007的控制而被执行的。另外，图23所示的处理是在进行了图8所示的步骤S101的成膜处理和步骤S102的蚀刻处理之后执行的。
如图23所示，在基板处理装置1H中，对蚀刻处理后的晶圆W进行去除处理(步骤S201)。
在去除处理中，处理单元2025通过基板升降机构2032从批量搬送机构2019的基板保持体2022接受批量件，通过利用基板升降机构2032使该批量件降下来使批量件浸渍于在处理槽2030贮存的去除液。由此，从晶圆W去除硼单膜112。
之后，在使用基板升降机构2032来从处理槽2030取出批量件之后，处理单元2025将取出的批量件交接给批量搬送机构2019的基板保持体2022。
接着，在基板处理装置1H中，进行冲洗处理(步骤S202)。在冲洗处理中，处理单元2025通过基板升降机构2033从批量搬送机构2019的基板保持体2022接受批量件，通过利用基板升降机构2033使该批量件降下来使批量件浸渍于在处理槽2031贮存的DIW。由此，从晶圆W去除去除液。
从内槽2034向外槽2035溢出的DIW被从第二处理液排出部2065向外部的排液管排出。因而，向多个晶圆W始终供给新鲜的DIW。
之后，处理单元2025将DIW供给部2200的阀2203关闭，将第一处理液排出部2064的阀2067打开规定时间，从处理槽2031排出DIW。
接着，在基板处理装置1H中，进行微粒去除处理(步骤S203)。在微粒去除处理中，处理单元2025例如将DIW供给部2200的阀2203、NH4OH供给部2210的阀2213以及H2O2供给部2220的阀2223打开，在处理槽2031的内槽2034贮存SC1，使在内槽2034内配置的批量件浸渍于SC1。由此，从晶圆W去除微粒。从内槽2034向外槽2035溢出的SC1被从第二处理液排出部2065向外部的排液管排出。因而，向多个晶圆W始终供给新鲜的SC1。
此外，处理单元2025也可以具备对内槽2034施加超音波振动的超音波振动部。在该情况下，处理单元2025在微粒去除处理中使用超音波振动部来对内槽2034施加超音波振动。由此，除了能够对晶圆W施加SC1所具有的化学的作用(蚀刻作用)以外，还能够对晶圆W施加超音波振动的物理力，从而能够提高微粒的去除效率。
之后，处理单元2025将阀2203、2213、2223关闭，将第一处理液排出部2064的阀2067打开规定时间，从处理槽2031排出SC1。
此外，也可以是，在微粒去除处理中，通过将DIW供给部2200的阀2203和NH4OH供给部2210的阀2213打开，来在内槽2034贮存稀氨水。
接着，在基板处理装置1H中，进行冲洗处理(步骤S204)。在冲洗处理中，处理单元2025将DIW供给部2200的阀2203打开，来在处理槽2031的内槽2034贮存DIW，使在内槽2034内配置的批量件浸渍于DIW。由此，从晶圆W去除SC1。
之后，处理单元2025从基板升降机构2033向批量搬送机构2019的基板保持体2022交接批量件。
接着，在基板处理装置1H中，进行干燥处理(步骤S205)。在干燥处理中，处理单元2023通过基板升降机构2028从批量搬送机构2019的基板保持体2022接受批量件，通过利用基板升降机构2028使该批量件降下来使批量件浸渍于在处理槽2027贮存的IPA。由此，从晶圆W去除DIW。之后，处理单元2023使用基板升降机构2028来使批量件上升。由此，残存于晶圆W的IPA挥发，晶圆W变得干燥。
之后，处理单元2023从基板升降机构2028向批量搬送机构2019的基板保持体2022交接批量件，批量搬送机构2019将批量件载置于批量载置部2004。之后，批量形成部2003通过基板搬送机构2015向在承载件载置台2014载置的承载件2009搬送在批量载置部2004载置的批量件。然后，承载件搬入搬出部2002使用承载件搬送机构2011来向承载件台2010搬送在承载件载置台2014载置的承载件2009。由此，在基板处理装置1H中所执行的一系列的基板处理结束。此外，搬送到承载件台2010的承载件2009被搬出到外部。
接着，参照图24来对上述的基板处理装置1H的变形例进行说明。图24是示出第九实施方式中的变形例所涉及的基板处理装置的结构的一例的图。另外，图25是示出变形例所涉及的处理单元2091中进行微粒去除处理的处理槽及其周边的结构例的图。此外，在图24中，主要将批量处理部的结构进行局部省略示出。关于除了批量处理部以外的结构，与基板处理装置1H相同。
如图24所示，变形例所涉及的基板处理装置1H-1具备批量处理部2006-1。
在批量处理部2006-1中，具备进行去除处理和之后的冲洗处理的处理单元2090以及进行微粒去除处理和之后的冲洗处理的处理单元2091。
处理单元2090具有进行去除处理的处理槽2030和进行冲洗处理的处理槽2092。处理槽2092与处理槽2030、2031同样地具备内槽2034和外槽2035。从图22所示的结构可知，处理槽2092的周边结构与将NH4OH供给部2210和H2O2供给部2220去除后的结构同样。在处理槽2092升降自如地设置有基板升降机构2093。
