JPH04125928A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04125928A JPH04125928A JP24650090A JP24650090A JPH04125928A JP H04125928 A JPH04125928 A JP H04125928A JP 24650090 A JP24650090 A JP 24650090A JP 24650090 A JP24650090 A JP 24650090A JP H04125928 A JPH04125928 A JP H04125928A
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- etching
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 15
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、特にウェーハの片面のみを一様
にウェット・エツチングする方法に関し、処理面にエツ
チングむらを生じないウェット・エツチングの方法を提
供することを目的とし、［１１ウェーへの中央部を下方
に凸の曲面に変形させた状態で該ウェーハの下面にエツ
チング液を接触せしめて該ウェーハの下面をエツチング
するように構成する。
にウェット・エツチングする方法に関し、処理面にエツ
チングむらを生じないウェット・エツチングの方法を提
供することを目的とし、［１１ウェーへの中央部を下方
に凸の曲面に変形させた状態で該ウェーハの下面にエツ
チング液を接触せしめて該ウェーハの下面をエツチング
するように構成する。
［２］前記の［１１において、下方に凸の曲面をなす吸
着面を有するウェーハ・チャックにウェーハを吸着せし
めて該ウェーハの中央部を下方に凸の曲面に変形させる
ように構成する。
着面を有するウェーハ・チャックにウェーハを吸着せし
めて該ウェーハの中央部を下方に凸の曲面に変形させる
ように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特にウェーハの片面
のみを一様にウェット・エツチングする方法に関する。
のみを一様にウェット・エツチングする方法に関する。
半導体装置の製造工程にあっては、ウェーハの表面側に
素子を形成した後、そのウェーハを所望の厚さに仕上げ
るためにウェーハ背面側を研削し、次にその研削等で生
じたダメージ層をウェット・エツチングにより除去し、
その後各々のチップに分割する。その結果、ウェット・
エツチングの処理面にエツチングむら（特に凸部）があ
ると、後のチップボンディング等に支障を来すことにな
る。
素子を形成した後、そのウェーハを所望の厚さに仕上げ
るためにウェーハ背面側を研削し、次にその研削等で生
じたダメージ層をウェット・エツチングにより除去し、
その後各々のチップに分割する。その結果、ウェット・
エツチングの処理面にエツチングむら（特に凸部）があ
ると、後のチップボンディング等に支障を来すことにな
る。
従って処理面にエツチングむらを生じないウェット・エ
ツチングが望まれている。
ツチングが望まれている。
従来のウェーハ片面ウェット・エツチング法の例を第２
図を参照しながら説明する。第２図は従来のウェーハ片
面ウェット・エツチング法の説明図である。図中、１は
被処理物のウェーハ、２はエツチング液、１１は処理槽
、１２は外槽、１３は給液手段、２４はウェーハ・チャ
ックである。
図を参照しながら説明する。第２図は従来のウェーハ片
面ウェット・エツチング法の説明図である。図中、１は
被処理物のウェーハ、２はエツチング液、１１は処理槽
、１２は外槽、１３は給液手段、２４はウェーハ・チャ
ックである。
ウェーハ１の上面側には素子が形成されているため、そ
の表面は保護膜（図示は省略）に覆われている。ウェー
ハ・チャック２４は水平動・上下動・回転の機能を備え
た搬送ロボット（図示は省略）に固着されている。この
ウェーハ・チャック２４の吸着面は水平の平面である。
の表面は保護膜（図示は省略）に覆われている。ウェー
ハ・チャック２４は水平動・上下動・回転の機能を備え
た搬送ロボット（図示は省略）に固着されている。この
ウェーハ・チャック２４の吸着面は水平の平面である。
この吸着面には微小な溝や穴が設けられており、これが
真空源（図示は省略）に連通している。給液手段１３は
ケミカルポンプ、配管等からなり、処理槽１１と外槽１
２に連通してエツチング液を循環させる。処理槽１１は
逆円錐状をなしており、開口面の径は処理するウェーハ
１の径より大きい。エツチング液２は給液手段１３によ
り処理槽１１にその底部側から供給され、オーバフロー
して外槽１２に溜まる。
真空源（図示は省略）に連通している。給液手段１３は
ケミカルポンプ、配管等からなり、処理槽１１と外槽１
２に連通してエツチング液を循環させる。処理槽１１は
逆円錐状をなしており、開口面の径は処理するウェーハ
１の径より大きい。エツチング液２は給液手段１３によ
り処理槽１１にその底部側から供給され、オーバフロー
して外槽１２に溜まる。
ウェーハ１の下面のみをエツチングするには、ウェーハ
１をウェーハ・チャック２４に真空吸着し、処理槽１１
の上方からその下面がエツチング液２に接触するまで下
降して回転する。尚、この際ウェーハ１の表面側にエツ
チング液２が触れることを避けるため、エツチング液２
の供給は処理槽１１の液面に波が立たない程度に静かに
行う。
１をウェーハ・チャック２４に真空吸着し、処理槽１１
の上方からその下面がエツチング液２に接触するまで下
降して回転する。尚、この際ウェーハ１の表面側にエツ
チング液２が触れることを避けるため、エツチング液２
