JPH1070179A - 基板保持装置およびこれを用いた露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ等の基板を保持する接触面へのごみの
影響を少なくするとともにごみが付着したとしても容易
にかつ迅速にごみを除去することができる半導体露光装
置等の基板保持装置を実現する。 【解決手段】 基板保持装置のチャック本体１の凹所１
ａ内に複数の球体２を配置して、基板８を球体２の頂点
部で支持して吸着保持するようになし、複数の球体２を
所定の間隔に維持するリテーナ３は、チャック本体１の
凹所１ａ内に移動可能に配設され、駆動機構６の作動に
よって移動しうるように構成される。球体２とリテーナ
３の孔３ａとの間には、球体２の表面に圧接されたカバ
ー兼除去部材４が設けられている。球体２はリテーナ３
の移動に応じて回転し、基板との接触部である頂点部は
適宜変化し、また球体２に付着したごみ９は、カバー兼
除去部材４によって掻き取られ、ごみを迅速に除去する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おいてウエハ等の基板を露光する露光装置等の基板を保
持する基板保持装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造のための半導体の露光装置に
おいては、光源の光によって露光用のマスクに照射し、
その照射されたマスクのパターンの像をウエハ等の基板
上のフォトレジストに投影して露光するようにしてい
る。

【０００３】そして、半導体素子の微細化、高集積化が
進むにつれて、高精度の半導体露光装置が要請され、露
光装置における基板保持装置においても、ウエハ等の基
板に接触する基板保持面の表面は高い平面度を有し、こ
れに吸着される基板の平面度を矯正するようにしてい
る。そして、ＬＳＩを製造する際には、何種類ものマス
クのパターンを基板上に露光することを要し、同じ基板
の同じ位置に別の種類のマスクのパターンを露光するこ
とになるので、基板上のアライメントマークとマスクの
アライメントマークを位置決めした後に露光が行なわれ
ている。

【０００４】ところで、ごみや異物等が基板保持手段上
に付着している場合、このごみや異物のために、基板
（ウエハ）は凸状になって局部的に平坦度が悪くなる。
またこの場合にごみ等の付着によって凸状となった部分
ではウエハの面内方向に位置ずれが発生することにな
る。これに関して、K.Simon ，H.-U.Scheunemann，H.-
L.Huber／F.Gabeli著「ＳＰＩＥ Vol.１９２４」
（１９９３）ｐｐ．２８２〜２８９によれば、３μｍの
スペーサーがウエハ（４インチ）と基板保持手段の間に
存在した場合に、二重露光によって、１００ナノメータ
ーの位置ずれが生じることが分かっている。したがっ
て、露光時あるいはアライメント時にこのような位置ず
れが生じることによって、オーバーレイ（重ね合わせ）
精度に悪影響を及ぼすという問題があった。

【０００５】このような問題点を解決する手段として
は、特公昭６０−１５１４７号公報に記載されているよ
うな、ウエハまたは保持手段のどちらかに付着したごみ
の影響を減らすべく、ウエハと保持手段の接触面を少な
くしたピンチャックによる基板保持手段が知られてい
る。

【０００６】この従来の基板保持手段は、図７に示す構
造を備えており、基板保持手段本体１０２に本体１０２
内の空間を負圧にすべく吸引するための真空配管１０３
を連結するとともに直径０．０２５〜０．０３８ｃｍ程
度のピン１０１を複数個本体１０２内に立設して、ウエ
ハ等の基板１０４を基板保持手段本体１０２および複数
のピン１０１によって支持して吸着保持するものであっ
て、ウエハと保持手段の接触面を少なくして、ウエハま
たは保持手段のどちらかに付着したごみの影響を減らそ
うとするものである。そして、この基板保持手段による
ウエハと保持手段の接触面積は、面全体で吸着保持する
形式のものと比較して、約１割程度に減少させており、
基板保持手段またはウエハにごみが付着したとしても、
ごみによる影響は約１割の影響しか受けなくなる。しか
し、このようなピンチャックによる基板保持手段におい
ても、ピンの先端にごみや異物が付着してくると、基板
保持手段のクリーニングを行なう必要があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術による
ピンチャックは、基板の全面を吸引用の溝以外の面で吸
着保持する形式の真空チャックに比べて、ごみの影響を
少なくすることができるけれども、この種のピンチャッ
クにおいても直径０．０２５〜０．０３８ｃｍ程度のピ
ンの先端にごみや異物が付着する。そして、ごみ等が付
着してくると、ピンチャックのクリーニングを行なう必
要があり、このクリーニングは、ピンチャックを装置か
ら取り外して洗浄を行なうか、あるいは洗浄液を用いて
ブラシスクラバーでクリーニングする等の方法をとる必
要があり、これらのクリーニング方法では、装置を長時
間止める必要があり、装置の稼働時間を短くさせてしま
うという未解決な課題があった。

