TWI708307B - 接合基板之設備及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種尤其適於臨時接合一第一基板(15)與一第二基板之設備，其具有下列特徵： - 一安裝裝置，其係用於將該第一基板(15)安裝至一安裝輪廓(8、8'、8''、8'''、8IV )上，且該安裝裝置之一主動安裝表面(7'、7''、7''、7'''、7IV )具有用於可控制固定該第一基板(15)之一外環區段(10)， - 用於達成該第一基板(15)之可控制變形之變形構件，該變形構件經製作在該外環區段內作用，及 - 接合構件，其用於將該第一基板(15)接合至該第二基板(15)。 此外，本發明係關於一種尤其適於臨時將一第一基板(15)接合至一第二基板之方法，該方法具有下列步驟，且明確而言依下列順序： - 將該第一基板(15)安裝至一安裝輪廓(8、8'、8''、8'''、8IV )上，且該安裝裝置(1)之一主動安裝表面(7'、7''、7''、7'''、7IV )具有用於可控制固定該第一基板(15)之一外環區段(10)， - 藉由用於該第一基板(15)之可控制變形之變形構件使得該第一基板(15)在該外環區段內變形， -  藉由接合構件接合該第一基板(15)與該第二基板。

Description

接合基板之設備及方法
本發明係關於如技術方案1之一種用於將一第一基板臨時接合(明確而言係預接合)至一第二基板之設備及如技術方案12之一種對應之方法。
在半導體工業中，安裝裝置或樣品固持器(所謂之卡盤)係用作用於支撐且固定平坦半導體基板(明確而言，晶圓)之處置裝置。該等平坦地放置之晶圓得以支撐(且因此固定)且可運輸至多個處置步驟及處理站。 此處，在一定程度上需要將該晶圓自一個安裝裝置轉移至另一安裝裝置，使得不僅可靠且平坦之支撐/固定扮演重要角色，同時儘可能地簡單且小心地進行晶圓拆卸亦發揮重要作用。 例如，固定可藉由該晶圓與該安裝裝置之間施加一真空、藉由靜電充電或藉由其他可控制之化學-物理黏結性質發生，晶圓越薄(該晶圓有時甚至兩側均經拋光)且視情形晶圓所存在之至該樣品固持器之固有黏結，使得拆卸該晶圓之技術難度越大且愈加困難。發生固定之表面亦可具有一圖案、凹槽或可進一步減少該接觸表面以獲得儘可能小之一安裝表面之任何其他形貌。 避免污染亦為一重要之考量。 後者在用於接合兩個基板(晶圓)之方法及設備中發揮一重要作用，尤其在使兩個相對置之基板之經對準之接觸表面發生接觸之關鍵步驟中發揮重要作用，因為對準精確度或偏置要求越來越高，其係小於2 µm，明確而言，小於250 nm，較佳小於150 nm，更佳小於50 nm。鑑於此等對準精確性，必須考慮許多影響因素。但該等基板之沈積/接觸實施尤其重要，因為此時可能發生缺陷，且缺陷可累積，且因此無法維持一可再產生之對準精確性。此可能導致相當多之廢料。 因此，本發明之目的在於提供一種用於接合(主要是預接合或臨時接合)兩個基板之設備及方法，使用該設備及方法可再晶圓上之任何位置達成儘可能良好之對準精確度，且亦可能避免對該基板之污染。 下文中，將單字接合、臨時接合及預接合用作同義詞。熟悉此項技術者可顯而易見，較佳但並不以一限制方式發展本發明，以藉由預接合使兩個晶圓以儘可能覆蓋之方式接合至彼此，該等晶圓不發生扭曲及應變。 熟悉此項技術者已知若干方法進行預接合以在該等基板之間產生一臨時或可逆之接合。預接合厚度小於永久接合厚度，至少相差2至3倍、較佳相差5倍，更佳相差15倍，且尤佳相差25倍。指引值係純淨之未經活化之親水性矽之預接合厚度(且粗略為100 mJ/m2 )且為純淨之經電漿活化親水性矽之預接合厚度(粗略為200 mJ/m2 至300 mJ/m2 )。引發該等經分子濕潤之基板之間之預接合之主要原因在於該等晶圓之不同側之分子之間之凡得瓦爾力(van-der-Waals)相互作用。 用於接合及/或預接合及/或臨時接合之接合構件意在用於如本發明之接合。
