JPH0590393A - 半導体ウエーハの接着装置 - Google Patents
半導体ウエーハの接着装置Info
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- JPH0590393A JPH0590393A JP27861891A JP27861891A JPH0590393A JP H0590393 A JPH0590393 A JP H0590393A JP 27861891 A JP27861891 A JP 27861891A JP 27861891 A JP27861891 A JP 27861891A JP H0590393 A JPH0590393 A JP H0590393A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- wafer
- semiconductor
- peripheral portion
- wafers
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一方の半導体ウエーハ１の周辺部１ｂを保持
する周辺部保持手段４と、中央部１ａを押圧する駆動押
圧手段３と、他方の半導体ウエーハ２を一方の半導体ウ
エーハ１側に押圧する治具８とから成り、一方の半導体
ウエーハ１を曲面状に撓ませた状態で他方の半導体ウエ
ーハ１に接触させ、その後上記周辺部１ｂを保持しつつ
凸型中央部１ａの押圧手段を解除する一方、他方の半導
体ウエーハ２を一方の半導体ウエーハ１側に押圧し二枚
の半導体ウエーハの研磨面同士を接着させる。 【効果】 ２枚の半導体ウエーハの研磨面同士が中心部
から周辺部まで徐々に接触することになり、気泡が入る
事態を有効に防止できる。
する周辺部保持手段４と、中央部１ａを押圧する駆動押
圧手段３と、他方の半導体ウエーハ２を一方の半導体ウ
エーハ１側に押圧する治具８とから成り、一方の半導体
ウエーハ１を曲面状に撓ませた状態で他方の半導体ウエ
ーハ１に接触させ、その後上記周辺部１ｂを保持しつつ
凸型中央部１ａの押圧手段を解除する一方、他方の半導
体ウエーハ２を一方の半導体ウエーハ１側に押圧し二枚
の半導体ウエーハの研磨面同士を接着させる。 【効果】 ２枚の半導体ウエーハの研磨面同士が中心部
から周辺部まで徐々に接触することになり、気泡が入る
事態を有効に防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンなどの半導体
ウエーハ同士を直接接着させて接合体ウエーハを得る装
置に関する。
ウエーハ同士を直接接着させて接合体ウエーハを得る装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種半導体ウエーハ同士を直接
接着させる装置として、例えば特開昭６１−１４５８３
９号公報に示すものが存する。
接着させる装置として、例えば特開昭６１−１４５８３
９号公報に示すものが存する。
【０００３】かかる半導体ウエーハ同士の接着は、図２
（ａ）乃至（ｃ）に示すような装置で行われる。即ち、
図２（ａ）に示すように、接着すべき鏡面研磨された２
枚の半導体ウエーハ１１及び１２がそれぞれ治具１３及
び１４により保持されている。上記治具１３は、その表
面が中央部が凸型となる曲面形状に形成されており、真
空吸着により上記一方の半導体ウエーハ１１をその中央
部１１ａが他方の半導体ウエーハ１２側に凸型となる曲
面形状に保持している。また、上記治具１４は、その表
面が平坦に形成されており、真空吸着により他方の半導
体ウエーハ１２を平坦に保持している。
（ａ）乃至（ｃ）に示すような装置で行われる。即ち、
図２（ａ）に示すように、接着すべき鏡面研磨された２
枚の半導体ウエーハ１１及び１２がそれぞれ治具１３及
び１４により保持されている。上記治具１３は、その表
面が中央部が凸型となる曲面形状に形成されており、真
空吸着により上記一方の半導体ウエーハ１１をその中央
部１１ａが他方の半導体ウエーハ１２側に凸型となる曲
面形状に保持している。また、上記治具１４は、その表
