JPS61208234A - 真空チヤツク - Google Patents
真空チヤツクInfo
- Publication number
- JPS61208234A JPS61208234A JP5003785A JP5003785A JPS61208234A JP S61208234 A JPS61208234 A JP S61208234A JP 5003785 A JP5003785 A JP 5003785A JP 5003785 A JP5003785 A JP 5003785A JP S61208234 A JPS61208234 A JP S61208234A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum chuck
- parts
- air suction
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造工程において、゛ホトレジ
ストをウェハ上に薄く一様に塗布するためにウェハを高
速で回転させる際、そのウェハを吸着、固定する真空チ
ャックに関する。
ストをウェハ上に薄く一様に塗布するためにウェハを高
速で回転させる際、そのウェハを吸着、固定する真空チ
ャックに関する。
従来の技術
一般一半導体装置を製造するには、暗室工程において、
ホトマスク上に描かれたパターンをウェハ表面上に転写
するため等の手段として、ウニノ・表面上に薄く一様に
ホトレジストを塗布する。そのようにホトレジストを塗
布するために、ウェハ表面上にホトレジストを滴下した
後、ウニノ・を高速で回転させてそれによって生じる遠
心力を利用するが、その際ウェハをしっかシと支持、固
定するために真空チャックが使用される。
ホトマスク上に描かれたパターンをウェハ表面上に転写
するため等の手段として、ウニノ・表面上に薄く一様に
ホトレジストを塗布する。そのようにホトレジストを塗
布するために、ウェハ表面上にホトレジストを滴下した
後、ウニノ・を高速で回転させてそれによって生じる遠
心力を利用するが、その際ウェハをしっかシと支持、固
定するために真空チャックが使用される。
第４図は従来の真空チャックの斜視図を示すものである
。１は真空チャック本体である。２は吸気孔である。３
は吸気溝で、吸引される空気の通路として吸気孔２へつ
ながっている。このような真空チャックにおいて、真空
ポンプ等の手段によシ発生させた排気吸引力によりウニ
ノーを吸着、固定する。第６図はウェハ４が真空チャッ
ク本体１に排気吸引力Ｐで吸着、固定された状態を示す
側面図である。
。１は真空チャック本体である。２は吸気孔である。３
は吸気溝で、吸引される空気の通路として吸気孔２へつ
ながっている。このような真空チャックにおいて、真空
ポンプ等の手段によシ発生させた排気吸引力によりウニ
ノーを吸着、固定する。第６図はウェハ４が真空チャッ
ク本体１に排気吸引力Ｐで吸着、固定された状態を示す
側面図である。
発明が解決しようとする問題点
第４図及び第６図かられかるように、ウェハ４と真空チ
ャック１はウェハ４の中央部で接触している。第４図に
おいて同真空チャック１の頂面で、斜線を施した部分が
その接触部分である。ウェハ４の真空チャックとの接触
面は一般的にはチップが形成されないウェハ４の裏面で
あシ、そのような場合は問題はない。しかしながら、た
とえば、バイポーラ半導体集積回路素子の製造工程にお
いて埋込層として砒素を拡散する場合には、ウェハ４の
裏面にも砒素が拡散されないように裏面に酸化膜を残し
ておく必要があるので、埋込層の窓開は前に裏面にレジ
ストを塗布しておかなければならないため、ウェハ４を
裏返しにしてチップが形成されるウニノ・４の上面を真
空チャックで吸着するようになる。そのような場合には
、ウニノ・４と真空チャックとの接触によシウエハ４の
上面に塗布されたホトレジストに傷が発生し、それがパ
ターン欠陥の原因となって、ウェハ４の上面に形成され
るチップに悪影響を及ぼすことになる。特に従来の真空
チャックは、一般的に良品チップが取れる確率が高いウ
ェハ４の中央部で接触するので問題である。また、ホト
レジストがポジタイプの場合は、ネガタイプに比べて一
般的にはがれやすいためその影響は大きい。このように
従来の真空チャックでは、半導体装置の製造工程におい
てウェハ４に悪影響を及ぼして、半導体装置の製造歩留
りを大きく低下させる欠点がある。
ャック１はウェハ４の中央部で接触している。第４図に
おいて同真空チャック１の頂面で、斜線を施した部分が
その接触部分である。ウェハ４の真空チャックとの接触
面は一般的にはチップが形成されないウェハ４の裏面で
あシ、そのような場合は問題はない。しかしながら、た
とえば、バイポーラ半導体集積回路素子の製造工程にお
いて埋込層として砒素を拡散する場合には、ウェハ４の
裏面にも砒素が拡散されないように裏面に酸化膜を残し
ておく必要があるので、埋込層の窓開は前に裏面にレジ
ストを塗布しておかなければならないため、ウェハ４を
裏返しにしてチップが形成されるウニノ・４の上面を真
空チャックで吸着するようになる。そのような場合には
、ウニノ・４と真空チャックとの接触によシウエハ４の
上面に塗布されたホトレジストに傷が発生し、それがパ
ターン欠陥の原因となって、ウェハ４の上面に形成され
るチップに悪影響を及ぼすことになる。特に従来の真空
チャックは、一般的に良品チップが取れる確率が高いウ
ェハ４の中央部で接触するので問題である。また、ホト
レジストがポジタイプの場合は、ネガタイプに比べて一
般的にはがれやすいためその影響は大きい。このように
従来の真空チャックでは、半導体装置の製造工程におい
てウェハ４に悪影響を及ぼして、半導体装置の製造歩留
りを大きく低下させる欠点がある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明は、真空チャック
上部の面より突起した少くとも３個の部分にそれぞれ吸
