JP3175232B2 - 半導体ウェーハの接着方法 - Google Patents
半導体ウェーハの接着方法Info
- Publication number
- JP3175232B2 JP3175232B2 JP27861891A JP27861891A JP3175232B2 JP 3175232 B2 JP3175232 B2 JP 3175232B2 JP 27861891 A JP27861891 A JP 27861891A JP 27861891 A JP27861891 A JP 27861891A JP 3175232 B2 JP3175232 B2 JP 3175232B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- semiconductor
- wafer
- pressing member
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンなどの半導体
ウェーハ同士を直接接着させて接合体ウェーハを得る半
導体ウェーハの接着方法に関する。
ウェーハ同士を直接接着させて接合体ウェーハを得る半
導体ウェーハの接着方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種半導体ウェーハ同士を直接
接着させる方法として、例えば特開昭６１−１４５８３
９号公報に示すものがある。
接着させる方法として、例えば特開昭６１−１４５８３
９号公報に示すものがある。
【０００３】上記公報に記載される半導体ウェーハの接
着方法は、図２（ａ）乃至（ｃ）に示すような工程を経
て行われる。即ち、図２（ａ）に示すように、接着すべ
き鏡面研磨された２枚の半導体ウェーハ１１，１２をそ
れぞれ治具１３，１４に保持する。
着方法は、図２（ａ）乃至（ｃ）に示すような工程を経
て行われる。即ち、図２（ａ）に示すように、接着すべ
き鏡面研磨された２枚の半導体ウェーハ１１，１２をそ
れぞれ治具１３，１４に保持する。
【０００４】ここで用いる一方の治具１３は、その表面
が中央部が凸型となる曲面形状に形成されており、真空
吸引により一方の半導体ウェーハ１１をその中央部１１
ａが他方の半導体ウェーハ１２側に凸型となる曲面形状
に保持する。また、他方の治具１４は、その表面が平坦
に形成され、真空吸着により他方の半導体ウェーハ１２
を平坦に保持する。
が中央部が凸型となる曲面形状に形成されており、真空
吸引により一方の半導体ウェーハ１１をその中央部１１
ａが他方の半導体ウェーハ１２側に凸型となる曲面形状
に保持する。また、他方の治具１４は、その表面が平坦
に形成され、真空吸着により他方の半導体ウェーハ１２
を平坦に保持する。
【０００５】そして、図２（ｂ）に示すように、一方の
治具１３により、一方の半導体ウェーハ１１を中央部が
凸型の曲面形状となるように撓ませ、次いで平坦な他方
の半導体ウェーハ１２側に押圧して凸型の中央部１１ａ
を他方の半導体ウェーハ１２に接触させる。
治具１３により、一方の半導体ウェーハ１１を中央部が
凸型の曲面形状となるように撓ませ、次いで平坦な他方
の半導体ウェーハ１２側に押圧して凸型の中央部１１ａ
を他方の半導体ウェーハ１２に接触させる。
【０００６】このように中央部１１ａを接触させた状態
で、治具１３の真空吸引を解除すると、図２（ｃ）に示
すように、一方の半導体ウェーハ１１の周辺部１１ｂも
他方の半導体ウェーハ１２に接触し、２枚の半導体ウェ
ーハ１１、１２の研磨面同士が接着される。
で、治具１３の真空吸引を解除すると、図２（ｃ）に示
すように、一方の半導体ウェーハ１１の周辺部１１ｂも
他方の半導体ウェーハ１２に接触し、２枚の半導体ウェ
ーハ１１、１２の研磨面同士が接着される。
【０００７】このような方法を用いることにより、半導
体ウェーハに反り等が生じていても、周辺部が中央部よ
り先に接着するような事態を防止できる利点を有する。
体ウェーハに反り等が生じていても、周辺部が中央部よ
り先に接着するような事態を防止できる利点を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の方法
により２枚の半導体ウェーハ同士を接着する場合、実際
には、一方の半導体ウェーハの撓み状態を解除すると、
