JPH044743B2 - - Google Patents

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JPH044743B2
JPH044743B2 JP60211438A JP21143885A JPH044743B2 JP H044743 B2 JPH044743 B2 JP H044743B2 JP 60211438 A JP60211438 A JP 60211438A JP 21143885 A JP21143885 A JP 21143885A JP H044743 B2 JPH044743 B2 JP H044743B2
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wafer
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vacuum
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、2枚のウエハを直接接合するための
ウエハ接合装置の改良に関する。
〔発明の技術的背景〕
周知の如く、鏡面研磨されたシリコン等の半導
体ウエハを清浄な条件下で接触させれば、強固な
接合体が得られる。そして、この方法によれば、
接着剤などの異種物質を介在させる必要がないた
め、高温処理や各種化学処理が自由にできる他、
ウエハにP−n接合や誘電埋込みなどが簡便にで
きる等の多くの利点がある。
ところで、2枚のウエハ同志を接合させる場
合、一方のウエハを凸状に反らせることにより行
なつている。第2図は、この手段を用いたウエハ
接合装置である。
図中1は、内部に空洞部1aを有した上面が球
面形状のウエハ支持具である。この支持具1上に
は、弾性体2を介して第1のウエハ3が設けられ
ている。このウエハ3は、バキユーム力によりそ
の周縁部が下方向に湾曲するようになつている。
前記第1のウエハ3上にはウエハホルダー5が設
けられ、該ウエハホルダー5の下面には第2のウ
エハ6が前記第1のウエハ3と対向して水平に設
けられている。なお、図中の7は空洞部1aに連
通したバキユーム通路を、8はこの通路に連通す
る環状のバキユーム溝である。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、従来技術によれば、次に示す問
題点を有する。即ち、第2図の装置では、第1の
ウエハ3を保持する手段としてバキユームを用い
ているが、第1・第2のウエハ3,6の中心部同
志が接触すると、バキユームがOFFとなる。従
つて、第1のウエハ3の弾性(復帰力)により第
1のウエハ3は急激に平面状に復帰するので、第
1・第2のウエハ3,6の周辺部同志が先に接合
されてしまい、ウエハ中心部に大きな気泡が取り
残される。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウ
エハ同志を接合させる際、ウエハ中心部に気泡等
の残留ガスが残るのを回避できるウエハ接合装置
を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、第1のウエハを弾性体を介して保持
するウエハ支持具と、前記ウエハと対向する第2
を保持するウエハホルダーとを有し、前記第1の
ウエハを凸状に変形して両ウエハの中心部同志を
接触させた後、第1のウエハの復帰力にもとずい
て両ウエハの周縁部同志を接触させて両ウエハを
接合するウエハ治具において、第1のウエハの周
縁部の復帰力を徐徐に解除できる手段(具体的に
は、偏芯カム、あるいはバキユーム溝、バキユー
ム通路)を設けることにより、ウエハ同志の接合
の際、ウエハ中心部に気泡等の残留ガスの発生を
回避することを図つたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を第1図(実施例1)、
第3図(実施例2)を参照して説明する。
実施例 1 図中の11は、内部に空洞部11aを有したウ
エハ支持具である。この支持具11の上面は球面
形状となつている。この支持具11にはブラケツ
ト12が固定され、該ブラケツト12の上部には
スライドカツプ13が設けられている。このスラ
イドカツプ13の下部には、偏芯カムの一部を構
成するベアリング14が設けられている。前記治
具11及びスライドカツプ13上には、弾性体と
しての吸着ゴム15が前記支持具11の上面に接
するようにセツトされている。前記吸着ゴム15
には、前記空洞部11aと連通する第1のバキユ
ーム通路16、及びこのバキユーム通路16と連
通する環状の第1のバキユーム溝17が設けられ
ている。前記ブラケツト12には、偏芯カムの一
部を構成する軸受18、前記ベアリング14と連
結する偏芯軸19、及びこの偏芯軸19と連結す
るモータ(図示せず)が設けられている。前記吸
着ゴム15上には、ウエハ支持具11の空洞部1
1a、バキユーム通路16及びバキユーム溝17
を真空にすることにより、周縁部が下方向に引張
られる第1のウエハ20が設けられている。この
第1のウエハ20上にはウエハホルダー21が設
けられ、該ウエハホルダー21には第2のウエハ
22が第1のウエハ20と対向して設けられてい
る。ここで、上記ベアリング14、偏芯軸19、
軸受18及びモータにより偏芯カムが構成され
る。
次に、上記構造のウエハ接合装置の動作順序を
説明する。
吸着ゴム15の上面がフラツトな状態で第1
のウエハ20をセツトした後、図示しない真空
装置をONすると、空洞部11a、バキユーム
通路16及び環状のバキユーム溝17を通して
第1のウエハ20を吸着する。
第1のウエハ20の吸着を確認してからモー
