JP2000153455A - 真空吸着用ヘッド - Google Patents
真空吸着用ヘッドInfo
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- JP2000153455A JP2000153455A JP10325448A JP32544898A JP2000153455A JP 2000153455 A JP2000153455 A JP 2000153455A JP 10325448 A JP10325448 A JP 10325448A JP 32544898 A JP32544898 A JP 32544898A JP 2000153455 A JP2000153455 A JP 2000153455A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- spherical
- head
- annular wall
- head body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
少ない真空吸着用ヘッドを提供する。 【解決手段】 吸引口を有する底面と周壁とによって画
成された凹部に、少なくとも一部に球面を持つ接触体を
少なくとも3個配設し、吸着目的物の背面をそれらの接
触体の前記球面に点接触させることによって、前記吸着
目的物を吸着するように構成されていることを特徴とす
る。
Description
置、描画装置および各種プロセス製造装置等に用いられ
る真空吸着装置に関し、さらに詳しくは、その真空吸着
装置の真空吸着用ヘッドに関するものである。
ヘッドが図5に示されている。この真空吸着用ヘッド1
は、同図に示すように、図示しない真空ポンプに連通さ
れる中空部2を有している。また、この真空吸着用ヘッ
ド1では、上面周縁に環状壁(周壁)3が形成され、該
環状壁3によって画成される凹部4内には多数のピン
(接触体)5が立設されている。さらに、凹部4の底面
には、前記中空部2に連通する通気孔6が形成されてい
る。そして、この真空吸着用ヘッド1では、吸着目的物
である例えば半導体ウェーハWがそれらのピン5の先端
(接触部)と環状壁3の上面とによって受け止められ、
それらによって画成される空間を負圧にすることによっ
てピン(接触体)5の先端および環状壁3の上面に半導
体ウェーハWの背面を接触させるようにして、半導体ウ
ェーハWを真空吸着している。
体ウェーハWを吸着する真空吸着用ヘッド1にあって
は、凹部4内に立設された多数のピン5の先端が面一と
なっていることが必要である。これらのピン5の先端が
面一となっていないと、吸着した場合、半導体ウェーハ
Wが部分的に撓んでしまうことになる。そして、この撓
みが生じると、例えばフォトリソグラフィ工程等にあっ
てはマスクパターンが正確に転写されないなどの問題が
生じる。また、ピン5の先端が面一となっていないとピ
ン5のエッジによって半導体ウェーハWを傷つけたりす
るおそれがあるからである。
5の先端を面一にすること、また、面一に保つことが困
難である。すなわち、多数のピン5の先端は、マスクを
使用してブラスト法によって形作られ、最後にその先端
を研磨することによって面一となるようにされるが、ブ
ラスト法で形作られる多数のピン5の中には当初から形
崩れしたものが存在したり、また、研磨中の研磨クロス
の撓みもあり、多数のピン5の先端を当初から面一とす
ることは困難である。また、当初は面一だった多数のピ
ン5も、使い続けているうちに欠けたり、摩耗したりす
るので、多数のピン5の先端を長く面一に保つことが困
難である。
ハWの背面を支持する場合には、汚染が極力生じないよ
うにする必要があるが、ピン5の先端は小さいとはい
え、面を構成するため、半導体ウェーハWの背面と面接
触となるため、半導体ウェーハWの背面が汚染されると
いう問題もある。
ので、接触部を面一に形成しやすく、かつ形崩れが少な
い真空吸着用ヘッドを提供することを一の目的としてい
る。また、汚染が少ない真空吸着用ヘッドを提供するこ
とを他の目的としている。さらに、ゴミの挟込みを極限
まで少なくすることができる汚染が少ない真空吸着用ヘ
ッドを提供することを他の目的とする。
用ヘッドは、吸引口を有する底面と周壁とによって画成
された凹部に、少なくとも一部に球面を持つ接触体を少
なくとも3個配設し、吸着目的物の背面をそれらの接触
体の前記球面に点接触させることによって、前記吸着目
的物を吸着するように構成されていることを特徴とす
る。この場合の接触体は真空吸着用ヘッドのヘッド本体
と当初から一体となっていても良いし、ヘッド本体と当
初は別体にしておき、ヘッド本体の凹部に後から設ける
ようにしても良い。この真空吸着用ヘッドによれば、接
触部の加工の際の形崩れが少ないので、接触体間の接触
部を面一に構成できる。また、接触体の剛性をピンの場
合と比べて高くすることができるので、使用を続けた場
合でも、形崩れが少なく、長い間、接触体間の接触部を
面一に保つことができる。したがって、常に、吸着目的
物の背面を接触体の接触部に点接触させることができ、
吸着目的物の汚染を少ないものとすることができる。
口を有する平らな底面と周壁とによって画成された凹部
に、同一径の球状接触体を少なくとも3個配設し、吸着
目的物の背面をそれらの球体接触体の表面に点接触させ
ることによって、前記吸着目的物を吸着するように構成
されていることを特徴とする。この真空吸着用ヘッドに
よれば、接触部の加工の際の形崩れが少ないので、接触
体間の接触部を面一に構成できる。また、この真空吸着
ヘッドによれば、精度の高い、底面の平面加工と球面加