気孔を設けると共に、それらを吸着されたウェハ表面上
のモニターパターン位置と同じ部分に配置するというも
のである。
上部の面より突起した少くとも３個の部分にそれぞれ吸
気孔を設けると共に、それらを吸着されたウェハ表面上
のモニターパターン位置と同じ部分に配置するというも
のである。
作 用
この構造による作用は次のようになる。
すなわち、ウェハを吸着する部分を真空チャック上部の
面より突起させ、かつそれらの吸着部を３個設けること
によシ、ウェハを安定に支持しながら接触部分の面積を
かなシ少なくすることができる。さらに、それらの吸着
部をウェハ表面上のモニターパターンの存在する部分に
配置することによシ、製品となるべき通常のチップへの
悪影響がその分緩和されるようになる。また、モニター
ずくターンはウェハ上で比較的不良チップの存在する確
率の高い周辺部に配置されているので、従来の真空チャ
ックに比較して、その点に関しても悪影響が少なくなる
ようになっている。
面より突起させ、かつそれらの吸着部を３個設けること
によシ、ウェハを安定に支持しながら接触部分の面積を
かなシ少なくすることができる。さらに、それらの吸着
部をウェハ表面上のモニターパターンの存在する部分に
配置することによシ、製品となるべき通常のチップへの
悪影響がその分緩和されるようになる。また、モニター
ずくターンはウェハ上で比較的不良チップの存在する確
率の高い周辺部に配置されているので、従来の真空チャ
ックに比較して、その点に関しても悪影響が少なくなる
ようになっている。
このようにして、ウェハと真空チャックとの接触による
ウェハ上のチップへの悪影響が極力少なくなるようにし
ている。
ウェハ上のチップへの悪影響が極力少なくなるようにし
ている。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の実施例における真空チャックの斜視図
を示すもので、６は真空チャックの本体、６は本体５の
上部の面よシ数■突起した吸着部、７はその吸着部に設
けられた吸気孔である。この −ようを真空チャックに
おいて、真空ポンプ等の手段によシ発生させた排気吸引
力Ｐにより、吸着部６の吸気孔７がら空気を吸引しウェ
ハ４を吸着、固定する。第２図及び第３図はそのように
ウェハ４が吸着、固定された状態を示す、それぞれ側面
図及び平面図である。第３図において、８はウェハ４の
上面に形成されたモニターパターンである。
を示すもので、６は真空チャックの本体、６は本体５の
上部の面よシ数■突起した吸着部、７はその吸着部に設
けられた吸気孔である。この −ようを真空チャックに
おいて、真空ポンプ等の手段によシ発生させた排気吸引
力Ｐにより、吸着部６の吸気孔７がら空気を吸引しウェ
ハ４を吸着、固定する。第２図及び第３図はそのように
ウェハ４が吸着、固定された状態を示す、それぞれ側面
図及び平面図である。第３図において、８はウェハ４の
上面に形成されたモニターパターンである。
また、吸着部６で斜線を施した部分がウェハ４との接触
部分である。その部分を第４図の斜線を施した部分と比
較すれば明らかなように、実施例ではウェハ４との接触
部分の面積が著しく少なくなっている。しかも、実施例
では、ウェハ４との接触部分がほぼモニターパターンの
部分に当たるようになっておシ、製品となるべき通常の
チップへの悪影響が低減されている。尚、モニターパタ
ーンへの接触による悪影響はほとんどなく問題はない。
部分である。その部分を第４図の斜線を施した部分と比
較すれば明らかなように、実施例ではウェハ４との接触
部分の面積が著しく少なくなっている。しかも、実施例
では、ウェハ４との接触部分がほぼモニターパターンの
部分に当たるようになっておシ、製品となるべき通常の
チップへの悪影響が低減されている。尚、モニターパタ
ーンへの接触による悪影響はほとんどなく問題はない。
また、実施例では吸着部が３個の場合を示したが、吸着
部が４個の場合でも、ウェハ上でのモニターパターンの
位置を変更し吸着部の位置と合わせることによシ、３個
の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
部が４個の場合でも、ウェハ上でのモニターパターンの
位置を変更し吸着部の位置と合わせることによシ、３個
の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、突起した吸着部にてつエバを吸
着、固定し、かつ、それらの吸着部をウェハ表面のモニ
ターパターンの部分に設けることによシ、ウェハと真空
チャックとの接触によるウェハ上に形成されたチップへ
の悪影響を大幅に低減することができ、半導体装置の製
造歩留と品質を高めることができる。
着、固定し、かつ、それらの吸着部をウェハ表面のモニ
ターパターンの部分に設けることによシ、ウェハと真空
チャックとの接触によるウェハ上に形成されたチップへ
の悪影響を大幅に低減することができ、半導体装置の製
造歩留と品質を高めることができる。
第１図は本発明の一実施例の真空チャックの斜視図、第
２図は同真空チャックのウェハ吸着時の側面図、第３図
は同真空チャックのウェハ吸着時の平面図、第４図は従
来の真空チャックの斜視図、第５図は同真空チャックの
ウェハ吸着時の側面図である。 ４・・・・・・ウェハ、５・・・・・・真空チャック本
体、６・・・・・・吸着部、７・・・・・・吸気孔、８
・・・・・・モニターパターン０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ７戚久犯 第３図 ６販着祁 第４図 第５図
２図は同真空チャックのウェハ吸着時の側面図、第３図
は同真空チャックのウェハ吸着時の平面図、第４図は従
来の真空チャックの斜視図、第５図は同真空チャックの
ウェハ吸着時の側面図である。 ４・・・・・・ウェハ、５・・・・・・真空チャック本
体、６・・・・・・吸着部、７・・・・・・吸気孔、８