此目的係藉由技術方案1及12之特徵達成。在隨附技術方案中給出本發明之優勢發展。在說明書、技術方案及/或圖中給出之該等特徵之至少二者之所有組合亦屬於本發明之框架內。對於所有給定之值範圍，在指定限度內之值係視為以任何組合而揭示或主張。 本發明係基於下列理念：藉由使兩個基板中之至少一者經歷預拉伸(相對於外側徑向地延伸，明確而言，相對於該等基板之一接觸表面之一中點M同心地延伸)，此後實施接觸且接著僅實施接觸之開始受到影響，而在接觸一個區段(明確而言，接觸該等基板之該中點M)之後，基於該基板之預拉伸，該基板係自動地以一有控制之方法曝露且接合至相對置之基板，以此方式以一協調且同時儘可能準獨立之方式使兩個基板之間發生接觸。藉由變形構件使該第一基板產生變形而達成該預拉伸，明確而言，該變形構件基於其形狀而作用於背離接合側之側上且據此藉由使用不同(明確而言，可互換)之變形構件而達成可控制之變形。亦可藉由該變形構件作用於該基板上之壓力或力而實施控制。此處有利的是減小該安裝裝置之具有該半導體基板之該主動安裝表面，使得該半導體基板僅部分地由該安裝裝置支撐。以此方式，較小之接觸表面在該晶圓與該樣品固持器或該安裝裝置之間產生一較低之黏結力。如本發明中所主張實施固定，明確而言，僅在該半導體基板(第一基板)之周邊區域中，使得可有效地固定一安裝表面，且該安裝表面同時可在該安裝裝置之該安裝輪廓與該半導體基板之間發生儘可能小之作用。因此，由於用於拆卸該晶圓之力儘可能小，因此可同時達成該半導體基板之小心且可靠之拆卸。 安裝輪廓係該半導體基板藉以支托之安裝裝置之區域，使得因此圓形半導體基板之外周邊係具有近似尺寸之圓。習知之外徑尺寸為200 mm、300 mm或450 mm。 同時，可將該晶圓之升高結構容納於該主動安裝表面外側之該安裝輪廓之區域中，使得該安裝裝置同時具有CMOS(互補金屬氧化物半導體)相容性。 藉由減少作用於該安裝表面上之負壓，可大體上控制拆卸。可控制意謂在該晶圓與一第二晶圓接觸之後，該樣品固持器上之該晶圓保持固定且僅藉由特定(有控制地)減小該負壓方可將該基板(晶圓)自該樣品固持器(安裝裝置)移除，明確而言，自內側移除至外側。本發明主張之實施例主要針對能以極小之力實施拆卸。 在接合程序之前對準該等基板(晶圓)，以確保該等基板(晶圓)之表面上之對應之結構之均勻之疊合(精確對準，明確而言係具有小於2 µm之精確度，且明確而言係小於250 nm，較佳小於150 nm，更佳小於100 nm)。在如本發明之接合方法中，該等晶圓並非平坦地放置於彼此上，而是首先藉由輕微壓迫該兩個晶圓中之一者抵靠該第二晶圓或者根據相對置晶圓之方向而變形而使該兩個晶圓彼此接觸。在移除該變形之晶圓(由於一接合波之推進而(在與該晶圓相反之方向上)彎曲)之後，可沿該接合前部發生一連續且更均勻之接合，明確而言，該接合係至少大部分自動發生且與最小力關聯且因此具有最小，較佳水平之扭曲。 根據本發明之一優勢實施例，該安裝輪廓及/或安裝表面及/或安裝裝置經製作係相對於該安裝裝置之一中心Z旋轉對稱，明確而言，相對於該中心Z同心。此導致該安裝裝置之固持均勻且製作簡單。在該安裝裝置係至少於該安裝表面上製作為剛性之意義上而言，可達成對相當精確對準之該晶圓的可靠固定。 藉由在該安裝輪廓之該外環區段中提供至少一個負壓通道(其使該安裝表面中斷)且該安裝輪廓係至少大部分相對於該安裝表面而內縮於一內環區段中，可達成有利於實施本發明之一幾何配置且使用該配置，一方面可精確地執行變形，且另一方面可以上述之用較少之努力以一有控制之方式實施接觸。 有利的是，該負壓通道相對於該安裝裝置之一中心Z以一圓形環之形狀同心地延伸，明確而言，圍繞整個周邊而延伸。此確保均勻之固定。 在本發明之另一優勢實施例中，尤其為圓環形之該外環區段之環寬度bA 小於該內環區段之環寬度b1 。該環寬度bA 與b1之比率較佳小於1比3，較佳小於1比5，更佳小於1比7。該環寬度bA 相對於該環寬度b1 越小，則將該半導體基板自該安裝裝置拆卸越容易。 