JPH1056052A - 半導体製造装置における基板受け渡し装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体露光装置等において、基板をロードハ
ンドから基板保持手段へ受け渡す際に、ごみを排除する
ことができる基板受け渡し装置を提供する。 【解決手段】 ロードハンド２に吸着固定された基板１
をステージ４上の基板保持手段３へ受け渡す際に、基板
１を両吸着の状態にするとともに、基板保持手段３の吸
着力を、圧力計６に連結された圧力制御装置７によっ
て、ロードハンドの吸着力よりも小さくかつ基板の裏面
に生じる応力が基板の降伏応力より小さくなるように制
御した状態で、基板保持手段３と基板１を相対的に移動
させ、基板裏面と基板保持手段３との間に付着している
ごみを擦り落して排除し、その後に基板保持手段３の吸
着力を高めるとともにロードハンド２の吸着力を０にし
て、基板保持手段３に基板１を受け渡す。かくして基板
保持手段３はごみを介在させることなく基板１を吸着保
持することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特にウエハ等の基板を露光する露光装置等において、基
板をロードハンドから基板保持手段へ受け渡す基板受け
渡し装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】基板保持手段を持つ半導体製造装置とし
て代表的なものに半導体露光装置があり、この半導体露
光装置を一例として従来技術を説明する。

【０００３】半導体露光装置は、ウエハ等の被露光基板
を装置に搬入し、パターンを有するマスクを基板と所定
のギャップを保持したまま対向させ、照明光を照射して
露光を行なうように構成されている。基板キャリアに載
置されて装置に搬入される基板は、基板キャリアから基
板搬送系に取り出されて、この基板搬送系によって装置
内を露光時に基板を吸着保持する基板保持手段まで移動
させられ、基板保持手段へ受け渡しが行なわれる。この
基板保持手段は、基板ステージの上に搭載され、金属あ
るいはセラミック等の材質の基板と同径あるいはほぼ同
径の円盤状であって、基板に接する面に幅数ｍｍの溝が
同心円状に形成され、それらの溝の数個所に真空ポンプ
等の吸引手段に接続された吸引孔を備えており、この吸
引手段の作動により溝の中を真空に排気することによっ
て、基板を吸着固定する。このように基板が基板保持手
段に吸着保持されると、マスクが基板と対向する位置に
もたらされ、マスクと基板にそれぞれ形成されているア
ライメントマークによってアライメントユニットを用い
て両者の精密位置合わせが行なわれ、アライメント動作
により両者のずれが予め設定された値に収まったときに
露光が行なわれる。そして、露光が行なわれた基板は、
基板搬送系により回収され、装置外にて現像がなされて
いる。このときのアライメントの誤差は、通常、露光に
より基板に転写されるパターンの最小線幅の１／４以下
とされている。さらに、近年、半導体素子の微細パター
ン化は著しく、１ギガビット以上のＤＲＡＭのための最
小線幅０．１５μｍのパターンを転写、焼き付けするこ
とのできる装置の開発が進んでいる。

【０００４】ところで、半導体製造工程において、特に
露光や露光後のプロセスの各工程において、ごみが存在
した場合に、露光パターンの不良やプロセスで形成され
るパターンに不良が発生し、半導体チップそのものが不
良品となってしまう。そして、露光装置において、微細
なごみが、雰囲気中に浮遊していたり、基板の裏面に付
着したまま搬送されてくると、この微細なごみは基板保
持手段の表面に付着することがある。このように基板保
持手段の表面にごみが付着した状態で基板を吸着保持
し、アライメントを行なって露光したとすると、基板が
ごみのために歪んで吸着されているために転写されたパ
ターンに寸法ならびに位置の転写誤差が生じてしまう。
例えば、０．４μｍのごみが挟まった状態で露光を行な
うと、４０ｎｍの転写誤差が生じてしまう。２５６メガ
ビットのＤＲＡＭで最小線幅は０．２５μｍ、１ギガビ
ット以上のＤＲＡＭでは前述のように最小線幅は０．１
５μｍとされるから、許される転写パターンの誤差はそ
れぞれ６０ｎｍ、４０ｎｍ程度であり、前述のごみによ
る４０ｎｍの転写誤差が好ましくないことは明らかであ
る。さらに、露光装置の内部の配管や各種ケーブル類に
付着していたごみが雰囲気中に浮遊して、基板保持手段
の表面や搬送中の基板の裏面に付着してしまうことがあ
った。また、露光装置の組立ては、従来半導体工場と同
等のクリーンルームで行なわれており、部品も組立て前
の段階で洗浄等を行ない、実際に露光を行なう際にはご
みが付着したり、発生したりすることはないものと考え
られていた。しかし、実際には組立て時に全くごみを付
着させないことや露光時に全くごみを発生させないこと
は困難である。