周辺部もほとんど瞬間的に他方の半導体ウェーハに接着
してしまう。これでは、２枚の半導体ウェーハ間に気泡
が残った状態で接着されてしまうおそれがあり、この半
導体ウェーハを用いて形成される半導体素子に悪影響を
与える。
により２枚の半導体ウェーハ同士を接着する場合、実際
には、一方の半導体ウェーハの撓み状態を解除すると、
周辺部もほとんど瞬間的に他方の半導体ウェーハに接着
してしまう。これでは、２枚の半導体ウェーハ間に気泡
が残った状態で接着されてしまうおそれがあり、この半
導体ウェーハを用いて形成される半導体素子に悪影響を
与える。
【０００９】また、瞬間的な接着により、半導体素子に
形成されるパターン等の伸縮に悪影響を与えるおそれも
あるそこで、本願発明は、中心部から周辺部に向かって
徐々に接着させ、内部に気泡が入らないような半導体ウ
ェーハ同士の接着を行うことができる接着方法を提供す
ることを目的とする。
形成されるパターン等の伸縮に悪影響を与えるおそれも
あるそこで、本願発明は、中心部から周辺部に向かって
徐々に接着させ、内部に気泡が入らないような半導体ウ
ェーハ同士の接着を行うことができる接着方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述のような課題を解決
し、上記目的を達成するため、本発明は、２枚の半導体
ウェーハの研磨面同士を直接接着させて接合体ウェーハ
を得る半導体ウェーハの接着方法において、一方の半導
体ウェーハの周辺部を周辺保持機構により保持するとと
もに、他方の半導体ウェーハを保持機構により上記一方
の半導体ウェーハに対向して平坦状態で保持する。次い
で、一方の半導体ウェーハの中央部を駆動押圧部材によ
り押圧し、一方の半導体ウェーハの中央部が凸状に突出
するように曲面状に撓ませるとともに、一方の半導体ウ
ェーハの中央部を他方の半導体ウェーハに接触させる。
その後、駆動押圧部材による一方の半導体ウェーハの押
圧を解除しながら他方の半導体ウェーハを一方の半導体
ウェーハ側に移動させて２枚の半導体ウェーハの接着を
行う。
し、上記目的を達成するため、本発明は、２枚の半導体
ウェーハの研磨面同士を直接接着させて接合体ウェーハ
を得る半導体ウェーハの接着方法において、一方の半導
体ウェーハの周辺部を周辺保持機構により保持するとと
もに、他方の半導体ウェーハを保持機構により上記一方
の半導体ウェーハに対向して平坦状態で保持する。次い
で、一方の半導体ウェーハの中央部を駆動押圧部材によ
り押圧し、一方の半導体ウェーハの中央部が凸状に突出
するように曲面状に撓ませるとともに、一方の半導体ウ
ェーハの中央部を他方の半導体ウェーハに接触させる。
その後、駆動押圧部材による一方の半導体ウェーハの押
圧を解除しながら他方の半導体ウェーハを一方の半導体
ウェーハ側に移動させて２枚の半導体ウェーハの接着を
行う。
【００１１】
【作用】本発明は、中央部が凸状に突出するように曲面
状に撓ませれた一方の半導体ウェーハの中央部を他方の
半導体ウェーハに接触させた後、一方の半導体ウェーハ
の押圧を解除しながら他方の半導体ウェーハを一方の半
導体ウェーハ側に移動することにより、中央部から周辺
部に向かって徐々に接触して２枚の半導体ウェーハの接
着が行われる。
状に撓ませれた一方の半導体ウェーハの中央部を他方の
半導体ウェーハに接触させた後、一方の半導体ウェーハ
の押圧を解除しながら他方の半導体ウェーハを一方の半
導体ウェーハ側に移動することにより、中央部から周辺
部に向かって徐々に接触して２枚の半導体ウェーハの接
着が行われる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１３】本発明方法によって２枚の半導体ウェーハ
１，２の接着を行うには、図１（ａ）に示すように、接
合面を対向させて配置される。
１，２の接着を行うには、図１（ａ）に示すように、接
合面を対向させて配置される。
【００１４】なお、ここで、互いに接着される半導体ウ
ェーハ１、２は、直径を５インチとしたものが用いられ
る。
ェーハ１、２は、直径を５インチとしたものが用いられ
る。
【００１５】ここで、一方の半導体ウェーハ１は、駆動
押圧部材３と周辺部保持機構４とにより保持されてい