此處，若該安裝輪廓之突出表面係該主動安裝表面之至少兩倍、明確而言三倍大，則尤其有利。 根據本發明之另一優勢實施例，該內環區段中之該安裝輪廓具有至少一個尤其為圓環形之支撐表面，其較佳相對於該中心Z同心地定位，以支撐該等半導體基板，明確而言，並不主動固定該等半導體基板，該支撐表面係包含於該安裝表面中且與該安裝表面齊平。此措施導致在處置期間該安裝裝置可得以進一步平坦化，使得該半導體基板並不朝向該安裝裝置彎曲，或者一般而言，拱起。 在如本發明之另一實施例中，該等變形構件係經製作以作用於該安裝表面上(明確而言，該安裝表面之外側，較佳僅該安裝表面外側)之該半導體基板上。已有令人驚訝的顯示，藉由作用於該安裝表面之該側上之該半導體基板上(一般而言，該半導體基板之背部)，可尤其仔細地拆卸。此外，可避免對該半導體基板之其他表面(一般而言更為更要，因為該等其他表面經處理)產生污染。 在該變形構件為穿透該安裝輪廓之至少一個壓力元件之意義上而言，可均勻地(明確而言，自該中心Z)施加壓力。關於此，可進行一機械設計，明確而言，藉由一銷，但亦可採用流體(明確而言，一氣體)。為此，具有穿透該安裝本體之一開口，明確而言，孔。 由於製作變形構件時發生最小之扭曲，使得變形相對於該第一基板同心地發生，因此變形可尤其有效地發生且具有高度之對準精確度。 根據另一優勢實施例，在該內環區段中具有用於將對應之固定區段沿該第一基板固定之可個別觸發之固定元件。以此方式，亦可影響該第一及/或第二基板之x、y及/或z方向中之扭曲及/或應變。明確而言，在一先前技術方法步驟中記錄扭曲及/或應變(主要沿該等基板之接觸表面延伸，因此在該表面中延伸)，較佳呈該(該等)基板之應力及/或應變描線圖形式且藉由在使該等基板之間發生接觸時切換該固定元件，可產生一額外之區段變形，該區段變形發生後可補償局部扭曲/應變。此原因在於，此等扭曲/應變越來越強烈地影響對準精確度，尤其是對小於250 nm之對準精確度而言。因此，基本上可區別水平扭曲與垂直扭曲。引發垂直扭曲之原因在於在垂直方向中(因此在z方向中)發生真空化過程。然而，此等扭曲亦可一定導致水平方向且因此x及y方向扭曲，就所要達成之對準精確度而言，此將造成實際問題。 根據本發明之方法，此可達成之原因在於該第一及/或第二基板之扭曲及/或應變(其已藉由一上游測量方法判定)已由該第一及/或第二基板之之區段有控制之扭曲及/或應變對該第一及/或第二基板之作用而減小(明確而言，藉由用於固定對應之固定區段之固定元件)。可藉由一外部測量裝置判定該等扭曲及/或應變。接著據此經由一資料鏈路將該外部測量裝置連接至如本發明之該實施例。有利的是，用於判定扭曲及/或應變描線圖之一測量裝置可與如本發明之該實施例位於相同之模組中。此外，下文將揭示使用相同介面來觸發用於判定該等扭曲及/或應變描線圖之裝置及如本發明之該實施例之裝置。 一介面係定義為任何類型之控制監測裝置。有利的是，該介面係具有對應之控制軟體及一對應之圖形使用者介面之電腦。 已根據本發明之設備揭示之特徵將亦可應用於本發明之方法且已根據本發明之方法揭示之特徵將亦可應用於本發明之設備。 自下文對較佳例示性實施例之描述且使用圖式，本發明之其他優點、特徵及細節可顯而易見。
在圖中，用相同之參考數字標示相同之組件及具有相同功能之組件。 圖1a繪示一設備之一安裝裝置1(在半導體工業中亦被稱為卡盤)，其用於將一第一半導體基板15(晶圓)安裝於該安裝裝置1之一安裝輪廓8上。該安裝輪廓8具有一結構，該結構具有位於一安裝平面E中之一安裝表面7。(當該半導體基板15係固持於該安裝裝置1(主動安裝表面)上時)，僅該安裝表面7與該半導體基板15接觸。 該安裝裝置1尤其係由單片及/或金屬及/或剛性安裝本體1k形成；明確而言，此在圖1b之截面圖中可輕易看到。可塗敷該安裝本體，以防止發生刮擦或金屬離子集中。就尺寸而言，該安裝裝置1之至少一個安裝輪廓8匹配於待安裝之該半導體基板15之尺寸，使得該安裝輪廓8之一外環半徑RA 基本上對應於待安裝之該半導體基板15之半徑。