【０００８】そこで、本発明は、上記従来技術の有する
未解決な課題に鑑みてなされたものであって、半導体製
造装置において、基板保持装置へのごみや異物の影響を
少なくし、さらにごみ等が基板との接触面に付着しても
容易にごみ等の影響をなくすことが可能な基板保持装置
およびこれを用いた露光装置を提供することを目的とす
るものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板保持装置は、ウエハ等の基板を保持す
る基板保持装置本体と該本体内に配設されて前記基板を
支持する接触面を有する複数の部材とからなり、基板を
吸着して保持する基板保持装置において、前記部材の接
触面を変えることができるようにしたことを特徴とす
る。

【００１０】また、本発明の基板保持装置は、基板を支
持する接触面を有する部材が球体または回転ローラであ
ることが好ましく、さらに球体または回転ローラを回転
させるための機構を備えていることが好ましい。

【００１１】さらに、本発明の基板保持装置は、ウエハ
等の基板を吸着して保持する基板保持装置本体と、該本
体内に配設されて前記基板を支持する複数の球体と、該
複数の球体を所定の間隔をもって回転可能に保持し、か
つ前記本体内で移動可能に設けられたリテーナと、該リ
テーナに連結され、リテーナを移動させるための駆動機
構とからなり、前記駆動機構の作動によるリテーナの移
動によって前記球体を回転させるようにしたことを特徴
とする。

【００１２】さらに、本発明の基板保持装置は、ウエハ
等の基板を吸着して保持する基板保持装置本体と、該本
体内に配設されて前記基板を支持する複数の回転ローラ
と、該複数の回転ローラを所定の間隔をもって回転可能
に保持し、かつ前記本体内で移動可能に設けられたリテ
ーナと、該リテーナに連結され、リテーナを移動させる
ための駆動機構とからなり、前記駆動機構の作動による
リテーナの移動によって前記回転ローラを回転させるよ
うにしたことを特徴とする。

【００１３】そして、本発明の基板保持装置は、基板を
支持する部材の表面に圧接して、接触面の移動により接
触面に付着したごみや異物を除去することが可能な除去
部材を備えていることが望ましく、さらに高圧ガス吹き
付け機構、ごみ集塵機構あるいは粘着部材を用いてごみ
を除去することが望ましい。

【００１４】また、本発明の半導体露光装置は、ウエハ
等の基板を保持する基板保持装置本体と該本体内に配設
されて基板を支持する接触面を有する複数の部材とから
なり、前記部材の接触面を変えることができるようにし
た基板保持装置と、この基板保持装置により保持された
基板を露光する露光手段を有することを特徴とする。

【００１５】

【作用】本発明の基板保持装置によれば、球体や回転ロ
ーラ等の部材により基板を保持するようになし、そして
基板を保持する接触面を、球体や回転ローラ等の回転に
より、変えることができるようにする。これにより、従
来のピンチャックよりも接触面積を小さくすることがで
きるとともに接触面にごみが付着したとしても接触面を
変えることにより、ごみの付着していない新たな面で基
板を保持することができ、ごみの影響を容易に排除する
ことができる。

【００１６】また、ごみや異物が基板保持部に付着して
も、簡単にかつ迅速にごみを除去することができ、装置
の稼働率を向上させることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００１８】図１は本発明の基板保持装置の一実施例を
示し、（ａ）はその模式上面図であり、（ｂ）および
（ｃ）はＡ−Ａ線断面の拡大端面図である。本実施例に
おける基板保持装置は、ウエハ等の基板８を吸着保持す
るチャック本体（基板保持装置本体）１と、チャック本
体１内の凹所１ａに配置され、リテーナ３によって互い
に所定の間隔をもって保持された複数の球体２とを有
し、チャック本体１には凹所１ａの底部に真空配管７が
設けられ、チャック本体１内の凹所１ａに配置された球
体２は、凹所１ａの底部に載置されて、その頂点部にお
いて基板８に接触して、チャック本体１とともに基板８
を平坦に支持するように形成されている。そして複数の
球体２を所定の間隔に維持するリテーナ３は、複数の球
体２をそれぞれ回転自在に受け入れる孔３ａを有し、そ
して駆動機構６に連結されており、駆動機構６の作動に
よってチャック本体１の凹所１ａ内で移動し得るように
構成されている。またリテーナ３において、その孔３ａ
と球体２の間には、両者の間隙をカバーしかつ球体２の
表面に圧接されたカバー兼除去部材４を設け、このカバ
ー兼除去部材４は、球体２の表面にごみや異物が付着し
た場合に球体２の回転による球体２との摺接によってご
み等を掻取り除去し、さらにごみや異物がその間隙から
球体の下方のチャック本体部に集まらないようにするた
めのカバーの機能も行なうものであり、またリテーナ３
の表面には、カバー兼除去部材４によってごみ等が掻取
り除去されたときに集塵するために吸着部材５を配設す
る。

