JPH1145866A - 半導体ウエハの研削装置 - Google Patents
半導体ウエハの研削装置Info
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- JPH1145866A JPH1145866A JP20023197A JP20023197A JPH1145866A JP H1145866 A JPH1145866 A JP H1145866A JP 20023197 A JP20023197 A JP 20023197A JP 20023197 A JP20023197 A JP 20023197A JP H1145866 A JPH1145866 A JP H1145866A
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- grinding
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 砥石がフレームに接触しないように研削でき
る半導体ウエハの研削装置を提供する。 【解決手段】 研削装置１０は、半導体ウエハ２０の表
面を研削する砥石１１と、表面に半導体ウエハ２０を載
置する伸縮自在の粘着シート１２および粘着シート１２
を張り渡すリング１３から成るウエハ保持部材１７と、
砥石１１に対向して配置され、リング１３を乗載するた
めの周縁ステージ部１５および断面形状が台形であって
その上底が周縁ステージ部１５よりも高い中央ステージ
部１４から成るステージ１６とを備える。これによっ
て、研削時に砥石１１が半導体ウエハ２０だけでなくリ
ング１３にも接触してしまう事態が回避され、正確な厚
み加工が実現できる。
る半導体ウエハの研削装置を提供する。 【解決手段】 研削装置１０は、半導体ウエハ２０の表
面を研削する砥石１１と、表面に半導体ウエハ２０を載
置する伸縮自在の粘着シート１２および粘着シート１２
を張り渡すリング１３から成るウエハ保持部材１７と、
砥石１１に対向して配置され、リング１３を乗載するた
めの周縁ステージ部１５および断面形状が台形であって
その上底が周縁ステージ部１５よりも高い中央ステージ
部１４から成るステージ１６とを備える。これによっ
て、研削時に砥石１１が半導体ウエハ２０だけでなくリ
ング１３にも接触してしまう事態が回避され、正確な厚
み加工が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、砥石を用いて厚み
加工処理を施すなど半導体ウエハの表面を加工するため
の半導体ウエハの研削装置に関し、特に半導体ウエハを
固定するステージに特徴を有する半導体ウエハの研削装
置に関する。
加工処理を施すなど半導体ウエハの表面を加工するため
の半導体ウエハの研削装置に関し、特に半導体ウエハを
固定するステージに特徴を有する半導体ウエハの研削装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７および図８は、従来の半導体ウエハ
の研削装置のステージおよびワークを示す図である。半
導体ウエハ１は、リング３に張り渡された粘着シート２
上に粘着支持される。半導体ウエハ１、リング３および
粘着シート２から成るワーク４は、表面が平坦なステー
ジ５に乗載される。ワーク４がステージ５に乗載された
状態で、ステージ５に対向する方向から砥石を接触させ
て、半導体ウエハ１を研削する。このとき、ステージ５
に設けられた吸引部６から吸気することで、粘着シート
２を介して半導体ウエハ１を吸着する。
の研削装置のステージおよびワークを示す図である。半
導体ウエハ１は、リング３に張り渡された粘着シート２
上に粘着支持される。半導体ウエハ１、リング３および
粘着シート２から成るワーク４は、表面が平坦なステー
ジ５に乗載される。ワーク４がステージ５に乗載された
状態で、ステージ５に対向する方向から砥石を接触させ
て、半導体ウエハ１を研削する。このとき、ステージ５
に設けられた吸引部６から吸気することで、粘着シート
２を介して半導体ウエハ１を吸着する。
【０００３】なお、半導体ウエハ１とほぼ同じ面積の吸
引部６を設けることで、またはリング３の内径をほぼ半
導体ウエハ１の外径に合わせたものを使用することで、
なるべく吸引部６を半導体ウエハ１で覆うことができる
ようにしている。吸引部６の大部分を半導体ウエハ１で
覆うことで、その隙間から空気が流入するリークを抑制