面が平坦に形成されており、真空吸着により他方の半導
体ウエーハ１２を平坦に保持している。
【０００４】そして、図２（ｂ）に示すように、上記治
具１３により、一方の半導体ウエーハ１１を中央部が凸
型となる曲面形状に撓ませた状態を得て平坦な他方の半
導体ウエーハ１２側に押圧し、上記一方の半導体ウエー
ハ１１の中央部１１ａを他方の半導体ウエーハ１２に接
触させる。
具１３により、一方の半導体ウエーハ１１を中央部が凸
型となる曲面形状に撓ませた状態を得て平坦な他方の半
導体ウエーハ１２側に押圧し、上記一方の半導体ウエー
ハ１１の中央部１１ａを他方の半導体ウエーハ１２に接
触させる。
【０００５】このように中央部１１ａを接触させた状態
で、治具１３の真空吸着を解除すると、図２（ｃ）に示
すように、一方の半導体ウエーハ１１の周辺部１１ｂも
他方の半導体ウエーハ１２に接触し、２枚の半導体ウエ
ーハ１１、１２の研磨面同士が接着される。したがっ
て、上記従来装置により接着すれば、半導体ウエーハに
反り等が生じていても、周辺部が中央部より先に接着す
るような事態を防止できる利点を有する。
で、治具１３の真空吸着を解除すると、図２（ｃ）に示
すように、一方の半導体ウエーハ１１の周辺部１１ｂも
他方の半導体ウエーハ１２に接触し、２枚の半導体ウエ
ーハ１１、１２の研磨面同士が接着される。したがっ
て、上記従来装置により接着すれば、半導体ウエーハに
反り等が生じていても、周辺部が中央部より先に接着す
るような事態を防止できる利点を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の装置で２枚の半導体ウエーハ同士を接着しようとし
ても、実際には、上記一方の半導体ウエーハの曲面状態
を解除すると、周辺部もほとんど瞬間的に他方の半導体
ウエーハに接着してしまうことになる。これでは、２枚
の半導体ウエーハ間に気泡が残った状態で接着されてし
まう危険があり、素子に悪影響を与える。
来の装置で２枚の半導体ウエーハ同士を接着しようとし
ても、実際には、上記一方の半導体ウエーハの曲面状態
を解除すると、周辺部もほとんど瞬間的に他方の半導体
ウエーハに接着してしまうことになる。これでは、２枚
の半導体ウエーハ間に気泡が残った状態で接着されてし
まう危険があり、素子に悪影響を与える。
【０００７】また、瞬間的な接着によりパターン等の伸
縮に悪影響を与える問題点をも有する。
縮に悪影響を与える問題点をも有する。
【０００８】そこで、本願発明は、中心部から周辺部に
向かって徐々に接着させ、内部に気泡が入らないような
半導体ウエーハ同士の接着に用いる接着装置の提供を目
的とする。
向かって徐々に接着させ、内部に気泡が入らないような
半導体ウエーハ同士の接着に用いる接着装置の提供を目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために発明されたもので、半導体ウエーハの一方
の面から周辺部を保持する周辺部保持手段と、半導体ウ
エーハの前記面の中央部を押圧する駆動押圧手段と、前
記面の当該半導体ウエーハの反対側の面に他方の半導体
ウエーハを面同士が対向するように保持する治具とを有
する構成とした。
決するために発明されたもので、半導体ウエーハの一方
の面から周辺部を保持する周辺部保持手段と、半導体ウ
エーハの前記面の中央部を押圧する駆動押圧手段と、前
記面の当該半導体ウエーハの反対側の面に他方の半導体
ウエーハを面同士が対向するように保持する治具とを有
する構成とした。
【００１０】上記周辺部保持手段は、弾性力を有するパ
ッキング材等で構成することができ、該パッキングは、
半導体ウエーハの外周部を凹状に外側と内側とを各々円
環状に伸縮支持して内部中空とする構成で、この内部を
排気管を介して真空吸引することにより、一方の半導体
ウエーハの周辺部を保持するものとしても良い。上記駆
動押圧手段は、半導体ウエーハの中央部の押圧を制御す
るための治具であり、例えば中空な周辺部保持手段の中
心軸付近で軸方向に駆動する構成とされ、また、真空の
チャッキングも可能である。
ッキング材等で構成することができ、該パッキングは、