【００１９】複数配列された球体２は、チャック本体１
の凹所１ａの底部に載置され、その頂点部で基板８に接
触して基板８を平坦に支持するものであり、その径を高
精度に加工することができかつ回転しても径方向の変化
が少なく平面矯正に問題とならないような球体を選択し
て使用する。そしてリテーナ３によって維持される球体
２の間隔は、基板８を真空配管７による吸引により真空
吸着しても基板８の変形がないように配置することを要
し、基板の剛性と吸着の程度に応じて設定する。このよ
うに球体２を配置することにより、ごみ等がない状態に
おいては、球体２は基板８とほぼ点接触の態様で基板８
を支持し、基板８を平面に矯正することができる。した
がって、球体２と基板８は点接触であるために、基板保
持装置に一定量のごみが付着した場合においてもごみが
球体の頂点部に付着する可能性は非常に少なくなる。こ
のように球体を用いて基板を吸着することにより、ピン
チャックに比べても、ごみの影響は非常に少なくなる。

【００２０】また、リテーナ３に連結された駆動機構６
は、チャック本体１内の凹所１ａ内に配設されたリテー
ナ３を、例えば図１の（ｂ）に矢印で示す方向に、移動
させて、リテーナ３に保持されている複数の球体２を間
接的に回転させるものであり、駆動機構６によってリテ
ーナ３が移動されると、球体２は、チャック本体１の底
部との摩擦によって回転することとなる。ここで、球体
２とチャック本体１との間の摩擦力は、球体２の表面に
対して圧接されたカバー兼除去部材４と球体２との間の
摩擦力よりも大きくなるように設定し、具体的には、チ
ャック本体１およびカバー兼除去部材４の材質やカバー
兼除去部材４の球体への押しつけ力を考慮して設定す
る。

【００２１】以上のような構成を備えた基板保持装置に
よって、球体２の頂点部で点接触的に基板を保持し基板
の平面度を矯正するために、従来のピンチャックよりも
接触面積が小さく、ごみや異物の影響を少なくすること
ができる。

【００２２】また、このような点接触に近い状態で基板
を矯正する基板保持手段であってもごみ等が球体の頂点
部に付着することがあり、この場合には基板と球体の頂
点の間にごみが介在することとなるので、基板の平坦度
が悪くなり、これによって、オーバーレイ（重ね合わ
せ）精度に悪影響を及ぼすこととなる。しかし、本実施
例においては、球体の頂点部にごみが付着したとして
も、次に述べるように容易にかつ迅速にごみの影響を排
除することができる。すなわち、駆動機構６の作動によ
りリテーナ３を移動させて、球体２を回転させることに
よって、球体２の頂点部の基板８との接触面を直ちに変
えることができ、ごみ等の付着していない新たな部分で
基板を保持することができる。そして、球体２に付着し
ているごみ９（図１の（ｃ）参照）は、球体２の回転に
より、球体２の表面へ圧接され押し付けられているカバ
ー兼除去部材４のエッジと接触することによって、球体
２の表面から掻き取ることができる。この球体２から掻
き取られたごみ９は、リテーナ３の表面を覆っている吸
着部材５に吸着され、集塵される。なお、ここでごみを
除去するための球体の回転量は、球体２の表面がカバー
兼除去部材４から突出している円弧の長さ以上で、球体
が一回転する量までの範囲となるように設定する。この
ような作動を行なわせることにより、ごみを球体の頂点
部（基板と球体との接触位置）から簡単に取ることがで
きるので、この状態で基板を吸着すれば、良好な平面度
に基板を矯正することができる。

【００２３】そして、この球体２の回転による基板との
接触面の変動およびごみの除去作動は、基板をチャッキ
ングする前に毎回行なってもよいし、またごみの影響で
歩留りあるいはオーバーレイ精度に悪影響を及ぼすこと
が分かった後に行なってもよい。