該等半導體基板之直徑有利地對應於半導體工業中之習知標準化直徑，2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸及18英寸，但亦可視需要係偏離於該等直徑尺寸。根據半導體基板15之習知形狀，在平面圖中看，該安裝輪廓8及該安裝裝置1係狀似圓形環。為了可更簡單地處置，該安裝本體1k之半徑Rk 可大於該安裝輪廓輪廓8之外環半徑RA 。在該安裝本體之周邊上以及甚至在該安裝輪廓8之周邊上可具有一肩部9，其相對於該安裝平面E內縮，以促成處置該安裝裝置1(明確而言，在裝載該半導體基板15時)。該安裝本體1k之周邊及該安裝輪廓8之周邊相對於該安裝裝置1或該安裝輪廓8之一中心Z同心。 該安裝輪廓8之一外環區段10自該安裝輪廓8之周邊(因此，自該外環半徑RA )延伸至該內環半徑R1 。該外環區段10經設計用於藉由負壓固定該平坦之半導體基板15。藉由一真空裝置(圖中未繪示)向彼此同心地延伸之兩個負壓通道3施加負壓。該等負壓通道3在該外環半徑RA 與該內環半徑R1 之間延伸，因此完全位於該環區段10中。該等負壓通道3中斷該主動安裝表面7且藉由該等負壓通道3上之負壓，可將該半導體基板15固定在位於該外環區段10之區域中之該安裝表面7上(固定該第一基板15)。可以一有控制之方式(經由用於控制該設備之一對應之控制裝置)設定該負壓且因此有效之作用固定力。此外，該樣品固持器(安裝裝置1)經有利地製作使得一可封閉密封件密封該樣品固持器且維持該負壓，而無需自外側連續吸氣。以此方式，可自任何機器移除該樣品固持器，在至少某一時間間隔內維持對該第一基板15之固定。 在根據圖1a及圖1b之例示性實施例中，該安裝表面7對應於該安裝平面E中之該外環區段10之表面。在該外環區段10內(因此在該內環區段11中)，該安裝輪廓8相對於該安裝表面7內縮且形成一圓環形凹部2，該凹部2之半徑對應於該內環半徑R1 。因此，該凹部2相對於該安裝輪廓8之周邊同心且相對於該外環區段10同心。該凹部2之一底部2b平行於該安裝平面E而延伸，且延伸之一距離對應於該凹部2之高度h。該凹部2之高度h可有利地對應於該等負壓通道3之深度(使得製造更為簡易)。 因此，當安裝該半導體基板15時，該凹部2中不會形成一負壓，具有一開口4穿透該安裝本體1k。該開口可作爲一孔提供，明確而言，相對於該中心Z或該安裝輪廓8之周邊同心之一孔。 在根據圖2a及圖2b之第二實施例中，安裝表面7'不僅包括該外環區段10。相反地，該安裝輪廓8(或該安裝本體1k)具有一圓環形支撐表面12，其相對於該中心Z同心地定位且係由直接提供於該開口4上之一突出部5形成。 在圖3a及圖3b所示之第三實施例中，開口4'不再為圓形且相對於該中心Z同心，而是具有狹槽，該開口4'自該中心Z延伸至該內環半徑R1 。一般而言，該開口4'可呈可促成所述功能性之任何形狀。不同於其他組件，該開口4'並不相對於該中心Z旋轉地對稱。因此，相較於圖2a及圖2b中所示之實施例，支撐表面12'增大。 在圖4a及圖4b所示之第四實施例中，除了該突出部5之外，亦具有另外兩個突出部13、14，其等經配置相對於該內環區段11中之該第一突出部5同心地彼此等距離地分佈。因此，第四例示性實施例中之支撐表面12''仍大於第二實施例及第三實施例中之支撐表面，因此具有在該表面中更均勻地分佈之一支撐表面12''。 在所有例示性實施例中，一銷6(見圖5a及圖5b)可經佈置穿過該開口4、4'，明確而言，到達該開口4、4'之內輪廓，以藉由作用於該半導體基板15之具有該安裝表面7、7、7、7之內表面15i上而使該半導體基板15自該安裝表面拆卸。較佳無需接觸該開口4、4'(之內輪廓)而佈置該銷6。較佳藉由該設備之控制單元連續地排空及填充該等真空路徑3。 如本發明中所主張，可設想用一流體(明確而言，一氣體)替代該銷6而實施對該凹部2之增壓；此需要使在該凹部2內之增壓表面上達成均勻之壓力分佈。 較佳以一監測之方式控制該第一基板15之變形(彎曲)且該變形(彎曲)較佳可逆，以完成將該晶圓15自該樣品固持器之拆卸(圖8a至圖8g)。