して、半導体ウエハ１を確実に固定している。
引部６を設けることで、またはリング３の内径をほぼ半
導体ウエハ１の外径に合わせたものを使用することで、
なるべく吸引部６を半導体ウエハ１で覆うことができる
ようにしている。吸引部６の大部分を半導体ウエハ１で
覆うことで、その隙間から空気が流入するリークを抑制
して、半導体ウエハ１を確実に固定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８のように平坦なス
テージ５上にワーク４を配置すると、研削するための砥
石がリング３に接触してしまうことがある。つまり、比
較的大きな砥石では、ステージ５に対向する方向から半
導体ウエハ１に砥石を接触させるだけで、リング３にも
接触する。また、比較的小さな砥石であっても摩擦を与
えるために大きな動きをするとリング３に接触する。砥
石がリング３に接触すると、実際に研削の対象としたい
半導体ウエハ１を研削できないことがあり、リング３が
研削の妨げになる。その場合、半導体ウエハ１に対して
正確に厚み加工することは難しい。
テージ５上にワーク４を配置すると、研削するための砥
石がリング３に接触してしまうことがある。つまり、比
較的大きな砥石では、ステージ５に対向する方向から半
導体ウエハ１に砥石を接触させるだけで、リング３にも
接触する。また、比較的小さな砥石であっても摩擦を与
えるために大きな動きをするとリング３に接触する。砥
石がリング３に接触すると、実際に研削の対象としたい
半導体ウエハ１を研削できないことがあり、リング３が
研削の妨げになる。その場合、半導体ウエハ１に対して
正確に厚み加工することは難しい。
【０００５】また、図９に示すように、図８と同じ粘着
シート２、リング３およびステージ５に対して、半導体
ウエハ１とは形状が異なり、面積が小さい半導体ウエハ
１ａを使用すると、吸引部６および半導体ウエハ１の隙
間からのリークによって、流入する空気量が増大するの
で、吸着力が低下してしまう。吸着力が充分でないとき
は、研削時の半導体ウエハ１ａが安定にステージ５上に
固定されず、正確な厚み加工処理が難しくなる。
シート２、リング３およびステージ５に対して、半導体
ウエハ１とは形状が異なり、面積が小さい半導体ウエハ
１ａを使用すると、吸引部６および半導体ウエハ１の隙
間からのリークによって、流入する空気量が増大するの
で、吸着力が低下してしまう。吸着力が充分でないとき
は、研削時の半導体ウエハ１ａが安定にステージ５上に
固定されず、正確な厚み加工処理が難しくなる。
【０００６】本発明の目的は、砥石がフレームに接触せ
ず、大きさや形状が異なる半導体ウエハでもステージに
強固に固定することで、正確な厚み加工を実現できる半
導体ウエハの研削装置を提供することである。
ず、大きさや形状が異なる半導体ウエハでもステージに
強固に固定することで、正確な厚み加工を実現できる半
導体ウエハの研削装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
の表面を研削する砥石と、前記半導体ウエハを載置する
伸縮自在のシート、および該シートを張り渡すリング状
のフレームから成るウエハ保持部材と、前記砥石に対向
して配置され、フレームを乗載するための周縁ステージ
部、および断面形状が台形であってその上底が周縁ステ
ージ部の乗載面よりも高い中央ステージ部から成るステ
ージとを備えることを特徴とする半導体ウエハの研削装
置である。
の表面を研削する砥石と、前記半導体ウエハを載置する
伸縮自在のシート、および該シートを張り渡すリング状
のフレームから成るウエハ保持部材と、前記砥石に対向
して配置され、フレームを乗載するための周縁ステージ
部、および断面形状が台形であってその上底が周縁ステ
ージ部の乗載面よりも高い中央ステージ部から成るステ
ージとを備えることを特徴とする半導体ウエハの研削装
置である。
【０００８】本発明に従えば、中央ステージ部は周縁ス
テージ部よりも砥石に近いので、フレームを周縁ステー
ジ部に乗載しようとすると、シートは中央ステージ部に
よって砥石側に押し出されて引き伸ばされる。シートに
支持された半導体ウエハは、中央ステージ部の上底部分
に配置されるので、フレームよりも砥石に近くなり、研
削時に砥石が半導体ウエハだけでなくフレームにも接触
してしまう事態が回避され、正確な厚み加工が可能であ
る。