【００２４】次に、図２は本発明の基板保持装置の第２
の実施例を示し、高圧ガスによってごみの除去を行なう
ようになしたものであり、先の実施例に示した基板保持
装置と同様の構成を備えた基板保持装置のチャック本体
１に対して、高圧ガスヘッド１１をその上方に位置付け
て、チャック本体１全体に高圧ガスヘッド１１から高圧
ガス１０を吹き付けて、球体２に付着しているごみを除
去するものである。

【００２５】また、この実施例においては、ごみの除去
に際して、単に高圧ガスを吹き付けるだけでなく、次の
ように二つの方法を組み合わせることにより、ごみの除
去に一層の効果が期待できる。

【００２６】すなわち、その一つの方法としては、第１
の実施例のように駆動機構６により球体２を間接的に回
転させて、カバー兼除去部材４と球体２の接触によるご
みを掻き取る動作と同時に、高圧ガスの吹き付けを行な
う方法であり、そしてさらに別の方法としては、高圧ガ
スの吹き付けと同時にチャック本体１の真空引きを行な
うことによって、球体２やチャック本体１から取られた
ごみを真空配管よりポンプ側に排気する方法であり、こ
の際に配管の途中に集塵可能なフィルター等を用いるこ
とが好ましい。

【００２７】以上述べたように、この実施例において
は、基板保持面から一度にごみを除去することが可能と
なり、効率的に除去することができ、さらに吸着部材５
以外の所に溜まったごみも取り除くことが可能となる。

【００２８】さらに、図３は本発明の基板保持装置の第
３の実施例を示し、ごみを除去する際に粘着部材１２を
用いるものであり、他の構成は第１の実施例のものと同
様の構成を有している。粘着部材１２は、基板吸着箇所
に接触させて、基板を吸着する場合の表面と平行な方向
に図示しない駆動機構によって移動しうるように構成さ
れている。

【００２９】この実施例において、基板保持装置に付着
したごみの除去を行なう場合に、粘着部材１２を基板吸
着箇所に接触させ、基板を吸着する基板保持表面と平行
な方向に図示しない駆動機構によって移動させることに
より、ごみを粘着部材１２の表面に付着させる。この実
施例においても、粘着部材を用いて、ごみをチャック本
体から取り除いてしまうものであり、ごみがチャック本
体のある場所に溜まることがない。

【００３０】次に、図４は、本発明の基板保持装置の第
４の実施例を示し、図４の（ａ）はその基板保持装置の
模式上面図である。この実施例は、第１の実施例におい
てリテーナ３で保持している球体２に代えて、回転ロー
ラ１３を用いている点で、第１の実施例と相違し、リテ
ーナの形状が、保持する球体と回転ローラとの違いでや
や相違するが、その他の構成は第１の実施例のものと同
様の構成を有している。したがって、図４の（ｂ）は、
（ａ）におけるＡ−Ａ線断面の拡大端面図であって、図
１の（ｂ）と同じ形状となる。

【００３１】リテーナ３に保持された複数の回転ローラ
１３は、リテーナ３の孔３ａ内で回転ローラの中心軸回
りに回転可能に保持されており、その頂点部において基
板８に対して線接触の態様で基板８を支持し、そして回
転ローラ１３の軸方向の長さは接触面の１％以下程度と
なるように設定することが好ましい。駆動機構６は回転
ローラ１３の中心軸と直交する方向にリテーナ３を移動
させるように配置されている。

【００３２】そして、この実施例においても、ごみの除
去に関しては、先の第１ないし第３の実施例で示した方
式と同様な方式を用いて行なうことができる。さらに、
この実施例においてもピンチャックの接触面積以下とす
ることが可能であるため、ごみが基板保持装置に付着し
た場合において、ごみの影響を小さくすることが可能で
あり、またごみが一旦回転ローラ１３の頂点付近に付着
した場合においても、回転ローラを回転させることによ
り、基板との接触面を容易にかつ迅速に変えることがで
き、ごみのない新たな面で基板を保持することが可能と
なり、またごみの除去も簡単にしかも迅速に行なうこと
が可能である。

【００３３】上述した基板保持装置は、微小デバイス
（半導体装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど）
製造用の露光装置等に用いることができる。そして、こ
の種の露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法に
ついて説明する。図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ
等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステッ
プＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
なう。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板で
あるウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップＳ５（組立）は後工程と呼
ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップＳ６（検査）ではス
テップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経
て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ
７）される。