处理单元2091具有进行微粒去除处理的处理槽2094和进行冲洗处理的处理槽2095。
如图25所示，处理槽2094具备内槽2034和外槽2035，在内槽2034设置喷嘴2054和第一处理液排出部2064，在外槽2035设置第二处理液排出部2065。
处理单元2091具备DIW供给部2200、NH4OH供给部2210以及H2O2供给部2220。DIW供给部2200向外槽2035供给DIW，NH4OH供给部2210向外槽2035供给NH4OH，H2O2供给部2220向外槽2035供给H2O2。通过向外槽2035供给DIW和NH4OH，在外槽2035内将DIW和NH4OH混合来生成稀氨水。另外，通过向外槽2035供给DIW、NH4OH以及H2O2，在外槽2035内将DIW、NH4OH以及H2O2混合来生成SC1。
另外，处理单元2091具备循环部2052。在循环部2052的循环流路2055设置泵2056、加热部2057以及过滤器2058。循环部2052通过使泵2056进行驱动来使SC1或稀氨水从外槽2035向处理槽2094循环。此时，SC1或稀氨水被加热部2057加热为规定温度，被过滤器2058去除杂质。
处理槽2095及其周边结构与上述的处理槽2092及其周边构成同样。在处理槽2094、2095升降自如地设置基板升降机构2096、2097。
在如上述那样构成的基板处理装置1H-1中，在处理槽2030中进行上述的去除处理(步骤S201)，在处理槽2092中进行上述的冲洗处理(步骤S202)，在处理槽2094中进行上述的微粒去除处理(步骤S203)，在处理槽2095中进行上述的冲洗处理(步骤S204)。由此，不需要如基板处理装置1那样排出DIW来贮存SC1或稀氨水的处理、排出SC1或稀氨水来贮存DIW的处理，因此能够削减这些处理所需要的时间。
另外，在变形例所涉及的基板处理装置1H-1中，设为在微粒去除处理(步骤S203)中使所使用的SC1或稀氨水循环来将它们再利用，因此能够抑制SC1或稀氨水的使用量。
接着，参照图26和图27来对批量处理部2006中的排气路径的结构进行说明。图26和图27是示出批量处理部2006的排气路径的结构例的图。此外，在此，对批量处理部2006的排气路径的结构例进行说明，变形例所涉及的批量处理部2006-1也是同样的。
如图27所示，处理单元2025具备腔室2110。腔室2110具备用于收纳基板升降机构2032的第一收纳部分2111和用于收纳处理槽2030的第二收纳部分2112。第一收纳部分2111和第二收纳部分2112经由开口部2113连通。
在第一收纳部分2111的顶部设置FFU 2114。FFU 2114在腔室2110内形成下降流。
在第二收纳部分2112，在开口部2113与处理槽2030之间设置开闭部2115。开闭部2115在腔室2110内配置于比处理槽2030靠上方的位置，该开闭部2115具备能够将腔室2110内上下分隔的开闭的盖体2116和对盖体2116进行驱动的驱动部2117。通过驱动部2117来将盖体2116关闭，来在第二收纳部分2112的比盖体2116靠下方的位置处形成将处理槽2030大致密闭的空间。
处理单元2025具备：排气管2101(第一排气管的一例)，其用于对腔室2110内的空间中的比盖体2116靠下方的空间进行排气；以及排气管2102(第二排气管的一例)，其用于对腔室2110内的空间中的比盖体2116靠上方的空间进行排气。排气管2101的一端部在比盖体2116靠下方的位置处与第二收纳部分2112连接，排气管2101的另一端部与图27所示的集合配管2103连接。另外，排气管2102的一端部在比盖体2116靠上方的位置处与第二收纳部分连接，排气管2102的另一端部与排气管2101连接。
这样，在处理单元2025，除了具备用于对第二收纳部分2112内的空间中的比盖体2116靠下方的空间、即配置用于贮存去除液的处理槽2030的空间进行排气的排气管2101，还具备用于对第二收纳部分2112内的空间中的比盖体2116靠上方的空间进行排气的排气管2102。由此，即使在从去除液产生的NOx漏出到比盖体2116靠上方的空间的情况下，也能够通过排气管2102将该NOx排出。因而，与不具备排气管2102的情况相比较，能够将从去除液产生的NOx更可靠地集中于集合配管2103。此外，NOx(氮氧化物)为氮的氧化物的统称，例如是一氧化氮、二氧化氮、一氧化二氮、三氧化二氮等。
排气管2102优选为配置于盖体2116的附近。通过在盖体2116的附近配置排气管2102，能够将从盖体2116漏出的NOx高效地排出。
如图27所示，批量处理部2006具备与两个处理单元2025的各处理槽2030、2031对应的多个(在此，为四个)排气管2101。此外，在处理槽2031不贮存去除液，因此针对与处理槽2031对应的排气管2101，并不必须设置排气管2102。
各排气管2101与集合配管2103连接。在集合配管2103设置用于从集合配管2103中流动的排气中去除NOx的洗气装置2104。在此，参照图28来对洗气装置2104的结构例进行说明。图28是示出洗气装置2104的结构例的图。