テージ部よりも砥石に近いので、フレームを周縁ステー
ジ部に乗載しようとすると、シートは中央ステージ部に
よって砥石側に押し出されて引き伸ばされる。シートに
支持された半導体ウエハは、中央ステージ部の上底部分
に配置されるので、フレームよりも砥石に近くなり、研
削時に砥石が半導体ウエハだけでなくフレームにも接触
してしまう事態が回避され、正確な厚み加工が可能であ
る。
【０００９】また本発明は、前記周縁ステージ部は、フ
レームを個別に吸着して固定することを特徴とする。
レームを個別に吸着して固定することを特徴とする。
【００１０】本発明に従えば、周縁ステージ部はフレー
ムだけを吸着するので、フレームは強固に固定される。
このとき、シートを介してフレームに連結する半導体ウ
エハは、シートが引き伸ばされることによって、フレー
ムに対して強固に固定される。よって、半導体ウエハは
周辺ステージおよび中央ステージ部に対しても、しっか
りと固定されることになり、研削の精度を向上すること
ができる。また、異なる大きさ、形状の半導体ウエハに
ついても、フレームは強固に固定されているので、中央
ステージ部に強固に固定することができる。
ムだけを吸着するので、フレームは強固に固定される。
このとき、シートを介してフレームに連結する半導体ウ
エハは、シートが引き伸ばされることによって、フレー
ムに対して強固に固定される。よって、半導体ウエハは
周辺ステージおよび中央ステージ部に対しても、しっか
りと固定されることになり、研削の精度を向上すること
ができる。また、異なる大きさ、形状の半導体ウエハに
ついても、フレームは強固に固定されているので、中央
ステージ部に強固に固定することができる。
【００１１】また本発明は、前記中央ステージ部上に、
弾性材料から成る弾性部材を備えることを特徴とする。
弾性材料から成る弾性部材を備えることを特徴とする。
【００１２】本発明に従えば、半導体ウエハの研削面に
対向する面はシートを介して弾性部材に当接するので、
研削時に衝撃があっても表面を傷つけることがなくな
り、表面を保護することができる。特に、半導体ウエハ
の研削面に対向する面に、予め電極パターンを形成した
後に研削を行う場合は、電極パターンの破損による半導
体チップの動作不良を防止することができ、または半導
体ウエハ加工の歩留まりを向上することができる。
対向する面はシートを介して弾性部材に当接するので、
研削時に衝撃があっても表面を傷つけることがなくな
り、表面を保護することができる。特に、半導体ウエハ
の研削面に対向する面に、予め電極パターンを形成した
後に研削を行う場合は、電極パターンの破損による半導
体チップの動作不良を防止することができ、または半導
体ウエハ加工の歩留まりを向上することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態であ
る研削装置を示す断面図である。研削装置１０は、砥石
１１、ステージ１６およびウエハ保持部材１７を備え、
半導体ウエハ２０の表面を研削するための装置である。
半導体ウエハ２０は、ウエハ保持部材１７上に載置され
て、さらにステージ１６上に配置され、砥石１１によっ
て研削される。
る研削装置を示す断面図である。研削装置１０は、砥石
１１、ステージ１６およびウエハ保持部材１７を備え、
半導体ウエハ２０の表面を研削するための装置である。
半導体ウエハ２０は、ウエハ保持部材１７上に載置され
て、さらにステージ１６上に配置され、砥石１１によっ
て研削される。
【００１４】砥石１１は、回転しながら回転軸の方向に
直線変位することが可能であり、研削前後の半導体ウエ
ハの厚みに合わせて、または研削の進行度合いに合わせ
て、変位を調節できる。砥石１１は内径、外径が異なる
複数の同心円環状のものから成り、研削くずなどが研削
面上にたまることを防止している。
直線変位することが可能であり、研削前後の半導体ウエ
ハの厚みに合わせて、または研削の進行度合いに合わせ
て、変位を調節できる。砥石１１は内径、外径が異なる
複数の同心円環状のものから成り、研削くずなどが研削
面上にたまることを防止している。
【００１５】砥石１１に対向する位置には、中央ステー
ジ部１４および周縁ステージ部１５から成るステージ１
６が配置される。周縁ステージ部１５は、全体では円筒
形状を成し、その上端はリング１３を乗載するためにリ
ング１３に対応して円環状の平面を成す。中央ステージ