タを回転すると、偏芯軸19も回転してスライ
ドカツプ13が下降する。スライドカツプ13
が下降すると、吸着ゴム15及び第1のウエハ
20はウエハ支持具11の上面に沿つて球面形
状に変形する。
第1のウエハ20が球面形状になつた状態で
第1のウエハ20を第2のウエハ22に接触さ
せた後、モータを逆回転させることにより偏芯
軸19を介してベアリング14も回転する。そ
の結果、第1のウエハ20はフラツトな初期状
態に徐徐に復帰しながら、第1・第2のウエハ
20,22は徐々に中心部より密着されて接合
が行われる。
実施例1によれば、ウエハ支持具11の付近に
ベアリング14、偏芯軸19、軸受18及びモー
タから構成される偏芯カムを設けることにより、
第1のウエハ20の周縁部の復帰力を徐徐に解除
することができる。従つて、第1・第2のウエハ
20,22を接合する際、ウエハ20,22の中
心部に気泡等の残留ガスが残るとを回避できる。
事実、従来気泡がウエハ内に残留する確率が1/5
であつたのに対し、本発明では全くなくなつた。
実施例 2 第3図において、31は第1のウエハ20の周
縁部に対応する吸着ゴム15に設けられた環状の
第2のバキユーム溝である。また、前記吸着ゴム
15には、バキユム溝31に連通する第2のバキ
ユーム通路32が設けられている。
次に上記構造の装置の動作順序を説明する。
表面がフラツトな吸着ゴム15に第1のウエ
ハ20をセツトした後、空洞部11a、第1の
バキユーム通路16及び第1のバキユーム溝1
7を介して第1のウエハ20を吸着する。これ
により第1のウエハ20は、ウエハ支持具11
の上面に沿つて凸状に反る。
次に、第2のバキユーム通路32及び第2の
バキユーム溝31を介してバキユームを行な
う。
次に、ウエハ支持具11を上昇させて第1の
ウエハ20の中心部を第2のウエハ22の中心
部に接触させる。ウエハ20,22同志が接触
したら、上昇を停止するとともに、空洞部11
a,第1のバキユーム通路16及び第1のバキ
ユーム通路17のバキユームをOFFする。こ
れにより、第1のウエハ20は急激に平面状に
復帰しようとするが、第2のバキユーム通路3
2及び第2のバキユーム溝31のバキユーム力
が働きウエハ20と吸着ゴム15が一体化して
おり、この吸着ゴム15とウエハ支持具11と
の側面接触部Xでの摩擦力のため、第1のウエ
ハ20の周縁部の復帰力は徐徐に解除されてウ
エハ20,22同志の接合が行われる。
実施例2によれば、実施例1と同様な効果を有
する。
なお、上記実施例では、第1のウエハの周縁部
の復帰力を徐徐に解除する手段(偏芯カム等)が
第1・第2のウエハの下側に設けた場合について
述べたが、これに限らず、両ウエハの上側に設け
た場合でもよい。即ち、この場合上方から第1の
ウエハの周縁部の復帰力を徐徐に解除することに
なる。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く本発明によれば、2枚のウエ
ハを接合する際、ウエハの中心部に気泡等の残留
ガスが残存するのを回避でき、もつて良好な素子
を形成せきるるウエハ接合装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1に係るウエハ接合装
置の説明図、第2図は従来のウエハ接合装置の説
明図、第3図は本発明の実施例2に係るウエハ接
合装置の説明図である。 11…ウエハ支持具、11a…空洞部、12…
ブラケツト、13…スライドカツプ、14…ベア
リング、15…吸着ゴム、16,32…バキユー
ム通路、17,31…バキユーム溝、18…軸
受、19…偏芯軸、20,22…ウエハ、21…
ウエハホルダー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1のウエハを弾性体を介して保持するウエ
    ハ支持具と、前記ウエハと対向する第2のウエハ
    を保持するウエハホルダーとを有し、前記第1の
    ウエハを凸状に変形して両ウエハの中心部同志を
    接触させた後、第1のウエハの復帰力にもとずい
    て両ウエハの周縁部同志も接触させて両ウエハを
    接合するウエハ接合治具において、第1のウエハ
    の周縁部の復帰力を徐徐に解除する手段を具備す
    ることを特徴とするウエハ接合装置。 2 前記ウエハ支持具の近傍に偏芯カムを設け、
    これにより第1のウエハの周縁部の復帰力を徐徐
    に解除することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載のウエハ接合装置。 3 前記第1のウエハの周縁部に対応する弾性体
    に環状のバキユーム溝を設けるとともに、このバ
    キユーム溝に連通するバキユーム通路を設け、こ
    のバキユーム溝の吸引により前記第1のウエハと
    前記弾性体とを一体化した状態で前記第1のウエ
    ハを凸状態から復帰させ、前記ウエハ支持具と前
    記弾性体との側面の接触部での摩擦力により第1
    のウエハの周縁部の復帰力を徐徐に解除すること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウエハ
    接合装置。
JP21143885A 1985-09-25 1985-09-25 ウエハ接合装置 Granted JPS6271215A (ja)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2589994B2 (ja) * 1987-12-24 1997-03-12 富士通株式会社 ウェーハの接着方法