の供給は処理槽１１の液面に波が立たない程度に静かに
行う。
ところが、このような方法によりウェーハの下面をウェ
ット・エツチングすると、発生した反応ガスの気泡がウ
ェーハ１の中央部に滞留してエツチングを阻害するため
、ウェーハ下面に微小な凸状のエツチングむらを生じて
後工程のチップ・ポンディング等に支障を来す、という
問題があった。
ット・エツチングすると、発生した反応ガスの気泡がウ
ェーハ１の中央部に滞留してエツチングを阻害するため
、ウェーハ下面に微小な凸状のエツチングむらを生じて
後工程のチップ・ポンディング等に支障を来す、という
問題があった。
本発明は、このような問題を解決して、処理面にエツチ
ングむらを生じないウェット・エツチング方法を提供す
ることを目的とする。
ングむらを生じないウェット・エツチング方法を提供す
ることを目的とする。
この目的は、本発明によれば、［１］ ウェーハの中央
部を下方に凸の曲面に変形させた状態で該ウェーハの下
面にエツチング液を接触せしめて該ウェーへの下面をエ
ツチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法と
することで、［２］前記の［１１において、下方に凸の
曲面をなす吸着面を有するウェーハ・チャックにウェー
ハを吸着せしめて該ウェーハの中央部を下方に凸の曲面
に変形させるように構成することで、達成される。
部を下方に凸の曲面に変形させた状態で該ウェーハの下
面にエツチング液を接触せしめて該ウェーへの下面をエ
ツチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法と
することで、［２］前記の［１１において、下方に凸の
曲面をなす吸着面を有するウェーハ・チャックにウェー
ハを吸着せしめて該ウェーハの中央部を下方に凸の曲面
に変形させるように構成することで、達成される。
従来の方法では、ウェーハ下面に付着した反応ガスの気
泡は、ウェーハの周辺部と中間部についてはオーバフロ
ーするエツチング液と共に排除されるが、ウェーハ中央
部についてはエツチング液が殆ど動かないため、滞留す
ることになる。
泡は、ウェーハの周辺部と中間部についてはオーバフロ
ーするエツチング液と共に排除されるが、ウェーハ中央
部についてはエツチング液が殆ど動かないため、滞留す
ることになる。
これに対して本発明の方法では、ウェーハが下方に凸の
曲面をなしているため、ウェーハ中央部の下面に付着し
た反応ガスの気泡は、より高力の中間部へ向けて移動し
、エツチング液の流れに乗って周辺部を経てオーバフロ
ーするエツチング液と共に排除される。
曲面をなしているため、ウェーハ中央部の下面に付着し
た反応ガスの気泡は、より高力の中間部へ向けて移動し
、エツチング液の流れに乗って周辺部を経てオーバフロ
ーするエツチング液と共に排除される。
本発明に基づ（ウェーハ片面のウェット・エツチング方
法の一実施例を第１図を参照しながら説明する。第１図
は本発明のウェーハ片面ウェット・エツチング法の説明
図である。図中、１は被処理物のウェーハ、２はエツチ
ング液、１１は処理槽、１２は外槽、１３は給液手段、
１４はウェーハ・チャックである。
法の一実施例を第１図を参照しながら説明する。第１図
は本発明のウェーハ片面ウェット・エツチング法の説明
図である。図中、１は被処理物のウェーハ、２はエツチ
ング液、１１は処理槽、１２は外槽、１３は給液手段、
１４はウェーハ・チャックである。
ウェーハ１の上面側には素子が形成されているため、表
面は保護膜（図示は省略）に覆われている。保護膜とし
てはスピンコードしたフォトレジストや粘着フィルム等
が使用される。ウェーハ・チャック１４は水平動・上下
動・回転の機能を備えた搬送ロボット（図示は省略）に
固着されている。
面は保護膜（図示は省略）に覆われている。保護膜とし
てはスピンコードしたフォトレジストや粘着フィルム等
が使用される。ウェーハ・チャック１４は水平動・上下
動・回転の機能を備えた搬送ロボット（図示は省略）に
固着されている。
二〇ウェーハ・チャック１４の吸着面は凸の球面の一部
をなしている。この吸着面には微小な溝や穴が設けられ
ており（図示は省略）、これが真空源（図示は省略）に
連通している。給液手段１３はケミカルポンプ、配管等
からなり、処理槽１１と外槽１２に連通してエツチング
液を循環させる。処理槽１１は逆円錐状をなしており、
開口面の径は処理するウェーハ１の径より大きい。エツ
チング液２は給液手段工３により処理槽１１にその底部
側から供給され、オーバフローして外槽１２に溜まる。
をなしている。この吸着面には微小な溝や穴が設けられ
ており（図示は省略）、これが真空源（図示は省略）に
連通している。給液手段１３はケミカルポンプ、配管等
からなり、処理槽１１と外槽１２に連通してエツチング
液を循環させる。処理槽１１は逆円錐状をなしており、
開口面の径は処理するウェーハ１の径より大きい。エツ
チング液２は給液手段工３により処理槽１１にその底部
側から供給され、オーバフローして外槽１２に溜まる。
ウェーハ１の下面のみをエツチングするには、ウェーハ
ｌをウェーハ・チャック１４に真空吸着して下に凸の球
面に変形させ、処理槽１１の上方からその下面がエツチ
ング液２に接触するまで下降して回転する。尚、この際
ウェーハ１の表面側にエツチング液２が触れることを避
けるため、エツチング液２の供給は処理槽１１の液面に
波が立たない程度に静かに行う。
ｌをウェーハ・チャック１４に真空吸着して下に凸の球
面に変形させ、処理槽１１の上方からその下面がエツチ
ング液２に接触するまで下降して回転する。尚、この際
ウェーハ１の表面側にエツチング液２が触れることを避
けるため、エツチング液２の供給は処理槽１１の液面に