部１４は、周縁ステージ部１５に囲まれて円柱形状を成
す。ステージ１６は、砥石１１の回転方向と同じ方向に
回転する。さらにステージ１６の回転軸Ｌ２は、砥石１
１の回転軸Ｌ１に平行で所定距離だけ離れている。よっ
て、半導体ウエハ２０および砥石１１は接触している
間、絶えずその相対速度の方向を変化させるので、砥石
１１によって半導体ウエハ２０はあらゆる方向に摩擦を
受ける。このように、摩擦の方向が偏らないので、半導
体ウエハ２０の表面を均一に研削できる。
ジ部１４および周縁ステージ部１５から成るステージ１
６が配置される。周縁ステージ部１５は、全体では円筒
形状を成し、その上端はリング１３を乗載するためにリ
ング１３に対応して円環状の平面を成す。中央ステージ
部１４は、周縁ステージ部１５に囲まれて円柱形状を成
す。ステージ１６は、砥石１１の回転方向と同じ方向に
回転する。さらにステージ１６の回転軸Ｌ２は、砥石１
１の回転軸Ｌ１に平行で所定距離だけ離れている。よっ
て、半導体ウエハ２０および砥石１１は接触している
間、絶えずその相対速度の方向を変化させるので、砥石
１１によって半導体ウエハ２０はあらゆる方向に摩擦を
受ける。このように、摩擦の方向が偏らないので、半導
体ウエハ２０の表面を均一に研削できる。
【００１６】図２は、図１の研削装置で使用するワーク
を示す平面図である。以下、図１に示したリング１３お
よび粘着シート１２から成るウエハ保持部材１７と半導
体ウエハ２０とを一体にしたものをワーク２１とする。
リング１３は、たとえばＳＵＳ３０４などの材料から成
り、厚み約１ｍｍ、外形１５０ｍｍ、内径１３０ｍｍで
ある。粘着シート１２は、伸縮自在のシートであり、半
導体ウエハ２０を支持するために片面に粘着材料が塗布
されている。たとえば、粘着シート１２の厚みは１３０
μｍで、粘着力は３００ｇ／２５ｍｍである。この粘着
シート１２は、リング１３に張り渡された状態で、さら
に粘着面２２上に半導体ウエハ２０を粘着させる。
を示す平面図である。以下、図１に示したリング１３お
よび粘着シート１２から成るウエハ保持部材１７と半導
体ウエハ２０とを一体にしたものをワーク２１とする。
リング１３は、たとえばＳＵＳ３０４などの材料から成
り、厚み約１ｍｍ、外形１５０ｍｍ、内径１３０ｍｍで
ある。粘着シート１２は、伸縮自在のシートであり、半
導体ウエハ２０を支持するために片面に粘着材料が塗布
されている。たとえば、粘着シート１２の厚みは１３０
μｍで、粘着力は３００ｇ／２５ｍｍである。この粘着
シート１２は、リング１３に張り渡された状態で、さら
に粘着面２２上に半導体ウエハ２０を粘着させる。
【００１７】図３はワーク２１をステージ１６に乗載す
る様子を示す断面図であり、図３（ａ）は乗載前を、図
３（ｂ）は乗載後を示している。ワーク２１をステージ
１６に乗載するためには、リング１３を周縁ステージ部
１５に乗載する。周縁ステージ部１５には、乗載面にだ
け開口する吸気孔３１が設けられており、吸気孔３１を
閉塞するリング１３は、周縁ステージ部１５表面に吸着
される。
る様子を示す断面図であり、図３（ａ）は乗載前を、図
３（ｂ）は乗載後を示している。ワーク２１をステージ
１６に乗載するためには、リング１３を周縁ステージ部
１５に乗載する。周縁ステージ部１５には、乗載面にだ
け開口する吸気孔３１が設けられており、吸気孔３１を
閉塞するリング１３は、周縁ステージ部１５表面に吸着
される。
【００１８】中央ステージ部１４は、周縁ステージ部１
５よりも高く盛り上がっており、その断面形状は台形を
成す。よって、リング１３を周縁ステージ部１５に乗載
しようとすると、中央ステージ部１４に当接した粘着シ
ート１２は砥石１１側に引き伸ばされる。リング１３の
周縁ステージ部１５への乗載が完了すると、中央ステー
ジ部１４の上底部３２上に、粘着シート１２を介して半
導体ウエハ２０が配置される。リング１３の厚みが約１
ｍｍのとき、上底部３２は周縁ステージ部１５表面より
も約２〜３ｍｍ程度高ければよい。
５よりも高く盛り上がっており、その断面形状は台形を
成す。よって、リング１３を周縁ステージ部１５に乗載
しようとすると、中央ステージ部１４に当接した粘着シ
ート１２は砥石１１側に引き伸ばされる。リング１３の
周縁ステージ部１５への乗載が完了すると、中央ステー
ジ部１４の上底部３２上に、粘着シート１２を介して半
導体ウエハ２０が配置される。リング１３の厚みが約１
ｍｍのとき、上底部３２は周縁ステージ部１５表面より