將該第一基板15固定在該外環區段12中限制該變形之幅度且如本發明所述僅發生輕微變形，明確而言，變形之一幅度小於該高度h。 如本發明，如圖5b中所示之該第一基板15之變形用於接觸與該第一基板15對準之一第二基板，此後，該等基板接觸且相對置。接觸係藉由該第一基板15在該等基板之中點M之同心變形實施。 在作用於該內表面15i上期間且在該等基板接觸之後，減少(明確而言，控制)該等負壓通道3上之負壓。歸因於該第一基板15之變形及/或重力之作用力誘發之預拉伸，該第一基板15與該第二基板之接觸係自該第一基板15之該中點M徑向向外側前進，直至遠至該第一基板15之周邊且係至少臨時接合，一接合波自該第一基板15之該中點M或多或少同心地推進直至遠至該第一基板15之周邊。 圖6中繪示根據本發明之銷6、6'、6''、6'''之形狀之實例。根據本發明，該等銷6、6'、6''、6'''不僅可匹配於該開口4、4'之形狀或輪廓，而且亦可具有T形截面(銷6')，以用一較大之表面作用於該半導體基板15上且更仔細地處理該半導體基板15。因此，該銷6'之頭部可為一壓力板，其延伸至該凹部2中超過該開口4之內輪廓。此外，根據一優勢之變化例，該銷6、6'、6''、6'''經彈簧負載。 根據本發明，該外環區段10之一環寬度bA 小於該內環半徑R1 ，明確而言，小於該內環區段11之一環寬度b1 (見圖1a、圖1b)。 圖7a、圖7b中繪示可與前述實施例組合之另一實施例。在該凹部2之區域中，具有蜂窩狀固定元件16，可使用該等固定元件16將該第一基板15之對應之固定區段局部地固定於該安裝裝置上，與該第一基板15變形時該內表面15i上之作用力方向相反。藉由該控制裝置觸發該等固定元件16。因此，可以專屬之方式影響在該第二基板之方向中之該第一基板15之變形。根據本發明，使用待接合之該第一基板15之應變/應力描線圖，可有控制地減小該第一基板15之應力/應變，使得該等基板(或者該等基板上可能存在之結構/元件)彼此對準之精確度並不會由於該等基板或至少該第一基板15之現有應力/應變而減小。藉由有控制地觸發個別之固定元件16，可使該第一基板15之對應之固定區段變形(剪切、壓縮、拉伸、旋轉)。在需要達成小於250 nm，明確而言小於150 nm，較佳小於100 nm之對準精確度之情形下，上述變形扮演一愈發重要之角色，因為該等基板之扭曲/應變可能造成局部對準誤差達到至多100 nm。 該等固定元件16可進行靜電充電或者製作為壓電元件。 在此實施例中，出現相較上述實施例大之一較大之有效安裝表面7IV 及一安裝輪廓8IV ，因此可更好地支撐該第一基板15。
1‧‧‧安裝裝置 1k‧‧‧安裝本體 2‧‧‧凹部 2b‧‧‧底部 3‧‧‧負壓通道 4‧‧‧開口 4'‧‧‧開口 5‧‧‧突出部 5'‧‧‧突出部 6‧‧‧壓力元件 6'‧‧‧壓力元件 6''‧‧‧壓力元件 6'''‧‧‧壓力元件 6IV‧‧‧壓力元件 7‧‧‧安裝表面 7'‧‧‧安裝表面 7''‧‧‧安裝表面 7'''‧‧‧安裝表面 7IV‧‧‧安裝表面 8‧‧‧安裝輪廓 8'‧‧‧安裝輪廓 8''‧‧‧安裝輪廓 8'''‧‧‧安裝輪廓 8IV‧‧‧安裝輪廓 9‧‧‧肩部 10‧‧‧外環區段 11‧‧‧內環區段 12‧‧‧支撐表面 12'‧‧‧支撐表面 12''‧‧‧支撐表面 13‧‧‧突出部 14‧‧‧突出部 15‧‧‧第一基板(半導體基板) 15i‧‧‧內表面 16‧‧‧固定元件 b1‧‧‧環寬度 bA‧‧‧環寬度 E‧‧‧安裝平面 M‧‧‧中點 RA‧‧‧外環半徑 RI‧‧‧內環半徑 Rk‧‧‧半徑 Z‧‧‧中心