工との組み合わせによって、容易に、接触体間の接触部
を面一に構成できる。さらに、接触体の剛性をピンの場
合と比べて高くすることができるので、使用を続けた場
合でも、形崩れが少なく、長い間、接触体間の接触部を
面一に保つことができる。したがって、常に、吸着目的
物の背面を接触体の接触部に点接触させることができ、
吸着目的物の汚染を少ないものとすることができる。
口を有する平らな底面と周壁とによって画成された凹部
に、同一径の球状接触体をほぼ等間隔に多数配設し、吸
着目的物の背面をそれらの球体接触体の表面に点接触さ
せることによって、前記吸着目的物を吸着するように構
成されていることを特徴とする。この真空吸着用ヘッド
によれば、請求項2記載の真空吸着用ヘッドと同様の効
果が得られることは勿論のこと、球状接触体をほぼ等間
隔に多数配設しているので、吸着目的物の支持が一様に
行えることになる。
空吸着用ヘッドの一の実施形態が示されている。この真
空吸着用ヘッドのヘッド本体10は、円板状をなし、下
部に中空部11を備えている。この中空部11は、パイ
プ12を介して図示しない真空ポンプに連通されてい
る。また、ヘッド本体10の上面には、適宜な数の吸引
口13が形成されている。これらの吸引口13は通気孔
14を介して中空部11に連通されている。
環状壁15が形成されている。この環状壁15はヘッド
本体10と当初から一体に構成されていても、当初はヘ
ッド本体10とは別に構成し後から取り付けたものでも
良い。この環状壁15は、外周シール部を構成してい
る。この環状壁15によって画成されたヘッド本体10
の凹部16内には、図2に示したように、前記環状壁1
5の高さと等しい直径の球状接触体17が等間隔に目一
杯詰め込まれている。この場合の球状接触体17の直径
は5mm以下、球体接触体17の間隔は5mm以下とす
ることが好ましい。球体接触体17の間隔が5mm以下
であれば、吸着目的物が半導体ウェーハである場合に
も、真空吸着による半導体ウェーハの歪みが無視できる
程度に収まるからである。また、球状接触体17は金
属、セラミック、ガラスまたは樹脂等によって構成され
ているが、汚染が問題となる場合には、表面に汚染のな
いコーティング膜を形成しても良い。
では、図2に示したように、球状接触体17の表面
(点)と環状壁15の上面にわたって吸着目的物、例え
ば半導体ウェーハWが載置された状態で、図示しない真
空ポンプを駆動し、該真空ポンプによって中空部11の
空気を吸引する。すると、上記ヘッド本体l0と半導体
ウェーハWと球状接触体17とによって画成された空間
の空気が吸引口13から中空部11へ吸引され、該空間
は負圧になる。その結果、半導体ウェーハWは球状接触
体17の表面(点)と環状壁15の上面で受け止められ
た状態で、真空吸着用ヘッド10に吸着される。
体17の接触部は球面となっているため加工の際の形崩
れが少なく、球状接触体17,17間の接触部を面一に
構成できる。また、この真空吸着ヘッドによれば、精度
の高い、底面の平面加工と球面加工との組み合わせによ
って、容易に、接触体間の接触部を面一に構成できる。
さらに、接触体の剛性をピンの場合と比べて高くするこ
とができるので、使用を続けた場合でも、形崩れが少な
く、長い間、球状接触体17,17間の接触部を面一に
保つことができる。したがって、常に、吸着目的物の背
面を球状接触体17の接触部に点接触させることがで
き、吸着目的物の汚染も少ないものとすることができ
る。
3を有する平らな底面と環状壁15とによって画成され
た凹部16に、同一径の球状接触体17をほぼ等間隔に
多数配設したので、吸着目的物の支持が一様に行えるこ
とになる。
10の凹部16に単に収容させているだけであってもよ
いが、球状接触体17が凹部16から脱出しないよう
に、図3に示したように、接着剤18によって底面を凹
部16の底面に接着させてもよく、図4に示したよう
に、相隣合う球状接触体17,17の側面を接着剤18
によって互いに接着させてもよい。
をもって配置させてもよい。
7を用いているが、少なくとも接触部およびその周辺部
分が球面となっていればよい。
のによれば、吸引口を有する底面と周壁とによって画成
された凹部に、少なくとも一部に球面を持つ接触体を少
なくとも3個配設し、吸着目的物の背面をそれらの接触
体の前記球面に点接触させることによって、前記吸着目
的物を吸着するように構成されているので、加工の際の
形崩れが少なく、接触体間の接触部を面一に構成でき
る。また、接触体の剛性をピンの場合と比べて高くする
ことができるので、使用を続けた場合でも、形崩れが少
なく、長い間、接触体間の接触部を面一に保つことがで
きる。したがって、常に、吸着目的物の背面を接触体の
接触部に点接触させることができ、吸着目的物の汚染も
少ないものとすることができる。
を示したもので、そのヘッド本体を示した斜視団であ
る。
せた状態を示した断面図である。
を示した要部拡大断面図である。
部拡大断面図である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 吸引口を有する底面と周壁とによって画
成された凹部に、少なくとも一部に球面を持つ接触体を
少なくとも3個配設し、吸着目的物の背面をそれらの接
触体の前記球面に点接触させることによって、前記吸着
目的物を吸着するように構成されていることを特徴とす
る真空吸着用ヘッド。 - 【請求項2】 吸引口を有する平らな底面と周壁とによ
って画成された凹部に、同一径の球状接触体を少なくと
も3個配設し、吸着目的物の背面をそれらの球体接触体
の表面に点接触させることによって、前記吸着目的物を
吸着するように構成されていることを特徴とする真空吸