US5273553A (en) * 1989-08-28 1993-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor substrates
USRE36890E (en) * 1990-07-31 2000-10-03 Motorola, Inc. Gradient chuck method for wafer bonding employing a convex pressure
US5131968A (en) * 1990-07-31 1992-07-21 Motorola, Inc. Gradient chuck method for wafer bonding employing a convex pressure
KR100289348B1 (ko) * 1992-05-25 2001-12-28 이데이 노부유끼 절연기판실리콘반도체장치와그제조방법
US5314107A (en) * 1992-12-31 1994-05-24 Motorola, Inc. Automated method for joining wafers
US5300175A (en) * 1993-01-04 1994-04-05 Motorola, Inc. Method for mounting a wafer to a submount
JPH10275852A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体基板の接着方法および接着装置
US7866364B2 (en) * 2006-04-28 2011-01-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabrication tool for bonding
JP4786693B2 (ja) * 2008-09-30 2011-10-05 三菱重工業株式会社 ウェハ接合装置およびウェハ接合方法
US7927975B2 (en) 2009-02-04 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor material manufacture
US11419231B1 (en) 2016-09-22 2022-08-16 Apple Inc. Forming glass covers for electronic devices
US10800141B2 (en) 2016-09-23 2020-10-13 Apple Inc. Electronic device having a glass component with crack hindering internal stress regions
US11565506B2 (en) 2016-09-23 2023-01-31 Apple Inc. Thermoformed cover glass for an electronic device
US11535551B2 (en) 2016-09-23 2022-12-27 Apple Inc. Thermoformed cover glass for an electronic device
US11066322B2 (en) 2017-12-01 2021-07-20 Apple Inc. Selectively heat-treated glass-ceramic for an electronic device
US11420900B2 (en) 2018-09-26 2022-08-23 Apple Inc. Localized control of bulk material properties
US11680010B2 (en) 2019-07-09 2023-06-20 Apple Inc. Evaluation of transparent components for electronic devices
CN113453458B (zh) 2020-03-28 2023-01-31 苹果公司 用于电子设备壳体的玻璃覆盖构件
US11460892B2 (en) 2020-03-28 2022-10-04 Apple Inc. Glass cover member for an electronic device enclosure
US11666273B2 (en) 2020-05-20 2023-06-06 Apple Inc. Electronic device enclosure including a glass ceramic region
WO2022140541A1 (en) 2020-12-23 2022-06-30 Apple Inc. Laser-based cutting of transparent components for an electronic device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58116734A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Canon Inc 露光装置
JPS61145839A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58116734A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Canon Inc 露光装置
JPS61145839A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具

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