【００３４】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
このような製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、球体や回転ローラ等の部材により基板を保
持するためにピンチャックより接触面積が小さくなり、
ごみや異物の平坦度に与える影響を少なくすることがで
き、また、基板との接触面にごみ等が一旦付着しても、
球体または回転ローラを回転させることにより、基板と
の接触面を簡単に変えることができるために、ごみの付
着していない新たな面で基板を保持することが可能とな
り、容易にごみの影響を排除することができる。さら
に、本発明においては、ごみが基板保持部に付着しても
簡単にかつ迅速にごみを除去することができる。このよ
うに、オーバーレイ精度へのごみの影響を少なくさせる
ことができ、また基板保持装置のクリーニングに要する
時間が短時間であるので、装置の稼働率を大幅に向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板保持装置の第１の実施例を示し、
（ａ）は基板保持装置の模式上面図であり、（ｂ）はＡ
−Ａ線断面の拡大端面図であり、（ｃ）はごみが付着し
た状態でごみを除去する態様を示す同じ拡大端面図であ
る。

【図２】本発明の基板保持装置の第２の実施例におい
て、ごみを除去する態様を示す拡大端面図である。

【図３】本発明の基板保持装置の第３の実施例におい
て、ごみを除去する態様を示す拡大端面図である。

【図４】本発明の基板保持装置の第４の実施例を示し、
（ａ）はその基板保持装置の模式上面図であり、（ｂ）
はＡ−Ａ線断面の拡大端面図である。

【図５】露光装置を用いた露光方法を説明するシーケン
ス図である。

【図６】ウエハプロセスの詳細なフローを示すシーケン
ス図である。

【図７】従来のピンチャックを示す断面図である。

【符号の説明】

１ チャック本体（基板保持装置本体） ２ 球体 ３ リテーナ ４ カバー兼除去部材 ５ 吸着部材 ６ 駆動機構 ７ 真空配管 ８ 基板 １１ 高圧ガスヘッド １２ 粘着部材 １３ 回転ローラ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ｃ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ等の基板を保持する基板保持装置
   本体と該本体内に配設されて前記基板を支持する接触面
   を有する複数の部材とからなり、基板を吸着して保持す
   る基板保持装置において、前記部材の接触面を変えるこ
   とができるようにしたことを特徴とする基板保持装置。
2. 【請求項２】 基板を支持する接触面を有する部材が球
   体または回転ローラであることを特徴とする請求項１記
   載の基板保持装置。
3. 【請求項３】 球体または回転ローラを回転させるため
   の機構を備えたことを特徴とする請求項２記載の基板保
   持装置。
4. 【請求項４】 ウエハ等の基板を吸着して保持する基板
   保持装置本体と、該本体内に配設されて前記基板を支持
   する複数の球体と、該複数の球体を所定の間隔をもって
   回転可能に保持し、かつ前記本体内で移動可能に設けら
   れたリテーナと、該リテーナに連結され、リテーナを移
   動させるための駆動機構とからなり、前記駆動機構の作
   動によるリテーナの移動によって前記球体を回転させる
   ようにしたことを特徴とする基板保持装置。
5. 【請求項５】 ウエハ等の基板を吸着して保持する基板
   保持装置本体と、該本体内に配設されて前記基板を支持
   する複数の回転ローラと、該複数の回転ローラを所定の
   間隔をもって回転可能に保持し、かつ前記本体内で移動
   可能に設けられたリテーナと、該リテーナに連結され、
   リテーナを移動させるための駆動機構とからなり、前記
   駆動機構の作動によるリテーナの移動によって前記回転
   ローラを回転させるようにしたことを特徴とする基板保
   持装置。
6. 【請求項６】 基板を支持する部材の表面に圧接して、
   接触面の移動により接触面に付着したごみや異物を除去
   することが可能な除去部材を備えたことを特徴とする請
   求項１ないし５のいずれか１項記載の基板保持装置。
7. 【請求項７】 高圧ガス吹き付け機構を備えたことを特
   徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の基板保
   持装置。
8. 【請求項８】 ごみ集塵機構を備えたことを特徴とする
   請求項１ないし７のいずれか１項記載の基板保持装置。
9. 【請求項９】 基板を支持する部材の接触面に粘着部材
   を当接させてごみを除去することを特徴とする請求項１
   ないし８のいずれか１項記載の基板保持装置。
10. 【請求項１０】 ごみの除去を基板保持装置の真空吸引
    動作と同時に行なうようにしたことを特徴とする請求項
    ６ないし９のいずれか１項記載の基板保持装置。
11. 【請求項１１】 請求項１ないし１０のいずれか１項記
    載の基板保持装置と、該基板保持装置により保持された
    基板を露光する露光手段を有することを特徴とする半導
    体露光装置。