如图28所示，洗气装置2104具备壳体2121。在壳体2121的上部设置流路2122，在壳体2121的下部设置液体的贮存部2123。
在流路2122设置喷雾喷嘴2124和除雾器2125。喷雾喷嘴2124与DIW供给路2126连接。在DIW供给路2126设置DIW供给源2127和对DIW供给路2126进行开闭的阀2128。从DIW供给源2127供给的DIW经由DIW供给路2126从喷雾喷嘴2124向流路2122喷雾。除雾器2125设置于喷雾喷嘴2124的下方，从排气中去除雾。被从排气中去除的雾向下方落下并贮存于贮存部2123。排液管2129与贮存部2123连接，贮存于贮存部2123的液体被从排液管2129向外部排出。
洗气装置2104如上述那样构成，从上游侧的集合配管2103流入到流路2122的排气与从喷雾喷嘴2124喷出的DIW接触而被去除NOx，通过除雾器2125而被去除水分。然后，被去除了NOx和水分的排气从流路2122向下游侧的集合配管2103流出。
这样，通过在集合配管2103设置洗气装置2104，能够从集合配管2103中流通的排气中去除NOx。
接着，参照图29和图30来对NOx暂时地流出到基板处理装置1H的外部的情况的应对进行说明。图29是示出基板处理装置1H的外观结构例的图。另外，图30是示出异常应对处理的处理过程的一例的流程图。此外，在此，举出基板处理装置1H的例子来进行说明，但是关于变形例所涉及的基板处理装置1H-1也是同样的。
如图29所示，基板处理装置1H具备收纳上述的承载件搬入搬出部2002的承载件搬送机构2011、批量形成部2003的基板搬送机构2015、批量处理部2006的处理单元2025等的壳体2130。在壳体2130的外侧面设置多个(在此，为两个)NOx检测部2131和显示灯2132。NOx检测部2131对壳体2130的外部的NOx浓度进行检测，向控制部2007输出检测结果。显示灯2132例如是LED(Light Emittin g Diode)灯。
如图30所示，基板处理装置1H的控制部2007判定由NOx检测部2131检测出的NOx浓度是否超过阈值(步骤S301)。在由NOx检测部2131检测出的NOx浓度没有超过阈值的情况(步骤S301，“否”)下，控制部2007反复进行步骤S301的处理直到NOx浓度超过阈值。
另一方面，在步骤S301中判定为由NOx检测部2131检测出的NOx浓度超过阈值的情况(步骤S301，“是”)下，控制部2007进行通知处理(步骤S302)。在通知处理中，控制部2007例如使显示灯2132点亮。或者，控制部2007也可以从基板处理装置1H所具备的未图示的扬声器输出警告音。由此，能够向作业者等通知NOx的泄漏。
接着，控制部2007进行排液处理(步骤S303)。在排液处理中，控制部2007通过将第一处理液排出部2064的阀2067开放规定时间，来将在处理槽2030贮存的去除液排出。另外，控制部2007进行DIW供给处理(步骤S304)。在DIW供给处理中，控制部2007通过将硝酸供给部2041的阀2048和硫酸供给部2042的阀2051关闭并将DIW供给部2040的阀2045开放规定时间，来在处理槽2030贮存DIW。这样，能够通过从处理槽2030排出去除液并置换为DIW，来抑制NOx的进一步的产生。
如上所述，第九实施方式所涉及的基板处理装置1H、1H-1的处理单元2025、2090具备：处理槽2030，其用于贮存去除液；以及基板升降机构2032，其配置于处理槽2030的上方，保持晶圆W来使该晶圆W升降。而且，设为在将去除液贮存于处理槽2030之后，基板处理装置1H、1H-1的控制部2007使用基板升降机构2032来使晶圆W浸渍于在处理槽2030贮存的去除液。
因而，根据第九实施方式所涉及的基板处理装置1H、1H-1，与持续置换去除液的情况相比较，能够提高硼单膜112的去除效率。另外，能够削减去除液的使用量。
关于其它的效果、变形例，对于本领域技术人员而言能够容易地导出。因此，本发明的更广范围的方式并不限定于以上所示出且记述的特定的详情和代表性的实施方式。因而，在不脱离由附加的权利要求书及其均等物定义的总括的发明的概念的精神或范围的情况下，能够进行各种变更。

Claims (14)

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：
成膜工序，在基板的包含硅系膜的膜上形成硼单膜，所述硼单膜是由硼单质构成的膜；
蚀刻工序，将所述成膜工序中形成的所述硼单膜设为硬掩模，对所述包含硅系膜的膜进行蚀刻，在所述包含硅系膜的膜的深度方向上形成凹部；
保持工序，对所述蚀刻工序后的所述基板进行保持；以及
去除工序，通过使将硝酸、比所述硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与所述基板接触，来将所述硼单膜从所述基板去除。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在将所述硼单膜去除的处理中，