る。駆動押圧部材３は、周辺保持機構４によって周辺が
保持された一方の半導体ウェーハ１の一方の面の中央部
１ａを他方の半導体ウェーハ２側に向かって押圧するも
ので、上端面３ａが図中上方に向かって突出する凸型の
曲面形状に形成されている。
押圧部材３と周辺部保持機構４とにより保持されてい
る。駆動押圧部材３は、周辺保持機構４によって周辺が
保持された一方の半導体ウェーハ１の一方の面の中央部
１ａを他方の半導体ウェーハ２側に向かって押圧するも
ので、上端面３ａが図中上方に向かって突出する凸型の
曲面形状に形成されている。
【００１６】周辺部保持機構４は、一方の半導体ウェー
ハ１の周辺部１ｂを真空状態で吸引して保持するもの
で、保持台５とこの保持台５上に取り付けられた弾性可
能なパッキング材６とを備えている。パッキング材６
は、一方の半導体ウェーハ１の一方の面の周辺部１ｂを
支持するものであって、リング状に形成された内周側突
条片６ａと同じくリング状に形成された外周側突条片６
ｂとから構成されている。これら内周側突条片６ａと外
周側突条片６ｂとは同心円状に立ち上がり形成され、一
方の半導体ウェーハ１の一方の面をリング状に支持す
る。
ハ１の周辺部１ｂを真空状態で吸引して保持するもの
で、保持台５とこの保持台５上に取り付けられた弾性可
能なパッキング材６とを備えている。パッキング材６
は、一方の半導体ウェーハ１の一方の面の周辺部１ｂを
支持するものであって、リング状に形成された内周側突
条片６ａと同じくリング状に形成された外周側突条片６
ｂとから構成されている。これら内周側突条片６ａと外
周側突条片６ｂとは同心円状に立ち上がり形成され、一
方の半導体ウェーハ１の一方の面をリング状に支持す
る。
【００１７】なお、パッキング部材６の内周側突条片６
ａは、図１（ｂ）に示すように、外周側突条片６ｂより
高く、すなわち、半導体ウェーハ１が配置される側に向
かって突出するように形成されている。
ａは、図１（ｂ）に示すように、外周側突条片６ｂより
高く、すなわち、半導体ウェーハ１が配置される側に向
かって突出するように形成されている。
【００１８】周辺保持機構４を構成する保持台５には、
パッキング部材６の内周側突条片６ａと外周側突条片６
ｂとによって構成される空間に連通する排気管７が設け
られている。パッキング部材６の内周側突条片６ａと外
周側突条片６ｂとによって構成される空間は、排気管７
を介して真空吸引手段により吸引されることにより減圧
状態とされる。
パッキング部材６の内周側突条片６ａと外周側突条片６
ｂとによって構成される空間に連通する排気管７が設け
られている。パッキング部材６の内周側突条片６ａと外
周側突条片６ｂとによって構成される空間は、排気管７
を介して真空吸引手段により吸引されることにより減圧
状態とされる。
【００１９】ここで、パッキング部材６の内周側突条片
６ａ及び外周側突条片６ｂ上に一方の半導体ウェーハ１
を載置する。次いで、排気管７を介して真空吸引手段に
より内周側突条片６ａと外周側突条片６ｂと半導体ウェ
ーハ１とにより囲まれた空間の空気を吸引し減圧状態と
すると、半導体ウェーハ１は、図１（ａ）に示すよう
に、パッキング部材６上に圧着しながら中央部１ａを駆
動押圧部材３の上端面３ａに当接させる。このとき、外
周側突条片６ｂに比し高く形成された内周側突条片６ａ
は、図１（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１によっ
て内周側に撓まされ、内周側突条片６ａと外周側突条片
６ｂと半導体ウェーハ１とにより囲まれた空間が密閉状
態となる。この密閉状態において、さらに排気管７を介
して真空吸引手段により吸引することにより、半導体ウ
ェーハ１を大きな吸引力で吸引して確実にパッキング部
材６上に保持することができる。
６ａ及び外周側突条片６ｂ上に一方の半導体ウェーハ１
を載置する。次いで、排気管７を介して真空吸引手段に
より内周側突条片６ａと外周側突条片６ｂと半導体ウェ
ーハ１とにより囲まれた空間の空気を吸引し減圧状態と
すると、半導体ウェーハ１は、図１（ａ）に示すよう
に、パッキング部材６上に圧着しながら中央部１ａを駆
動押圧部材３の上端面３ａに当接させる。このとき、外
周側突条片６ｂに比し高く形成された内周側突条片６ａ