圖1a繪示根據本發明之一設備之一第一實施例之一安裝輪廓沿一切割線A-A截取之一平面圖， 圖1b繪示自圖1a之切割線A-A而截取之一視圖， 圖2a繪示根據本發明之設備之一第二實施例之一安裝輪廓沿一切割線B-B截取之一平面圖， 圖2b繪示根據圖2a之切割線B-B截取之一視圖， 圖3a繪示根據本發明之設備之一第三實施例之一安裝輪廓沿一切割線C-C截取之一平面圖， 圖3b繪示根據圖3a之切割線C-C截取之一視圖， 圖4a繪示根據本發明之設備之一第四實施例之一安裝輪廓沿一切割線D-D截取之一平面圖， 圖4b繪示根據圖4a之切割線D-D截取之一視圖， 圖5a繪示根據圖1a之該第一實施例在正要拆卸前之情形下之一截面圖， 圖5b繪示當拆卸半導體基板時根據圖5a之該實施例之一截面圖， 圖6繪示用於拆卸該半導體基板之一銷之不同形式之一示意圖， 圖7a繪示根據本發明之該設備之一第五實施例之一示意性平面圖， 圖7b繪示根據圖7a之該實施例之一截面圖， 圖8a繪示待彼此接合之兩個晶圓在藉由一銷實施接觸之前之情形之一截面圖， 圖8b繪示待彼此接合之兩個晶圓在藉由一銷而實施上晶圓接觸期間之一截面圖， 圖8c繪示待彼此接合之兩個晶圓在藉由一銷使上晶圓發生彈性彎曲期間之一截面圖， 圖8d繪示待彼此接合之兩個晶圓在該上晶圓與下晶圓之間發生首次接觸期間之一截面圖， 圖8e繪示待彼此接合之兩個晶圓在使接合波在該上晶圓與該下晶圓之間推進期間之一截面圖， 圖8f繪示待彼此接合之兩個晶圓在該上晶圓已與樣品固持器分離之情形下之一截面圖， 圖8g繪示待彼此接合之兩個晶圓在接合狀態中之一截面圖。
1‧‧‧安裝裝置
2‧‧‧凹部
3‧‧‧負壓通道
4‧‧‧開口
6‧‧‧壓力元件
15‧‧‧第一基板(半導體基板)
15i‧‧‧內表面

Claims (18)

  1. 一種尤其用於臨時接合一第一基板(15)與一第二基板之設備，其具有下列特徵：一安裝裝置，其用於將該第一基板(15)安裝於一安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)上，且該安裝裝置之一主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)具有用於可控制固定該第一基板(15)之一外環區段(10)及一內環區段(11)，該內環區段(11)具有一凹入表面，該凹入表面自該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)凹入，其中該安裝裝置具有複數個可個別觸發之固定元件(16)，其尤其用於固定該第一基板(15)之該等對應之固定區段，該等固定元件(16)係設置在該凹入表面中，變形構件，其用於達成該第一基板(15)之可控制變形，該變形構件係作成而在該第一基板之該外環區段內作用，及接合構件，其用於在該第一基板變形後，將該第一基板(15)接合至該第二基板(15')。
  2. 如請求項1之設備，其中該等固定元件在該內環區段中。
  3. 如請求項1或2之設備，其中該安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)及/或該主動安裝表面(7、7'、7''、7'''、7IV)及/或該安裝裝置經製作相對於該安裝裝置之一中心Z旋轉地對稱，且係相對於該中心Z同心。
  4. 如請求項1或2之設備，其中在該安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)之該 外環區段(10)中設置中斷該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)之至少一個負壓通道(3)，且其中該安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)至少大部分相對於該安裝表面(7、7'、7''、7'''、7IV)內縮於一內環區段(11)中。
  5. 如請求項4之設備，其中該負壓通道(3)相對於該安裝裝置之一中心Z而以一圓形環之形狀同心地延伸，且係圍繞整個周邊而延伸。
  6. 如請求項4之設備，其中該外環區段(10)具有一圓環形之第一環寬度bA，該內環區段(11)具有一圓環形之第二環寬度b1，且該第一環寬度bA小於該第二環寬度b1。