半導体ウエーハの外周部を凹状に外側と内側とを各々円
環状に伸縮支持して内部中空とする構成で、この内部を
排気管を介して真空吸引することにより、一方の半導体
ウエーハの周辺部を保持するものとしても良い。上記駆
動押圧手段は、半導体ウエーハの中央部の押圧を制御す
るための治具であり、例えば中空な周辺部保持手段の中
心軸付近で軸方向に駆動する構成とされ、また、真空の
チャッキングも可能である。
【００１１】
【作用】本発明においては、一方の半導体ウエーハを曲
面状に撓ませた状態で、一方の半導体ウエーハの凸型中
央部を他方の半導体ウエーハに駆動押圧手段により接触
させ、その後一方の半導体ウエーハの周辺部を周辺部保
持手段で保持しながら中央部の押圧を解除する一方、上
方側の治具により他方の半導体ウエーハ側を押圧する
と、一方の半導体ウエーハの曲面半径が徐々に拡張し
て、同心の輪が拡がるように半導体ウエーハの研磨面同
士が中心部から周辺部まで徐々に接触することになる。
面状に撓ませた状態で、一方の半導体ウエーハの凸型中
央部を他方の半導体ウエーハに駆動押圧手段により接触
させ、その後一方の半導体ウエーハの周辺部を周辺部保
持手段で保持しながら中央部の押圧を解除する一方、上
方側の治具により他方の半導体ウエーハ側を押圧する
と、一方の半導体ウエーハの曲面半径が徐々に拡張し
て、同心の輪が拡がるように半導体ウエーハの研磨面同
士が中心部から周辺部まで徐々に接触することになる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の好適な一実施例の装置を図１
（ａ）乃至（ｃ）を参照しながら説明する。
（ａ）乃至（ｃ）を参照しながら説明する。
【００１３】接着すべき面が鏡面研磨された半導体ウエ
ーハ１、２は、図１（ａ）に示すように、それぞれ下記
の治具により対向して保持されている。なお、上記半導
体ウエーハ１、２は、例えば５インチのものである。ま
ず、一方の半導体ウエーハ１は、駆動押圧手段３と周辺
部保持手段４とにより保持されている。
ーハ１、２は、図１（ａ）に示すように、それぞれ下記
の治具により対向して保持されている。なお、上記半導
体ウエーハ１、２は、例えば５インチのものである。ま
ず、一方の半導体ウエーハ１は、駆動押圧手段３と周辺
部保持手段４とにより保持されている。
【００１４】上記駆動押圧手段３は、一方の半導体ウエ
ーハ１の一方の面の略中央に当接するもので、表面が中
央部１ａが凸型となる曲面形状に形成されており、他方
の半導体ウエーハ２側に向かって押圧できる治具であ
る。
ーハ１の一方の面の略中央に当接するもので、表面が中
央部１ａが凸型となる曲面形状に形成されており、他方
の半導体ウエーハ２側に向かって押圧できる治具であ
る。
【００１５】また、上記周辺部保持手段４は、一方の半
導体ウエーハ１の外周部１ｂを真空状態で保持してい
る。即ち、保持台５上に内部中空の弾性可能なパッキン
グ材６が設けられ、該パッキング材６は、一方の半導体
ウエーハ１の一方の面の外周部１ｂを断面凹状に外側と
内側とを各々支持部材６ａ、６ｂで支持している。この
ようにして、保持第５上に突条の支持部材６ａ、６ｂが
一方の半導体ウエーハ１の一方の面をリング状に支持し
ている。そして、上記凹状に一方の半導体ウエーハの外
周部１ｂを支持して形成される内部中空の内部を排気管
７から真空吸引することにより、上記一方の半導体ウエ
ーハ１の外周部１ｂを伸縮可能に保持できる。
導体ウエーハ１の外周部１ｂを真空状態で保持してい
る。即ち、保持台５上に内部中空の弾性可能なパッキン
グ材６が設けられ、該パッキング材６は、一方の半導体
ウエーハ１の一方の面の外周部１ｂを断面凹状に外側と
内側とを各々支持部材６ａ、６ｂで支持している。この
ようにして、保持第５上に突条の支持部材６ａ、６ｂが
一方の半導体ウエーハ１の一方の面をリング状に支持し
ている。そして、上記凹状に一方の半導体ウエーハの外
周部１ｂを支持して形成される内部中空の内部を排気管
７から真空吸引することにより、上記一方の半導体ウエ
ーハ１の外周部１ｂを伸縮可能に保持できる。
【００１６】したがって、一方の半導体ウエーハ１の研