は、図１（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１によっ
て内周側に撓まされ、内周側突条片６ａと外周側突条片
６ｂと半導体ウェーハ１とにより囲まれた空間が密閉状
態となる。この密閉状態において、さらに排気管７を介
して真空吸引手段により吸引することにより、半導体ウ
ェーハ１を大きな吸引力で吸引して確実にパッキング部
材６上に保持することができる。
【００２０】半導体ウェーハ１を図１（ａ）に示すよう
にパッキング部材６上に保持させた状態としたところ
で、駆動押圧部材３を図１（ｂ）中矢印Ａ方向に移動さ
せ、凸型の曲面形状に形成されている上端面３ａにより
半導体ウェーハ１の中央部１ａを押圧し、この半導体ウ
ェーハ１を中央部１ａが凸型に湾曲して突出した曲面状
に撓ませる。
にパッキング部材６上に保持させた状態としたところ
で、駆動押圧部材３を図１（ｂ）中矢印Ａ方向に移動さ
せ、凸型の曲面形状に形成されている上端面３ａにより
半導体ウェーハ１の中央部１ａを押圧し、この半導体ウ
ェーハ１を中央部１ａが凸型に湾曲して突出した曲面状
に撓ませる。
【００２１】半導体ウェーハ１が中央部１ａを突出させ
て湾曲されたとき、半導体ウェーハ１によって弾性変形
されていた内周側突条片６ａは、図１（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェーハ１の湾曲に倣って弾性復帰して、半
導体ウェーハ１の一方の面を支持する。したがって、内
周側突条片６ａと外周側突条片６ｂと半導体ウェーハ１
とにより囲まれた空間は確実に密閉状態が維持され、こ
の空間が真空吸引手段による吸引が行われることによ
り、半導体ウェーハ１の確実な保持を図ることができ
る。
て湾曲されたとき、半導体ウェーハ１によって弾性変形
されていた内周側突条片６ａは、図１（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェーハ１の湾曲に倣って弾性復帰して、半
導体ウェーハ１の一方の面を支持する。したがって、内
周側突条片６ａと外周側突条片６ｂと半導体ウェーハ１
とにより囲まれた空間は確実に密閉状態が維持され、こ
の空間が真空吸引手段による吸引が行われることによ
り、半導体ウェーハ１の確実な保持を図ることができ
る。
【００２２】他方の半導体ウェーハ２は、略Ｔ字状に形
成された上方側の保持機構８に吸引保持される。この保
持機構８は、中央部に平坦な保持面８ｂが形成され、こ
の保持面８ａに他方の半導体ウェーハ２を真空吸引によ
り保持する。半導体ウェーハ２は、保持機構８に設けら
れた排気管８ａを介して真空吸引されることにより平坦
な保持面８ｂに圧着保持される。他方の半導体ウェーハ
２を保持する保持機構８は、駆動押圧部材３側に向かっ
て移動可能とされている。
成された上方側の保持機構８に吸引保持される。この保
持機構８は、中央部に平坦な保持面８ｂが形成され、こ
の保持面８ａに他方の半導体ウェーハ２を真空吸引によ
り保持する。半導体ウェーハ２は、保持機構８に設けら
れた排気管８ａを介して真空吸引されることにより平坦
な保持面８ｂに圧着保持される。他方の半導体ウェーハ
２を保持する保持機構８は、駆動押圧部材３側に向かっ
て移動可能とされている。
【００２３】そして、一方の半導体ウェーハ１と他方の
半導体ウェーハ２を接着するには、上述したように、駆
動押圧部材３を図１（ｂ）中矢印Ａ方向に移動させ、周
辺保持機構４に保持された一方の半導体ウェーハ１を撓
ませる。このとき、一方の半導体ウェーハ１は、中央部
１ａが周辺部１ｂに対し１００μｍ程度の突出量Ｌをも
って突出するように湾曲される。
半導体ウェーハ２を接着するには、上述したように、駆
動押圧部材３を図１（ｂ）中矢印Ａ方向に移動させ、周
辺保持機構４に保持された一方の半導体ウェーハ１を撓
ませる。このとき、一方の半導体ウェーハ１は、中央部
１ａが周辺部１ｂに対し１００μｍ程度の突出量Ｌをも
って突出するように湾曲される。
【００２４】ここで、さらに駆動押圧部材３を図１
（ｂ）中矢印Ａ方向に移動させ、駆動押圧部材３によっ
て押圧されて湾曲されて突出された一方の半導体ウェー
ハ１の中央部１ａを、図１（ｂ）に示すように、他方の
半導体ウェーハ２に接触させる。