【０００５】そこで、半導体製造工程においては、ごみ
の除去は解決すべき大きな課題であり、露光装置等にお
いてもごみの除去のために種々の工夫がなされている。
このようなごみの問題を解決するために、基板の裏面を
洗浄する方法や、露光装置内部にごみ除去手段として金
属や硬質ゴムで構成される部材を設け、必要に応じて基
板保持手段の表面を擦り取る方法、あるいはブラシ状の
異物除去手段で基板保持手段の表面を洗浄する方法等が
提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、基板保持手段を洗浄した後、露光用の基板を
吸着するまでの間にごみが再び付着する可能性があり、
また露光装置内に搬入された露光用の基板にごみが付着
していると基板保持手段を単に洗浄するだけではごみを
完全に除去することはできなかった。

【０００７】そこで、本発明は、上記従来の技術の有す
る未解決な課題に鑑みてなされたものであり、基板をロ
ードハンドから基板保持手段へ受け渡す際に、ごみを排
除して、基板の裏面と基板保持手段の表面にごみを挟む
ことがなく、高精度なアライメントを可能とする基板受
け渡し装置およびこれを用いた半導体露光装置を提供す
ることを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板受け渡し装置は、基板を固定する基板
固定手段を有するロードハンドと、ステージ上に配設さ
れた基板保持手段と、ロードハンドに固定された基板を
ステージ上の基板保持手段に押し付ける手段と、該押し
付ける手段による押し付け力を制御する制御手段と、押
し付け力が所定の値に制御された状態でステージ上の基
板保持手段と該基板保持手段に押し付けられた基板を相
対的に移動させる手段とを具備することを特徴とする。

【０００９】そして、本発明の基板受け渡し装置は、基
板を固定するロードハンドの基板固定手段およびステー
ジ上の基板保持手段は、基板との間に真空室を形成し、
その差圧により基板を吸着固定する真空チャック手段で
あり、押し付け力制御手段は、真空室の圧力を制御する
ことにより押し付け力を所定の値に制御することが好ま
しく、あるいは、ロードハンドに押し付け力検出手段を
配設し、押し付け力制御手段は前記押し付け力検出手段
の出力に基づいて押し付け力を所定の値に制御すること
が好ましい。

【００１０】さらに、本発明の基板受け渡し装置におい
て、押し付け力制御手段が、押し付け力をロードハンド
の吸着力より小さく、かつ押し付け力により基板の裏面
に生じる応力が基板の降伏応力より小さくなるように制
御するように構成することが好ましい。

【００１１】また、本発明の基板受け渡し装置は、基板
を固定する基板固定手段を有するロードハンドと、ステ
ージ上に配設された基板を吸着固定するピンチャック
と、ロードハンドに固定された基板をステージ上のピン
チャックに押し付ける手段と、該押し付ける手段による
押し付け力を制御する制御手段と、押し付け力が所定の
値に制御された状態でステージ上のピンチャックを該ピ
ンチャックに押し付けられた基板に対して相対的に移動
させる手段とを具備することを特徴とする。

【００１２】さらに、本発明の基板受け渡し装置は、基
板を固定する基板固定手段を有するロードハンドと、ス
テージ上に配設されかつごみ落とし用溝を有する基板保
持手段と、ロードハンドに固定された基板をステージ上
の基板保持手段に押し付ける手段と、該押し付ける手段
による押し付け力を制御する制御手段と、押し付け力が
所定の値に制御された状態において、基板保持手段を該
基板保持手段に押し付けられた基板に対して、そのごみ
落とし用の溝が基板の裏面全てを通るような移動量の大
きさで、移動させる移動手段とを具備することを特徴と
する。