磨面の周辺部１ｂを周辺部保持手段４により保持すると
共に、一方の半導体ウエーハの中央部１ａを駆動押圧手
段３により押圧することにより、一方の半導体ウエーハ
１を中央部１ａが凸型となる曲面状に撓ませることがで
きる。
磨面の周辺部１ｂを周辺部保持手段４により保持すると
共に、一方の半導体ウエーハの中央部１ａを駆動押圧手
段３により押圧することにより、一方の半導体ウエーハ
１を中央部１ａが凸型となる曲面状に撓ませることがで
きる。
【００１７】上記のように一方の半導体ウエーハ１が曲
面半径が拡張しても、上記周辺部保持手段４は弾性部材
を使用したため、一方の半導体ウエーハ１が平坦な場合
は上記内側の支持部材６ａが内側に撓みながら保持し、
他方、曲面形状の場合は該内側の伸縮部材６ａが伸縮し
て保持することとなる。したがって、上記パッキング材
６が半導体ウエーハ１の周辺部１ｂを平坦状でも曲面状
でも確実に保持する。
面半径が拡張しても、上記周辺部保持手段４は弾性部材
を使用したため、一方の半導体ウエーハ１が平坦な場合
は上記内側の支持部材６ａが内側に撓みながら保持し、
他方、曲面形状の場合は該内側の伸縮部材６ａが伸縮し
て保持することとなる。したがって、上記パッキング材
６が半導体ウエーハ１の周辺部１ｂを平坦状でも曲面状
でも確実に保持する。
【００１８】他方、他方の半導体ウエーハ２は、Ｔ字状
の上方側の治具８によって真空吸引により平坦に保持さ
れている。上記治具８は、他方の半導体ウエーハ２の中
央に位置するもので、表面が平坦に形成されており、中
央の排気管８ａを介して真空吸引により、他方の半導体
ウエーハ２を平坦に保持するとともに、一方の半導体ウ
エーハ１側に向かって移動できるものである。
の上方側の治具８によって真空吸引により平坦に保持さ
れている。上記治具８は、他方の半導体ウエーハ２の中
央に位置するもので、表面が平坦に形成されており、中
央の排気管８ａを介して真空吸引により、他方の半導体
ウエーハ２を平坦に保持するとともに、一方の半導体ウ
エーハ１側に向かって移動できるものである。
【００１９】そして、図１（ａ）に示すような平坦状の
まま対向して配された２枚の半導体ウエーハ１、２は、
次のような工程で接着される。まず、一方の半導体ウエ
ーハ１をその周辺部１ｂを周辺部保持手段４により保持
すると共にその中央部１ａを駆動押圧手段３により押圧
することにより、図１（ｂ）に示すように、一方の半導
体ウエーハ１を曲面状に撓ませる。
まま対向して配された２枚の半導体ウエーハ１、２は、
次のような工程で接着される。まず、一方の半導体ウエ
ーハ１をその周辺部１ｂを周辺部保持手段４により保持
すると共にその中央部１ａを駆動押圧手段３により押圧
することにより、図１（ｂ）に示すように、一方の半導
体ウエーハ１を曲面状に撓ませる。
【００２０】この場合の曲面状態（曲率半径）は、上記
中央部１ａと周辺部１ｂとの差（図中Ｌ）が、１００μ
ｍ程度生じるように撓ませる。
中央部１ａと周辺部１ｂとの差（図中Ｌ）が、１００μ
ｍ程度生じるように撓ませる。
【００２１】上記一方の半導体ウエーハ１の曲面状態を
得て、図１（ｂ）に示すように、上記他方の半導体ウエ
ーハ２に向かって（図中Ａ矢印の方向）駆動押圧手段３
を駆動させ、その中央部１ａを他方の半導体ウエーハ２
に接触させる。
得て、図１（ｂ）に示すように、上記他方の半導体ウエ
ーハ２に向かって（図中Ａ矢印の方向）駆動押圧手段３
を駆動させ、その中央部１ａを他方の半導体ウエーハ２
に接触させる。
【００２２】かかる曲面中央部の接触状態を得た後、図
１（ｃ）に示すように、駆動押圧手段３を他方の半導体
ウエーハ２とは逆の方向（図中Ｂ矢印の方向）に駆動さ
せると同時に、上方側の治具８の自重をかけ、該治具８
を介して他方の半導体ウエーハ２を一方の半導体ウエー
ハ１に向かって（図中Ｃ矢印の方向）移動させる。この
場合、上方側の治具８の自重と２枚の半導体ウエーハ
１、２の接着速度に合わせて機械的に制御された速度で
駆動押圧手段３を駆動させることとする。
１（ｃ）に示すように、駆動押圧手段３を他方の半導体
ウエーハ２とは逆の方向（図中Ｂ矢印の方向）に駆動さ