在向所述基板上供给所述去除液之前，通过将被水稀释的所述强酸和被水稀释的所述硝酸以具有向所述基板供给的流速的状态相互混合，来生成所述去除液。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在将所述硼单膜去除的处理中，
通过将被水稀释的所述强酸和被水稀释的所述硝酸在所述基板上混合，来生成所述去除液。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在将所述硼单膜去除的处理中，
在所述基板上形成所述去除液的液膜，
在形成所述液膜之后，将在所述基板上形成有所述去除液的液膜的状态维持规定时间。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
在将在所述基板上形成有所述去除液的液膜的状态维持规定时间的处理中，在形成所述液膜之后，使所述去除液在所述基板上停留规定时间。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在将所述硼单膜去除的处理中，
在所述基板上形成所述去除液的液膜，
在形成所述液膜之后，在使在与所述基板相向的一侧具有平面的盖体与所述液膜接触的状态下，对所述去除液进行加热。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在将所述硼单膜去除的处理中，
在盘状的载置部储存所述去除液，该盘状的载置部具有朝向下方逐渐缩径的内周面且在所述内周面与所述基板的斜面部接触，
在通过将所述基板载置于所述载置部来使所述基板与储存于所述载置部的所述去除液接触的状态下，对所述去除液进行加热。
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在将所述硼单膜去除的处理中，将所述去除液贮存于处理槽，
使所述基板浸渍于在所述处理槽贮存的所述去除液。
9.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在具有包含所述硅系膜的膜的基板形成所述硼单膜，
通过使所述去除液与形成膜后的所述基板的背面和斜面部接触，来从所述基板的背面和斜面部去除所述硼单膜，
对去除后的所述基板的表面进行蚀刻，
将所述硼单膜去除的处理是针对蚀刻后的所述基板进行的。
10.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述去除液中的所述强酸为硫酸，所述硫酸的浓度为64wt％以下，所述去除液中的所述硝酸的浓度为3wt％以上且69wt％以下。
11.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述去除液中的所述强酸为硫酸，所述硫酸的浓度为50wt％以下，所述去除液中的所述硝酸的浓度为3wt％以上且69wt％以下。
12.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
成膜装置，其用于在具有包含硅系膜的膜的基板形成硼单膜，所述硼单膜是由硼单质构成的膜；
蚀刻装置，其将通过所述成膜装置形成的所述硼单膜设为硬掩模，对所述包含硅系膜的膜进行蚀刻，在所述包含硅系膜的膜的深度方向上形成凹部；以及
基板处理装置，其用于将所述硼单膜从通过所述蚀刻装置进行了蚀刻的基板去除，
其中，所述基板处理装置具备处理单元：
该处理单元保持所述基板，
该处理单元通过使将硝酸、比所述硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与被保持的所述基板接触，来将所述硼单膜从所述基板去除。
13.一种基板处理系统的控制装置，该基板处理系统具备：成膜装置，其用于在具有包含氧化硅膜的膜的基板形成硼单膜；蚀刻装置，其用于对通过所述成膜装置形成了所述硼单膜的基板进行蚀刻；以及基板处理装置，其用于将所述硼单膜从通过所述蚀刻装置进行了蚀刻的基板去除，该控制装置的特征在于，
进行控制以使所述基板处理系统执行根据权利要求1所述的基板处理方法的各个工序。
14.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
成膜工序，在基板的包含硅系膜的膜上形成硼单膜，所述硼单膜是由硼单质构成的膜；
蚀刻工序，将所述成膜工序中形成的所述硼单膜设为硬掩模，对所述包含硅系膜的膜进行蚀刻，在所述包含硅系膜的膜的深度方向上形成凹部；
保持工序，对所述蚀刻工序后的所述基板进行保持；以及
去除工序，通过使将硝酸、比所述硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与所述基板接触，来制造被去除了所述硼单膜的基板。
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