  7. 如請求項1或2之設備，其中該安裝輪廓(8、8'、8"、8''')之突出表面係該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)之至少兩倍大。
  8. 如請求項1或2之設備，其中該安裝輪廓(8、8'、8"、8''')之突出表面係該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)之三倍大。
  9. 如請求項1或2之設備，其中該內環區段(11)中之該安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)具有至少一個圓環形支撐表面(12、12'、12")，其較佳相對於該中心Z同心地定位，以達成對該半導體基板(15)之支撐，且不進行主動固定，該支撐表面(12、12'、12")係包含於該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)中且在一安裝平面E中與該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)齊平。
  10. 如請求項1或2之設備，其中該等變形構件經作成而對該安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)之該側上之該半導體基板(15)作用，尤其是對其外側之側上，且較佳是僅在該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)外側上作用。
  11. 如請求項1或2之設備，其中該變形構件係穿透該安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)之至少一個壓力元件(6、6、6"、6''')。
  12. 如請求項1或2之設備，其中該等變形構件經製作使得變形係相對於該第一基板(15)同心地發生。
  13. 如請求項1或2之設備，其中該第一基板及/或該第二基板產生之局部扭曲/應變藉由切換該等固定元件引起之區段變形所補償。
  14. 如請求項1或2之設備，其中該第一基板及/或該第二基板產生之扭曲及/或應變可藉由一外部測量裝置判定。
  15. 一種適於以下列步驟將一第一基板(15)臨時接合至一第二基板之方法，且依下列順序實施該等步驟：將該第一基板(15)安裝於一安裝輪廓(8、8'、8"、8'''、8IV)上，且該安裝裝置(1)之一主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)具有用於可控制固定該第一基板(15)之一外環區段(10)及一內環區段(11)，該內環區段(11)具有一凹入表面，該凹入表面自該主動安裝表面(7、7'、7"、7'''、7IV)凹入，其中該安裝裝置具有複數個可個別觸發之固定元件 (16)，其尤其用於固定該第一基板(15)之該等對應之固定區段，該等固定元件(16)係設置在該凹入表面中，藉由用於達成該第一基板(15)之可控制變形之變形構件使該第一基板(15)在該外環區段內變形，在該第一基板變形後，藉由接合構件將該第一基板(15)接合至該第二基板。
  16. 如請求項15之方法，其中該等固定元件在該內環區段中。
  17. 如請求項15或16之方法，其中藉由該第一基板(15)之變形使得自該第一基板(15)與該第二基板(15)之接觸表面之中點M開始發生基本上同心地接合。
  18. 如請求項15或16中之方法，其中已經藉由一上游測量方法判定之該第一及/或第二基板之扭曲及/或應變，係由該第一基板及/或該第二基板之區段之經控制的之扭曲及/或應變對該第一及/或第二基板之作用而減少，且係藉由用於固定對應之固定區段之固定元件(16)而減少。
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