（ｂ）中矢印Ａ方向に移動させ、駆動押圧部材３によっ
て押圧されて湾曲されて突出された一方の半導体ウェー
ハ１の中央部１ａを、図１（ｂ）に示すように、他方の
半導体ウェーハ２に接触させる。
【００２５】一方の半導体ウェーハ１の中央部１ａが、
図１（ｂ）に示すように、他方の半導体ウェーハ２に接
触したところで、次いで、駆動押圧部材３を一方の半導
体ウェーハ１の押圧を解除する方向の図１（ｃ）中矢印
Ｂ方向に移動させる。駆動押圧部材３の図１（ｃ）中矢
印Ｂ方向への移動とともに他方の半導体ウェーハ２を一
方の半導体ウェーハ１側に移動させる。すなわち、駆動
押圧部材３による一方の半導体ウェーハ１の押圧を解除
しながら他方の半導体ウェーハ２を図１（ｃ）中矢印Ｃ
方向の一方の半導体ウェーハ１側に移動する。
図１（ｂ）に示すように、他方の半導体ウェーハ２に接
触したところで、次いで、駆動押圧部材３を一方の半導
体ウェーハ１の押圧を解除する方向の図１（ｃ）中矢印
Ｂ方向に移動させる。駆動押圧部材３の図１（ｃ）中矢
印Ｂ方向への移動とともに他方の半導体ウェーハ２を一
方の半導体ウェーハ１側に移動させる。すなわち、駆動
押圧部材３による一方の半導体ウェーハ１の押圧を解除
しながら他方の半導体ウェーハ２を図１（ｃ）中矢印Ｃ
方向の一方の半導体ウェーハ１側に移動する。
【００２６】他方の半導体ウェーハ２の一方の半導体ウ
ェーハ１側への移動は、他方の半導体ウェーハ２を保持
した保持機構８を自重により駆動押圧部材３側に降下さ
せることにより行われる。すなわち、保持機構８は、支
持が解除されることにより駆動押圧部材３により支持さ
れた状態となり、駆動押圧部材３の図１（ｃ）中矢印Ｂ
方向への移動に伴って移動する。
ェーハ１側への移動は、他方の半導体ウェーハ２を保持
した保持機構８を自重により駆動押圧部材３側に降下さ
せることにより行われる。すなわち、保持機構８は、支
持が解除されることにより駆動押圧部材３により支持さ
れた状態となり、駆動押圧部材３の図１（ｃ）中矢印Ｂ
方向への移動に伴って移動する。
【００２７】駆動押圧部材３による押圧が解除される
と、一方の半導体ウェーハ１は、平坦な状態に復帰し、
この平坦な状態となる一方の半導体ウェーハ１上に平坦
な状態で保持機構８に保持された他方の半導体ウェーハ
２が圧着し、これら２枚の半導体ウェーハ１，２の接着
が行われる。
と、一方の半導体ウェーハ１は、平坦な状態に復帰し、
この平坦な状態となる一方の半導体ウェーハ１上に平坦
な状態で保持機構８に保持された他方の半導体ウェーハ
２が圧着し、これら２枚の半導体ウェーハ１，２の接着
が行われる。
【００２８】ところで、駆動押圧部材３による一方の半
導体ウェーハ１の押圧の解除速度及び保持機構８の降下
速度は、撓み変形された一方の半導体ウェーハ１の平坦
化の速度や２枚の半導体ウェーハ１，２の接着速度に合
わせて機械的に制御される。
導体ウェーハ１の押圧の解除速度及び保持機構８の降下
速度は、撓み変形された一方の半導体ウェーハ１の平坦
化の速度や２枚の半導体ウェーハ１，２の接着速度に合
わせて機械的に制御される。
【００２９】上述のように、駆動押圧部材３による押圧
が解除されると、周辺部保持機構４によって保持された
一方の半導体ウェーハ１は、曲率半径を徐々に大きしな
がら当初の平坦な状態に戻ろうとする。このとき、一方
の半導体ウェーハ１は、他方の半導体ウェーハ２と接着
されるまで周辺部１ｂが周辺部保持手段４により保持さ
れることにより、同心の輪が外側に向かって拡がるよう
に平坦化していき中央部１ａから周辺部１ｂ側に向かっ
て徐々に接着されて行く。
が解除されると、周辺部保持機構４によって保持された
一方の半導体ウェーハ１は、曲率半径を徐々に大きしな
がら当初の平坦な状態に戻ろうとする。このとき、一方
の半導体ウェーハ１は、他方の半導体ウェーハ２と接着
されるまで周辺部１ｂが周辺部保持手段４により保持さ
れることにより、同心の輪が外側に向かって拡がるよう
に平坦化していき中央部１ａから周辺部１ｂ側に向かっ
て徐々に接着されて行く。
【００３０】このように、２枚の半導体ウェーハ１，２
は、中央部から周辺部に向かって接着されていくので、
２枚の半導体ウェーハ１，２間に発生する気泡も、２枚
の半導体ウェーハ１，２の接着に伴って周辺部に逃がさ
れ、２枚の半導体ウェーハ１，２間に気泡が残存したま