波が立たない程度に静かに行う。
本発明者は、６インチ径のシリコンウェーハを、外形が
６Ｏｎ＋＋＋＋で球面の曲率半径が１０００〜１５００
ｍｍのウェーハ・チャックに吸着し、その下面を、硝酸
と弗酸の混液に接触させ、１００ｒ、ｐ、＋ｎ、で回転
しながらエツチングを行った結果、エツチングむら（高
さ０．２μｍ以上の小凸部）は全く認められなかった。
６Ｏｎ＋＋＋＋で球面の曲率半径が１０００〜１５００
ｍｍのウェーハ・チャックに吸着し、その下面を、硝酸
と弗酸の混液に接触させ、１００ｒ、ｐ、＋ｎ、で回転
しながらエツチングを行った結果、エツチングむら（高
さ０．２μｍ以上の小凸部）は全く認められなかった。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。例えば、ウェーハ・チャック１４
の吸着面は球面以外の曲面であっても本発明は有効であ
る。
変形して実施出来る。例えば、ウェーハ・チャック１４
の吸着面は球面以外の曲面であっても本発明は有効であ
る。
以上説明したように、本発明によれば、ウェーハの片面
をエツチングする際の処理面にエツチングむらを生じな
いウェット・エツチング方法を提供することが出来、半
導体装置等製造の合理化に寄与するところ大である。
をエツチングする際の処理面にエツチングむらを生じな
いウェット・エツチング方法を提供することが出来、半
導体装置等製造の合理化に寄与するところ大である。
第１図は本発明のウェーハ片面ウェット・エツチング法
の説明図、 第２図は従来のウェーハ片面ウェット・エツチング法の
説明図、である。 図中、１はウェーハ、 ２はエツチング液、 １１は処理槽、 １２は外槽、 １３は給液手段、 １４、２４はウェーハ・チャック、である。 木臂θ月のウェーハ片面ウェット ％ １ エッチンズシ天力説θ月ν 圓 従来のウェーハ片面ウェット・エヅテソク゛５大〇古乏
明図第 ２ 図
の説明図、 第２図は従来のウェーハ片面ウェット・エツチング法の
説明図、である。 図中、１はウェーハ、 ２はエツチング液、 １１は処理槽、 １２は外槽、 １３は給液手段、 １４、２４はウェーハ・チャック、である。 木臂θ月のウェーハ片面ウェット ％ １ エッチンズシ天力説θ月ν 圓 従来のウェーハ片面ウェット・エヅテソク゛５大〇古乏
明図第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］ウェーハの中央部を下方に凸の曲面に変形させた
状態で該ウェーハの下面にエッチング液を接触せしめて
該ウェーハの下面をエッチングすることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 ［２］下方に凸の曲面をなす吸着面を有するウェーハ・
チャックにウェーハを吸着せしめて該ウェーハの中央部
を下方に凸の曲面に変形させることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24650090A JPH04125928A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24650090A JPH04125928A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125928A true JPH04125928A (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=17149323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24650090A Pending JPH04125928A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700221A1 (fr) * | 1993-01-07 | 1994-07-08 | Fujitsu Ltd | Transistor à effet de champ ayant des propriétés améliorées de capacité parasite et de transconductance. |
| CN108242392A (zh) * | 2016-12-26 | 2018-07-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法 |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24650090A patent/JPH04125928A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700221A1 (fr) * | 1993-01-07 | 1994-07-08 | Fujitsu Ltd | Transistor à effet de champ ayant des propriétés améliorées de capacité parasite et de transconductance. |
| CN108242392A (zh) * | 2016-12-26 | 2018-07-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法 |
| CN108242392B (zh) * | 2016-12-26 | 2023-12-22 | 东京毅力科创株式会社 | 基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法 |
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