せると同時に、上方側の治具８の自重をかけ、該治具８
を介して他方の半導体ウエーハ２を一方の半導体ウエー
ハ１に向かって（図中Ｃ矢印の方向）移動させる。この
場合、上方側の治具８の自重と２枚の半導体ウエーハ
１、２の接着速度に合わせて機械的に制御された速度で
駆動押圧手段３を駆動させることとする。
【００２３】上記のように中央部凸状の曲面状の半導体
ウエーハを平坦な面に戻す場合、水素結合速さ、接合面
積の割合い等に応じて任意の速度に制御しながら接着さ
せる。
ウエーハを平坦な面に戻す場合、水素結合速さ、接合面
積の割合い等に応じて任意の速度に制御しながら接着さ
せる。
【００２４】すると、中央部１ａが凸型の強制されてい
る半導体ウエーハ１の曲面半径が徐々に大きくなり、当
初の平坦な状態に戻ろうとするが、一方の半導体ウエー
ハ１の周辺部１ｂは周辺部保持手段４により保持されて
いるため、２枚の半導体ウエーハは接着完了まで保持さ
れたまま同心の輪が拡がるように、中央部から外周部に
向かって徐々に接着されて行く。
る半導体ウエーハ１の曲面半径が徐々に大きくなり、当
初の平坦な状態に戻ろうとするが、一方の半導体ウエー
ハ１の周辺部１ｂは周辺部保持手段４により保持されて
いるため、２枚の半導体ウエーハは接着完了まで保持さ
れたまま同心の輪が拡がるように、中央部から外周部に
向かって徐々に接着されて行く。
【００２５】そして、図１（ｃ）に示すように、気泡が
入る事態を有効に防止しつつ、２枚の半導体ウエーハ
１、２の研磨面同士が完全に接着し、接合体ウエーハが
得られる。
入る事態を有効に防止しつつ、２枚の半導体ウエーハ
１、２の研磨面同士が完全に接着し、接合体ウエーハが
得られる。
【００２６】なお、本実施例では、上記のように曲面半
径が徐々に大きくされ当初の平坦な状態に戻るまで周辺
部１ｂは周辺部保持手段４により保持され、中央部から
外周部まで徐々に接着されて行くことができるため、一
方の側に駆動押圧手段及び周辺部保持手段を設ければ充
分で、両側共に上記手段を設ける必要性は特にないが、
実施に応じ両側共に上記手段を設けることも可能であ
る。
径が徐々に大きくされ当初の平坦な状態に戻るまで周辺
部１ｂは周辺部保持手段４により保持され、中央部から
外周部まで徐々に接着されて行くことができるため、一
方の側に駆動押圧手段及び周辺部保持手段を設ければ充
分で、両側共に上記手段を設ける必要性は特にないが、
実施に応じ両側共に上記手段を設けることも可能であ
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、上記のように一方の半導体ウ
エーハを平坦な面に戻す場合、水素結合速さ、接合面積
の割合い等に応じて任意の速度に制御しながら接着させ
ることができ、気泡が入る事態を有効に防止できる。し
たがって、素子に影響を与えることがなく強固な接合体
ウエーハが得られる。
エーハを平坦な面に戻す場合、水素結合速さ、接合面積
の割合い等に応じて任意の速度に制御しながら接着させ
ることができ、気泡が入る事態を有効に防止できる。し
たがって、素子に影響を与えることがなく強固な接合体
ウエーハが得られる。
【００２８】また、一方の半導体ウエーハの研磨面と他
方の半導体ウエーハ研磨面とが中心部から周辺部まで徐
々に接触させることができるため、従来のように、２枚
の半導体ウエーハ同士が瞬間的に接着することがなく、
その結果パターンの伸縮に悪影響を与えることもない。
方の半導体ウエーハ研磨面とが中心部から周辺部まで徐
々に接触させることができるため、従来のように、２枚
の半導体ウエーハ同士が瞬間的に接着することがなく、
その結果パターンの伸縮に悪影響を与えることもない。
【図１】本発明の一実施例の接着装置とその接着方法を
示す工程図であり、（ａ）は、本装置により２枚の半導
体ウエーハを平坦な状態で対向させた状態を示す図、
（ｂ）は、本装置により一方の半導体ウエーハの曲面中
央部を他方の半導体ウエーハに接触させた状態を示す
図、（ｃ）は、本装置により２枚の半導体ウエーハ同士
を完全に接着させた状態を示す図である。