【００１３】そして、本発明の半導体露光装置は、前記
した基板受け渡し装置と、基板保持手段に保持された基
板を露光する露光手段を有することを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明の基板受け渡し装置によれば、基板をロ
ードハンドから基板保持手段へ受け渡す際に、基板保持
手段への基板の押し付け力を所定の値に維持しながら、
基板保持手段とこの基板保持手段に押し付けられた基板
を相対的に移動させることによって、基板の裏面および
基板保持手段の表面に付着しているごみを確実に擦り落
として排除することができ、基板保持手段は基板をごみ
を挟むことなく保持することができる。さらに基板の押
し付け力を制御装置により一定にかつ均一に保つことが
できるために、基板の裏面に傷をつけたり、パーティク
ルを発生することなく、ごみを擦り落とすことが可能と
なる。かくして、基板保持手段は、その保持表面と基板
裏面の間にごみがない状態で、基板を確実に吸着保持す
ることができ、精度の高いアライメントを可能とし、歩
留まりを向上させることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００１６】図１は本発明の基板受け渡し装置の第１の
実施例を示す概略図であり、図２はその作動態様を説明
する模式斜視図である。この実施例における基板受け渡
し装置は、ウエハ等の基板１を吸着保持して基板を搬送
するロードハンド２と、ロードハンド２から基板１を受
けとり、吸着保持するピンチャック（基板保持手段）３
とからなり、ピンチャック３は、基板１の大きさより僅
かに小さい形状に形成され、移動可能なステージ４に搭
載されている。そしてピンチャック３は、基板を吸着保
持するために真空引きする真空配管５を介して真空ポン
プ１２に連結され、真空配管５には、ピンチャック３の
吸着をＯＮ／ＯＦＦするバルブ９と、後述する圧力制御
装置７によって開度が調整されるコントロールバルブ８
が配設されている。一方、ロードハンド２は基板を吸着
固定するための真空引き用の真空配管１０を介して真空
ポンプ１２に連結され、真空配管１０にはロードハンド
の吸着をＯＮ／ＯＦＦするバルブ１１が設けられてい
る。コントロールバルブ８の開度を調整する圧力制御装
置７は、ピンチャック３の圧力を計測する圧力計６の測
定結果に基づいてコントロールバルブ８の開度を調整
し、ピンチャック３の吸引圧力を制御するように構成さ
れている。

【００１７】このように構成された基板受け渡し装置に
おいて、その作動を図２に基づいて説明すると、基板１
を吸着固定したロードハンド２を、その基板１をステー
ジ４上のピンチャック３に受け渡すべく、ピンチャック
３付近の受け渡し位置に移動させる（図２の（ａ））。

【００１８】次に、ロードハンド２をＺ方向に移動さ
せ、基板１をピンチャック３に接触させる（図２の
（ｂ））。この位置において、ロードハンド２が基板１
を吸着した状態で、真空配管５のバルブ９を開き、基板
１を両吸着の状態にする。なお、この時のピンチャック
３の吸着力は、ロードハンド２の吸着力より小さく、ま
た基板の裏面を傷付けない程度の吸着力、すなわちピン
チャック３のピンと基板の接触面での応力が基板の降伏
応力を越えない吸着力、となるように設定する。この吸
着力を得るために必要なピンチャックの圧力は予め計算
によって求めて、この値を圧力制御装置７に設定してお
く。そして圧力制御装置７は、ピンチャック３に設けた
圧力計６による測定値とこの設定値を比較することによ
り、コントロールバルブ８の開度を調整して、ピンチャ
ック内の圧力を常に一定に維持するように制御する。