ま接着されてしまうことを確実に防止できる。
は、中央部から周辺部に向かって接着されていくので、
２枚の半導体ウェーハ１，２間に発生する気泡も、２枚
の半導体ウェーハ１，２の接着に伴って周辺部に逃がさ
れ、２枚の半導体ウェーハ１，２間に気泡が残存したま
ま接着されてしまうことを確実に防止できる。
【００３１】
【発明の効果】上述したように、本発明は、互いに接合
される２枚の半導体ウェーハ間に気泡等を残存させるこ
となく接着することができるので、強固に接合した接合
体ウェーハを得ることができ、このウェーハを用いて形
成される半導体素子の信頼性を向上できる。
される２枚の半導体ウェーハ間に気泡等を残存させるこ
となく接着することができるので、強固に接合した接合
体ウェーハを得ることができ、このウェーハを用いて形
成される半導体素子の信頼性を向上できる。
【００３２】さらに、一方の半導体ウェーハの研磨面と
他方の半導体ウェーハの研磨面とが中心部から周辺部に
亘って徐々に接触されるので、確実に平坦化を維持して
２枚の半導体ウェーハを接着することができ、その結
果、これら半導体ウェーハに形成されるパターンの伸縮
に悪影響を与えることもない。
他方の半導体ウェーハの研磨面とが中心部から周辺部に
亘って徐々に接触されるので、確実に平坦化を維持して
２枚の半導体ウェーハを接着することができ、その結
果、これら半導体ウェーハに形成されるパターンの伸縮
に悪影響を与えることもない。
【００３３】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの接着方法を示す
工程図であり、（ａ）は２枚の半導体ウェーハを平坦な
状態で対向させた状態を示し、（ｂ）は一方の半導体ウ
ェーハの湾曲させた中央部を他方の半導体ウェーハに接
触させた状態を示し、（ｃ）は２枚の半導体ウェーハ同
士を接着させた状態を示す図である。
工程図であり、（ａ）は２枚の半導体ウェーハを平坦な
状態で対向させた状態を示し、（ｂ）は一方の半導体ウ
ェーハの湾曲させた中央部を他方の半導体ウェーハに接
触させた状態を示し、（ｃ）は２枚の半導体ウェーハ同
士を接着させた状態を示す図である。
【図２】従来の半導体ウェーハの接着方法を示す工程図
であり、（ａ）は２枚の半導体ウェーハを各々の治具に
設置した状態を示し、（ｂ）は一方の半導体ウェーハを
他方の半導体ウェーハに接触させた状態を示し、（ｃ）
は２枚の半導体ウェーハ同士を接着させた状態を示す図
である。
であり、（ａ）は２枚の半導体ウェーハを各々の治具に
設置した状態を示し、（ｂ）は一方の半導体ウェーハを
他方の半導体ウェーハに接触させた状態を示し、（ｃ）
は２枚の半導体ウェーハ同士を接着させた状態を示す図
である。
１ 一方の半導体ウェーハ、 １ａ 一方の半導体ウ
ェーハの中央部、 １ｂ 一方の半導体ウェーハの外周
部、 ２ 他方の半導体ウェーハ、 ３ 駆動押圧部
材、 ４ 周辺部保持機構、
ェーハの中央部、 １ｂ 一方の半導体ウェーハの外周
部、 ２ 他方の半導体ウェーハ、 ３ 駆動押圧部
材、 ４ 周辺部保持機構、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/02
Claims (1)
- 【請求項１】 ２枚の半導体ウェーハの研磨面同士を直
接接着させて接合体ウェーハを得る半導体ウェーハの接
着方法において、 一方の半導体ウェーハの周辺部を周辺保持機構により保
持するとともに、他方の半導体ウェーハを保持機構によ
り上記一方の半導体ウェーハに対向して平坦状態で保持
し、 次いで、上記一方の半導体ウェーハの中央部を駆動押圧
部材により押圧し、上記一方の半導体ウェーハの中央部
が凸状に突出するように曲面状に撓ませるとともに、上
記一方の半導体ウェーハの中央部を上記他方の半導体ウ
ェーハに接触させ、 その後、上記駆動押圧部材による上記一方の半導体ウェ
ーハの押圧を解除しながら上記他方の半導体ウェーハを
上記一方の半導体ウェーハ側に移動させて上記２枚の半