・・・・・・モニターパターン０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ７戚久犯 第３図 ６販着祁 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）所定の領域に複数個の半導体素子とモニターパタ
ーンが形成された半導体ウェハを空気吸引力を利用して
吸着する真空チャックにおいて、少なくとも３個の、そ
れぞれに吸気孔が設けられた突起部がその上部に配置さ
れていることを特徴とする真空チャック。 - （２）突起部が、それらの上に吸着された半導体ウェハ
表面上のモニターパターンの存在する部分に配置されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空
チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5003785A JPS61208234A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 真空チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5003785A JPS61208234A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 真空チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208234A true JPS61208234A (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=12847798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5003785A Pending JPS61208234A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 真空チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208234A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285733A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン転写装置 |
| JPS63229732A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板真空吸着機構 |
| JPH0373449U (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-24 | ||
| EP0834906A2 (en) * | 1996-10-03 | 1998-04-08 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Device for transferring a semiconductor wafer |
| KR100614791B1 (ko) * | 2001-03-15 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 진공도 측정 장치 및 이를 이용한 진공도 측정 방법 |
| CN111347261A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 上海交通大学 | 用于飞机薄壁件的多孔柔性工装吸盘 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP5003785A patent/JPS61208234A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61285733A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン転写装置 |
| JPS63229732A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板真空吸着機構 |
| JPH0373449U (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-24 | ||
| EP0834906A2 (en) * | 1996-10-03 | 1998-04-08 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Device for transferring a semiconductor wafer |
| EP0834906A3 (en) * | 1996-10-03 | 2002-04-03 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Device for transferring a semiconductor wafer |
| KR100614791B1 (ko) * | 2001-03-15 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 진공도 측정 장치 및 이를 이용한 진공도 측정 방법 |
| CN111347261A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 上海交通大学 | 用于飞机薄壁件的多孔柔性工装吸盘 |
| CN111347261B (zh) * | 2018-12-21 | 2022-06-10 | 上海交通大学 | 用于飞机薄壁件的多孔柔性工装吸盘 |
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