示す工程図であり、（ａ）は、本装置により２枚の半導
体ウエーハを平坦な状態で対向させた状態を示す図、
（ｂ）は、本装置により一方の半導体ウエーハの曲面中
央部を他方の半導体ウエーハに接触させた状態を示す
図、（ｃ）は、本装置により２枚の半導体ウエーハ同士
を完全に接着させた状態を示す図である。
【図２】従来の接着装置とその接着方法を示す工程図で
あり、（ａ）は、従来装置により２枚の半導体ウエーハ
を各々の治具に設置した状態を示す図、（ｂ）は、従来
装置により一方の半導体ウエーハを他方の半導体ウエー
ハに接触させた状態を示す図、（ｃ）は、従来装置によ
り２枚の半導体ウエーハ同士を接着させた状態を示す図
である。
あり、（ａ）は、従来装置により２枚の半導体ウエーハ
を各々の治具に設置した状態を示す図、（ｂ）は、従来
装置により一方の半導体ウエーハを他方の半導体ウエー
ハに接触させた状態を示す図、（ｃ）は、従来装置によ
り２枚の半導体ウエーハ同士を接着させた状態を示す図
である。
１…一方の半導体ウエーハ １ａ…一方の半導体ウエーハの中央部 １ｂ…一方の半導体ウエーハの外周部 ２…他方の半導体ウエーハ ３…駆動押圧手段 ４…周辺部保持手段
Claims (1)
- 【請求項１】 二枚の半導体ウエーハの研磨面同士を直
接接着させて接合体ウエーハを得る装置であって、 一方の半導体ウエーハの周辺部を保持する周辺部保持手
段と、 上記一方の半導体ウエーハの中央部を押圧する駆動押圧
手段と、 他方の半導体ウエーハを上記一方の導体ウエーハに対向
させて押圧する治具とを有することを特徴とする半導体
ウエーハの接着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27861891A JP3175232B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体ウェーハの接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27861891A JP3175232B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体ウェーハの接着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590393A true JPH0590393A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3175232B2 JP3175232B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=17599791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27861891A Expired - Fee Related JP3175232B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 半導体ウェーハの接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175232B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283392A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Seiko Epson Corp | 基板の重ね合わせ方法及び装置 |
| US6383890B2 (en) * | 1997-12-26 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck |
| WO2002056352A1 (fr) * | 2001-01-15 | 2002-07-18 | Lintec Corporation | Appareil d'assemblage et procede d'assemblage |
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