【００１９】次に、図２の（ｃ）に示すように、ステー
ジ４上のピンチャック３を、基板１に対してＸ軸方向、
Ｙ軸方向に移動させる。この時、ステージ４の移動量
は、ピンの先端に外接する円の直径よりも大きく、かつ
ピンチャック３の吸着面が基板から外れない、すなわち
真空による吸着力が失われない程度の、大きさにする。
なお、図２の（ｃ）において、ステージの移動が直線的
であるように図示しているが、このステージ４およびピ
ンチャック３の移動は、直線的移動に限らず、その他の
適当な移動経路に沿った移動でも良く、ピンの先端に外
接する円の直径よりも大きく移動することができるので
あれば、どのような移動経路に沿うものであっても良い
ことは当然である。

【００２０】このように、ピンチャック３が基板１を吸
着保持する前に、ピンチャック３を基板１に対して相対
的に移動させることによって、基板１の裏面とピンの間
にごみが付着し挟まっていても、このごみを落とすこと
ができる。

【００２１】このピンチャック３の基板１に対する相対
的移動によるごみの排除の態様を、図３の（ａ）ないし
（ｃ）に基づいて、さらに詳細に説明する。

【００２２】図３の（ａ）は、基板１をロードハンド２
からピンチャック３へ受け渡す際に基板１を両吸着の状
態にしたときに、基板１の裏面とピンチャック３のピン
３１との間にごみ３５が挟まっている状態を示し、３２
は吸着力（差圧）を示す。

【００２３】図３の（ａ）に示す状態において、基板１
とピン３１を相対的に移動させることにより（なお、図
３においては、基板１を矢印方向に相対移動させた場合
を例示してある。）、ごみ３５は、図３の（ｂ）に示す
ように、ピン３１と基板１の裏面の間からずれる。次
に、基板１を逆方向、図３の（ｃ）に矢印で示す方向、
に移動させる。この基板とピンチャックの両者の相対的
移動の間に基板１は吸着力３２によりピン３１と密着し
た状態が維持されているために、ごみ３５がピン３１と
基板１との間に再び挟まれることはなく、またごみ３５
は、ピン３１に当接すると、ピン３１によって基板１か
ら擦り落とされることとなる（図３の（ｃ））。

【００２４】そして、ピンチャック３を基板１に対して
相対的移動させた後に、ステージ４を所定の位置に移動
させ、コントロールバルブ８を開き、ピンチャック３の
吸着力を高めるとともにロードハンド２の吸着力を０に
することによって、基板１は、ステージ上のピンチャッ
ク３に吸着固定され、ロードハンド２からステージ上の
ピンチャック３に受け渡され、基板１の受け渡しが完了
する。

【００２５】以上のように、基板のステージ上の基板保
持手段への受け渡し時に、ピンチャックと基板を相対的
に移動させることにより、基板の裏面と基板保持表面の
ごみを擦り落とすことができ、またステージ上の基板保
持手段の押し付け力を基板保持手段の背圧により得るこ
とにより、基板保持手段と基板を均一に接触させること
ができるとともに、基板裏面に傷を付けることなく、ご
みを擦り落とすことができる。したがって、ステージ上
の基板保持手段は、常に基板保持表面と基板裏面の間に
ごみがない状態で、基板を吸着保持することができるの
で、精度の高いアライメントを可能とし、歩留まりを向
上させることができる。

【００２６】次に、本発明の第２の実施例を図４に基づ
いて説明する。この実施例において、基板保持手段は、
ピンチャックではなく、従来の真空チャック３ａであっ
て、基板保持面に、同心円状の溝や半径方向に延びる溝
からなる吸着溝３７とごみ擦り落し用の溝３８が形成さ
れている真空チャックである。

【００２７】この実施例におけるごみを擦り落すための
受け渡しのシーケンスは、先の第１の実施例の場合と同
じであるが、ごみを擦り落とすためのステージの移動量
において相違する。この実施例のステージの移動量は、
吸着溝３７もしくはごみ擦り落とし用溝３８が基板の裏
面全体を必ず通る量だけ移動させることが重要である。
すなわち、図４に示す真空チャック３ａにおいて、ｙ方
向にｙ１以上、ｘ方向に±ｘ１以上移動させる。ただ
し、その移動は基板が真空チャックの吸着溝から外れな
い大きさとする。

【００２８】このように、ピンチャックが使用できず、
従来の真空チャックを使用する場合においても、基板毎
に基板の裏面や基板保持表面のごみを擦り落とすことが
できる。