着用ヘッド。 - 【請求項3】 吸引口を有する平らな底面と周壁とによ
って画成された凹部に、同一径の球状接触体をほぼ等間
隔に多数配設し、吸着目的物の背面をそれらの球体接触
体の表面に点接触させることによって、前記吸着目的物
を吸着するように構成されていることを特徴とする真空
吸着用ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10325448A JP2000153455A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 真空吸着用ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10325448A JP2000153455A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 真空吸着用ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000153455A true JP2000153455A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18176986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10325448A Pending JP2000153455A (ja) | 1998-11-16 | 1998-11-16 | 真空吸着用ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000153455A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021525394A (ja) * | 2018-06-05 | 2021-09-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クライオスタット及び超電導コイルの層を含むアセンブリ及び当該アセンブリが設けられたモータシステム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070179A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Canon Inc | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
JPH11330216A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-30 | Nikon Corp | 基板ホルダおよび露光装置 |
-
1998
- 1998-11-16 JP JP10325448A patent/JP2000153455A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1070179A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Canon Inc | 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 |
JPH11330216A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-30 | Nikon Corp | 基板ホルダおよび露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021525394A (ja) * | 2018-06-05 | 2021-09-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クライオスタット及び超電導コイルの層を含むアセンブリ及び当該アセンブリが設けられたモータシステム |
JP7110402B2 (ja) | 2018-06-05 | 2022-08-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クライオスタット及び超電導コイルの層を含むアセンブリ及び当該アセンブリが設けられたモータシステム |
US11592756B2 (en) | 2018-06-05 | 2023-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Assembly comprising a cryostat and layer of superconducting coils and motor system provided with such an assembly |
US11860553B2 (en) | 2018-06-05 | 2024-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Assembly comprising a cryostat and layer of superconducting coils and motor system provided with such an assembly |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041015 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051017 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090331 |