も約２〜３ｍｍ程度高ければよい。
【００１９】また中央ステージ部１４は、多孔質セラミ
ックから成り、吸気される。このように、多孔質セラミ
ックを使用することで、中央ステージ部１４の表面に粘
着シート１２および半導体ウエハ２０を支持すると同時
に吸着することができる。
ックから成り、吸気される。このように、多孔質セラミ
ックを使用することで、中央ステージ部１４の表面に粘
着シート１２および半導体ウエハ２０を支持すると同時
に吸着することができる。
【００２０】図４は図１の研削装置による半導体ウエハ
の研削工程を段階的に示す工程図であり、図５はその研
削工程を段階的に示す断面図である。まず工程ｓ１およ
び図５（ａ）において、リング１３に張り渡された粘着
シート１２の粘着面に半導体ウエハ２０の研削面を仰向
けにして粘着させる。この粘着によって、半導体ウエハ
２０を粘着シート１２に支持させて、同時に半導体ウエ
ハ２０の研削に無関係な裏面を保護する。
の研削工程を段階的に示す工程図であり、図５はその研
削工程を段階的に示す断面図である。まず工程ｓ１およ
び図５（ａ）において、リング１３に張り渡された粘着
シート１２の粘着面に半導体ウエハ２０の研削面を仰向
けにして粘着させる。この粘着によって、半導体ウエハ
２０を粘着シート１２に支持させて、同時に半導体ウエ
ハ２０の研削に無関係な裏面を保護する。
【００２１】次に工程ｓ２および図５（ｂ）において、
リング１３を周縁ステージ部１５に乗載する。乗載する
と、半導体ウエハ２０が粘着シート１２を介して中央ス
テージ部１４の上底部３２上に配置される。この状態
で、砥石１１およびステージ１６を回転させながら、砥
石１１を回転軸の方向にスライドさせて半導体ウエハ２
０に接触させることで研削を行う。
リング１３を周縁ステージ部１５に乗載する。乗載する
と、半導体ウエハ２０が粘着シート１２を介して中央ス
テージ部１４の上底部３２上に配置される。この状態
で、砥石１１およびステージ１６を回転させながら、砥
石１１を回転軸の方向にスライドさせて半導体ウエハ２
０に接触させることで研削を行う。
【００２２】半導体ウエハ２０が所定の厚みに加工され
たら、次に工程ｓ３において、ステージ１６からワーク
２１を取り外し、ワーク２１ごと半導体ウエハ２０の研
削面を洗浄して、エッチングによって研削面をさらに平
滑に加工する。最後に工程ｓ４および図５（ｃ）におい
て、ワーク２１の粘着シート１２から、半導体ウエハ２
０を剥離して、研削が完了する。
たら、次に工程ｓ３において、ステージ１６からワーク
２１を取り外し、ワーク２１ごと半導体ウエハ２０の研
削面を洗浄して、エッチングによって研削面をさらに平
滑に加工する。最後に工程ｓ４および図５（ｃ）におい
て、ワーク２１の粘着シート１２から、半導体ウエハ２
０を剥離して、研削が完了する。
【００２３】図６は、本発明の他の実施形態である研削
装置のステージおよびワークを示す断面図である。図１
の中央ステージ部１４の上底３２上に、さらに弾性材料
から成る弾性部材４１が設けられている。弾性部材４１
は、たとえば厚み数ｍｍ程度である。よって、半導体ウ
エハ２０は粘着シート１２とともに弾性部材４１を介し
て、中央ステージ部１４上に配置されて研削されるの
で、研削の衝撃によって研削面に対向する面を傷つける
ことがなくなる。
装置のステージおよびワークを示す断面図である。図１
の中央ステージ部１４の上底３２上に、さらに弾性材料
から成る弾性部材４１が設けられている。弾性部材４１
は、たとえば厚み数ｍｍ程度である。よって、半導体ウ
エハ２０は粘着シート１２とともに弾性部材４１を介し
て、中央ステージ部１４上に配置されて研削されるの
で、研削の衝撃によって研削面に対向する面を傷つける
ことがなくなる。
【００２４】また弾性部材４１には、複数の貫通孔４２
が全面に渡って形成されており、この貫通孔４２が中央
ステージ部１４表面までの通気孔の役割を果たし、多孔
質セラミックからの吸気による半導体ウエハ２０の吸着
を妨げないようにしている。なお、貫通孔４２の孔径
は、たとえば約１ｍｍ程度である。
が全面に渡って形成されており、この貫通孔４２が中央
ステージ部１４表面までの通気孔の役割を果たし、多孔
質セラミックからの吸気による半導体ウエハ２０の吸着
を妨げないようにしている。なお、貫通孔４２の孔径
は、たとえば約１ｍｍ程度である。
【００２５】このように、リング１３を周縁ステージ部