【００２９】次に、本発明の第３の実施例を図５に基づ
いて説明する。基板を基板保持手段に対し押し付ける力
の制御に関して、第１の実施例においては、圧力制御装
置を用いてステージ上の基板保持手段の吸着力を制御し
ているが、これに代えて、基板を固定したロードハンド
をステージ上の基板保持手段に押し付ける力を制御する
ものである。

【００３０】図５において、ロードハンド２は、ステー
ジ上の基板保持手段３ｂに対して接離する方向、すなわ
ちＺ方向に、ガイド５５に沿って移動可能に設けられ、
駆動装置５４によってＺ方向に駆動される。またロード
ハンド２は一部に板ばね５１，５１を介して形成されて
おり、板ばね５１には、押し付け力を検出する歪ゲージ
５２を配設し、この歪ゲージ５２の検出値は押し付け力
制御装置５３に送信される。この押し付け力制御装置５
３は、ロードハンド２に固定された基板１を予め設定さ
れた力でステージ上の基板保持手段３ｂに押し付けるよ
うに制御するものであり、ロードハンドの押し付け力を
検出する歪ゲージ５２の検出値に基づいて駆動装置５４
の駆動を制御するように構成されている。基板１を基板
保持手段３ｂへ押し付ける力は、第１の実施例のものと
同様に、基板保持手段３ｂと基板１の接触面での応力が
基板の降伏応力を越えない範囲の力であって、基板１の
裏面に傷を付けないような力として、予め計算によって
算出して、この値を押し付け力制御装置５３に設定して
おく。そして、基板１の受け渡しの際に、押し付け力制
御装置５３は、設定値と歪ゲージ５２の検出値を比較す
ることにより、ロードハンド２の駆動装置５４の駆動を
制御し、その押し付け力をその所定の値に一定に維持す
るように構成する。

【００３１】基板１をロードハンド２からステージ上の
基板保持手段３ｂへ受け渡す際に、基板１を基板保持手
段３ｂに接触させる。そして基板１の裏面および基板保
持手段３ｂの表面間のごみを擦り落とすために、ロード
ハンド２をさらにＺ方向に移動させ、この時の押し付け
力が予め設定された所定の値になるように歪ゲージ５２
の検出値と設定値の比較により押し付け力制御装置５３
が駆動手段５４の駆動を制御する。この押し付け力はご
み擦り落としのためにステージおよび基板保持手段を移
動させている間に一定に維持するように制御を続ける。
そして、この実施例においても、ごみを擦り落とすため
の受け渡しのシーケンスは、第１の実施例の場合と同様
である。このように押し付け力を制御することによっ
て、吸着面にかかわらず、ステージおよび基板保持手段
を移動させることができ、より大きくステージおよび基
板保持手段を移動させることが可能となる。

【００３２】上述した基板受け渡し装置は、微小デバイ
ス（半導体装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシンな
ど）製造用の露光装置等に用いることができる。次に、
この種の露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法
について説明する。図６は半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステ
ップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
Ｓ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板
であるウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップＳ５（組立）は後工程と呼
ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップＳ６（検査）ではス
テップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経
て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ
７）される。

【００３３】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４
（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像
する。ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
このような製造方法を用いれば、従来は製造が難しかっ
た高集積度の半導体デバイスを製造することができる。

【００３４】

【発明の効果】本発明は、上述のように構成されている
ので、ロードハンドから基板保持手段への基板の受け渡
し時に、基板裏面および基板保持手段の表面にごみが付
着していたとしても、ごみを確実に擦り落として排除す
ることができ、基板裏面と基板保持手段との間にごみを
挟むことなく、基板を基板保持面に保持することができ
るので、装置の歩留まりを高めることができる。

【００３５】また、基板とステージ上の基板保持手段を
相対的に移動させる際の押し付け力は、一定にかつ均一
に保つことができ、より効率的にごみを落とすことが可
能となり、さらにロードハンドの押し付け力を制御する
ことによって、吸着面によらず基板と保持手段を相対的
に移動させることができる。