導体ウェーハの接着を行う半導体ウェーハの接着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27861891A JP3175232B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体ウェーハの接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27861891A JP3175232B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体ウェーハの接着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590393A JPH0590393A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3175232B2 true JP3175232B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=17599791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27861891A Expired - Fee Related JP3175232B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体ウェーハの接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175232B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3212077U (ja) * | 2017-02-15 | 2017-08-24 | 民雄 前田 | ピンセットまたは毛抜き |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283392A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Seiko Epson Corp | 基板の重ね合わせ方法及び装置 |
| JPH1174164A (ja) | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Canon Inc | 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
| SG71182A1 (en) * | 1997-12-26 | 2000-03-21 | Canon Kk | Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method |
| GB2375733B (en) * | 2001-01-15 | 2004-11-03 | Lintec Corp | Laminating apparatus and laminating method |
| JP4624836B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-02-02 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いるウエーハ保持用治具 |
| JP5061515B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2012-10-31 | 株式会社ニコン | ウェハ接合装置及びウェハ接合方法 |
| JP5352609B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム |
| JP2012186245A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| EP2742527B1 (de) * | 2011-08-12 | 2021-07-28 | Ev Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten |
| KR20220008392A (ko) * | 2011-08-12 | 2022-01-20 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판의 접합을 위한 장치 및 방법 |