１５に乗載すると、粘着シート１２は中央ステージ部１
４に当接して引き伸ばされ、半導体ウエハ２０がリング
１３よりも砥石１１に近い位置に配置され、リング１３
に接触することなく半導体ウエハ２０に砥石１１が接触
することなく研削を行うことができる。
１５に乗載すると、粘着シート１２は中央ステージ部１
４に当接して引き伸ばされ、半導体ウエハ２０がリング
１３よりも砥石１１に近い位置に配置され、リング１３
に接触することなく半導体ウエハ２０に砥石１１が接触
することなく研削を行うことができる。
【００２６】また、周縁ステージ部１５は、吸気孔３１
によってリング１３だけを吸着するので、リング１３は
周縁ステージ部１５に強固に固定される。
によってリング１３だけを吸着するので、リング１３は
周縁ステージ部１５に強固に固定される。
【００２７】さらに、半導体ウエハ２０の研削面に対向
する面は粘着シート１２を介して弾性部材４１に当接す
るので、その面を傷つけることがなくなる。
する面は粘着シート１２を介して弾性部材４１に当接す
るので、その面を傷つけることがなくなる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、研削時に
砥石が半導体ウエハだけでなくフレームにも接触してし
まう事態が回避され、研削を容易に行うことができる。
砥石が半導体ウエハだけでなくフレームにも接触してし
まう事態が回避され、研削を容易に行うことができる。
【００２９】また本発明によれば、周縁ステージ部によ
ってフレームだけを個別に吸着させることで、半導体ウ
エハ自体も中央ステージ部に、しっかりと固定されるこ
とになり、研削の精度を向上することができる。
ってフレームだけを個別に吸着させることで、半導体ウ
エハ自体も中央ステージ部に、しっかりと固定されるこ
とになり、研削の精度を向上することができる。
【００３０】さらに本発明によれば、中央ステージ部上
に弾性部材を設けることで、半導体ウエハの研削面に対
向する面を保護することができる。
に弾性部材を設けることで、半導体ウエハの研削面に対
向する面を保護することができる。
【図１】本発明の一実施形態である研削装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１のワークを示す平面図である。
【図３】図２のワークをステージに乗載する様子を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】図１の研削装置による研削工程を段階的に示す
工程図である。
工程図である。
【図５】図１の研削装置による研削工程を段階的に示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態である研削装置のステー
ジおよびワークを示す断面図である。
ジおよびワークを示す断面図である。
【図７】従来の半導体ウエハの研削装置に使用するワー
クを示す平面図である。
クを示す平面図である。
【図８】従来の半導体ウエハの研削装置のステージおよ
びワークを示す断面図である。
びワークを示す断面図である。
【図９】従来の半導体ウエハの研削装置に使用するワー
クを示す平面図である。
クを示す平面図である。
１０ 研削装置 １１ 砥石 １２ 粘着シート １３ リング １４ 中央ステージ部 １５ 周縁ステージ部 １６ ステージ １７ ウエハ保持部材 ２０ 半導体ウエハ ４１ 弾性部材
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面を研削する砥石と、 前記半導体ウエハを載置する伸縮自在のシート、および
該シートを張り渡すリング状のフレームから成るウエハ
保持部材と、 前記砥石に対向して配置され、フレームを乗載するため
の周縁ステージ部、および断面形状が台形であってその
上底が周縁ステージ部の乗載面よりも高い中央ステージ
部から成るステージとを備えることを特徴とする半導体
ウエハの研削装置。 - 【請求項２】 前記周縁ステージ部は、フレームを個別
に吸着して固定することを特徴とする請求項１記載の半
導体ウエハの研削装置。 - 【請求項３】 前記中央ステージ部上に、弾性材料から
成る弾性部材を備えることを特徴とする請求項１記載の
半導体ウエハの研削装置。
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