【００３６】そして、押し付け力を制御することによっ
て、基板裏面に傷をつけたり、パーティクルを発生する
ことなく、ごみのみを擦り落として排除することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板受け渡し装置の第１の実施例を示
す概略図である。

【図２】図１に示す基板受け渡し装置の作動態様を示す
模式斜視図である。

【図３】図１に示す基板受け渡し装置のごみの排除の態
様を示す概略図である。

【図４】本発明の基板受け渡し装置の第２の実施例にお
ける基板保持手段を示す平面図である。

【図５】本発明の基板受け渡し装置の第３の実施例を示
す概略図である。

【図６】露光装置における露光方法を説明するシーケン
ス図である。

【図７】ウエハプロセスの詳細なフローを示すシーケン
ス図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ ロードハンド ３，３ａ，３ｂ 基板保持手段 ４ ステージ ６ 圧力計 ７ 圧力制御装置 ８ コントロールバルブ １２ 真空ポンプ ３１ ピン ３５ ごみ ５１ 板ばね ５２ 歪ゲージ ５３ 押し付け力制御装置 ５４ 駆動装置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を固定する基板固定手段を有するロ
   ードハンドと、ステージ上に配設された基板保持手段
   と、前記ロードハンドに固定された基板を前記ステージ
   上の前記基板保持手段に押し付ける手段と、該押し付け
   る手段による押し付け力を制御する制御手段と、押し付
   け力が所定の値に制御された状態でステージ上の前記基
   板保持手段と該基板保持手段に押し付けられた基板を相
   対的に移動させる手段とを具備することを特徴とする基
   板受け渡し装置。
2. 【請求項２】 基板を固定するロードハンドの基板固定
   手段およびステージ上の基板保持手段は、基板との間に
   真空室を形成し、その差圧により基板を吸着固定する真
   空チャック手段であり、押し付け力制御手段は、真空室
   の圧力を制御することにより押し付け力を所定の値に制
   御することを特徴とする請求項１記載の基板受け渡し装
   置。
3. 【請求項３】 ロードハンドに押し付け力検出手段を配
   設し、押し付け力制御手段は前記押し付け力検出手段の
   出力に基づいて押し付け力を所定の値に制御することを
   特徴とする請求項１記載の基板受け渡し装置。
4. 【請求項４】 押し付け力制御手段は、押し付け力をロ
   ードハンドの吸着力より小さく、かつ押し付け力により
   基板の裏面に生じる応力が基板の降伏応力より小さくな
   るように制御することを特徴とする請求項１ないし３の
   いずれか１項記載の基板受け渡し装置。
5. 【請求項５】 基板を固定する基板固定手段を有するロ
   ードハンドと、ステージ上に配設された基板を吸着固定
   するピンチャックと、前記ロードハンドに固定された基
   板をステージ上の前記ピンチャックに押し付ける手段
   と、該押し付ける手段による押し付け力を制御する制御
   手段と、押し付け力が所定の値に制御された状態でステ
   ージ上の前記ピンチャックを該ピンチャックに押し付け
   られた基板に対して相対的に移動させる手段とを具備す
   ることを特徴とする基板受け渡し装置。
6. 【請求項６】 ステージ上のピンチャックの基板に対す
   る移動量を、ピンの先端に外接する円の直径より大きく
   したことを特徴とする請求項５記載の基板受け渡し装
   置。
7. 【請求項７】 基板を固定する基板固定手段を有するロ
   ードハンドと、ステージ上に配設されかつごみ落とし用
   溝を有する基板保持手段と、前記ロードハンドに固定さ
   れた基板をステージ上の前記基板保持手段に押し付ける
   手段と、該押し付ける手段による押し付け力を制御する
   制御手段と、押し付け力が所定の値に制御された状態に
   おいて、前記基板保持手段を該基板保持手段に押し付け
   られた基板に対して、前記ごみ落とし用溝が基板の裏面
   全てを通るような移動量の大きさで、移動させる移動手
   段とを具備することを特徴とする基板受け渡し装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１項記載の
   基板受け渡し装置と、基板保持手段に保持された基板を
   露光する露光手段を有することを特徴とする半導体露光
   装置。