| KR101470921B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2014-12-10 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 기판 합착장치 및 기판 합착 방법 |
| JP5799993B2 (ja) * | 2013-08-16 | 2015-10-28 | 株式会社ニコン | 基板接合装置及び基板接合方法 |
| JP6319766B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-05-09 | リンテック株式会社 | 粘着シートの貼付方法および貼付装置 |
| JP6797267B2 (ja) * | 2019-11-07 | 2020-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP27861891A patent/JP3175232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3212077U (ja) * | 2017-02-15 | 2017-08-24 | 民雄 前田 | ピンセットまたは毛抜き |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0590393A (ja) | 1993-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3175232B2 (ja) | 半導体ウェーハの接着方法 | |
| JPH0384919A (ja) | 半導体基板の接着方法及び接着装置 | |
| JPWO2002056352A1 (ja) | 貼合装置及び貼合方法 | |
| JPS6271215A (ja) | ウエハ接合装置 | |
| JP3156344B2 (ja) | 半導体ウェーハへのテープ添着方法とその装置 | |
| JPH10275852A (ja) | 半導体基板の接着方法および接着装置 | |
| JP2534196B2 (ja) | ウエ−ハ貼付方法 | |
| JP3136898B2 (ja) | ダイシング装置 | |
| JP2000349136A (ja) | 粘着材の貼付装置及び貼付方法 | |
| JP3321827B2 (ja) | はり合わせ基板形成用支持装置及びはり合わせ基板の形成方法 | |
| JP3372127B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| JPH0794675A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4051125B2 (ja) | ウェーハの接着装置 | |
| JP3075398B2 (ja) | 超音波ボンディング用コレットおよびボンディング方法 | |
| JP3287005B2 (ja) | 半導体ウエーハはり合わせ方法及びはり合わせ治具 | |
| JPH10154671A (ja) | 半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3132029B2 (ja) | ウエハ貼り合わせ装置 | |
| JP3532320B2 (ja) | 鏡面ウエーハの接合方法及びその装置 | |
| JPH01101386A (ja) | ウェーハの接着方法 | |
| JPH0669476A (ja) | 基板はり合わせ方法 | |
| JPH1094958A (ja) | 基板研磨方法及びこの実施に用いる研磨装置 | |
| JP2949872B2 (ja) | 電子部品接合装置 | |
| JP2010067688A (ja) | 半導体ウェハの支持装置および支持方法 | |
| JPH01228748A (ja) | ウェーハの接着方法 | |
| JPH04113926U (ja) | ゴム板構造の真空加圧式接着装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010306 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |